ESCUELA POLITECNICA

NACIONAL

LABORATORIO DE

Electrónica de Potencia

Informe

TEMA: TRANSISTOR DE EFECTO DE

CAMPO MOSFET

REALIZADO POR:
Alumno:

 Kevin Arellano LEP_GR7_1

 Xavier Almeida
OBJETIVOS

Diseñar el circuito de control para un MOSFET de potencia.

Conocer las características de conmutación de los MOSFET’s

INFORME
1. Presentar las respectivas formas de onda obtenidas en el osciloscopio para los diferentes literales
del procedimiento.

Anexo 1

2. Comentar los resultados obtenidos en los literales 6.1 y 6.2

Las formas de onda obtenidas en 6.1 y 6.2 indican que se obtiene dos tiempos en el disparo del mosfet,
se puede notar que el tiempo de conmutación es mucho menor que a comparación del TBJ.

La potencia obtenida en las gráficas es un pico que se produce en la conmutación, se puede notar
además s

En las grafica se puede observar que cuando se supera el voltaje de ruptura del mosfet se dispara el
dispositivo, en el momento de la conducción la corriente incrementa de valor.

Se puede observar que el tiempo de disparo en el voltaje es distinto al de la corriente, así mismo el
tiempo de apagado es más rápido que el de encendido.

3. Calcular analíticamente la potencia de disipación del MOSFET para las condiciones de los literales
6.3 y 6.5, utilice los tiempos obtenidos experimentalmente. Comparar estos resultados con los del
literal 6.4. Además, adjuntar una tabla con los parámetros característicos del MOSFET usado en la
práctica (Vds, Vsat, Is, Ifuga).

Fig.1 Onda de voltaje corriente y potencia en el mosfet

 a=50us

1 𝐼 𝑡𝑟𝑖 2 𝑡𝑟𝑖 2
𝑃2 = ∗𝐸∗ ( − )
𝑇 𝑡𝑟𝑖 2 3

2.5 6.520𝑢𝑠 2 6.520𝑢𝑠 2

𝑃2 = 10000 ∗ 40 ∗ ( − )
6.520𝑢𝑠 2 3

𝑷𝟐 = 𝟏. 𝟎𝟖𝟔 𝑾
Carga R-L

Encendido
Td[us] 1.9
Tri[us] 3.7
Ton[us] 5.5
Apagado
Ts[us] 12.2
Tfi[us] 8.1
Toff[us] 21.3

Fig.2 Formas de onda de los parámetros del mosfet (corriente, voltaje, potencia)
Mosfet utilizado IRF630.

Fig.6 Tabla de parámetros del mosfet IRF630

Conclusiones

Arellano Kevin

El mosfet como interruptor presenta las mejores características al no utilizar corriente como dispar
para el mismo, además puede trabajar en tensiones menores a 500 V.

Como dispositivo de disparo el Mosfet puede trabajar a grandes frecuencias, a diferencia del TBJ,
además es mucho mejor en rapidez de conmutación.

En carga R-L es necesario poner un diodo de conmutación rápida para reducir el tiempo de
descarga del inductor, si este diodo no se encuentra conectado, la potencia de disipación será
afecta, causando un incremento de la misma, y una distorsión en la onda de la potencia

Almeida Darwin Javier

Se determinó que existen capacitancias parasitas que originan el retraso en la respuesta al ser
excitado por la señal externa, al emplearlo como presenta el inconveniente que en tipo N actúa
como cortocircuito y es capaz de transmitir tensiones bajas, aunque los valores de tensión altas se
disminuyen en una cantidad igual al valor de la tensión umbral.

El mosfet es un elemento que puede ser fácilmente afectado por valores de voltaje que son
suministrados por medio de la compuerta, además no opera en límites de voltaje, puede
quemarse al disipar temperaturas elevadas.

Se determinó que el MOSFET posee una gran velocidad de conmutación por lo que puede ser
usado en diferentes aplicaciones por su gran versatilidad.
Bibliografía
[1] Electrónica de potencia H. Rashid
[2] “Cuaderno de apuntes EP” Ing. Sánchez
Anexo 1

Fig.1 Gráfica de corriente, voltaje y potencia en el mosfet del literal 6.2

Fig.2 Gráfica de corriente, voltaje y potencia en el mosfet del literal 6.2

Fig.3 Gráfica de voltaje y corriente para en encendido del mosfet con carga R
Fig.4 Gráfica de voltaje y corriente con carga R-l

Fig.5 Gráfica de voltaje corriente y potencia con carga R-L