Proyecto Fundamentos: Diseño de un amplificador
operacional
Tercera entrega
Andrés Felipe Mancilla Jerez, Carlos Alberto Rueda, Anghye Plata Gómez
2132243, 2113661, 2134736
Universidad Industrial de Santander
Abstract—En este documento se resume el diseño del amplifi-
cador operacional planteado como proyecto de aula de la asig-
natura, de igual manera se procederá a explicar la metodologı́a
utiliazada que tiene como fin cumpliŕ con las especificaciones
requeridas, y para finalizar se mostrará el disenõ en Microwind,
las simulaciones pre-layout y post-layout y la comparación de sus
resultados.
I. INTRODUCCI ÓN
Los amplificadores operacionales son circuitos ampliamente
utilizado en la electrónica debido a que permiten obtener
grandes ganancias de voltaje.
La ganancia de estos circuitos depende de su Gm y su
Rout, teniendo en cuenta lo anteriormente mencionado se hizo
necesario utilizar para este diseño un amplificador cascodo
doblado, debido q que su Rout es grande.
Con la figura 1 se desea obtener una ganancia grande,
un buen ancho de banda unitario, el mejor Slew rate con
la mı́nima potencia, con rangos de salida y de entrada que
permita una excursión simetrica y además no sature la salida.
Para una mejor estimación de este disenõ se hizo el layout
en Microwind para tecnologı́a de 0.4 um, y hacer su com-
paración con los resultados obtenidos en la simulación pre-
layout.
II. CONCEPTOS RELEVANTES
Para el desarrollo de este proyecto se tuvieron que tener en
cuenta algunos conceptos tales como:
SLEW RATE
Se define como el cambio de voltaje por unidad de tiempo,
es decir, es la velocidad de respuesta de un elemento a una
entrada en particular. Para tener una medida de esta respuesta
a la salida se compará la entrada tipo escalón de magnitud
grande, con su salida y se mide la pendiente de esta recta y
eso no nos da el cambio de voltaje por unida de tiempo a la
salida. Este parámetro depende de la corriente de salida del
amplificador, que a su vez depende de la corriente ISS que
pasa por M3; Y del capacitor a la salida.
MARGEN DE FASE
La posición de los polos y los ceros de lazo abierto nos
da información sobre el sistema en lazo cerrado. Al tener
una ganancia de lazo en un sistema realimentado negativo de
manera unitaria esta puede hacer el sistema estable o inestable,
para que un punto en el plano ’s’ haga que el sistema sea
estable debe tener en cuenta los siguiente:
|KG(s)| = 1
ΘK(s) = 180◦
Donde K es la ganancia de lazo y G(s) es la función de
transferencia del sistema. Por eso para hallar el margen de fase
se busca la fase a la que su ganancia es cero dB y se hace la
diferencia con 180° Variación relativa de la fase del sistema
en bucle abierto para el sistema en bucle cerrado alcance el
lı́mite de la estabilidad
GANANCIA
Magnitud que expresa la relación entre la amplitud de
una señal de salida respecto a la señal de entrada. Para un
amplificador operacional su ganancia está dada por: GmRout,
en este caso en particular la ganancia es:
Av = −gm1 ∗ (gm8ro8ro10)//gm6(ro6(ro1//ro4))
Es decir la ganancia va depender de
GANANCIA POR ANCHO DE BANDA
Se define como el producto de la ganancia de lazo cerrado
por la banda de frecuencias, sobre el cual la ganancia se
mantiene aproximadamente constante. Para este ejemplo en
particular la ganancia por ancho de banda está definida por:
GB = AvW pW p = 1/Rout∗ClAV = GmRoutGB = gm1/CL
ICMR
Es el rango de voltajes en la entrada para el cual el opam
funciona.
 Polarizacion
Para la etapa de polarización se tuvo en cuenta los espejos
de corriente que polarizan la etapa de amplificación, es decir
se tiene una relación de aspectos de acuerdo a la corriente
que se quiere tener para los transistores de amplificación; a
continuación se muestra la metodologı́a: Los transitores M2

Fig. 1. Parametros de diseño

III. D ESARROLLO

Metodologı́a de diseño

Se requiere disenãr el amplificador operacional mostrado en

la figura 1 con las siguiente especifaciones: Fig. 3. Parametros de diseño

con voltaje Vb4 son la copia de corriente para los transistores

Av>72 dB
M4 y M5 mostrados en la figura 1, el primer transistor de
GB>2.873 Mhz
Mb3 me imponen los voltaje Vb1 de la puerta de M6 y M7
VDD=3.3 V
y me permite mantener los transistores de esa columna en
Vout-range> 1.98 V
saturación. Y los transistores de la última colunma ya que
Cl= 5pF
son el mismo disenõ que la etapa de amplificación se hicieron
ICMRmin>0.3
multiplos de M9 y M11 para tener una copia de corriente más
ICMRmax< 2.2
exacta.
SR>15V/us
Power=minimun Los resultados obtenidos por medio de una tabla de excel,
Phase-margin>60° (Ver anexo 1) fueron iterados en Pspice para obtener los
valores requeridos. Para hacer el disenõ en Microwind y como
Haciendo un análisis del modelo matemático para las especifi- una técnica para disminuir mismatch se utilizaron transistores
caciones encontramos las siguiente relaciones con la relación unitarios. Los resultados de esta etapa se muestran en las
de aspecto de: siguientes tablas:

TRANSISTOR L W M
M1 5 um 3um 14
M2 5 um 3um 14
M3 5 um 3um 25
M4 1.6 um 2.25 um 90
M5 1.6 um 2.25 um 90
M6 1.6 um 2.25 um 44
M7 1.6 um 2.25 um 44
M8 5 um 3 um 37
M9 5 um 3 um 37
M10 5 um 3 um 26
M11 5 um 3 um 26
TABLE I
TABLA DE AMPLIFICACION

Fig. 2. Parametros de diseño

 TRANSISTOR L W M
Mb1 5 um 3 um 0
Mb2-2 1.6 um 2.25 um 1
Mb2-3 1.6 um 2.25 um 2
Mb2-4 1.6 um 2.25 um 2
Mb3-1 12.8 um 2.5 um 1
Mb3-2 1.6 um 2.25 um 1
Mb3-3 1.6 um 2.25 um 1
Mb3-4 1.6 um 2.25 um 2
Mb4-3 25 um 2.2 um 1
Mb4-4 5 um 3 um 2
Mb5-1 5 um 3 um 1
Mb5-2 5 um 3 um 1
Mb5-4 5 um 3 um 2
TABLE II
TABLA DE POLARIZACION

Para la medición de las especificaciones de requeridas se

hizo el siguiente montaje en modo texto:
Fig. 5. Circuito polarizacion

Fig. 4. Cascodo doblado

LAYOUTS
Para obtener un resultado más aproximados a los experi-
mentales, se hizo el diseño en Microwind. Al hacer diseño en
Microwind se debe tener en cuenta lo siguiente:
La comprobacion del DRC comprueban que el disenõ se
pueda verificar que el circuito se puede fabricar según las
especificaciones del fabricante de la tecnologı́a. Es decir,
hay que comprobar aspectos como que dos capas de metal
Fig. 6. Diagrama de bolques para el disenõ en Microwind
no estén demasiado juntas, tengan anchos adecuados, áreas
suficientes, y una gran cantidad de reglas que aseguran que
la fabricación es posible. La herramienta de DRC no sólo
verifica que el chip se puede fabricar en cuanto a la geometrı́a
se refiere, también se tiene en cuenta lo que se conoce como
“comprobación de antenas”, el efecto antena consiste en lo
siguiente, Si se tiene una pista de metal que llega hasta el
polisilicio de la puerta de un transistor, es posible que, si
la pista es muy grande, ésta se cargue durante el proceso
de fabricación con una tensió más elevada que el voltaje
de funcionamiento normal del mismo. En este caso no se
comprobo el LVS ya que los parámetros de siemulación se
exportaron a Pspice para medir las especificaciones requeridas.
A la hora de diseñar el layout de un circuito, no es suficiente
con cumplir las reglas de fabricación (DRC), además, si se
desea un buen funcionamiento, debe tenerse en cuenta algunas
consideraciones como las siguientes:
Fingers
Normalmente los transistores tienen una relación W/L elevada,
es decir, son alargados. Un modo de reducirla capacidad
parásita que se crea entre la difusión y el substrato, es haciendo
los transistores con una forma lo más cuadrada posibles. Con
el fin de no modificar la relación W/L, la solución es utilizar
el concepto de finger, es decir, montar varios transistores en
Fig. 7. LAYOUT
paralelo, que actuarán como uno solo.
Vı́as Se debe tener en cuenta la resistividad de los contactos
o vı́as que conectan capas que se encuentran a diferente altura
(metal 1 con 2, metal 2 con 3, polisilicio con metal 1, etc.). GRAFICAS
Para evitar introducir caı́das de tensión no deseadas, hay que
usar el mayor número de contactos o vı́as.
En esta sección se hara una comparación con las gráficas
Dirección de la corriente Se debe intentar que la corriente
de las simulaciones pre-layout y post-layout:
siga siempre la misma dirección, de modo que haga los
mı́nimos giros posibles y éstos siempre sean en el mismo
sentido. Por eso, a la hora de poner transistores paralelos, estos
deberı́an tener la misma orientación.
Mismatch y elementos Dummy El matching entre transi-
stores se refiere a que éstos tengan el mismo tamaño. Por
ejemplo, es fundamental que los transistores que forman el par
diferencial de un amplificador operacional sean exactamente
del mismo valor. Esto también ocurre con otros componentes
que forman parte de un circuito diferencial, como por ejemplo
condensadores. Una vez terminado el chip, suele quedar es-
pacio sobrante entre el anillo de pads y el núcleo del mismo.
Es una práctica habitual utilizar este espacio para incorporar
una gran cantidad de condensadores que harán la función de
condensadores de desacoplo, filtrando el ruido de las señales Fig. 8. GANANCIA, ANCHO DE BANDA Y MARGEN DE FASE PRE-
LAYOUT
continuas. Además, en ocasiones se pueden utilizar algunos
condensadores dummy para la función de condensador de
desacoplo. Teniendo en cuenta estas técnicas, se llegó al
siguiente layout en microwind, con unas dimensiones de 0.23x
038 mm.

Fig. 9. GANANCIA, ANCHO DE BANDA Y MARGEN DE FASE POS-

LAYOUT
 • La potencia consumida por este circuito no es minı́ma ya
que para lograr el Slew Rate requerido se sacrificó este
parámetro.

Fig. 10. SLEW RATE PRE-LAYOUT

Fig. 11. SLEW RATE POST-LAYOUT

Como se pueden ver en las figuras 5, 6, 7 y 8, los resultados

obtenidos fueron:

EspecificacionPre-Layout Post-Layout
Av 85.14 86.68
GB 12.59 [MHz] 12.59[MHz]
PM 94.48° 95.01°
SR 8V/us 7.23V/us
Icmr min 1.021 [V] 2.03 [V]
Icmr max 2.6 [V] 3.3 [V]
Vout range 1.73 [V] um 1.52[V]]
Potencia 1.86 mW 1.58 mW
TABLE III
TABLA DE RESULTADOS

IV. C ONCLUSIONES
• Con la comparación de resultados en la tabla 4, obtuvi-
mos unas variaciones del pre-layot al post-layout debido a
las capacitancias parasitas por las conexiones entre capas
de metales y polisilicio. A pesar de eso se cumplió con
las especificaciones requeridas para este diseño
• El uso de fingers en el diseño de microwind hizó que
los dos resultados, pre-layout y post-layout, fuesen muy
similares con variaciones por conexiones entre metales.
• Aunque se midieron parámetros importantes para el
diseño, hubieron otros como ruido y voltaje de offset que
no se tuevieron en cuenta para este diseño.