PRIMEROS DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS
Fritts (1883) preparó los primeros dispositivos fotovoltaicos de capa
Fabricación de células de silicio
PRIMEROS DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS
Becquerel descubre el efecto fotovoltaico (1841). Generaba
electricidad incidiendo en los electrodos con distintos tipos de luz.
Adams y Day (1877) producen electricidad en cilindros de selenio
vítreo por incidencia de la luz.
fina de 30 cm2 de área y reconoció por primera vez el potencial de
esta energía que podría ser almacenada, transportada, etc.
Grondahl (1930-32) :
Preparó células de unión de
cobre y óxido de cobre con
peores características que las
de selenio.
PRIMEROS DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS
En torno a 1930 se estaba trabajando mucho con Si para la fabricación
de rectificadores. Aunque aún no se dominaba la técnica del dopaje se
sabía de la existencia de Si tipo p y tipo n. En 1941 Ohl publica los
resultados de dispositivos fotovoltaicos de Si con peor funcionamiento
que los anteriores.
Kingsbury y Ohl (1952) fabrican células de Si con mejor calidad.
En 1954 con el desarrollo de las técnicas de crecimiento de cristales y
el dopaje por difusión se presenta la primera célula de Si moderna.
(Chapin, Fuller y Pearson)
eficiencia de casi 6%
Sin embargo, la energía fotovoltaica no pudo avanzar hasta 1970
debido a la falta de tecnología de procesado del silicio.
 OBTENCIÓN DE OBLEAS DE SILICIO
Cualquier semiconductor puede ser amorfo o cristalino, atendiendo al
grado en que presenta una estructura atómica perfectamente
ordenada y regular.
Tecnología de fabricación de células
solares de silicio

Fuentes bibliográficas videos:

•Pveducation.org/pvcdrom
AMORFO CRISTALINO
La estructura repetida en un cristal se denomina celda unidad.

OBTENCIÓN DE OBLEAS DE SILICIO OBTENCIÓN DE OBLEAS DE SILICIO

§El Si es el elemento más abundante en la corteza terrestre. Aparece en Cada celda unidad se sitúa en un sistema coordenado de 3 ejes. Las
forma de arena o sílice. coordenadas de los distintos planos en ese sistema se conocen como
§El silicio que se emplea en la fabricación de células fotovoltaicas no necesita índices de Miller del cristal e identifican su orientación.
ser tan puro como el utilizado en la fabricación de circuitos integrados (Si Z
1
grado semiconductor). Por eso, se habla de Si-grado solar, aunque en la
actualidad se utiliza mayormente el Si grado semiconductor.
Unit cell
1Y
Steps to Obtaining Semiconductor Grade Silicon (SGS)
0
Step Description of Process Reaction

Produce metallurgical grade Z Z

X 1 Z
1 silicon (MGS) by heating SiO
SiC (s)2+(s)
SiO+2 (s)
C (s) →(l)Si+(s)
à Si + CO
SiO(g) 2 (g)
+ CO (g)
silica with carbon
Purify MG silicon through a
chemical reaction to produce
2 Si (s) + 3HCl (g) à SiHCl3 (g) + H2 (g) + heat
a silicon-bearing gas of
trichlorosilane (SiHCl3)
SiHCl3 and hydrogen react in Y Y Y
a process called Siemens to
3 2SiHCl3 (g) + 2H2 (g) à 2Si (s) + 6HCl (g)
obtain pure semiconductor-
grade silicon (SGS) X X X
(100) (110) (111)
OBTENCIÓN DE OBLEAS DE SILICIO OBTENCIÓN DE OBLEAS DE SILICIO
Entre los materiales con estructura cristalina podemos diferenciar dos El silicio multicristalino es más barato aunque de inferior calidad
clases básicas: monocristales y policristales que el Si monocristalino.

La calidad se reduce por la presencia

de fronteras de grano (entre los
monocristales en contacto) que
funcionan como centros de
recombinación localizados. Además,
las fronteras de grano reducen la
eficiencia de las células al bloquear el
Polycrystalline structure Monocrystalline structure flujo de portadores y crear caminos
En un monocristal todos los átomos se colocan según una única alternativos para la corriente que
orientación. En cambio, un policristal está formado por diferentes atraviesa la unión p-n (reduce el valor
monocristales cada uno orientado en una dirección diferente. de la resistencia paralela).

OBTENCIÓN DE OBLEAS DE SILICIO OBTENCIÓN DE OBLEAS DE SILICIO

Entre los materiales con estructura policristalina podemos encontrar
una nomenclatura más específica atendiendo al tamaño de los
monocristales que conforman el cristal de semiconductor. Así, para el
caso del silicio se distinguen las siguientes clasificaciones:
Para obtener Si multicristalino se deposita el Si fundido en un
crisol muy grande y se deja enfriar lentamente para formar cristales
de gran tamaño:

Common Growth
Descriptor Symbol Grain Size
Techniques

Czochralski (CZ)
Single crystal sc-Si >10cm
float zone (FZ)

Multicrystalline mc-Si 1mm-10cm Cast, sheet, ribbon

Chemical-vapour
Polycrystalline pc-Si 1µm-1mm
deposition

Microcrystalline µc-Si <1µm Plasma deposition

Crisol: 50cm x 50cm x 25cm Horno aT > 1415ºC (Si funde)
OBTENCIÓN DE OBLEAS DE SILICIO OBTENCIÓN DE OBLEAS DE SILICIO
Bloque de Si multicristalino extraido del horno: La técnica más utilizada para la obtención de obleas de Si es la de
Czochralski. Consiste en la obtención de cilindros monocristalinos
a partir de una semilla con la orientación deseada:

Crystal
puller and
rotation Crystal seed
mechanism

Single Molten
Bloque: 50cm x 50cm x 25cm crystal polysilicon
Una sierra mecánica divide el silicon
bloque en ladrillos. Quartz Heat shield
crucible
Carbon heating
element Water jacket

OBTENCIÓN DE OBLEAS DE SILICIO OBTENCIÓN DE OBLEAS DE SILICIO

A partir de los ladrillos pueden obtenerse obleas de Si Controlando la temperatura y la velocidad de extracción y rotación se
multicristalino: consigue el diámetro deseado. El crecimiento dura varias horas.

Oblea mc-Si 10x10 cm2 texturizada.

Los granos de diferente orientación
se muestran claros u oscuros. Kayex
yexx Corp.,
Kaye
Kaye rp.., 300
Corp
Co rp 300 mm Si CZ crystal
cr puller
llller
er
OBTENCIÓN DE OBLEAS DE SILICIO OBTENCIÓN DE OBLEAS DE SILICIO
Aunque el proceso de CZ se utiliza comúnmente para sustratos Pasos básicos para la obtención de obleas a partir de los lingotes o
comerciales, tiene varias desventajas para la obtención de células rodillos:
solares de alta eficiencia.
Las obleas de Si CZ contienen una gran cantidad de oxígeno. Las
impurezas de oxígeno reducen la vida útil de los portadores Wafer Lapping and
Crystal Growth Edge Grind Cleaning
minoritarios en la célula solar, lo que reduce la tensión, corriente y la
eficiencia. Además, los complejos del oxígeno con otros elementos
pueden ser activos a temperaturas más altas, por lo que las obleas se
Shaping Etching Inspection
vuelven sensibles al procesado a alta temperatura.
Para superar estos problemas, se utiliza la técnica de zona flotante
(FZ). En este proceso, una pequeña región de Si es fundida y pasa Wafer Slicing Polishing Packaging
lentamente a lo largo de todo el cilindro. Las impurezas permanecen
en la región fundida en lugar de ser incorporados en la región
solidificada, lo que permite obtener un monocristal muy puro.

OBTENCIÓN DE OBLEAS DE SILICIO OBTENCIÓN DE OBLEAS DE SILICIO

Esquema de un sistema de Zona Flotante: Determinación del diámetro de obleas monocristalinas y marcado:
Gas inlet (inert) Preparing crystal ingot for grinding

Chuck

Polycrystalline
rod (silicon) Molten zone

Traveling
Tr
RF RF coil

Diameter
grind

Seed crystal
Chuck
Flat grind
Inert gas out
OBTENCIÓN DE OBLEAS DE SILICIO OBTENCIÓN DE OBLEAS DE SILICIO
Los biseles primario y secundario indican la orientación cristalográfica El corte de los ladrillos policristalinos puede hacerse también
y tipo de dopado de la oblea de Si monocristalina: mediante unas sierra de hilos:

P-type (111) P-type (100)

N-type (111) N-type (100)

OBTENCIÓN DE OBLEAS DE SILICIO OBTENCIÓN DE OBLEAS DE SILICIO

A continuación se procede al corte del rodillo monocristalino en Ataque químico de la superficie de las obleas para eliminar el dañado
obleas de un espesor de entre 0,3 - 0,8 mm según el diámetro. que produce la sierra:

Internal diameter
wafer saw
OBTENCIÓN DE OBLEAS DE SILICIO
Se utilizan también procesos de pulido mecánico para tratar la
superficie de la oblea:
Upper polishing pad
Wafer
Slurry
Lower polishing pad
SILICIO SOLAR
En épocas de gran demanda el precio de estos sobrantes de Si puede
multiplicarse por 10 lo que afectaría negativamente al precio final de
los sistemas fotovoltaicos.
Por ello, en diversas ocasiones grandes empresas han planteado la
posibilidad de crear industrias dedicadas a la obtención de Silicio de
grado solar y no depender de los excedentes de las empresas
fabricantes de circuitos integrados.
Sin embargo, para que la inversión en una planta de producción de Si
solar fuera rentable, la demanda de las empresas de fabricación de
células solares debería crecer y estar asegurada durante un largo
periodo de tiempo.
Algunos intentos de levantar este tipo de industria no han tenido éxito
hasta el momento.

LINEA DE PRODUCCIÓN DE CÉLULAS

SILICIO SOLAR
SOLARES
El silicio utilizado para la fabricación de células solares no necesita ser Vamos a ver paso a paso los procesos que tienen lugar para fabricar
tan extraordinariamente puro como el empleado en la fabricación de células solares de silicio (en este caso policristalino).
circuitos integrados. Incluso en la mayoría de los casos no tiene Partiendo de la oblea de silicio el primer paso consiste en realizar una
porque ser monocristalino. limpieza exhaustiva de la superficie de la misma y en su caso realizar
el texturizado de la superficie para disminuir las pérdidas ópticas en la
La industria fotovoltaica se futura célula.
nutre de los desechos de la Para manejar las obleas,
industria de los CIs. éstas se colocan en soportes
La alta demanda ha que facilitan su manejo:
provocado un fuerte
incremento del precio de
estos sobrantes.
LINEA DE PRODUCCIÓN DE CÉLULAS LINEA DE PRODUCCIÓN DE CÉLULAS
SOLARES SOLARES
Proceso de limpieza y texturing: El paso siguiente es crear la unión p-n. En este caso se ha utilizado un
Un baño de ácido fluorhídrico para eliminar el óxido superficial de las sustrato tipo p por lo que debe doparse tipo n la cara superior de la
obleas y NaOH para el texturizado de la superficie: célula.
El proceso de dopado de semiconductores puede hacerse por dos
técnicas: difusión o implantación iónica.

Dopant gas

Diffused
Oxide region Oxide
N
p+ Silicon substrate

DIFUSIÓN IMPLANTACIÓN IÓNICA

LINEA DE PRODUCCIÓN DE CÉLULAS LINEA DE PRODUCCIÓN DE CÉLULAS

SOLARES SOLARES
Tras el grabado superficial (texturing) las obleas deben pasar por En el ejemplo que veremos se procede a hacer una difusión aplicando
numerosos ciclos de aclarado para eliminar los restos de ácidos y el dopante en forma de una capa en la superficie de la oblea que
atacantes. posteriormente debe calentarse en un horno para que el dopante
Finalmente las obleas son cargadas en una centrífuga donde reciben penetre en el sustrato.
los últimos aclarados y el proceso de secado:
Primero, las obleas son transfe-
ridas a la cinta transportadora
que las conduce al primer
horno en el que se les aplica
una capa conteniendo fósforo
sobre la superficie.
LINEA DE PRODUCCIÓN DE CÉLULAS LINEA DE PRODUCCIÓN DE CÉLULAS
SOLARES SOLARES
A la salida del primer horno prácticamente no se aprecia diferencia de Como tras esta difusión también la superficie lateral de las obleas se ha
color en las obleas ya que el recubrimiento que contiene el dopante es dopado tipo n se trata de eliminar la unión p-n presente en los
transparente. laterales de la oblea:
Una vez recubiertas las obleas pasan a un horno de mayor temperatura
p-Si p-Si
donde se produce la difusión. Este proceso dura aproximadamente
una hora. Para ello, las obleas se colocan
con sus superficies presionadas
en contacto y se introducen en
un equipo donde recibirán un
ataque por plasma de las
superficies expuestas.
De esta forma se aisla la parte
trasera (base) del contacto
superior (emisor) de la célula.

LINEA DE PRODUCCIÓN DE CÉLULAS LINEA DE PRODUCCIÓN DE CÉLULAS

SOLARES SOLARES
Una vez formada la unión p-n las obleas se cargan de nuevo en sus A continuación se procede a recubrir la superficie con una capa
soportes y se limpian con un ataque ácido los restos de la capa de antireflejante.
fósforo cristalizada que han quedado en la superficie de las obleas. Normalmente se utiliza el nitruro de silicio que actúa también como
pasivante de la superficie eliminando los centros de recombinación
superficiales que tanto deterioran la eficiencia de la célula.
Este recubrimiento se deposita
por CVD (ChemicalVapor
Deposition) una técnica de
crecimiento controlada que
emplea normalmente la
siguiente reacción:
3SiH4 + 4NH3 -> Si3N4 + 12H2
LINEA DE PRODUCCIÓN DE CÉLULAS
SOLARES
En el video se muestra el proceso de carga de las obleas en el equipo
de CVD y la salida de las obleas con su capa antireflejante de nitruro
de silicio que le da el característico color azul que presentan la
mayoría de las células solares de silicio.
LINEA DE PRODUCCIÓN DE CÉLULAS
SOLARES
Primero se depositan los contactos superiores y después el posterior.
Para el contacto superior (cara expuesta a la luz solar) se emplea pasta
de plata y se deposita para formar los buses y fingers de la célula por
screen-printing:

LINEA DE PRODUCCIÓN DE CÉLULAS LINEA DE PRODUCCIÓN DE CÉLULAS

SOLARES SOLARES
El siguiente paso consiste en la fabricación de los contactos metálicos Después de depositar la pasta de plata es necesario proceder al secado.
para recolectar la corriente. En un horno alrededor de 200ºC se evaporan los disolventes
En el caso que estamos analizando estos contactos se realizan por la orgánicos presentes en la pasta metálica para que se endurezca.
técnica de screen-printing: Una vez que la pasta se ha secado las obleas se cargan de nuevo en la
cinta transportadora para continuar la línea de fabricación.
LINEA DE PRODUCCIÓN DE CÉLULAS
SOLARES
La pasta de plata una vez seca puede verse como un fino polvo de
plata adherido a la superficie de la oblea.
Para que se forme un buen contacto óhmico entre la plata y el silicio,
que permita extraer la corriente, es necesario hacer un aleado fuerte
conocido como “Firing” que se realiza posteriormente.
LINEA DE PRODUCCIÓN DE CÉLULAS
SOLARES
A continuación se fabrica el contacto posterior que comprende dos
fases.
La primera será realizar un dopado tipo p+ de la parte posterior del
sustrato para generar un BSF (Back Surface Field) que apantalle la
posible recombinación en este contacto.
Con este fin, mediante la técnica de screen-printing se deposita una
gruesa pasta de Aluminio cubriendo casi toda la cara posterior.
LINEA DE PRODUCCIÓN DE CÉLULAS
SOLARES
Este proceso de deposición de la capa gruesa de aluminio es bastante
caro. Solo quedan libres pequeñas zonas que se reservan para la pasta
de plata que se utilizará para el contacto eléctrico posterior.
La pasta de aluminio está muy húmeda y debe manejarse con mucho
cuidado ya que cualquier gota que tocase la superficie contraria
cortocircuitaría la célula inutilizándola. Por ello es necesario también
proceder a su secado.
LINEA DE PRODUCCIÓN DE CÉLULAS
SOLARES
Para finalizar el proceso de Screen-printing las obleas con la pasta de
aluminio aleada se transportan al equipo que lleva a cabo la segunda
fase, que consiste en la deposición de pasta de plata en las zonas
descubiertas de la parte posterior de la oblea.
La razón de utilizar plata en lugar de aluminio es para facilitar la
posterior soldadura de las tiras que forman el “cableado” de cada
célula.
LINEA DE PRODUCCIÓN DE CÉLULAS
SOLARES
Se procede también al secado a baja temperatura (200ºC) de la pasta
de plata.
Y finalmente, se procede al “Firing” de las células para que se forme
un buen contacto óhmico entre la plata y el silicio y mejore la
adherencia y unión entre ambos materiales .
LINEA DE PRODUCCIÓN DE CÉLULAS
SOLARES
El siguiente video ofrece una visión global de la cadena completa de
screen-printing (SP): SP superior de Ag + secado + SP posterior de
Al + secado + SP posterior de Ag + secado + firing
LINEA DE PRODUCCIÓN DE CÉLULAS
SOLARES
El paso final para completar la fabricación consiste en testear cada
célula para comprobar su funcionamiento.
Para ello cada célula individual es cargada en el tester que puede
diferenciarse en el vídeo por ser la zona fuertemente iluminada:
LINEA DE PRODUCCIÓN DE CÉLULAS
SOLARES
Con los resultados obtenidos en el test el sistema es capaz de clasificar
las diversas obleas según su mejor o peor funcionamiento.
Un sistema automatizado coloca cada célula individual en el montón
con comportamiento más similar al suyo propio.
Cuestiones
Qué silicio necesita estar más purificado: ¿el que se emplea en la metalurgia
o el silicio de grado solar?
El silicio que se utiliza como materia prima para la fabricación de células
solares ¿tiene que ser monocristalino como el que se utiliza para la
fabricación de circuitos integrados?
¿Qué tipo de silicio: multicristalino, policristalino o microcristalino, daría a
priori células con mejor eficiencia? ¿Porqué?
Para fabricar células solares de Si monocristalino que técnica sería más
recomendable emplear ¿Czochralski o zona flotante? ¿Porqué?
¿Por qué es necesario eliminar la unión p-n de los laterales de las obleas en
la fabricación de células solares?
¿Qué da a las células solares de Si el característico color azul de su
superficie?
¿Porqué no se utiliza aluminio como metal para hacer los fingers, buses y los
contactos traseros de la célula solar si tiene menor temperatura de fusión?
¿Porqué es necesario el aleado final “firing” de la célula?