EL TRA N SI STOR COM O CON M UTA D OR

I N TROD UCCI ÓN

1 .- EL I N TERRUPTOR A TRAN SI STOR

Un circuit o básico a transist or com o el ilust rado en la Figura 1 a) , conform a un

ci r cu i t o i n v e r so r ; es decir que su salida es de baj o nivel cuando la señal de ent rada
es alt a y viceversa.
El m ism o est á calculado de m anera que el transist or est é en la zona de cort e
( punt o B) o saturación ( punt o A) , Figura 1 d) , dependiendo si el valor de la función de
ent rada vale 0 ó + V, respectivam ent e. Trabaj ando de est a m anera el transist or se
com porta com o un i n t er r u p t o r co n t r o l a d o , realizando t ransiciones entre la
sat uración y el corte.
Se observa que el int erruptor est á cont rolado por la corrient e de base: Cuando
el t ransist or est á al corte no fluye corrient e y el int erruptor est á abiert o ( Figura 1c) ,
cuando el t ransist or est á sat urado fluye la m áxim a corrient e de colector y el
int erruptor est á cerrado ( Figura 1b) .

Vcc Vcc Vcc

Rc IC
C Rc Rc
+V A
VE C
C C
R1
E
E E
R2 B VCE

a) b) c) d)

Fig u r a 1 : Circuit o de conm utación básico: a) Configuración. b) Llave cerrada

( punt o A) . c) llave abiert a ( punt o B) . d) Recta de carga y punt os de
funcionam ient o.

1 .1 Ti e m p o s d e co n m u t a ci ó n d e l t r a n si st o r

En la Figura 2 se represent a la respuest a del t ransistor del circuit o de la Figura

1 cuando se aplica a su entrada un im pulso rect angular.
Desde el inst ant e en que la t ensión aplicada en el borne VE pasa del valor 0 a
+ V, hasta que la int ensidad de colect or alcanza el 90% de su valor final I cs, y el
transistor llega a la saturación, se observa que t ranscurre un ciert o t iem po llam ado
t on . I gualm ent e, desde el m om ento en que la t ensión en el borne VE pasa del valor + V
a 0 hasta que la int ensidad del colect or alcanza el 10% de I cs t ranscurre un t iem po
llam ado t off . Siendo t on el tiem po de conm utación del est ado de corte al de sat uración
o t iem po de encendido, m ient ras que a t off se lo denom ina t iem po de conm ut ación del
est ado de sat uración al cort e, o t iem po de cort e o apagado.

UN SJ- ELO I - El t r a n si st o r co m o co n m u t a d o r
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 Tie m p o d e r e t ar d o : t d ( d e la y t i m e ) : I ntervalo de t iem po ent re el punt o
correspondient e al inst ante de aplicación de la señal de entrada y el punto en que la
señal de salida t om a el 10% de su valor final.
Est e t iem po de ret raso se debe, principalm ente a dos fact ores:
1.- Cuando un t ransistor act úa com o conm ut ador, se lo polariza inversam ent e
para llevarlo al cort e, con lo cual la capacidad de la j unt ura base- em isor se carga a
ese valor de t ensión negat iva; por tal razón para pasarlo a la conducción ( sat uración)
se necesit a de ciert o t iem po para descargar y cargar ese condensador. A m ayor valor
de polarización inversa m ayor será ese ret ardo.
2.- Se requiere de ciert o t iem po para que la corriente de em isor se difunda a
través de la región de la base.

VE

+V tensión de entr ada

0
to t1 t

e colect or

Fig u r a 2 : Tiem pos de conm ut ación del t ransist or

Tie m p o d e su b i d a o cr e cim i en t o : t r ( r ise t i m e ) : I ntervalo de t iem po ent re

los puntos correspondient es al 10 y 90% de la form a de onda ascendente de la
corriente de colect or.
El t iem po de crecim ient o es una función de la frecuencia de corte alfa, f ; y
tam bién depende inversam ent e de la cant idad de corriente de apert ura; m ient ras
m ayor sea la corrient e de apert ura, m enor será el t iem po de crecim ient o.

Tie m p o d e a lm ace n a m i e n t o : t s ( st o r ag e t i m e ) : I ntervalo de t iem po entre

el inst ant e en que la t ensión de ent rada com ienza el descenso y el punt o
correspondient e al 90% de la form a de onda descendente de la corrient e de colect or.
El t iem po de alm acenam ient o es una función de hfe, y de las corrientes de apert ura y
cierre.
La no respuest a del t ransist or durante el tiem po t s a la anulación de la
excit ación, se debe a que el t ransist or en sat uración tiene una carga en exceso de
portadores m inoritarios alm acenados en la base. El t ransist or no puede responder
hasta que ese exceso de carga de saturación se haya elim inado. En el caso extrem o
est e t iem po t s puede ser de dos a t res veces el tiem po de subida o de baj ada a t ravés
de la región activa. Al em plear t ransist ores de conm ut ación donde la velocidad result a
de verdadero int erés, la m ayor vent aj a se obt iene cuando se reduce el t iem po de
alm acenam ient o.
Se puede reducir el tiem po de alm acenam ient o proporcionando una corrient e
inversa de base de m anera que extraiga los portadores en exceso de la base,
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aum ent ando así la velocidad de dism inución del núm ero de portadores alm acenados
en exceso.
Un condensador C, llam ado condensador de rapidez, elegido apropiadam ente y
colocado en paralelo con la resistencia de base R1 ( Figura 1- a) hará que t s se reduzca
considerablem ent e.
El condensador de rapidez t am bién proporciona un im pulso de corriente inicial
cuando el transist or se conm ut a al est ado de conducción, reduciendo de est e m odo el
tiem po de ret ardo ( t d ) y el de subida ( t r ) .

Tie m p o d e ca íd a t f ( f al l t i m e ) : I ntervalo de t iem po ent re los puntos

correspondient es al 90 y 10% de la form a de onda descendent e de la corrient e de
colect or.

Tie m p o d e co n e x i ó n o en cen d id o T ON = t d + t r : Result a de la sum a de los

tiem pos de ret ardo t d y de subida t r . Es el tiem po tot al para pasar del cort e a la
sat uración.

Tie m p o d e d e sco n ex i ó n o a p a g ad o T OFF = t s + t f : Es la sum a de los

tiem pos de alm acenam ient o t S m ás el de caída t f . Es el t iem po tot al para pasar de la
sat uración al cort e.

Tie m p o t o t a l d e co n m u t a ció n T T = ( t d + t r ) + ( t s + t f ) = TON + TOFF

Los t iem pos de encendido ( TON) y apagado ( TOFF) lim it an la frecuencia

m áxim a a la cual puede conm ut ar el t ransist or.
1 1
Fmáx
TON TOFF TT

En la Tabla 1 se det allan los t iem pos de respuestas de algunos t ransist ores
ut ilizados en conm ut ación, de acuerdo a las hoj as de datos dadas por el fabricant e.

Aplicaciones hfe td tr ts tf ton toff fT (mín)

Transistor
Pot. ( m ín / m áx ) (ns) (ns) (ns) (ns) (ns) (ns) ( MHz)

Propósitos
PXT2222A
grales. 100/ 300 15 20 200 60 35 250 300
–NPN- ( Philips)
Ptot = 1,25W

PMBT2369 Alta Velocidad

40/ 120 4 6 10 10 10 20 500
–NPN- ( Philips) Ptot = 250 m W

Propósitos
MPS3904
generales. 100/ 300 50 60 1000 200 110 1.200 180
–NPN- ( Philips)
Ptot = 500m W

Tab la 1 : Valores com parat ivos de los t iem pos de conm ut ación de diferent es
t ransist ores.
ht t p: / / www.chipcat alog.com / Cat / 835.ht m
ht t p: / / www.dat asheet 4u.com /
ht t p: / / www.dat asheet cat alog.com / philips/ 70/
ht t p: / / www.alldat asheet .co.kr

En los circuit os int errupt ores a t ransist or, el t iem po de encendido: TON de un
transistor, definido ant eriorm ente com o el retardo de t iem po ent re el inst ant e de

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aplicación de un pulso de entrada y el m om ento en que la corrient e de salida tom a el
90% de su valor final, NO se em plea para analizar el ret raso de la propagación, por
dos m otivos: Prim ero, la ent rada a la puert a no es un im pulso cuadrado, sino que
tiene un t iem po de subida no nulo. Segundo, la ent rada no necesita alcanzar el 90%
de su valor para que la puerta cam bie de est ado. Por lo t ant o el tiem po que se ut iliza
es el t iem po de propagación:

Tie m p o d e r et a r d o d e p r o p ag a ci ó n : El t iem po que t arda un int errupt or a

transistor en responder a una señal de ent rada es lo que se llam a t iem po de retardo
de propagación tpd. La Figura 3 ilustra gráficam ente los concept os t pdf y t pdr
aplicados al caso de un circuit o que realiza la función lógica inversión.

Fig u r a 3 : Tiem po de ret ardo de propagación

tpdr = tpd,LH = t pd+ = Tiem po de ret raso cuando la salida alcanza el 50% del
nivel al pasar del nivel baj o al alt o.

tpdf = tpd,HL = tpd- = Tiem po de ret raso cuando la salida del int errupt or
alcanza el 50% del nivel al pasar del nivel alto hacia el nivel baj o.

Ordinariam ent e t pd+ es m ayor que t pd- a causa de la inevit able capacidad en
la salida del int errupt or.

Por lo t ant o el t iem po que t arda un int erruptor a t ransist or en responder a una
señal de entrada, definido com o tiem po de propagación m edio, es la m edia arit m ét ica
ent re los tiem pos m edios de propagación del cam bio de est ado de la entrada a la
salida en los casos en que ést a pasa del est ado 1 al 0, y viceversa, es decir:

t pd= ( t pdf + t pdr) / 2

Con lo cual la frecuencia m áxim a de utilización del t ransist or est ará dada por:

fmáx .= 1/ 2 t pd

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 2 .- LI M I TA CI ON ES D E FRECUEN CI A D E LOS TRAN SI STORES

Ciertos t ransistores present an una ganancia aprovechable en frecuencias de

cientos de MHz, m ient ras que ot ros no funcionarán con frecuencias superiores a los
50 kHz.
Las caract erísticas dadas por los fabricant es o los m anuales de t ransist ores
indican, por lo general, uno o m ás parám etros que describen el com port am ient o de
los t ransistores en función de la frecuencia. Los t res parám etros de frecuencia m ás
com únm ente indicados son:

Fr e cu e n ci a d e co r t e b et a o d e em iso r co m ú n : f , es la frecuencia para la

cual la ganancia de corrient e h fe, del t ransist or en configuración em isor com ún cae
1/ 2 0 ,7 0 7 , por lo tanto f es la frecuencia de cort e en la que la ganancia en cort o
circuit o en configuración em isor com ún, cae 3 dB, Figura 4.

Fig u r a 4 : Caract eríst icas frecuenciales.

Fr e cu en ci a d e t r a n si ció n o d e co r t e : fT, Se define com o la frecuencia para la cual

la ganancia de corrient e, h fe, del t ransist or en configuración em isor com ún, se hace
igual a la unidad, con lo cual se considera que es la m áxim a frecuencia de operación
del transist or.

iC
i h fe 1 i ( dB) = 20 log 1 = 0 dB
ib
Se deduce t am bién que fT = hfe. f , llam ado product o ganancia- ancho de banda.

Fr e cu e n ci a d e co r t e a lf a o d e b a se co m ú n : f , es la frecuencia para la cual

la ganancia de corrient e h fb ( ) , en configuración base com ún cae 0,707; por lo tanto
f es la frecuencia de cort e en la que la ganancia de corto circuit o en configuración
base com ún, cae 3 dB.

Bi b l io g r af ía:
MANDADO Enrique; Sist em as Elect rónicos Digit ales. Marcom bo Boixareu Edit ores. Barcelona, 1991.
SCHI LLI NG Donald, BELOVE Charles; Circuitos Elect rónicos, discret os e int egrados. Marcom bo Boixareu
Edit ores. Barcelona, 1985.
BOYLESTAD Robert , NASHELSKY, Louis; Electrónica: Teoría de circuit os y disposit ivos elect rónicos.
Pearson Educación. México, 2003.

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