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1 nhaltsverzeichnis

Vorwort .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1. Einführung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2. Dimensionierung von Endverstärkern . ........... . . 8
2.1. Wahl der Endstufenschaltung . ...... . ...... . . .. . . 8
2.2. Bestimmung der Leistungstransistoren . . . . . . . . . . . . 9
2.2.1. Grenz- und Kennwerte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
2.2.2. Berechnung der erforderlichen Vcrlnstlnistung und des
Kollcktorstroms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ];t
2.2.3. Erfor<lcrlidwr \Vii,r·mcwider:->t.a.n<l des Ki1hlkürpen; . . Li
2.:t (fogent11kt-H-V t�rst.iirker mit A m;gangs- nnd 'l'n•i lwr-
ü L ertra,g or . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . J7
2.3.1. Paarigkeit <ler Endtransistoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . J7
2.3.2. Bestimmung der ma,ximalen Betriebsspannung und
<los Lastwiderstands . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
2.:l.�L Ausgangsleistung, Kollektorverlustleistung und auf­
genommene Gleichstromleistung . ........ . . . ..... 20
2.3.4. Ausgangsübertrager . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
2.3.5. Eingangswiderstand un<l Basisspannungsteiler der
Endtransistoren . ........ . . . . .............. . .... 2:3
2.3.6. Treiberstufe und Treiberübertrager .............. . 26
2.4. Serien-Gegentakt-Verstärker oder eisenlose Endstufe 28
2.4.1. Die Weiterentwicklung des transformatorgekoppelten
Verstärkers zur eisenlosen Endstufe .............. . 28
2.4.2. Die Funktion des Serien-Gegentakt-Verstärkers ... . 33
2.4.3. Dimensionierungshinweise und Berechnungsbeispiel . 37
3. Integrierte Leistungsverstärker ................... . 42
1. Au[]agc, .l !l8 I 3.1. E igenschaften, Vor- und Nachteile integrierter Schal-
© l\1ilitärvc1fag <kr
tungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
Deutschen Dcmokratir;cltcn 1-t<.'!Ht hlik (\'KB) -- llc·r!iu, 1 !l:-i .l
Lizenz-Nr. f> • J.;SV: 3539
3.2. Elektrischer Aufbau und Wirkungsweise .......... . 4;�
J,cktor: \Volfgang Stammler 3.3 . Beschreibung der Funktionsgruppen ............. . 4±
Zeiclmuugcn: J\ ngel ika Prii fort 3.3.1. Eingangsverstärker ............................ . 44
'l'ypni;raf: 1 i<'llm1L l lerr111a1ln
3.3.2. Treiber- und Endstufe ......................... . 44
T'.l'i 11l1'1l in t '11� Gc'l'rnan l kmo<.Tat i1·. J kp11 lil ic
t�e,.;a1J1tlwr,.;kll1111g-: lh'Ul'kcrei ::\lärki,.;dw Yolk:-;,.;f i111111c 1 'o!,.;da111
3.3.3. Abgleich- und Regelnetzwerk · . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4;"')
l:l'd;1.kl-iOJl>'C'l'il lt1 l.l: 1 ;), l<'d.11·11ur Ul� L 3.3.4. Wärmeschutzschaltung ......................... . 47
lk,.;tl'llll\lllllllCI': 7.Jfi :;t:,l 5 3.4. Typische elektrische EigenschnJten .............. . 48
DlH{ 1, DO }[

3
48
:L4.l. Retriebsspannungsbereich ... .. . . . . . ..... . . · · · · · ·
Vorwort
:L:l.2. Lastwiderstand, Ausgangsleistung ............... .
49

:3.4.3. Verlustleistung, Kühlung ........................ 4H

:t4.4. Eingangsspannung .. . . . . . .. .... . . · · · · · · · · · · · · · · ·


r;()

3.4.5. Eingangswiderstand, Rauschoptimum ... . . . . .. . . · .


.')0

:3.4.6. Verstärkung .. .. .. ....


. . . . .... .... .. . · · · · · · · · · ·
50 Die Entwicklung auf dem Gebiet der Niederfrequenzverstärker
3.4.7. Frequenzgang .. ... . . . .... · . . · · · · · · · · · · · · · · · · · · ·
51 wurde in den vergangenen 3 0 Jahren durch den Siegeszug der
3.4.8. Brummspannungsunterdrückung .. . . . .. .. . · · · · · · ·
Halbleitertechnik vorangetrieben. Angefangen von den transfor­
3.4.!). Klirrfaktor . ... ........ ... .... . . . · · · · · · · · · · · · · ·
matorgekoppelten Leistungsendstufen über den �eriengegen­
3.f5. Anwendungsbeispiele . ........... . . .. ... .. . . . · · .
taktverstärker wird der gegenwärtige Entwicklungsstand durch
3.5.1. Grundschaltung mit Last gegen Masse ............ den vollintegrierten Leistungsverstärker bestimmt. Diese Ent­
:3.5.2. Schaltung mit Last gegen Versorgungsspanrnmg .... wicklung wurde in den letzten 10 Jahren auf dem Gebiet der
3.5.3. Stereoverstärker .... . .. . . . . ..... ... . . . . . . . · · · · ·
Amateurliteratur nur teilweise, meist durch Veröffentlichung
:uL Applikationshinweise . . . . .. ... ..
. . . . . .. . . . . . . · · .
fertiger Schaltungen, berücksichtigt. Das kommt zwar den VVün­
Integrierte Verstärker größerer Leistung ......... 55 schen der, oft unerfahrenen, Amateure entgegen, bringt aber die
:3.7. .

50-W -Portahleverstärker . ..... ... .. .... ()() Gefahr mit sich, daß eine derart nachgebaute Schaltung nicht
4. . . . . . . . · · ·

Leistungsdaten .. . ... .......


üO funktioniert oder wenn die angegebenen Bauelemente nicht
4.l. · · · · · · · · · · · ·
. . · · · ·
. .

.. . ül
4.2. Elektrischer Auf bau ... ... . . . . . . · · · · · · · · · · · · ·
greifbar sind, nicht optimal ausgelegt werden kann. Vom Ama­
4.3. Beschreibung der Baugruppen .. . . . . . . . . . .. . . . . . · . ()() teur wird nicht gefordert, nach dem „\Varum" zu fragen, und er
6()
4.3.1. Vorverstärker ....... .... . weiß sich deshalb bei auftretenden Fehlern meist nicht zu helfen.
· · · · · · · · · · · ·
. . . . . · · · ·
.

fü)
4.3.2. 6-Kanal-Mischfeld .. .......... Diese Broschüre soll, wenn auch im beschränkten Umfang, dazu
· · · · · · · · · · · ·
· · · · ·
.

. ... .. ... ()9


4.3.3. Höhen-Tiefen-Netzwerke beitragen, da,ß sich der Amateur mit der Theorie und Praxis der
· . . . · · · · ·
. . . . . .

. ... . 73
4.3.4. Abhörverstärker ... . . . .. Niederfrequenzverstärker näher vertraut machen kann. Der
· · · · · · · · · · ·
. . . . · ·
. .

. . . 73
4.3.5. Übersteuerungsüberwachung .. wichtigste und am schwersten zu beherrschende Teil des Nieder­
· · · · · · · · · · ·
. . . . .

...... 7()
4.3.6. Aussteuerungsanzeige ..... .. frequenzverstärkers, der Endverstärker, seine Dimensionierung
· · · . · · · · · · ·
. . .

. ... ... ... 78


4.3.7. Endverstärker und Berechnung in transformatorgekoppelter und eisenloser
· · · · · · · · · · · ·
. . · · . . ·
. . . .

. ... ..... 8:{


4.3.8. Temperaturüberwachung Ausführung bestimmen einen wesentlichen Teil dieses Heftes.
. · · · · · · · · · · ·
. . .

.... . . .. ... . . 84
4.3.9. 12-V-Regelteil "EV" Dem geringen Umfang dieses Heftes entsprechend kann aller­
. · · · .
. . . . . . .
. . .

86
4.3.10.Netzteil, Hauptregelteil ... ..... ... . dings nur die Gegentakt-B- bzw. A-B-Schaltung behandelt
· · · · · · · · · · ·
. .

. 88
4.4. Technische Daten der Baugruppen . .. . .. ... werden. In einem weiteren Abschnitt werden integrierte Lei­
. · · .
. .

... 92
4.5. Mechanischer Aufbau . . .. . ..... stungsverstärker, ihre "Wirkungsweise und Schaltungstechnik
. . · · · · · ·
. . . .
. .

.. 95
5. Transistoruniversalverstärker-Baustein ....... ... kurz erwähnt. Es schließt sich die Beschreibung eines transfor­
... . .. . .. . 95
5.1. Allgemeines matorgekoppelten 5 0-\V-Portableverstärkers und die Bauanlei­
· · · · · · · · · · ·
. . · · · · · ·
. . . . . .
.

. .. . .. 95
5.2. Beschreibung der Schaltung tung eines eisenlosen Universalverstärker-Bausteins an. :Mit
· . . · · · · · ·
. . . . .

Schaltungsvarianten ... ... . . . .... .. . l 0 l diesem Themenkreis werden erfahrene Amateure sowie Elektro­
n.3. . . . . ·
. . . . . . .

.. . . ... 10 3
5.4. Aufbau und Bestückung nik-Arbeitsgemeinschaften an Schulen, Stationen Junger Tech­
. . · · . · · · · · · ·
. . . . .

.. ..... 111
5.5. Inbetriebnahme und Erprobung niker und Klubstationen der Gesellschaft für Sport m1d Technil;
. . · · · · ·
. . . .

. . . .. .. .. 120
.5.6. Geräteaufbau und -prüfung . angesprochen.
. . · · . ·
. . . . . .

. 12:{
5.7. Betriebsspannungsversorgung . .. .. . .. . Besonderer Dank gilt Herrn Dipl.-Ing. Klaus Sc1ilcnzig sowie den
. . . . · · .
. . .

.. .. . .... 128
Literaturhinweise ... Mitarbeitern der Station Junger Techniker und Naturforscher,
· · · · · · · · · ·
. . ·
. . . . . .

4 5
Königstein und Herrn Dipl.-Ing. Hermann Dornfeld vom VEB 1. Einführung
Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), Außenstelle Leipzig.

Heidenau, im Sommer 1980 Dietnwr Schiller

Viele junge Amateure, die sich mit dem interessanten Hobby


Elektronik befassen, haben schon bald die Absicht, einen Stereo­
verstärker für ihren Plattenspieler oder einen leistungsfähigen
Mischverstärker für die Klassendisko, möglichst mit 20 vV Aus­
gangsleistung und mehr, aufzubauen. In einer Schaltungssamm­
lung oder Zeitschrift findet der junge Amateur eine ihm günstig
erscheinende Schaltung, er kauft sich das nicht gerade billige
Material und baut den Verstärker auf. Nachdem durch wildes
Schwingen dieses Aufbaus einige Endstufentransistoren „ge­
himmelt" worden sind, gibt er es entweder auf oder läßt sich von
erfahrenen Amateuren beraten. Doch nicht jeder „alte Hase" hat
Erfahrung auf dem Gebiet der Verstärkertechnik, und gerade mit
eisenlosen Endstufen zahlt auch der Praktiker noch oft Lehrgeld.
Deshalb sollte sich jeder Elektronikamateur immer wieder ein­
prägen, daß die so leicht erscheinende Verstärkerschaltung nicht
einfach nur nach Stromlaufplan zusammengebaut werden kann
und dann funktioniert, sondern daß es auf einen äußerst sorg­
fältigen Aufbau ankommt und bestimmte Meßgeräte unbedingt
erforderlich sind. Diese findet man meist in Arbeitsgemeinschaften
Elektronik an Schulen bzw. Stationen Junger Techniker oder
in Klubstationen der Gesellschaft für Sport und Technik. Dem
jungen, noch unerfahrenen Amateur ist die Teilnahme an einer
der genannten Einrichtungen unbedingt anzuraten.
Anliegen dieser Broschüre ist es deshalb, dem ernsthaften Ama­
teur praktische Dimensionierungs-Aufbau- und Abgleichhin­
weise für die Entwicklung von Transistorleistungsverstärkern
zu geben und diese an Hand eines nachbausicheren Universal­
verstärkerbausteins zu demonstrieren. Dabei sollte man das
\Vort „nachbausichcr" nicht so verstanden ·wissen, da.ß nun jeder
Anfänger den Universalverstärker sofort nachbauen kann. Auch
die beste Bauanleitung ersetzt weder die fehlende Erfahrung noch
das Gefühl und das \Vissen um die Bauelemente.

7
2. Dimensionierung von Endverstärkern als NF-Verstärkcr eingesetzt. Auch die integrierten Leistungsver­
stärker beruhen darauf. Probleme treten nur dann auf, wenn die
Betriebsspannung nicht mehr frei wählbar oder der I.astwider­
stand hochohmig ist, da diese Größen bei der eisenlosen Endstufe
in fester Beziehung zueinander stehen. In einein solchen Fall
2.1. Wahl der Endstufenschaltung muß dann zur transformatorgekoppelten Endstufe gegriffen
werden. Steht z.B. für einen Portable-Verstärker mit einer er­
Grundlage für die Entwicklung einer V crsfärkerschaltung sollten forderlichen Ausgangsleistung von 25 \V die 12-V-Autobatteric
folgende :Fragen sein: zur Verfügung, so kann diese Leistung nur durch die letztge­
- vVelche Ausgangsleistung wird benötigt? nannte Schaltung realisiert werden. Das ist darauf zurückzufüh­
- ·welche Betriebsspannung steht zur Verfügung? ren, daß beim transformatorgekoppelten Endverstärker die
- vVelchen \Vert hat der Lastwiderstand (Lautsprecher oder Leistungstransistoren über den Ausgangsübertrager die volle
La.utsprechergruppe)? Betriebsspannung erhalten. Außerdem kann der Lastwiderstand
Da der Amateur vielfach Schwierigkeiten beim Beschaffen der durch ein optimales Übersetzungsverhältnis transformatorisch
Bauelemente hat, sind für ihn noch einige andere Fragen von an die Endstufe angepaßt werden, während beim eisenlosen Se­
Uedeutung: riengegen taktverstärker jeder Leistungstransistor nur an der
- 'Velche Leistungstransistoren stehen zur Verfügung ? halben Betriebsspannung liegt und direkt oder über Koppelkon­
\Vic kann man auf einfache ·weise Leiterplatten selbst her­ densator seine Ausgangsleistung an die Last (Lautsprecher) ab­
stellen? gibt. Da die Spannung quadratisch in die Leistung eingeht, gibt
- Wird für den geplanten Verstärker ein schon vorhandenes Ge- die eisenlose Endstufe bei gleicher Betriebsspannung nur etwa
häuse genutzt oder ein solches selbst angefertigt? den vierten Teil der Ausgangsleistung des transformatorgekoppel­
Die Antworten auf die ersten drei Fragen legen die Art des End­ ten Endverstärkers ab. Bei den Endstufen soll allerdings nur die
verstärkers fest, die übrigen bestimmen die Abmessungen des Gegentakt-B-Schaltung behandelt werden. Eintakt- und Gegen­
Geräts und den technologischen Bauablauf. Bei Ausgangslei­ takt-A-Stufen haben einen sehr schlechten \Virkungsgrad und
stungen bis etwa 5 W und problemloser Spannungsversorgung sind, mit Ausnahme der Treiberstufe des transformatorgekop­
sollte in jedem Fall der integrierte Leistungsverstärker gewählt pelten Verstärkers, für den Amateur relativ uninteressant. Eine
werden. Diese preiswerten Bausteine benötigen nhr noch wenig Beschreibung von Eintakt-A-Stufen ist in [l] enthalten.
externe Bauelemente für einen kompletten NF-Verstärker. Will
man eine Leistung von 3 bis 5 W mit der 6-V-Autobatterie er­
2.2. Bestimmung der Leistungstransistoren
reichen, so ist das mit integrierten Verstärkern allerdings nicht
ohne weiteres möglich. In einem solchen Fall hilft entweder die 2.2.1. Grenz- und Kennwerte
transformatorgckoppelte Endstufe oder der Bau eines Transver­
ters von 6 auf 12 ... 14 V. Sind noch keine Bauelemente für eine Obwohl es im Zeitalter der integrierten Leistungsverstärker ana­
„Eisenendstufe" vorhanden, so ist die zweite Variante unbedingt chronistisch erscheint, über Germaniumleistungstransistoren
vorzuziehen. zu sprechen, kann man davon ausgehen, daß viele Amateure
Für das Gebiet der mittleren bis großen Ausgangsleistungen bei die relativ billigen Germaniumtransistoren noch in ihrer Bastel­
niederohmigen La.stwiderständen und beliebig zu wählender kiste haben oder preiswert kaufen können. In Tabelle 2.1 sind
Betriebsspannung ist wegen ihrer günstigen Eigenschaften nur die Grenz- und Kennwerte einiger für den Amateur interessanten
die Seriengegentaktschaltung in B-Betrieb oder eisenlose End- Germanium- und Siliziumtypen zusammengestellt. In diesem
8lufe zu empfehlen. Diese Schaltung wird in zahllosen Varianten Zusammenhang erscheint es notwendig, einmal etwas über die

9
Tabelle 2.1 Grenz- und Kennwerte einiger Germanium- und �i 1 izi1 m1 l l' i� tu ng� trar i:-;i1; turm 1.

Typ Tech- Her- Ucg max Ic max Iu UEB I'tot RthG liei
max
TlcEsat Tf1rn Lei Ic fT Demcr­
nologie steiler (UcEnJ IcM max*) max uei 2fJ °C Rthje * )
Ic hci Je max (max) ({o;) Jrnngc11

GD170 Ge-p11p l{\VN 20 V (:l3 V) 3A 0,li A 11) \! fJ,:l w 7,5 E/\\' (18 ... \lO) 0,2 A O, G V 1V 1,G :\. 0,25 l\Tl-Iz
GD175 Ge-pnp RWN 30 V ( lS V) 3A O,ti A 10 V 7 ,5 K'v
ü,:>W / V :-:.-, "C J8 ... flO 0,2 A O,G V lV 1,5 ,\ 0,25 l\lIJz
GD180 Ge-pnp R\VN 38 V (liO V) 3A 0,6A 10 V 5,3 \V 7/> KW
/ :-:.·, "C 18 . . . fll) 0,2 .\ O,G \' lV 1,.) _\ 0,2::> l\IHz
GD240 Ge-pnp RW'.'i 18 V (25 V) 3A O,GA 20 V 10\V 4 K/\V 8;) °C 18 . . . !:JO O,!:i A O,GV 1,'l V 2A 0,:35 l\JHz
GD.241 Ge-pnp R\VN 30 V (:35 V) 3A 0,li A 20 V 10W 4K/W 85 °C 18 . . . flO O,GA O,G V 1,4 V 2A 0,35 l\lI-Iz
GD2!2 G e -pnp l{ \VN 42 V (48 V) 3A O,liA 20V l UW 4 K/W 85 °C 18 ... flO O,;J A 0,6V 1,4 V 2A 0,% l\IH z
GD243 G c-pnp RWN 55 V (li5 V) 3A O,G A 20V 10\V 4K/W 8;) °C 18 ... go 0,5 A O, G V 1,4 V 2A 0,3 l\1Hz
GD244 Gc-pnp RWN G5V (7 0V) 3A 0,6 A 20V 10W 4K/W s:i 'C 18 .. . flO O,G A O,GV l,4V 2A 0,3 M Hz
AD161 G e-npn UV R 20V 2,5A*) 0,3A 10 V 4W 4,5 K/W !10 "C lGO O,.J A O, G V o,n v lA 1,5 MHz
(55 °C)
AD162 Ge-pnp U VR 20 V 2,5 A*) 0,l A 10 V 6W 4,5 K/W
0,7 V 1 .\ J,5 l\IHz
(G2 °C)
ASZ1015 Gc-pnp UVR GO V GA lA •10 V 22,5W 2 K/W
!JO 'C lf'i ... i30 GA 0,5 V :1,G V GA (0,25 l\JHz)
(45 cq
ASZ1016 Gc-pnp U\'R 48 \' GA lA 20 V 22,5 \V 2 K/\\'
!llJ 'C :1:, .. . SI) G .\ O,:J V 1,1; \' (1 .\ (11,2::> :\IlJz)
(15 °C)
ASZlOl 7 Ge-pnp UVR 48 V GA lA 20 V 22, 5 \V 2 I�/\V
!)() ' C ::.!tJ . . . r; 1;A .1,1; V G ,\ (0,2:/ MHz)
(<15 °C)
ASZ1018 G e-pn p UVR GO V 6A lA 10 V 22,5 W 2 K/W !JO ·c 21l . . . li.i G .-\ 0,."J V 1,1; V GA (0,2.) :\IJf1.)
(45 °C)
ASZ15 Gc-pnp Valvo GO V lOA*) lA •10 V 30\V 1,5 I�/W !.10 ''C J;) ... HO GA 0,-tV 111 V 6A 0,2 MHz
ASZlG Gc-pnp Valvo ;J2V 10 A*) lA 20 V 30W 1,5 K/vV
!lO �c 3;, . . . 80 GA 0,:1V 1,·1 V GA 0,25MHz
KU601 Si-npn TESLA 50 V 3A O,;JA 3V lOW 5 K/W
135 °C 20 .. . 68 0,2 A lV l, :3 V lA 1:> l\IHz
(75 °C)
KU605 Si-npn TESLA 80 V lOA 2A G V 50W 1,;J K/W
1,7 V 2,1.V 8A G l\Hfa
(70 °C}
KU607 Si-npn TESLA. 80 V lOA 2A 5V 70 W 1,5 K\
/ V
1,7 V 2,l V s .\ fl l\IHz
(35 °C)
KlJGll Si-np n TESL\ 50 V O/i .\ 3 V 10W 11K/\V
Hi5 °C 20 ... 73 l A 1,0 V 1,3 V lA 1;) MHz
{.15 cq
KD501 Si-npn TESLA -10 \' 20A 7A 5V 150W 0,86 6 K/\V
15 ... ,10 15 A 0,75 A 1,7 V lOA 2 l\IHz
(100 °C)
KD503 Si-npn TESLA 80 V 20 A 7A 5V 150W 0,866K/W
l:J ... -10 1:-, A 0,7;, V 1,7 V 10A 2 MHz
(100 °C)
KD606 Si-npn TESLA GOV lOA 2A 5V 70W 1,5 K/W
15.) °C 10 . . . :30 lO :\ 2V 2,:1 V 10 ,\ 2 :\!Hz)
KD607 Si-npn T E SLA 80 V 10A 2A 5V 70W 1,5 K/W Komplc·
155 °C 10 ... 30 10 A 2V 2,4V lOA 2MHz l

}
KD616 Si-pnp TESLA GOV 10A 2A 5V 70W 1,5 K/W mentär­
155 "C 10 ... 30 10 A 2V 2,·:1 V lOA 2MHz f
KD617 Si-pnp TESLA SOV 10A 2A 5V 70W 1,5 K/\V paare
155 °C 10 ... 30 10 A 2V 2,4 V lOA 2MHz.
BD140 Si-pnp Unitra SOV 1,5 A*) 0,2 A 5V sw 10K/W
150 °C 1,2V
23 0,5 A lV 0,5 A 75 '.\I Hz
(70 °C) 1.
\.omp Ie-
(1 A)
BD13g Si-pnp Unitra 80V 1,5 A*) 0,2 A 5V sw 10K/W mentär-
150 °C 25 O,G A 1,6V lV 0,5 A .
2;)0 l\IHz
(70 °C} paare
(lA)
KFY18 Si-pnp TESLA 45 V 0,6A 0,1 A 5V 2,6W 60 K/W*)
200 cc 100 ... 150 o,n A lV 1/> V 0,1.:J A 60 :\!Hz
(45 °C}
(0,1;, :\)
KF517 Si-pnp TESLA 30 V O,GA 0,1 A 5 V 2, G W 60KW
/ *)
11, !:1 .\ 1 V (0, l:i .-\) 1,:.i \' n, i:; .\ ;;o i\111 r.

10
. II
in den Halbleiterkatalogen angegebenen Parameter zu bemerken. - Der maximal zulässige Kollektorstrom 1 c max oder 1 CL ist
Vielen Amateuren stehen meist nur Übersichtskataloge mit der der höchste dauernd zulässige Kollektorgleichstrom. Er darf,
Angabe einiger Grenzwerte und Kenndaten zur Verfügung. Diese sofern nicht anders angegeben, vom Scheitel- oder Spitzenwert
,--.

Rollten aber nur zu einer ersten Information genügen. des Kollektorstroms (Je) bei Verstärkerbetrieb des Transistors
Ist die Wahl auf einen bestimmten Transistor gefallen, so im ll t c nicht überschritten werden. In diesem Fall ist dann 1 c max =

man die Mühe nicht scheuen, sich die ausfiihrlichen Kurvenblät­


1 C· In den folgenden Berechnungen wird zur besseren Unter­
ter und Kenndaten dieses Transistors, z.B. in einer technischen
scheidung der maximal zulässige Kollektorstrom mit Ic max
Bücherei, zu besorgen. Es ist nicht immer leicht, an entsprechende ,--.

und der Kollektorspitzenstrom mit 1c bezeichnet.


Unterlagen, vor allem ausländischer Transistoren, heranzu­
- Die zulässige Kollektor-Emitter-Spannung UCE ist vom Wider­
kommen, doch sind im Laufe der Jahre schon so viele Transistor­
stand zwischen Basis und Emitter abhängig. Große 'Vider­
ka,taloge erschienen, daß es bei etwas gutem \Villen meist eine
standswerte setzen diese herab. Bei ·werten über 100 Q sollte
Lösung gibt.
man im Betriebsspannungsgrenzbereieh, vor allem bei Germa­
Allgemein ist zn Grenz- und Kennwerten folgendes zu sagen:
nium-Leistungstransistoren, die entsprechende Redukt.ions­
- Grenzwerte diirfen unter keinen Umständen überschritten
kurvc U CE f (Rrm) beachten.
werden.
=

- Alll� angegebenen Kennwerte lwz.ichen Hich n uf einen bestimm­


Die angegebene Gesamtverlustleistung Ptot oder auch
" ten A rbcit.spunkt. 8ic sind mehr oder weniger großC'n Veri:i.nrl<·­
,,zulässige Verlustleistung Ptot max ist die gesamte, im
rungen bei Änderung von Umgebungstemperatur sowie �t.rorn­
Transistor in 'Värme umgesetzte Leistung, sie bezieht sich
und Spannungswerten unterworfen.
immer auf die Summe der Leistungen im Basis- und Kollektor­
. ctcrstreubrcitc werden vielfach mi­
- Infolge der großen Pa.ram
kreis bis zu einer bestimmten Umgebungstemperatur und Be­
nimale, typische oder maximale ·werte für Kenndaten angC'·
triebsspannung. Da die Leistung im Basiskreis oft sehr gering
geben. Auch die Knrzschlu ßstromverstärkung (Strom ver­
ist, kann sie in den meisten Fällen vernachlässigt werden. Aus­
stärkungsfaktor) ist starken Streuungen unterworfen und
führliche Kenndatenblätter von Leistungstransistoren ent­
wird deshalb in verschiedenen Stromverstärkungsgruppen aus­
halten vielfach Leistungsreduktionskurven bei höheren Be­
geliefert. Das ist bei der Bauelementebeschaffung und der
triebsspannungen, Kurven über den sogenannten „erlaubten
Schaltungsberechnung unbedingt zu berücksichtigen.
Arbeitsbereich" oder Reduktionskurven der Gesamtverlust­
leistung bei höheren Gehäusetemperaturen. Bei Leistungs­ Um die Ausfälle niedrig zu halten, sollte man bei der Auswahl der
transistoren für Kühlkörpermontage bezieht sich die Angabe Endtransistoren beachten, daß sie in der geplanten Verstärker­
der Gesamtverlustleistung auf die Gehäusetemperatur, d. h., schaltung nicht unmittelbar bis zu Leistungs- und Spannungs­
wollte man die volle Verlustleistung ausnutzen, müßte man grenzwerten ausgefahren werden. So werden z.B. Endtransisto­
einen idealen Kühlkörper anbringen, der sämtliche \Värme ren einer transformatorgekoppelten Endstufe in Gegentaktschal­
vom Transistorgehäuse abführt. Das ist aus wirtschaftlichen tung zwischen Kollektor und Emitter mit etwa der doppelten
und räumlichen Erwägungen nicht möglich. Mit einigermaßen Betriebsspannung belastet. Außerdem sollte man den maximal
vertretbaren Kühlflächen oder Kühlkörpern lassen sich etwa zulässigen Kollektorstrom bei Qualitätsverstärkern wegen der
50% der angegebenen Gesamt- oder Maximalverlustleistung nichtlinearen Eingangskennlinien der Endtransistoren nur etwa
erreichen. Zur besseren Unterscheidung von der zulässigen zu 80 bis 85 % ausnutzen. Bei Germaniumleistungstransistoren
Gesamtverlustleistung Ptot soll die zugeführte maximale Kol­ bedingt die niedrige, zulässige obere Grenzfrequenz eine Redu­
lektorverlustleistung in den folgenden Formeln mit Pv max zierung der Ausga.ngslPistung für hohe Frequenzen. Außerdem
bezeichnet werden. Bei Leistungstransistoren für Kühl­ treten dort höhere Klirrfaktoren auf. Die meisten Transistorher­
körpermon t<ige muß immer Pv max < Ptot sein. steller geben für Leistungstransistoren die Transit- oder Öber-

12 13
In diesem ]'all erhält man den Kollektorspitzonstrom a11s Bc­
gttngsfrequenz fT an. Das ist die l\Ießfreqnenz, bei der der Betrag trit'hsspanrnmg uwl Lnsh\'iclersL111d RJ.:
der Knrzschlnßstromverstärkung in Emitterschaltung den vVert 1
hat. Da die fT-Frequenz von den geometrischen Abmessungen,
(.j)
der Technologie, dem Arbeitspunkt und der Stromverstärkung
d<'r Transistoren abhängt, gibt es nur eine allgemeine Proportio­
nalität z u r Grenzfrequenz in Emitterschaltung. \Vichtig ist die D<1 Transistorrestspannungen und die Emitterwiderstände nicht
Beachtung der Grenzfrequenz nur bei Germaninmleistungstrnn­ berücksichtigt wurden, ergeben GI. (2) und GI. (4) „sichere"
sistoren. Für qualitativ hochwertige Leistungsverstärker sollten Resultate. Ein Überschlag ergibt beispielsweise, daß an eine
keine Transistoren mit fT-Frequenzen < 200 kHz eingesetzt eisenlose Endstufe mit Germaniumtypen GD 241 . .. GD 244
werden. Bei Siliziumtransistoren liegen die /T-Frequenzen infolge (Jc max = 3 A) und einen Lastwiderstand von 4 Q keine größere
der höheren Ladungsträgerbe\veglichkeit in der Regel auch bei Betriebsspannung als 24 V, bei Berücksichtigung von Emitter­
großen Leistungstransistoren über 1 l\IHz. widerstand und Restspannung 27 V, angelegt werden darf. Damit
wären, wie die weiteren Rechnungen zeigen, etwa 15 \V Aus­
gangsleistung zu erzielen. Der Lastwiderstand wird zur Berech­
2.2.2. Berechnung der erforderlid1cn Vcrlustlcislung
· und des nung reell, d. h. rein ohmig angenommen.
Kollektorslroms

Hauptkriterien bei der Auswahl der Endtransislortypen :,;incl


2.2.3. Erforderlicher Wärmewiderstand des Kühlkörpers
<iie z11liissige Vc rlustlc i :,; t t m g l'tot und d('r maximale Kollektor ­
:--tr11111 Tc max· Für clie Vcrlus tl c is t u u g und den Kollektorspitze11-
.,-.... Im vorhergehenden Beispiel der eisenlosen Endstufe mit Ger­
strom l c, mit denen jeder End::itnfontrnnsistor in Gegentakt-B-
maniumtransistoren GD 242 und. 15 W Ausgangsleistung würde
�chaltung beaufschlagt wird, gibt es folgende übers chlägige
nach GI. (3) ein Transistor mit einer maximalen Verlustleistung
Beziehungen [2]:
Pv max von 3, 75 W belastet werden. Am zweiten Transistor
a) Für trnnsformatorgckoppcltc End::;tufrn
tritt selbstverständlich die gleiche Verlustleistung auf. Diese
Po wird im Transistor in Wärme umgesetzt und muß, sofern sie nicht
Pv (1)
max R::i
3 '4 direkt an die Umgebungsluft abgegeben werden kann, von geeigne­
ten Kühlkörpern abgeführt werden. Die Verlustleistung, die ein
l'v max - zugeführte rnu,ximalc Kol l ok tol' v e rl ust l e ist ung je Tran­
Halbleiterbauelement aufnehmen kann, richtet sich nach der
sistor, P0 - Ausgangsleistung der Endstufe.
zulässigen Kristall- oder Sperrschichttemperatur f}j (Ge-Tran­
Ut'l' K o l le k t o rspi tze n st ro m ergibt sich ebenfalls aus der Ausgangs­
sistoren, 75 . . . 100 °0, Si-Transistoren 150 ... 200 °0 je nach
leistung und der Betriebsspannung
Typ unterschiedlich), der Umgebungstemperatur Da und
2 Po den inneren und äußeren vVärmeübergangswiderständen des
Ic ;::;:::,; -- ; (2)
Transistors, von der Sperrschicht zu den umgebenden Medien.
Un
Der Gesamtwärmewiderstand Rth ja ist gleich der Summe dl'r
1c -- Kollektorspitzentrom bei Vollaussteuerung, darf, wenn einzelnen Teilwärmewiderstände des Systems
nieht anders angegeben, fc max nicht überschreiten.
h) Fii r :-;l'ri<'ug1·gr-ntak t*'h;i l tuug (1>iscnluse Enastnfe) Rth ja = Rth G -!- Rth GJK -!- Rt11 K ; ( [))

I 'o
l 'v max -� -- (3) Rtll G - \Värmcwiderstand zwischen Sperrschicht und Cehiinse,
�3
15
14
Ru1 <:/K Wärnwwicforstand zwischen Cchänseboden nnd Kiihl­
- mm. A - Fläche d('R .Iü1hlblechs in cm2, C - Korrektnrfa.ktor für
bleeh. Ht11 K \Vänne'\vi<lerstand des Kühlkörpers.
- Lage und Oherfbehc·nlwi>eh11ffPnheit des Kühlblechs.
Df'r ( frsamhviirnwwidersfand errechnet sir�h nach folgend er BP­ Aus dieser i�twa�l kompliziert nscheinendcm Formd wurde der
zieh1111g: Tenn

{}j- 1'-fa
4
Rth . :3,:3 v'c
ja = - - -- --
( {j)
Pvmax
Maximale Sperrschichttemperatur, innerer Wärmewiderstand v�-d
und maximale Verlustleistung werden vom Halbleiterhersteller herausgenommen und als Korrekturfaktor K, versehen mit den
meist angegeben. Indizes für Lage und Oberflächenbeschaffenheit, in Form einer
Nun ist für den GD 242 ein geeignetes Kühlblech zu berechnen. Tabelle zusammengestellt. Damit vereinfacht sich GI. (8) zu
Geht man von einer maximalen Umgebungstemperatur von 650 c
50 °C aus, die in ein�m geschlossenen Gehäuse leicht erreicht A == (H)
Rtll K -K
wird und rundet Pv max zur besseren Berechnung auf 4 W auf,
Für 2 mm dickes Aluminiumblech, blank, senkrechte Lage, ergibt
so ergibt sich bei einer maximalen Sperrschichttemperatur
sich K aus der genannten Tabelle zu 1,55; Kühlblech, blank, ·waa­
{}j von 85 °C nach GI. (6) folgender gesamter 'Wärmewiderstand
gerechte Lage zu 1,61. Der Korrekturfaktor C ist für blankes
Rth ja:
Blech, senkrecht 0,85 und waagerecht 1,0.
85K-50K Sieht man im Beispiel waagerechte Gebrauehslnge vor, so wird
Rth ja = --- = 8,75 K/'V .
4W ein Kühlblech (AL 99,5, 2 mm dick) von
Rth ja setzt sich nach GJ. (5) aus einzelnen Teilwärmewiderstän­ 650 . 1,0
A 246 cm2
den zusammen. Der innere \Värmewiderstand Rth G beträgt laut 4,25 -1,61
=

Kenndatenblatt 4 K/W. Nimmt man isolierte Montage mit einer


benötigt.
beiderseitig mit Silikonfett versehenen dünnen Isolierscheibe und
Das ist etwa ein Blech von 16 cm X 16 cm. Für die Forderungen
einen Wärmewiderstand Rth G/K (Isolierscheibe) von 0,5 K/W
moderner Verstärker nach möglichst geringen Abmessungen ist
an, so ergibt sich der Wärmewiderstand Rth K des Kühlkörpers
der Kühlkörper, da er ja doppelt gebraucht wird, entschieden zu
Rth K = Rth ja - (Rth G + Rth G/K) (7) groß. Abhilfe schaffen Schwärzen des Kühlkörpers mit nichtme­
Rt 11 8,75 K/\V -(4 K/vV + 0,5 K/W) tallhaltiger Farbe, mehrere Bleche in Form von Rippen überein­
K = = 4,25 K/\V
ander anbringen, vor dem Schwärzen zur Vergrößerung der Ober­
Diesen Wärmewiderstand muß der Kühlkörper für einen Transi­
fläche grob sandstrahlen, Profilkühlkörper usw. Bei dem in Ab­
stor haben. Ausführliche Berechnungsunterlagen für Kühlkörper
schnitt 5. vorgestellten Universalverstärker sind einige Kühl­
sind in [3] enthalten. Diese Broschüre enthält auch eine für die
körpervarianten aufgeführt.
Praxis ausreichende Näherungsformel zur Ermittlung der Kühl­
blechgröße

650 c 2.3. Gegentakt-B-Verstärker mit Ausgangs­


A (8)
4 und Treiberiibertrager

Rth
3,3Vc
K - -
2.3.1. Paarigkeit der Endtransistoren
V;. a
Rth k Wärmewiderstand des Kühlblechs in K/W, A-Wärmeleit­
-
Um den Klirrfaktor eines B-Verstärkers niedrig zu halten, ist die
wert des Kühlblechs in vV/K cm, d Dicke des Kühlblechs in · -
Verwendung von Transistorpärchen, d. h. nac , h annähernd glei-

16 17
chen Stromverstärkungen und Basisspannungen herausgesuchte
Trnnsisto rnn , erforderlich. Vom TranHistorlwrstt>ller werdPn diesn Un - UcE sat
Ra>�--;;.:::---- ; (11)
sclw11 als Piird1P11 gt·li1•f1·rt (z. H. 2 OD :!./:!). Stdwn k1·i1w Pär·ehen Ic
z11r V1·rff1gm1g, so rni'1ss1·11 si1· a11sgt·nwr-:H1·n \\'1•rd1·n, w11lwi d:.is
\' ed1iilt.11is d(�I' zwd hollektur::-;Lrü11w 1111d Ha::-;i::-;sp1urnt111gl'n hci � UCE sat - Kollektor-Emitter-Restspannung, 1c - Kollektor­

oder 3 unterschiedlichen Arbeitspunkten nicht über 1,2 sein spitzenstrom, hier gleich 1c max·

sollte. Auch bei noch so gut auf Paarigkeit ausgesuchten Transisto­ Ist die Betriebsspannung relat.iv groß, so wird der Außenwider­
ren gibt es Punkte, für die die Kennlinien nicht übereinstimmen. stand meist durch die, aus der überschlägigen Beziehung GI. (1)
Das macht sich bei Gegentakt-B-Endstufen, besonders bei klei­ und einer groben Kühlkörperberechnung, vorgegebene maximale
nen Aussteuerungen, durch die sogenannten „Übernahmever­ Verlustleistung Pv max bestimmt

zerrungen" bemerkbar. Diese sind bei Ansteuerung des Verstär­


kers mit S inuston daran zu erkennen, daß am Verstärkerausgang
bei kleinen Amplituden, im Übergang von der positiven zur nega­
tiven Halbwelle und umgekehrt, ein Sprung oder Überlappungs­
fehler auftritt. Das kann durch einen Ruhestrom über die End­
Tr2
transistoren vermieden werden, der um so größer sein muß, je C5


weniger diese bezüglich Paarigkeit übereinstimmen. Dabei muß 1µ Wp1
beachtet werden, daß dieser Ruhestrom zu zusätzlichen Verlusten
und zur Temperaturerhöhung an den Endtransistoren führt. -0
,
RE2
0,2 R3
2.3.2. Bestimmung der maximalen Betriebsspannung und des 78 Wn
Ws2
Lastwiderstands

Rp
Bei der Dimensionierung einer Übertrager-Endstufe geht man,
wie schon erwähnt, von den Grenzwerten der Leistungstransisto­
ren aus. Das erste Auswahlkriterium ist die maximal zulässige
/

Betriebsspannung
C2 4700p.

R
< UcEmax 16V
UB max= (10) 2V
2 +
Us -
UCE max - maximal zulässige Kollektor-Emitter- Spannung. Tr 1 /155 mit Luftspalt Tr 2 M 85 ohne Luftspalt
pnmar : 433 Wdg., O,lrmm-CuL primär :2x43Wd_q.11,2-mm-Cul
Außerdem ist hier eine eventuell erforderliche Spannungsre­ sekundär: 2x200Wdg., 0,4-mm-Cl.iL (bifilar)
duktion bei größeren Basis-Emitter-Widerständen zu berück­ (bifilar} sekundär: Ws1 94 Wdg.1 1,2-mm-CuL

sichtigen. W52 94 Wdg.1 0,3-mm-Cul

Der Außenwiderstand Ra, den der Endtransistor „sieht", be­ Rp·= 1,8 Q//25.,-Q-Einsfel/regler
stimmt seinen Kollektorstrom und seine Verlustleietung Pv max· RH TNK 2, 7- 10
=

Er ist so zu wählen, daß der maximale Kollektorstrom und die Ro so auslegen, daß bei Vollaussteuerung mit !kHz
vorgegebene Verlustleistung nicht überschritten werden. In Ab­ Ueeff 2 Verforder//ch sind.
=

hängigkeit vom maximalen Kollektorstrom erhält man Bild 2.1 Transformatorgckoppeltcr :!;j-\V-Verstärker für Batterie­
betrieb

18
u2B 2
R oder 8tromaussteuenmgsgrad m vo n ·- � 64 % auf und errechnet
�.,

a �� ·
- (12) -

-- n2 Pv max n

sich je Transistor nach folgender Jkz.iehnng


Zur Kontrolle ist der Außenwiderstand mit GI. ( 1 1) und GI. ( 12)
zu berechnen. Der jeweils größere 'Vert wird gewählt. Bild 2.1 Un JH ut (ic - IR)
P v max. ·· - - -\-- - - -· · ·· - -- ( l;))
zeigt als Beispiel einen transformatorgekoppelten 25-'V-Ver­
·

2 ::-r2 (Un - UcE satl


stärker, der mit den folgenden Beziehungen berechnet werden
lR - Huhestrom clmch L'inen Trnnsil:'tor.
kann.
Die a,ufgenommene Gleichstromleistung beider Endtnwsi�toren
setzt sich bei Vernachlässigung der Basisstrom\verte aus einem
vom Aussteuernngsgrad abhängigen Teil und dem Ruhestrom-
2.3.3. Ausgangsleistung, Kollektorverlustleistung und aufge­
anteil zusammen
nommene Gleichstromleistung
m2Un
PG = -
- (TC max - fit) + U H fii ; (lü)
·wurde Ra nach GI. (12) festgelegt, so kann lc max durch Um­
· ·

:JT,

stellung von Cl. (l I) bestirnnit wPrdcn. Damit, liißt sich lwi


Pa - aufgenommene Gleichstromleistung beider Endtransistoren,
sinusförmiger Aussteuerung und nach Fest.lcg11ng des H.uhest.ro111s
m - Aussteuernngsgrad, erreicht den vVert 1 bei Vollaussteuerung.
IR (je Transistor) die maximale, an den Ausgangsübertrager abge­
gebene \Vechselstromleistung Po Tr beider Transistoren berech­
nen
2.3.4. Ausg ang sübertrag er
1
Po •.rr = 2 (Je max - hd · (Un - Ucg sat). ( 13) Zur Berechnung des Ausga,ngsübertragers wird der Außenwider­
stand Ra, die Ausgangsleistung P0, der Lastwiderstand RL und
Aus dieser Formel ist zu erkennen, daß der Ruhestrom die er­ die niedrigste, zu übertragende :Frequenz fu benötigt.
reichbare Ausgangsleistung reduziert. Es sollte deshalb und wegen Emitterwiderstände an den Endtransistoren linearisieren die
der Zunahme der Transistorverlustleistung nicht größer als un­ Eingangskennlinie derselben, benötigen aber auch einen Teil der
bedingt nötig gewählt werden ( Übergangsverzerrungen beachten). Ausgangsleistung. In einem solchen Fall wird der errechnete Ra
Bei Germaniumleistungstransistoren wird die untere Grenze um den Betrag eines Emitterwidcrstands RE reduziert
durch den maximalen Kollektorreststrom 1eo bei der höchsten ( 17)
Transistorgehäusetemperatur bestimmt. Als Richtwert für den
Ruhestrom wird je Transistor 0,01 1 c max vorgeschlagen.
·
Die Primärinduktivität wird meist anf die halbe Primärwicklung
Im Ausgangstransformator gehen etwa 15 bis 20 °(o der zugeführten bezogen. An der gesamten Primärwicklung gemessen, erhält man
\Vechselstromleistung Po Tr durch ·Wicklungs-, Kern- und Streu­ den 4fachen \Vcrt der Induktivität, da die 'Vindnngszahl qua­
verluste verloren. Die tatsächlich erreichbare Ausgangsleistung dratisch eingeht.. Dasselbe gilt anch für den 'Vechsclstromwider­
Po ist unter Berücksichtigung des Transformatorwirkungsgrads stand des Übertragers von Kollektor zu Kollektor
1]Tr Rcc = 4 · Ra ( 18)

PO = PO Tr 1]Tr , ( 14) oder mit Emitterwiderstand

wobei 1]Tr mit 0,8 bis 0,85 eingesetzt wird. Re� = 4 R� = 4 ( Ra - RE) . ( 19)

Die maximale Kollektorverlustleistung tritt an den Endtransisto­ Geht man vom errechneten Ra oder R:
uus, so ergibt sich die
ren nicht bei Vollaussteuerung, sondern bei einem Spannungs- Primärinduktivität d{'r halben Primärwicklung

20 21
Die sekundäre Windungszahl errechnet sich infolgedessen
(20)
, Wv1
H s1 = -·- ·
(24)
wobei Wu die .Kreisfrequenz 2n /u i:-.;L �ind ein o<ler 2 ErniLtcr­ ii

widcrshi,ndc an die Endtransü;toren geschaltet„ su wird an Stelle Zur 11.Jrmit tl ung des Dr11h td11n�h 1 nc·":'>1'rs i:';t < kr m ittl1'l'<l K oll1�kt.or­
Ra n: gesetzt. gleichstrom erforderlich
Der effektive Kcruquerschnitt und darnit die Korngröße des ,..._

Ausgangsübcrtragers läßt sich nach der bekannten Faustformel Ic


Ic (25)
[4] n
= -­

(21) Mit der vorgegebenen Stromdichte s von 1 1,5 A/mm2 ergibt


sich der primäre Drahtdurchmesser
ermitteln.

V--
Diese Beziehung ist für .Ausgangsleistungen bis 10 vV ausrei­ Ic
dp 2 . (26)
chend genau. Für größere Leistungswerte kann man den er­
= -

ns
mittelten Kernquerschnitt auf den nächstkleineren Transfor­
Die sekundäre Drahtstärke ist von La.stwiderstttnd und -strom
matorschnitt reduzieren, da sonst 'l;ll große Übertrager eingesetzt
abhängig
werden müssen. Die Primärwindungszahl der halben Primär­
·wicklung ergibt 8ich danach au8 der l>rimärindulüivität und <len

VI�� l
Kerndaten
Rr.
· - 2 (27)
108 d,

V0�4-.;:;; -AF� f�� ;


Lp -ZFc. •
=

ns
lVpl o:cc: (22)
Po - maximale Ausgangsleistung am Lastwiderstand.

ZFe - Eise mveglä 11 ge nach Transformatordaten in c:m, Pr - relative Ausführliche Übcrtragerboreclmungen und \Vickclhinweise kann

Anfangspermcabilität des verwendeten Kern materials, dimen­ der Leser ans [5] ersehen.
sionslos (für Dyna.moblech /Ir= 700), AFe - effektiver Kernquer­
schnitt in cm2, Lp - Primärinduktivität der hn.lben Primär­
wicklung in H, 0,4 · 10-s - Induktionskonstante mit der Diincn­ 2.3.5. Eingangswiderstand und Basisspannungsteiler der End­

sion H crn-1. transistoren


Damit die Kupferwiderstände beider \Vicklungsteile gleich \Ver­
den und die Streuverluste gering bleiben, ist die \Vieldung Z\vei­ Zur Ansteuerung der Endstufe ist Steuerleistung erforderlich,

drähtig (parallel oder auuh bifilar) zu wickeln und die Teilwick­ die über einen Treibertransformator geliefert wird, der mit seiner

lungen danach phasemichtig in Reihe zu schalten. Das Über­ sekundären Gegentaktwicklung gleich die zweite, um 180° ge­

setzungsverhältnis bezieht sich ebenfalls auf die halbe Primär­ drehte Steuerspannung für die Gegentaktendstufe erzeugt. Zur

wicklung Berechnung der Eingangswerte wird das Eingangskennlinienfeld

v�:� �i ;
des eingesetzten Endstufentransistors herangezogen. Diesem er­
sieht man den für eine Aussteuerung mit Ic max erforderlichen
ii =
(23)
Bassistrom In und die dafür benötigte Basisspannung UBE·
'YJTr - Transformatorwirkungsgrad von 0,8 bis 0,85, RL - Last­ Dabei ist zu beachten, daß die angegebenen Kurven Mittel werten
oder Lautsprecherwiderskmd, ii ÜbersetzungFiverhältnis Wpif entsprechen. Bei geringen Stromverstärkungen der zur Verfügung
.
-

IVs. stehenden Endtransistoren sind diese \Vcrte zn erh öhen . Zn den

23
folgenden :F'ormeln sei bemerkt, daß die Spitzen über den Formel- ist in Bild 2.1 angegeben. Rl und R2 ergeben sich nach den fol­
genden Beziehungen:
� /'-._

zeichen, z. B. Um;, In Scheitel- oder Spitzen-werte der jeweiligen


Größe bedeuten. U
u_�
-

Rl � _r:1�� (30)
Der Eingangswiderstand eines Transistors ergibt sich bei Voll­
=

IT+ lz min
aussteuerung
UB min - minimale Betriebsspannung, Uz - Spannung der Z­
Diode, lz min minimaler Strom durch die Z-Diode (bei SZ 600

Um!;- UBER -

Re � --- - .-.--.
-- - - (28) � 10 mA);

1B
Uz- UnER
R2= (31)
UBER ist die Basis-Emitter-Spannung, die im Endtnmsistor
--

IT
den vorgesehenen Ruhestrom IR hervorruft. Dieser vVert ist
Stelle Uz
ebenfalls ans dem Kennlinienblatt zu ersehen. Ist keine Z-Diode vorgesehen, so entfällt R2 und an
eingesetzt.
Liegt ein Widerstand RE in der gemeinsamen Emitterleitung der wird in GI. (30) die Basis-Emitter-Spannung UnER
tzten
Endtransistoren, so wird der Eingangswiderstand bei Vollaus­ Der zusätzliche Spannungsabfall über einen eventuell eingese
Emitterwiderstand RE ist in UnER mit einzure chnen.
steuerung etwa um den Betrag B RE erhöht
iter ver­
vVird als temperaturabhängiges Regelglied ein Heißle
oder gleich
wendet, so sollte sein 20- °C-\Viderstand Rn 20 kleiner
_
(29) dem Transistoreingangswiderstand Re nach GI. (28) sein.
ungstempe­
Der verwendete Heißleiter darf nur durch die Umgeb
Strom, seinen
ratur, nicht aber durch den ihn durchfließenden
B Gleichstromverstärkung in Emitterschaltung h2rn. leistung
\Vert verändern. Der Hersteller gibt deshalb die „Grenz
-

\Vie schon mehrfach darauf verwiesen wurde, muß zur Ver­


wird diesem
ohne Eigenerwärmung" an. Zur Linearisierung
meidung von Übergangsverzerrungen ein Ruhestrom durch die sich nach
Heißleiter ein 'Widerstand Rp parallelgeschaltet, der
Endtransistoren fließen. Dieser wird über einen gemeinsamen
folgender Beziehung errechnet
Basisspannungsteiler gewonnen, wie z.B. durch R2, Rx nach der
Schaltung in Bild 2.1. Die Z-Diode SZ 600/5,6 stabilisiert über
(32)
den vViderstand Rl die Basisspannung. Rx ist eine temperatur­
abhängige Widerstandskombination, deren nichtlineares Regel­
glied ein Heißleiter, eine Diode oder ein als Diode geschalteter
Transistor sein kann, das sich in thermischer Verbindung mit DT-Temperaturdurchgriff in mV/°C der Endtransistoren (2 ...
den Endtransistoren befindet (Kühlblechmontage). 2,5 mV/K), IX - Temperaturbeiwert des verwendeten Heißleiters
Der Strom IT durch diesen Basisspannungsteiler wird ohne Z­ in %/K (Katalogwert,, Richtwert etwa 3%/°C), IT - Teilerstrom
Dioden-Stabilisierung etwa doppelt so groß wie der Basisspitzen- in mA.
,,..._

strom In gewählt. Damit kann die Berechnung der Treiberstufe fortgeführt werden.
Doch es ist besser, bei schwankender Betriebsspannung, wie z.B. Die Endstufe benötigt, bedingt durch den Temperaturgang von
Batteriebetrieb, die Spannung des Basisteilers zu stabilisieren, Heißleiter und Temperaturdurchgriff der Endtransistoren, bei
da andernfalls der Ruhestrom stark betriebsspannungsabhängig niedriger Umgebungstemperatur die größte Steuerwechselspan­
wird. nung für Vollaussteuerung. Nimmt man eine untere Temperatur­
Ist die Basisspannung stabilisiert, kann der Teilerstrom auf grenze von O °C an, so muß der Heißleiterwiderstand für diese
/'-._

1,1 In herabgesetzt werden. Eine solche Stabilisierungsschaltung Temperatur berechnet werden

25
24
(37)
Rn o � Rn 20 e
(;o ;20)
- ·

(33) UCE sat - Sättigungsspannung des Treibertransistors, U E - Span­


RH o - 'Viderstand des Heißleiters bei 0 °C, RH 20 - \Vidcrstand nungsabfall am Emitterwiderstand des Treibers, UTt· - Span­
des Heißleiters bei 20 °C (Nennwert), T0 - Umgebungstempera­ nungsverlust in der Primärwicklung des Treibertransformators,
tur 273 K� 0 °C, T20 - Umgebungstemperatur 293 K /\ 20 °C, wobei für UTr und UE je 0,1 Un gesetzt werden können.
b - Energiekonstante in K (Katalogwert). Damit ergibt sich das Übersetzungsverhältnis des Treibertrans­

Mit diesen \Verten und einem Sicherheitsfaktor von



formators
1,2 zu In
ergibt sich der Spitzenwert der Steuerwechselspannung
� �

U St = 1,2 In Rsek. (34)


Rsek ist der Lasbdderstand an einer Sekundärwickl ungshälfte des
(Der Faktor 0,8 berücksichtigt die Verlu::;te im Übertrager). Dar­
Treibertransformators, der sich aus folgenden \Vcrten zusam­
ans errechnet sieh der Kollektorspitzenstrom der Treiberstufe
mensetzt
,,..._

RH() Rp �
I St
RsC'k;:;;; Rl'i11g + .
-1 Hw . ( ,•)) ,),- )
Ic = .. -
-
UTr
-- ··

RH 0 + Rp

R'2, oder wenn R2 nicht vorhanden Rl, liegt wcchselstrommäßig Ist = 1,2 In nach GI. (34) .
der Kombination R n o, Rp parallel und wird, da sehr viel größer
Der Kollektorstrom der Trciberstnfo wird mit dem Ba,sif.;spnn­
a.Js diese, vernachlässigt.
nnngsteiler ans Sicherheitsgründen n,nf cinC'n \Vcrt von 1 c Tr
Dabei ist Rw der Wicklungswiderstancl der Trcibertransforma­ �

1,1 I c eingestellt.
torsekundärwicklung. Als Richtwert wird für Rw 0,5 Re vor­
=
= ·

Der Emitterwiderstancl cliesC'r Stufe ist clanu


gegeben.
Die erforderliche Steuerleistnng ist damit
UE
RE R::;: (40)
1,2 Ustin Ic '.l'r
Pst = - ------ (36)
2 Der Treibertransformator überträgt nur eine geringe Leistung.
Da, er durch den Ruhestrom des Treibertransistors vormagneti­
siert wird, muß er zur Vermeidung von Sättigungserscheinungen
2.3.6. Treiherstufe und Treiherühertrager und den damit verbundenen Verzerrungen einen Luftspalt im
Kern erhalten. Dadurch wird aber die wirksame Permeabilität
Die Treiberstufe muß diese Stenerleistung und die Verluste im und damit die erreichbare Primärinduktivität verringert. Abhilfe
Treibertrnnsformator, die mit etwa 20% eingesetzt werden sollen, kann nur eine Erhöhung der Primärwindungszahl bringen. Aus
aufbringen. Da der Treibertransistor in A-Betrieb arbeitet, hat er wickeltechnischen Gründen scheiden deshalb zu kleine Trans-
bestenfalls einen \Virkungsgrnd von 50 % . .Man legt deshalb die formatorsehnitte von vornherein aus.
benötigte Treiberlcistung auf etwa die dreifache Steuerleistung
Genügend Sicherheit ist dann vorhanden, wenn die Primär­
P st aus.
windnngszahl bei Treiberübertragern mit Luftspalt auf das 1,8-
Zur Berechnung des Treibertransformators ist die auf der Pri-
fa,ehe gegenüber dem Rechenwert nach GI. (22) erhöht wird.
märseitc a usstenerbn re \Vechsclspannung (Seheitehrert.) Als ltiehtwort für die Kerngröße geht man davon ans, daß diese
erforderlich; ein bis zwei Normgrößen kleiner als der Ausgangsübertrager

2()
27
st>in sollte und ü berprü ft nach Errechnung von \Vindungszahlen
und Drahtdmchmesser überschlägig, ob der \V ickelraum des
ausgewählten Kernes ausreichend ist. Andernfalls muß der
nächstgrößere Transformatorschnitt eingesetzt werden.
Der auf die Primärseite transformierte Wechselstromwiderstand
ist mit ÜTr

Rp = ÜTr Rsek (41)


und die erforderliche Primärind uktivitii t

(42)

Die erforderliche Primärwindungszahl ergibt sich nach GI. (22)


unter Beachtung der Windungszahlerhöhung bei Vorhandensein
eines Luftspalts. Liegt diese fest, so k ann mit dem Übersetzungs­
....
'.'...>
.
verhältnis die halbe Sek u ndärwicklung errechnet werden
'""
-+-'

-3
, TVp �
C)
H-s1 -:-. - -
;...
=
:-:-:;
UTr R -<;::::
� s
1V s1 halbe Sekn ndärw ind n ngszahl, JV11 Primärwindungszahl. t::� ]
- -

0;:::�' ::i.
Der Drahtdurchmesser von Primär- und Seknndänvicklungen
:r
-c=:::�f- -���-t-
,....

0
wird naGh GI. (26) und GI. (27) ermittelt. Zur Kontrolle ist ans �
·�
der mittleren \Vicklungslänge und der vVindungszahl der primäre
§
\Vicklungswiderstand zu errechnen und mit dem V orgabewert Ci
...,
nach GI. (35) zu vergleichen. Die Sekundärwicklung ist zweidräh­ ,...

tig zu wickeln und entsprechend in R e i he zu schalten. Ein aus­ ;...
'.'...>

führliches Berechnungsbeispiel muß ans Platzgründen entfallen. ;..,
:�
..._,
....
if!
<:.>

...,

,!.(
2.4.. Serien-Gegentakt-Verstärker oder eisenlose End­ <::
.... .,
;:::<
stufe '.'...>
00
<:.>
00

2.4.1. Die Weiterentwicklung des transformatorgekoppelten Ver­ .?:::
;...
stärkers zur eisenlosen Endstufe
<:.>
w

"
-�
Der .Material- und Fertigungsaufwand bei der Herstellung be­ ·":'l

wickelt.er Bauelemente s owi e der relativ große K l i rrfa ktor der C'-1

Eisenendstufe führtPn zur Entwicklung des Sericn - Gegentakt ­


�·
'O

Verstärkers, wobf'i dt'r nit>d1·ige S c hw i ngsp u lenwidersta nd der i:Q


Lautsprecher diese Entwickhmgsriehtnng noch besonders be-

28 29
günstigte. In den Anfangsjahren der eisenlosen Endstufe wurden
R4
die Endtransistoren, die ja vorwiegend pnp-Germaniumtypen
waren, n och mit Gegentaktübertrager, bzw. von einem pnp­ 47k +40V

Treibertra.nsistor mit Arbeitswiderstand im Kollektorkreis und


unüberbrücktem Emitterwiderstand angesteuert. Durch die
C2 C4 220µ
letztgenannte Art der Treiberschaltung werden, ähnlich wie mit 40V
4,7k
der aus der Röhrentechnik bekannten Katodynschaltung, zwei
um 180° gegeneinander verschobene Steuerspannungen erzeugt.
Das änderte sich mit dem Aufkommen der komplementären
Tra.nsistoren, wodurch auf eine zusätzliche Phasenumkehrstufe
verzichtet werden konnte. Unter ko mple mentär versteht man in
0,5
diesem Fall zwei Transistoren entgegengesetzter Zonenfolge, aber
2W
weitgehend übereinstimmender elektrischer Eigenschaften.
Die ersten Komplementärstufen konnten aber nur geringe Lei­
stungen abgeben. 'Varen größere Ausgangsleistungen erforder­
lich, so wurden der Komplementärstufe zwei pnp- oder npn­ 0,5
Leistungstransistoren nachgeschaltet. Diese sogenannte Quasi­ 2W
/,:omplementärendstufe, die auch der Verstärker nach Bild 2 2 .

0,1µ
aufweist, ist lange Zeit die beherrschende Schaltung für Verstär­
ker größerer Ausgangsleistung gewesen. ·während der letzten
Jahre gelang es, auch Siliziumkomplementärtransistoren größe­
rer Leistung herzustellen. Dadurch vereinfachten sich die End­
verstärker noch weiter. Die letzte Entwicklung in der diskreten
Leistungstechnik sind Darlington-Komplementärtransistoren in
R17
Epibasistechnik mit integrierten Schutzdioden und Basiswider­ 10
ständen. Damit ergibt sich ein äußerst raumsparender Aufbau
und eine sehr geringe Steuerleistung.
Bild 2.3 nach [6] zeigt einen Leistungsverstärker für 25 vV Aus­ R14 1,Bk
gangsleistung mit diesen Transistoren. llild 2 .3 25-·w NF-Leistungsverstärker mit Darlin(flon-Vollkomplcmcu-
-

Wenn sich auch die Endstufe ausgangsseitig im Laufe der Ent­ tär· Endstufe; 02 muß richtig heißen: 4,7 µF
wicklung nur unwesentlich verändert hat, so sollte beachtet
werden, daß es in den Anfangszeiten der eisenlosen Gegentakt­
dieser Stufe und einer starken Gleichstromgegenkopplung kann
verstärker vielfach üblich war, die Endtransistoren in A- oder
<lic Mittenspannung sehr stabil gehalten werden. Dadurch ist es
A-B-Betrieb mit großem Ruhestrom zu betreiben. Werden solche
möglich, den Verstärker mit einer Plus-Minus-Versorgungs­
Schaltungen nachgebaut, so muß man mit großen Verlustlei­
spannung zu betreiben und die Mittenspannung auf 0-Potential
stungen der Endstufen rechnen.
w legen. \Veitcrhin kann der Auskoppelelektrolytkondensator
In die Weiterentwicklung wurden auch die Vorstufen des eisen­
entfallen 1tnd der Lu,utsprccher direkt an den Ausgang ange­
losen Verstärkers einbezogen. Hier stand besonders die Schal­
schlossen werden (s. Bild 2.4). Verzichtet man auch noch auf den
tungstechnik des Operationsverstärkers Pate. Schon nach kurzer
.Eingu,ngskondensa.tor, so hat ,man einen Leistungs-Operations­
Zeit bildete man die Vorstufe als Differenzverstärker aus. Mit
verstärker und kann z. ß. Gleichstrom verstärken [7].

30
31
Mit den Fortschritten auf dem Gebiet der integrierten Schal­
tungstechnik wurden auch Leistungsverstärker in dieser Tech­
nologie entwickelt. In die integrierten Leistungsverstärker sind
inzwischen alle Erkenntnisse der diskreten Schaltungstechnik
und Operationsverstärkertechnik eingeflossen. Hinzu kommen
noch weitere Vorzüge infolge der guten thermischen Kopplung
innerhalb der monolithischen Schaltung. International geht die
Entwicklung auch bei Verstärkern großer Leistung immer mehr
in Richtung integrierter und Hybrid-Schaltungen.


l...

-� 2.4..2. Die Funktion des Serien-Gegentakt-Verstärkers
§
t...
� Zum Verständnis der Endstufenfunktion ist die Ausgangsstufe
� =-
0 in Bild 2.5 vereinfacht dargestellt. Zur besseren Unterscheidung

-i:;
.....
d
..... "' werden beide Halbwellen getrennt betrachtet.
-� �
""d Liegt die negative Halbwelle der Steuerwechselspannnng an der
?!> 0
.!.(
Ba.sis des Treibertransistors Tl (Bild 2.5a), so sperrt dieser tmd
� C;
,,.....

$ ;::.
.-
der Transistor T2 wird durch den Basisstrom JB2 geöffnet. Folg-
1: 0 lich fließt vom Pluspol der Betriebsspannung· ein Kollektorstrom
§;. �
,,.....
!.;,
� ..--: 1c2 durch T2 und als Ladestrom über den Auskoppelelektrolyt-
-s
."> C;
kondensator 01 sowie über den Lautsprecher zum Minuspol der
§
1\)
0
=-
Betriebsspannung. Der Transistor T3 i st während dieser Zeit
:S v
gesperrt.
,.!..::;
-� =-
·e<:
.+J Durch die positive Halbwelle der Steuerspannung (Bild 2.5b)

C; wird der Treibertransistor leitend und zieht das Kollektorpotcn­
� tial gegen 0. Dadurch erhält die Basis des Transistors T3 nega­

� tives Potential gegenüber seinem Emitter. Es fließt ein Basis-
� "'

0 st.rom fo3, und die Kollektor-Emitter-Strecke des T3 wird I0i-

=- tend. Jetzt entlädt sich der Anskoppelelcktrolytkondensator ülH'r

� T3 und den Lautsprecher, für den der Strom jetzt in entgegen­
�·1: gesetzter Richtung fließt. \Vährend dieser Zeit ist der Tra,nsistor
C::l

":: T2 gesperrt. In Bild 2.5c sind die zwei Einzelströme fc2, Ic3 und
v
i/.' die da.raus resultierende Ausgangswechselspannung über RL zu

:::: :-:;elwn. Die g<'Rtrielwlte Dn,rstcllnng zeigt die fehlerhafte Zusa.m-

1111'nset-1mng der A usgang ssp a n nung bei nicht in den KennliniPn
......
<:'I
iHwrcinstimmend<'n. Transistoren oder :r.u w�ringem R.uhestrom
chm·.h <lic F.11dtrnmÜRtnn•11 (ÜhcrnahninY<'l'Zf'tTtt11gf'n). DnK nl<l<'hf.
�,

P'.i
::;ieh bt>s<mtkrK bei kleiner �\11:-;stcw·rung IH'llHTkha.r.

32
komplementären S cha, lt n ngen zu begreifC'n, rnu ß man wiss<'n,
daß Darlington-Schaltnng (T3, Tf>) tmd kompkrn<'ntiire Dor/in(J­
ton-Sehalt.ung ('f-l, Tl>). int.PrnaJinnal aud1 :d;; LIN-Kornbiruti<in
t ---
lwlrnnnt, <·1.wa. gl1·i«lw li:ing:1ng:·nvidt·rstii.11d1· tt11<l. vorn.nsgt·:-;1•1z!.
<�s w urdcn '1'1-.rnsist.orpaare cinhei tl idwr l':-ltrorn vc�n:;tiirk u 11g:-;­
gruppen v erwendet , glei che Stromverstä rk u ngen aufweisen.
V Dabei linearisieren die Emitterwiderstände Rl4 und RH5 den
Eingangswiderstand der Endstufen und gleichen die Kennlinien
an. Diese \Viderstände dürfen aber nicht zu groß gewählt werden,
a) da an ihnen ein Teil der A u sgangsleistung verlo ren geht. Die
Basisableitwiderstände Rl:3 und Rl6 erhöhen die Spmrnungs­
festigkeit der Endtrnnsistoren und bewirken vor a l lem lwi ( �<·r­
manium-Transistoren die Ableitung d e s Basisreststroms.
Bezeichnet man atwh die Tnmsistoren 'J':i und T4 im 1-lprnch­
gebr1wch als Treib e r, so wird die eigentli che Treiben;tufc doch
vom Trnnsistor T2 mit den Widers tänden R8 und RU gebildet .
Um die "Wi rk u ng des zwischen R8 und R9 gegen das Mittenspan­
\ I
"
nungspotentia,l UM gescha,lteten Elektrolytkondensafors zu
erklären, muß noch einmal auf Bild 2.5 verwiesen werden. Soll in
dieser Schaltung der npn-Endtransistor voll dnrchgesteuert
b) werden, so müßte die Basis dieses Transis tors direkt mit dem
Pl u sp ol der Bet riebsspannung verbunden sein. Hier liegt aber der
Arbeitswiderstand Rl des Treibertransistors zwischen Basis des
T2 und Pluspol. Durch den für die Aussteuerung des T2 erfor­
derlichen Basisstroms entsteht ein Spannungsabfall über Rl, und
der Transistor T2 ka,nn nur bis zu einem um diesen Spannungs­
verlust reduzierten ·wert durchgesteuert werden. Das ließe sich
c)
durch eine zusätzlich aufgestockte Hilfsspannung beseitigen, an
Bild:!.;} \\'i1·lrnngs\\·eise 1k1· Komplementä.rcudstufe die der Treiberarbeitswiderstand angeschlossen sein müßte. Doch
gibt es, wie aus Bild 2.2 zu erkennen ist, eine weita,us elegante re
Am V<'l'C'infacht dargestell ten Treiber-Arhcits\\'iderstn nd fiil lt
Lösung. Es soll jetzt wieder die Schaltung nach Bild 2.2 betrnch­
über R2 die Bnsis-Emitt.er-Spnnnung zur Erzeugung clcs l1�nd­ tet werden. ·während des Stromflusses durch die LIN-Kombina­
stufon-R11hcRti'oms ab. R2 wird vielfach aus zwei mkr md11·!'n·n tion T4, T6 wurde die Mittenspannung UM gegen Nul lpo tentia.l
nichtlinen.rcn W iderständen gebildet , die sich meist in thermi­ gezogen und der Elektrolytkondensator 04 über den TeilarbeitR­
schem Kontakt mit den Endtransistoren befinden und in Ab­ widerstand auf einen bestimmten positiven Betrag aufgclad
. en.
hängigkeit von ihrer Gehäusetemperatur den Ruhestrom an­
Bei der folgenden positiven Ha.lbwelle durch die Darlingt.ou -
niihernd konstant halten. Kombination T3, T5 wird UM wieder posit i v und <las Potentin.l
Zur F11nktionslwschrl'ib11ng !kr Trcibt•r- und Vor:-;tufrn :-\!)II d1'!' des an 04 liegenden Verbindungspunkts R8, R'J um den Bf'trag
<p1asikornplemcntän• 20- \\'- LPistu 11gs\Tl'i-lt iirkt•r nn d1 Bild ::?. ::? der auf 04 geladenen Gleichsp annung p ositi v er als U-r,r. D a mit ist
aus l_s J als Jkispid di!'lll'll. U 111 die \\'irkung:-rn l'is1• solvher q ttat-:ii- <"in<' sichere Durchsteuerung der Darlington-Stufo gewii.hrleistet.

:a
Dnrch eine günstige Wahl des \Viderst.andsverhältnisses R8 zu R9 schützen. Der Einsatz der Begrenzung kann mit den Reglern
kann <for Einfluß dt>s Basü;stroms vom Tramiistor 'I'!� auf di<� R2I und R22 getrennt eingestellt werden. Bl9 und R20 sind
A11sRinuerbarkeit df'r Darlington-St.nft. ('J':l, 'l'fi} nahezu kornpf'll ·
Schutzwiderstände, Rl 7 und Rl8 die jeweiligen Basiswider­
siert werden. stände von T8 und TH. Durch die Diode D3 wird Inversbetrieb
Durch den Transistor '1'7. dt·r sich in gutt·111 \VüniwkoJtt.akL mit über T8 vermieden, Dl und D2 schützen die Endstufe vor Falsch­
den Endtransistoren befinden muß, wird mit dem Regler RIO polung der Betriebsspannung. Viele der beschriebenen Schal­
der Endstufenruhestrom eingestellt. Diese Form der Ruhestrom­ tungseinzelheiten sind in mehr oder weniger abgewandelter Form
regelung ist eine sehr gute Lösung und erfüllt die Funktion der in den Verstärkern mit eisenlosen :Endstufen zu findm1.
Arbeitspunkteinstellung, Stabilisierung gegen Betriebsspan­
nungsschwankungen und Ruhestromreduzierung bei starker
Temperaturerhöhung an den Endtransistoren. Steigt infolge 2.4.3. Dimensionierungshinweise und ßerechnungsheispiel
Erhöhung der Betriebsspannung der Strom durch den Spannungs­
teiler Rl 1, RlO, Rl2, so v<'rgrößert Hich der Basisstrom des Znm besseren Verständnis des folgenden Abschnitts wird wieder
'J'ra nsiBtorB T7. Dn,du n·h veningt'rt Hi eh S(•ine Kollektor-Emitter­ die Schaltung des Verstärkers nach Bild 2.2 benutzt. Et· soll eine
Sptwnung 11n<l damit der :Encltra11sistoren-ltnhestrom. Durch Ausgangsleistung von 20 vV an einen Lastwiderstand von 6 Q
entsprechende Dimensionierung der \Viderständc des genannten abgeben. Die Emitterwiderstände der Encltrnnsistoren werden
Spannungsteilers läßt sich die Betriebsspannungsabhängigkeit mit 0,5 Q vorgegeben, der Ruhestrom durch die Endtrnnsistorcn
fast kompensieren. Da. sich T7 in thermischer Verbindung mit soll auf etwa 30 mA eingestellt werden.
den Endtransistoren befindet, verkleinert sich seine U CE-Span­ In Abschnitt. 2.2.2. wurden bereits überschlägige :Formeln zur
nung mit steigender Kühlkörpertemperatur und wirkt damit Ermittlung von Totalverlustleistung GI. (3) uncl maximaler
einem Ansteigen des eingestellten Ruhestroms durch die Tem­ Kollektorstrom GI. (4) eines Endstufentransistors angegeben.
peratur entgegen. Danach können <lie Leistungstransistoren grob bestimmt werden.
Den Arbeitspunkt des Vorstufentransistors Tl stellt man mit dem Da, bei der eisenlosen Endstufe Betriebsspannung, Lastwider­
Widerstand R2 so ein, daß das mit UM bezeichnete Mittenspan­ stand, Kollektorspitzenstrom und Ausgangsleistung in einem
nungspotentia.l U n/2 wird. Der Vorstufentransistor Tl bildet mit festen Verhältnis zueinander stehen, der Last- oder Lautsprecher­
dem Treibertransistor T2 eine weitere Komplementärstufe. Über widerstand und die gewünschte maximale Ausgangsleistung Po
R7 erfolgt eine starke galvanische Gegenkopplung zum Ein­ am Lastwiderstand RL aber meist bekannt sind, ('rgibt sich die
gangstransistor, die die Mittenspannung UM konstant hält und erforderliche Betriebsspannung
die Gesamtverstärkung herabsetzt. Eine weitere Gegenkopplung
vom Lautsprecherausgang über R24 zum Emitter des Eingangs­ (44)
transistors setzt unter anderem den Klirrfaktor an den Frequenz­
arenzen herab. Mit dem Kondensator 03 wird die obere Grenzfre­
P� -Ausgangsleistung + Leistung an den Emitterwidcrständen
o

quenz festgelegt und hochfrequenten Schwingneigungen ent-


RE, P� � 1,1 ... 1,15 P0, R� Lastwiderstand RL + l Emitter­
-

widerstand RE, d. h. (RL + RE)·


gegengewirkt. Das Bmicherot-Glied (R23, 07) setzt die Verzer­
Uv ist der Spannungsabfall über eine Endstufenkombination
rungen bei hohen Frequenzen herab. Es "vird für eine Frequenz _,..._

von etwa 8 kHz ausgelegt, wobei R etwa 2 . . 4 Ra . gewählt (z.B. 'r3, 'l\5 in Rild 2.2) bei l\Ia,ximalausstenerung mit lc. Es ist

,vird, 0 � I/wR. Bei Überlastung oder Kurzschluß des Verstär­ die Summe aus Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung des

kerausgangs begrenzen die Transistoren T8, T9 über die Basis­ Vortransistors (z.B. UcE sat '1'3 in Bild 2.2) und (ler Basis-Emit­

Emitter-Spannung der Transistoren T3, T4 den Ausgangsstrom ter-Spannung des Endtransistors (z.B. U1rn TG in Bild 2.2)

der EndtrimsiHtoren, um diese vor thermischer Zerstörung z11


Uv UcE satv (45)
= + UBE End .

36 37
Uv hat an Darl-ington- und LIN-Kombination etwa gleiche Gr öße. Die Leistungsdi.fferenz zu P� wird an den beiden Emittcrwidcr­
Deshalb kann in GI. (44) und den folgenden Formeln 2 Uv ein­ ständen verbraucht. Danach berechnet sich die Verlustleistung
gesetzt werden. UcE sat und UBE sind aus den Kenndatenblät­ eines Emitterwiderstnnds
tern der jeweiligen Transistoren zu ersehen. Praktische \Verte für
JJ'o-- 1J0
·

Uv liegen bei Germanium- sowie bei Siliziumkombinationen PRE = --- ··--· - (49)
2
zwischen 1,3 bis 1,5 V. Die Ausga,ngsleistung Po wird für den
Beginn des Abkappens der Ausgangssinusspannung, d. h. für Die maximale Verlustleistung tritt m1 den I�ndtrnnsistornn bei
einen Klirrfaktor von etwa 3 ... 5 % angegeben. Im Berech­ einer Spannungsaussteuerung von etwa 64 % auf. Das entspricht
0,5 0, einer Leistung
nungsbeispiel ergibt sich mit einem RE von etwa 40 % Leistungsaussteuerung. Die maximale Vcrlustlcistung
P0 von 1,15 P� = 23 \V und <'inem Uv von 1,3 V die erforder­ für einen Endtransistor erhält man mit genügender Genauigkeit
liche l\Iindestbctricbsspannu ng aus der folgenden Beziehung, worin das erste Glied der Gleichung
den Ruhestrom 1CR durch die Endtransistoren berücksichtigt
un >V� 2:3 \v: 6,5-6 + 2 · 1,3 v = 31,2 v,
gewählt wcrcl<'n UB 40 V. Damit kann GI. (44) nach P� um­ UB . lcn ut
Pv max R:::; - -+ - (;jO)
=
-- · · - . - ·

gestellt werden. �Iit der größer ge,vählten Betriebsspa,nmmg 4 4 n2 (RL + RE)


wird P0 ebenfalls größer als angenommen Die bisher ermittelten vVerte des Berechnungsbeispiels in GI. (47)
, (UB - 2 Uv)2 bis GI. (50) eingesetzt., ergeben
p0 = . - ' (46)
8 (RL +RE) 40 V - (2 1 ,3 V)
�.

---
2,87 A,
·

mit den gewählten Größen errechnet sich P � Ic Enu = - "-''


im Beispiel zn 2 :-6,5-.Q
- ·- ·

27 \V. \Verden Un, P; und R{_ in GI. (3) und GI. (4) eingesetzt,
(2,87 A)2 GQ
so ergeben sich überschlägig Pv max mit 6,75 \,V je Endtransistor Po= -· -- -··
·

-· - = 24,8 vV ,
2
und ein Kollektorspitzenstrom Ic End von etwa 3 A. Damit kön­
nen die I,eistungstransistoren gewählt werden. Es >vird der P�-Po
TESLA-Typ KU 611 mit den Grenzwerten UcE max 50 V,
Prrn = - ·-- 2
- - = 1,1 \V
1 c max 3 A und Ptot max 10 vV eingesetzt. Die Stromverstärkung B
40 V 0,03 A (40 V)2 .
beträgt mindestens 20, der \Värmewiderstand 11 K/\V, maximale -4---- + .i��
·

Pv max R:::; -- 6,55 \V .


� 5 Q
=

Kristalltemperatur 155 "C. Da dieser Transistor mit seinen \Ver­


ten an der Leistungsgrenze liegt, können auch leistungsfähigere Als nächstes wird das erforderliche Kühlblech nach Abschnitt
Typen, wie KU 605 ... KU 608, KD 605 . . . KD G07 eingesetzt 2.2.3. ermittelt. Für eine maximale Umgebungstemperatur von
werden. 50 °C werden bei entsprechender Sicherheit (geringe Konvektion)
Der tatsächliche Kollektorspitzenstrom der Endtransistoren mit Alublech 2 mm dick, waagerechte Gebrauchslage, eine Kühl­
ergibt sich nach der Beziehung fläche von 216 cm2 je Transistor benötigt. Infolge des großen
Un-2 Uv Wärmewiderstands des KU 611 ist die erforderliche Kühlblech­
1c Rncl = - (47)
2 (Rr. + RE ) fläche sehr groß. Wird dagegen der Transistor KU 606 eingesetzt,
- · · ·

so sind unter gleichen Bedingungen nur 52 cm2 Kühlblech erfor­


Damit kann jetzt die A11sgangsleishmg Po am Last.widerstand
derlich.
Ri. lwr<'chnct WP.rden
Der Effektivwert des \Vechselstroms durch den Lastwiderstand
i� En(l RL ist b.ei sinusförmiger \Vechselspannung Ic End/ v;. Im Beispiel
Po:-::: . .. (48)
2 sind es 2,04 A. Die Basiswiderstände der Endtransistoren leiten

38 39
den l{.eststrom ab und erhöhen damit die Spannungsfestigkeit Mit diesem vV crt berechnet sich die Verlustleistung von Darling­
der Kollektor-Emitter-Strecke. Ihr \Viderstandswert liegt zwi­ ton- und LIK- Vorstufe
schen 100 ... 300 Q, also etwa in der Größe des Gleichstromein­
gangswiderstands Rn im unausgesteuerten Zustand des End­
transistors

UnER Im Beispiel ergeben sich folgende Ver! ustleii;tnngeu der Vor­


Rn�-- · -- (51) stufen
JnR
20 V - 0,5 V
Diese \Verte sind aus dem Kennlinienblatt zu ersehen. Sie sind Ra � 140 n
LIN � -

für den KU 611 bei einer Gleichstromverstärkung von B > 20 2,65A 0,8 V

und einem Kollektorruhestrom 1c R = 30 mA: -20-+ 22o ö


UnE R (Basis-Emitter-Spannung bei Rllhestrom) 1,21 . 400 v2
� 0,6 V, Pv max T�, T4 � - - ------ � 0,:35 \V .

n2 · 140f2
In It (Basisstrom bei Ruhestrom durch den Trnn­
sistor) � 2,5 mA. Bei dieser Leistung ist für die Vorstufentransistoren keine Kühl­
fläche erforderlich.
Für den Bnsisst.rom wurde aus Sicherheitsgründen der niedrigste
Der Minimalwert des Auskoppelkondcnsators OG ist
Kennlinienwert aus dem Datenblatt Ic = f (UcE) eingesetzt
1
0,6 V 06 min - -- .
Rn = Rl3, Rl6 � --- =
.. '>
240 Q, gewahlt 2...,0 Q.
=
- --

2n /u Rr,
(•H)
2,5mA
Bei einer vorgegebenen unteren Grenzfrequenz von fu =-= 30 Hz
Die Komplemcntärstufen müssen den jeweiligen Endtransistor
sind das
aussteuern und die Leistung für den Ba.siswiderstand aufbringen.
Die erforderliche Verlustleistung ist für die Darlington- und für 1
06 =:= ----------- ::::::: 132() /tli'
die LIN-Vorstnfe ungefähr gleich. Die LIN-Vorstufe liegt etwa 2n · 30 Hz· 4!2
an der halben Betriebsspannung und muß den Basisspitzenstrom
gewählt 2200 µF, 40 V.
für T6 bei der entsprechenden Basisspannung und den Strom
Die Berechnung der weiteren Bauelemente des Verstärkers wird
durch Rl6 aufbringen.
im Rahmen dieser Broschüre zu umfangreich und kann bei Be­
Der Lastwiderstand der LIN-Vorstufe ist damit
darf aus [8] ersehen werden.

ul\I - UcE sat LIN


Ra LIN � ,,.,.__ --.. ( 52)
Ic End UnE End
---+
BEnd
---

RB

UcE sat LIN - Kollektor-Emitter-Sättigungs � <rnnung der LIN­

Vorstufe, Ul\I - Mittenspannung � Uu/2, 1c End - Kollektor-


,,.,.__

spitzenstrom der Endtransistoren, UBE End - Bassispannung

des Endtransistors bei Ic End, BEnd - statische Stromverstär­


kung des Endtransistors in Emitterschaltnng (Gleichstromver­
i-;tiirkung).

40
41
3. Integrierte Leistungsverstärker 3.2. Elektrischer Aufbau und Wirkungsweise

Bei integrierten Leistungsvcrstärkem gibt es einige G rnndschal­


tungen, die bei den unterschiedlichsten Leistungsklassen immer
wieder angewendet werden. Auch der Schaltungsauf bau ist in
3.1. Eigenschaften, Vor- und Nachteile integrierter vielen Fällen ähnlich. Das ist schon durch den großen Betriebs­
Schaltungen spannungsbereich, in dem der Verstärker optinrnl arbeiten muß,
bedingt.
Die den Amateur interessierenden elektrischen Eigenschaften
Die Forderungen nach geringeren Abmessungen und Erhöhung
sollen am Beispiel einer integrierten 6-\V-Standardschaltung wie
der Zuverlässigkeit elektronischer Schaltungen, die vor allem. von
z.B. des A 210, vom VEB Halbleitcru:erlc :Frankfurt (Oder), er­
der Datenverarbeitungs- und Raumfahrttechnik gestellt wurden,
läutert werden. Äquivalente oder zumindest direkt austausch­
führten Ende der 50er tTahrc zur Entwicklung erster integrierter
bare Typen zum A 210 sind MBA 810 S (TESLA, CSSR), UL 1481
Digitalschaltungen, speziell für das Gebiet der Rechentechnik.
Die Vorteile dieser Entwicklung, wie hohe Packungsdichte be i
P (Unitra Cemi, Volksrepublik Polen) und der internationale
Typ T BA 810 S (SOS ATES, Tele/unken). Ausführliche Kenn­
kleinsten räumlichen Abmessungen, große Zuverlässigkeit und
\Viederholbarkeit der Schaltung, geringe Signalverzögerungs­
daten, Beschreibung und Schaltbeispiele sind in [9] enthalten.
Integrierte Leistungsverstärker müssen, abgesehen von den
zeiten, gute "Wärmeleitfähigkeit und geringe Temperaturunter­
unterschiedlichen Leistungsklassen, fast ausnahmslos die glei­
schiede innerhalb der Schaltung, überwogen die wenigen Nach­
chen Einsatzbedingungen erfüllen und ha.ben deshalb auch im
teile - Kondensatoren können nur als kleinste Kapazitäten,
wesentlichen den gleichen Aufbau.
Spulen überhaupt nicht integriert werden.
Hauptforderungen an integrierte Leistungsverstärker sind:
Bei integrierten NF-Verstärkern, die im wesentlichen in Geräten
- Sie sollen in einem. großen Betriebsspannungsbereich ohne
der Konsumgüterelektronik eingesetzt ·werden, treten die ge­
Nachstellung des Arbeitspunkts optimale Leistung an den
nannten Vorteile besonders in Erscheinung. Hinzu kommt, daß
Lastwidersta.nd abgeben.
ma,n infolge des hohen Stückzahlbedarfs, den die Konsumgüter­
industrie hat, die Schaltkreise zu einem niedrigen Preis abgeben
kann. Die integrierte Verstärkerschaltung ist meist so optimal r----------------�
gestaltet, daß sich die notwendige Außenbeschaltung mit passiven 1
Bauelementen auf ein Minimum reduzieren läßt. Das ergibt
1
Abgleich- und 1
1 Regelnetzwerk
gegenüber der herkömmlichen Bestückung mit diskreten Tran­ I
I
sistoren auf Leiterplatten große ökonomische und technologische
1 1
Vorteile.
1 Eingangs- Treiber-- und 1
Um eine Vorstellung von den Größenverhältnissen der integrier­ verstärker Endstufe .,.__,._, -·�
1
ten Schaltungen zu erhalten, sollen einige Werte genannt werden. 1
1
Das Siliziumchip eines integrierten Leistungsverstärkers hat I
1 Wärmeschutz-
etwa die Abmessungen von 1,7 mm X 2 mm Kantenlänge und
1 ��� 1
eine Dicke von 0,25 mm. Die einzelnen aufgedampften Silizium­ 1 1
schichten haben Dicken von 7 bis 25 µm. Auf einem Leistungs­ 1 1
verstärkerchip sind etwa 16 bis 30 bipolare Transistoren, 4 bis L ___ _ _ _ _ R6 _______ �
8 Dioden und 10 bis 20 "Widerstände integriert. Bild :3.1 Übcri:;ichtsschaltplau des A :!.LO

42
- :l>ie ,\rbt-it�pu11ktt: miisSL'll im HdriebstcmperaturLereid1 81ahil 4
sem.
T!O TJJ
Großu Versti.irkuug, hoher Eiiigang:,nvidend.a.nd, leichte Frc­ R10
<1uenzkompcnsation. 1
ÜLcrla.stungssicht•r.
Im ÜbPrsichtssclrnltplan (Hil<l 3.1) wird der Schaltkreis A 2W
T13
in folgende Funktionsgruppen aufgeteilt:
- Eingangsverstärker oder Vorverstärker,
TB
- Treiber- und Endstufe,
- Abgleich- und H.egelnetzwerk, 12
- \Värmesclrntzschaltung.
Außerdem ist ein interner Rückkopplungswiderstand (RG, R6)
vorhanden, der zusätzlich extern beschaltet werden kann.
R12

3.3. Beschreibung der Fuuktionsg1·uppen (Bild 3.2) �08


------ll

3.3.1. Eingangs verstärker R8

10
Der Eingangsverst.ü.rker besteht aus den pnp-'J'ransistoren 'L'l und
5
T2 in Darlington-Schaltung und dem als Stromquelle geschal­
Hild �.2 11111e11selialtullg des A 210
teten Transistor T3, der für T2 den Arbeitswiderstand bildet.
Durch die Darlington-Schaltung wird der Eingangsverstärker mit nur sehr geringen V erz e rrung e n . Über die l\> Lc ntialtl iod c D3
sehr hochohmig, während der Stromquellenarbeitswiderstand fällt eine geringe Spannung ab, die einen 1-{,uhcstrom von 2 bis
T3 eine große Spannungsverstärkung bewirkt. Weil die Eingangs­ 4 mA durch die Endtransistoren hervorruft, um bei kleinen Aus­
schaltung ihren Bezugspunkt (Emitter T2) am Gegenkopp­ steuerungen den Klirrfaktor niedrig zu halten (Überlappungs­
lungsanschluß 6 hat, kann man auf einen Basisspannungsteiler verzerrungen). Die betriebsspannungsunabhängige 1-{,uhestrom­
am Verstärkereingang verzichten und Generatoren mit ohmschen stabilisierung erfolgt durch die Stromquelle Tll, in Verbindung
Innenwiderständen direkt anschließen. Durch den am Verstärker­ mit den Dioden D4 bis D6. Außerdem wird durch diese Schaltung
eingang liegenden Schutzwiderstand RI wird die Eingangsstufe die Sättigung des Transistors T9 verhindert. Damit auch bei
vor einer möglichen Überlastung geschützt. großen Aussteuerungen eine einwandfreie, unverzerrte positive
Halbwelle erzielt werden kann, wird die Betriebsspannung am
Anschluß 4 dynamisch aufgestockt (s. Abschnitt 2.4.2.). Dadurch
3.3.2. Treiber- und Endstufe kann Tl3 bis zur Sättigungsspannung durchgesteuert ·werden.

Der Transistor T6 wirkt als Treiberstufe. Durch den Emitter­


widersta,ud R7 ·wird der Einga.ngswiderstand dieser Stufe erhöht, 3.3.3. Abgleich- und Regelnetzwerk
um den Vorverstärker nur gering zu belasten. Die Stromquelle
TIO bildet den Arbeitswiderstand fiir T6. D<1s bewirkt eine be­ \Veuu <ler Verstärker inucrha.lL des zulii.ssigen Betriebsspan­
tricLsspirnnuugsunabhängige Stronrnussteuerung der Endstufe nungsbereichs immer die maximal mögliche Leistung mit geringem

45
4
D2

/2Uat Zum YPrstiind11is �f'i noC'h gt-"s•l.!.!.L cl.iß � RH für diP \rider:-;fandt·
- J __ R4 und Hr> :-;ti·lien. :--;t'fz.t. man n1111 UI. (;'>ti) i11 rn. (:i:i) t·i11, so l'rgihL
skh
R6
Un - 4 UnE UB
12 "
U,r = -- --
---· --L
. 2 Um� = (157)
2 2

T6 Das heißt, daß bei dieser idealen Dimensionierung die Mitten­


spannung UM, unabhängig von der Größe der Bctrieb!'lspannung.
stets gleich der halben Betriebsspannung ist. Da jedoch keine so

großen Stromverstärkungswerte, besonders bei pnp-Transistoren,


erreicht werden und auch die Basis-Emitter-Sättigungsspan­
�8
nungen nicht übereinstimmen, ergibt sich eine mehr oder weniger
1
l große Symmetrieverletzung des .M.ittenspannungspegels am Aus­
l_ o--
__._.________.__�--
9 gang 12, die man durch Beschalten des Anschlusses 7 mit einem

lJ i1 d ::U (;r·umhdmlLung de:-; Abgleich- 1111.tl .l(.egeh1eLz\\TJ'ke:-;


hochohmigen Widerstand gegen UB oder 0 V in gewissen Grenzen
kompensieren kann. Diese Kompensation wird abf'r höchstf'nl'l
bei Betricbsspn.nnungen unter() V erforderlich sein.

Klirrfaktor abgeben soll, muH die Mittenspaunung UM im nicht­


c.rnsgesteuerten Zustand stets UB/2 betragen.
3.3.4. Wärmeschutzschaltung
Diese Bedingung erfüllt das Abgleich- und Regelnekwerk, das
durch die Transistoren T4, T5, die Diode D2 und die Wider­
DS ist ein als Z-Diode geschalteter Transistor. Er erzeugt eine
stände R3 bis R6 gebildet wird. Zur besseren Erklärung der Wir­
Referenzspannung für den Transistor T8, wobei der negative
kungsweise dient Bild 3.3. Der als Stromquelle für T2 wirkende
Temperaturgang seiner UnE-Strecke den positiven Temperatur­
Transistor T3 bildet mit dem Transistor T5 einen sogenannten
gang von DS kompensiert, so daß die am Emitter von T8 ste­
„Stromspiegel". Zur Erläuterung sei gesagt, daß der Strom ]4 in
hende Spannung weitgehend temperaturunabhängig ist. Durch
den geometrisch gleichen und funktionsmäßig übereinstimmenden
den Spannungsteiler Rll, Rl2 wird an T7 eine Basisspannung
Transistoren T3 und T5 gleichgroße Kollektorströme 13 und Is
von 0,4 V eingestellt. Dadurch ist im Normalbetrieb T7 noch
hervorruft, die sich gewissermaßen „spiegeln". Damit kann bei
sicher gesperrt. Erwärmt sich der Schaltkreis, so sinkt die Unw
großer Stromverstärkung der Transistoren mit genügender
Schwelle des T7, bis dieser bei etvva 130 °C Kristalltemperatur
Sicherheit angenommen werden, daß I3 = 15 ist.
leitend wird und das Ko l lektorpotential der Treiberstufe kurz­
Bei Vernachlässigung des Basisstroms von T6 gilt
schließt. Infolgedessen werden die Ansteuerspannung unsym­

(55) metrisch begrenzt und sowohl die Ausgangsspannung als auch die
Verlustleistung reduziert. Damit läßt sich eine Zerstörung durch
(\rnlwi ::;ich :J f!ul'.: ;1uf Tl 1md '1'2 bezieht). Weiterhin ist R6
thermische Überlastung verhindern.
_ Rfi ,= H4 =, t kn. L1:'gt man die Stromquelle T4 so aus, daß
Ergänzend sei noch hinzugefügt, daß weiterentwickelte inte­
16 � h = 14.-=:... l ü;t, so gilt auch
grierte Leistungsverstärker zusätzlich elektronische Ausgangs-

47
Jrnrzschlußsicherungen aufweisen, wie z.B. der irns dem 1.'BA 810
3.4..2. Lastwiderstand, Ausgangsleistung
8 weitercnhYiC'kclte 10-W'-Typ 1'CA 9-W vun RGN ATER, rler
übrigens znm A 210 pinkompatibel ist. D('r 2:3-\V-Nr·haltkreis
Die An:;;ga.ngsk•istmi.g wird, wie lwim diskret. :1nfgehauten Nerien­
JJDA .?O.?O bzw. MDA 2010 von TESLA. ist. mit einf'r Lt-i:;;tnngs­
gegentak1.v,·rstit rkt•r. 'T' >11 H(·t.ri1•bsspa11n1mg. l ,nst.\\·id<'rst i=i nd 1111d
..

und StromübcrlastungsabschnJtung versehen und damit voll­


Spit'.l.enstrom (h-r Emlst.ufe fost.geleg1. UI. U4) bis GI. (41i) gt•lk11
ständig geschützt.
in diesem Fall aber nur mit grober Näherung, da der \Vert Uv
stark von Betriebsspannung und Lastwiderstand abhängig ist.
Der Schaltkreishersteller gibt in seinen Datenblättern entspre­
3.4. Typische elektrische Eigenschaften chende Kurven Po= f (RL) mit Un als Parameter an.

Die folgenden Angaben beziehen sich auf die Grundschaltung


des Verstärkers mit Last gegen Masse (Bild �.4).
3.4.3. Verlustleistung, Kühlung

Ohne Kühlkörper kann der Sclrnltkreis A 210 D eine Verlust­


3.4.1. Betriebsspannungsbereich
leistung Ptot von etwa 1,3 \V bis zu einer Umgebungstemperatur
von 25 °C abführen. Das entspricht einem ·wärmewiderstand
Der Schaltkreis kann im Betriebsspannungsbereich von 4 bis
Rthja von 95 k/W. Größere Verlustleistungen müssen durch An­
20 V betrieben werden. Im Bereich zwischen 4 bis 6 V ist aller­
brinrren
0
eines Kühlblechs oder Kühlkörpers abgeführt werden.
dings nur in der Schaltung mit Last gegen Pluspol der Betriebs­
Der A 210 K hat einen aufgepreßten Aluminium-Kühlkörper
spannung oder durch den schon erwähnten Kompensationswider­
und damit einen Gesamtwärmewiderstand Rthja von 25 K/\V.
stand am Ansehlnß 7 die optimale Leistung zu erreichen.
Die zulässige Verlustleistung Ptot ist abhängig von Betriebs­
spannung, Lastwiderstand und Aussteuerungsgrad. Ihr größter
Wert liegt bei 50 bis 60% der jeweils erreichbaren l\tfaxirnalaus­
steucrung und ist aus den entsprechenden Kurven, z.B. Ptot = f
( RL) der Schaltkreisdaten zu ersehen. Diese maximal zulässige
Verlustleistung bezieht sich meist nur auf 25 °C. Jfür größere
(!, Umgebungstemperaturen, die ja oft auftreten, muß die Leistung
'ooo11
C1
8
I reduziert werden. Steht kein Reduktionsdiagramm Ptot = f(1fa)
zur Verfügung, so kann man die zulässige Leistung nach folgen­
o--f r--..-----Q--i
0,1µ CS dem Beispiel ermitteln.
RJ
47k Für den Schaltkreis A 210 K mit Rthja von 25 K/W soll bei einer
U·I 6
maximalen Ausgangsleistung von 5 W, einem Lastwiderstand von
4 Q und einer Betriebsspannung von 15 V die maximal zulässige
Umgeburtgstemperatur 1fa bestimmt werden. Ans dem Daten­

Rr
blatt ist bei diesen \Verten eine Verlustleistung Ptot von 3,5 W
56 . zn ersehen. Durch Umstellung von GI. (6) erhält mn,n
CB [!} C7 C2
1.JoµI IfOOµ (Rthja Ptot) ;
IJ,Jn I°'1µ {}a ih (58)
=
-

mit den angegebenen Werten sind das


Bild 3.4 Grundsclmltm1g des .·I. 210 mit Lnst gogc11 l\fas:-;e
fJ·a = 150 K - (25 K/W · 3,5 \V) · · G2,5 °C.
48
49
3.4.4. Eingangsspannung 3.4.7. Frequenzgang

Um die Übersteuerung des Vorrerstiükc'rs z11 \·p1·nwi<kn, ehrt' Die untere Grenz freque nz 'Yird vom Eingangs-CR-Glied Cl, R:�,
der Spitzenwert der Eingangsspannung �:W m\' 11ichL i"ilwrst c·i­ vom Ausgangs-CR-Glied 06, RL, von der Bootstrapschaltung
gen. Darüber hinaus gclt<'n die auf <lPn KP11111btf'11hliit lern ;111g1·­ Rl · Cö und vom Gegenkopplungsglied Rr · CS bestimmt. l\leist
gcbcn<'n Grenzwerte. legt man die Zeitkonstanten von Eingangs-Ausgangs- und Boots­
trapschaltung so, da.ß die untere Grenzfrequenz vom Gegenkopp­
lungsglied Rr · 08 festgelegt -wird

3.4.5. Eingangswiderstand, Rauschoptimum


/u =� ·- ·--
(60)
2 n · Rr · 08
Der Verstät'kcreingang ist m it einem Ableitwidc'rsLtnd :'� �:W kO
gegen �.lasse abzuschließen. Da, der eigontliclw Eingangswidc'r­ Der zwischen den Anschlüssen 12 und ;) liegende Komlcn::;ator
stancl des Verstärkers durch die angewendeten Gegenkopplungen 03 bestimmt die obere Grenzfrequenz des Verstärkers. Die cr­
sehr hochohmig ist, bestimmt der ·wert cks Ableitwid('rstnnds den fordcr)i('hc ](apazifa,t, dieses Kondensators ist außer von der
Eingang. oberen (:renzfrequen11, von der Spannungsverstärkung der Trei­
Das Ra.uschminirnmn des A .210 liegt bei einem Gencrn,tonvider­ ber- und Endstufe sowie vom gewählten Gegenkopplungsgrad
stand von etwa 35 kQ. Im Bereich von 20 bis 60 kO. ist der ltauseh­ abhängig. l\lit einer eingestellten Gesamtverstärkung von 40 dB
fa.ktor typisch < 4dB. ergibt z.B. 03 = 47 0 pf eine obere Grenzfrequenz von dwa
30 kHz. In den Datenblättern wird diese Abhängigkeit meist in
Form entsprechender Kurven angegeben [Rr = g (/)].
Der Kondensator 07 unterdrückt Selbsterregung des Verstär­
3.4.6. Verstärkung
kers (HF-Kompensation) und sollte etwa 5 X 03 gewählt werden.

Beim Leiterplattenentwurf ist darauf zu achten, daß 07 und das


Die Spa.nnungsverstärkung kann durch den Widerstand Rr, Boucherot-Glied unmittelbar an die Endstufenmasse (Anschluß
der den Gegenkopplungsgrad unmittelbar becinftnßt, in ·weiten 10) gelegt werden. Bei der Berechnung der Zeitkonstante des
Grenzen eingestellt werden. Für die Verstärkung mit Cegen­ Bootstrap-RC-Glieds RI, 06 ist zu beachten, daß parallel zu Rl
kopplung gilt mit genügender Genauigkeit ein innerer Widerstand (RIO) von 250 Q liegt.

, R6 + Rr R6
V = - -- ---- - R:i
u
Rr Rr 3.4.8. Brummspannungsunterdrückung

wobei R6 der innere Gegenkopplungs•viderstand von etwa 4 kQ


Die Brummspannung am Verstärkerausgang hängt in erster
ist. Damit der Vorverstärker nicht übersteuert werden kann,
Linie von der \Velligkeit der Versorgungsspannung ab. \Veitere
sollte Rr 220 Q bei Un 12 V und 150 Q bei Uu rn V nicht überstei-
Brummeinstreuungen können über einen zu hochohmigen oder
gen.
schlecht geschirmten Verstärkereingang eingefangen werden.
Es sei noch hinzugefügt, daß auch der Klirrfaktor, a,bgesehen vom Durch Verstärkungsreduzierung mit dem \:\Tiderstand Rr wird
Ansteigen an den Leistungsgrenzen, u. a. vom \Vert des Verhält­ die Brummspannung ebenfalls herabgesetzt.Die durch die Wellig­
nisses R6/ Rr abhängig ist, also proportional mit der Gesn.mtver­ keit der Betriebsspannung hervorgerufene Brummspannung läßt
stärkung ansteigt. sich ·wirkungsvoll herabsetzen, indem man den .Anschluß 7 mit

50
;, 1
einem entsprechend großen Elektrolytkondensator 09 gegen Ein­ ��._�---����---�--. +Ua
gtmgsmasse (Anschluß 9) beschaltet. CJ C5 (13 V)
4Q4W
']1µ ']0011
(,1 (f
3.4.9. Klirrfaktor o-t----C>---1
0,1µ R1
47k
Der Klirrfaktor ist vom Ausstencrungsgrad, von der Betriebs­
spannung, vom Lastwiderstand und von der Frequenz abhängig. C7
9
Klirrfaktorkurvcn, z.B. K f ( P0) oder K = f (/)werden in den
680p
=

Datenblättern der Schaltkreise meist angegeben.


Rr
56
C2 C4 C6

'!ooµ:Eooµ ]1n
3.5. Anwemlungsbeispiele
Bild 3.5 A 210 ]{ ab ,1-\V-Vcr:-;täi·kcr für BattcriebetricL mit La:-;(;
gegen · I UB
·

3.5.1. Grundschaltung mit Last gegen Masse

Die in Bild 3.4 gezeigte Grundschaltung des A ,?ZO mit Last


gegen Masse 'wird vom VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder) 3.5.:�. Stereovcrstärker
auch als Standarclmeßschaltung angegeben, auf die sich alle typi­
schen elektrischen Kennwerte beziehen. Bild 3.6 zeigt einen vollständigen N .F-Verstärker mit aktivem

Wird der A 210 K eingesetzt, so läßt sich bei einer Betriebsspan­


Klangregelnetzwerk nach [91- Soll er als Stereoverstärker auf­
gebaut werden, so müssen alle Regler in Tandemausführung sein.
nung von 15 V eine Ausgangsleistung von 6 \V an 4 .Q bei 10%
Außerdem ist dem Lautstärkeregler ein Balanceregler 2 x 100 k.Q
Klirrfaktor erreichen. Die Spannungsverstärkung liegt zwischen
lin vorzuschalten. Die erreichbare Ausgangsleistung ist betriebs­
33 bis 40 dB. Beim Leiterplattenentwurf sind die Applikations­
spannungsabhängig und ergibt z.B. bei UB 15 V, RL 4 .Q
hinweise, Abschnitt 3.7., unbedingt zu beachten.
=

eine Ausgangsleistung von 5 W bei 5% Klirrfaktor. Der erfahrene


Amateur k<mn diese Schaltung auch mit den integrierten Laut­
stärke- und Klangeinstellerschaltkreisen A 273 und A 274 auf­
3.5.2. Schaltung mit Last gegen Versorgungsspannung bauen. Dadurch werden Tandempotentiometer überflüssig.

In der sehr einfachen Schaltung nach Bild 3.5, die speziell für
Batteriebetrieb und Betrieb bei niedriger Versorgungsspannung 3.6. Applikationshinweise
geeignet ist, liegt der Lautsprecher gegen den positiven Pol der
Versorgungsspannung und ersetzt dadurch die Bootstrap-Be­ Es sollen nun noch einige wichtige Anwendungshirnrnise aus den

schaltung. Vorteilhaft ist die größere Ausgangsleistung bei kleine11 ausführlichen Datenblättern der Schaltkreishersteller aufge­
Betriebsspannungen, nachteilig ist die geringe Brummspannuugs­ führt werden, die sinngemäß auch für andere Typen gelten.

unterdrückung bei ungenügend geglätteter Versorgungsspan­ - Die Masseanschlüsse von Vor- und Endverstärker, z.B. 9
nung. und 10, sind getrennt zu führen und clürfon cn;t am gemeinsa-

52
men l\Iasse punkt des Sie.belektrolytkondensators, z. B. im
Netzteil, verbunden werden. Die Masseleitung des Endver­
stärkers sollte einen möglichst großen Querschnitt aufweisen.

- Die Leiterzüge sollen so ausgeführt werden, daß Betriebsspan­


nung, Lautsprochernnschluß und Masseleitnngen möglichst
�H kurz sind und großen Querschnitt haben, d. h., daß die Zu­
leitungsinduktivität bis zum Betriebsspannungsüberbrük­
kungskondensator so gering wie möglich ist.

- Die Betriebsspannung Un ist so dicht wie möglich am Schalt­


kreis mit einem Elektrolytkondensator großer Kapazität (z. B.
1000 ,uF) zu überbrücken. Als Masseanschluß für diesen Elektro­
lytkondensator 'vird der l\Insseanschluß des Endverstiirkers
(z. B. 10) benutzt.

- Alle Masseleitungen der externen Bauelemente des Vorver­


stärkers sind unmittelbar mit dem 1\Ia.sseanschluß des Vorver­
stärkers, alle der externen Bauelemente des Endverstärkers
H mit seinem l\1asseanschluß zu verbinden.
- Zur Vermeidung von Verkopplungen sollten Eingangs- und
Ausgangsleitungen nicht nebeneinander geführt werden.
- Die maximale Ausgangsleistung wird nur bei kleinem Innen­
widerstand der Betriebsspannungsquelle erreicht (Richtwert
50 m.O für A 210).
- Die untere Grenzfrequenz des ,,Bootstrap" -RC-Glieds, zwi­
schen den Anschlüssen 12 und 1, muß kleiner als die des RC­
Glieds am Gegenkopplungsanschluß 6 sein.
- Bei den Ausführungen ohne Strom- oder Leistungsüberla­
stungssicherung bewirkt ein Kurzschluß am Ausgang 12 gegen
Masse oder Betriebsspannung die Zerstörung des Sclrnltkrei­
ses.

3.7. Integrierte Verstärker größerer Leistung

X
Für hochwertige Stereoanlagen und Steuergeräte der oberen
C<l
Preisklassen sind Ausgangsleistungen unter 10 W indiskutabel.
Diese Anlagen müssen wenigstens 2 X 15 W Sinusdauerleistung
abgeben können. International gibt es zum gegenwärtigen Zeit­
punkt (1980) schon mehrere Typen von integrierten Leistungs­
verstärkern in monolithischer oder Hybridtechnik mit Aus-

55
"'
r- -, punkt seines Erscheinens auf dem Markt (1975) absolute Spitze
1 1 und derart optimal ausgelegt, daß er auch heute noch den \Velt­

1 1 stand in dieser Leistungsklasse mitbestimmt [10].

1 1 Der Verstärker befindet sich in einem 14-Pin-Plastikgehäuse


mit eingelagertem Kupferblock, das den äußerst geringen inneren
1 l \Värmewiderstand zwischen Sperrschichten und Gehäuse von
l l 3 K/W hat.
1 1 Mit seinen Grenzwerten - maximale Betriebsspannung 44 V bei

�,-- 1 einem Spitzenstrom von 3,5 A - bringt er trotz seines relativ

1 1 kleinen Gehäuses die Leistung einer mit Siliziumleistungstran­


sistoren aufgebauten Endstufe. Da nicht in jedem Anwendungs­
1 fall diese hohe Betriebsspannung und Ausgangsleistung benötigt
wird, gibt es noch den „Anfalltyp" MDA 2010 mit der maximalen
Betriebsspannung von 36 V. Die besonders große Zuverlässigkeit
dieses integrierten Leistungsverstärkers wird vor allem durch
thermische und Überlastungsschutzschaltungen bewirkt, womit
er gegen kurzzeitige oder dauernde Überlastfälle sowie Kur�­
schlüsse geschützt ist. Bild 3.7 zeigt die Innenschaltung.
Die Anschlüsse 7 und 8 sind, ähnlich wie bei einem Operations­
verstärker, die negierten und unnegierten Eingänge, die an den
Basisanschlüssen einer symmetrischen Differenzverstärkerstufe
liegen (Tl ... T4). Die Eingangstransistoren Tl und T2 arbeiten
innerhalb dieser Stufe zur Erhöhung des Eingangswiderstands
als Emitterfolger. Die Transistoren T5 und T6 sind als Strom­
spiegel geschaltet und bilden eine aktive Last für die den Ein­
gangstransistoren nachgeschalteten Stufen T3, T4. Der Emitter­
widerstand dieses Differenzverstärkers wird durch die Strom­
quelle TlO gebildet. Dieser Transistor ist Teil einer weiteren
Stromspiegelschaltung, bestehend aus den Transistoren T9, TlO,
_
_
_____ _ _ _ __ __
_
J Tll, '1'12, der Z-Diode D4 und dem ebenfalls als aktiven Arbeits­
widerstrmd wirkenden FET Tl9. Die drei letztgenannten Bau­

Bild 3. 7 Innenschaltung und Belegung des integrierten Leistungsver­ elemente bilden eine sehr hochkonstante Stromquellenschaltung,
stärkers TD.A 2020 von SGS-ATES. Beim dazu ähnlichen von der die Ströme durch TlO und T9, die in einem festen Ver­
TESLA-Typ 111D.A 2020 sind die Anschlüsse 4 und 11 nicht
hältnis zum Kollektorstrom durch Tl2 stehen, unmittelbar abge­
herausgcfühl't
leitet werden. Eine solche l\Iehrfachstromquclle ·wird vielfach
auch als ,,Strombank" bezeichnet. Durch den symmetrischen
Aufbau des EingangsverRtärkers bleiben thermische Rückwir­
gangsleistungen über 20 \V. Ein solcher monolithischer Lei­
kungen, die bei niedrigen Frequenzen zu Klirrfaktorvergröße­
stungsverstärker ist der TDA 2020 von SGS-ATES, ähnlich ist der
rungen führen, unwirksam.
Typ „ilfDA .?O.?O von TESLA. Dieser Schaltkreis �war zum Zeit-
Dio Wirkungsweise der A11paßst11fo Ti sowie der Treiberst.ufo
56

{i7
T8 bietet keine Besonderheiten und wurde schon mehrfach be­ Tl3 und Tl4 leitend werden. Deshalb reduzieren die Schutz­
schrieben. Das gilt auch für die quasikomplementäre Endstufe schaltungen die Steuerspannungen beider Endstufen.
Tl5 bis Tl8 und für die Schaltung zur Ruhestromstabilisierung Bild 3.8 zeigt ein Amvendungsbeispiel dieses Schaltkreises im
(Dl bis D:3). Wichtig dagegen sind die den beiden Endstufen­ HiFi-Stereosteuergerät Carat Saus dem VEB Stern-Radio Sonne­
transistoren zugeordneten „Leistungs- und Stromüberwachungs­ berg [11]. Dieses Gerät hat eine Nennausgangsleistung von 2 X
schaltungen", die durch eine echte Verlustleistungsmessung die 15 ,V. Die Betriebsspannung des Endverstärkers ist unstabilisiert
beiden Leistungsstufen überwachen und diese bei Ü berschreiten und beträgt bei Vollansteuerung etwa ± 17 V.
eines Maximalwerts verzögerungsfrei sowie unabhängig vonein­ Infolge der guten :Mittelpunktstabilisierung des MDA 2020 kann
ander in einen leistungsmäßig unkritischen Bereich steuern. der Lautsprecher ohne Koppelkondensator direkt an den Ausgang
Der thermische Ü berlastungsschutz wirkt ebenfalls auf die ge­ des Schaltkreises angeschlossen werden, wobei ein Lautsprecher­
nannten Überwachungsschaltungen, wobei die als Temperatur­ Schaltmodul bewirkt, daß der Lautsprecher erst zugeschaltet
fühler arbeitenden Transistoren Tl3 und Tl4 in unmittelbarer wird, wenn sich die Arbeitspunkte im Gerät sütbilisiert haben.
Nähe der Endstufentransistoren angeordnet sind. Die Basisan­
schlüsse dieser Transistoren sind an eine Referenzsptinnung von
etwa 0,4 V angeschlossen, die über den Spannungsteiler R2, R3
von der schon oben beschriebenen Stromquellenschaltung ein­
gespeist wird. Da die UnE·Spannung dieser Temperaturfühler
einen negativen Temperaturgang hat, wird sie mit zunehmender
Chiptemperatur immer niedriger und bewirkt, daß bei etwa 150 °C

-· · · ·-·-·-· ·�
1 Lautsprecher- Schaltmodul 1
- - - -

Bild 3.8 JJ DA 2020 in der Endstufe des IliFi-Stereostcucrgeräts


Carat S

58
4. 50-W-Portableverstärker - Eingebaute Übersteuerungsanzeige kontrolliert gleichzeitig
ö Vorverstärker und zwei aktive H-T-Netzwerke.
-- !°lO-·W-'l'rrrnsistor-Endverstärker mit 100-V- und niederohmi­
gem Transformat orausgang.
A11sdiln1;, v<111 �mei 2:>-\V-Tonsiinlen in 100-V-Technik oder
4.1. Leistungsdaten niederohmigen Lautsprechern bis 50 W möglich.
- Anschlußmöglichkeit für zusätzlichen Kontrolbutsprecher.
Der im folgenden Abschnitt vorgeste llte Kombinationsver­ - Betriebsspannungsabhängige Aussteuernngsnnzeige und Be-
stärker wurde als Portablegerät entwickelt. Die im Gerät einge­ triebsspannungskontrolle.
setzten Baugruppen wurden zum größten Teil neu entwickelt - Elektronische Ü bertemperatnrüberwachnng ckr Endtra.nsisto­
und können sinngemäß auch in anderen Verst.i:irkeranlagen ange­ ren.
wendet werden. Das Gerät läßt sich an 24-V- oder 12-V-Batterie - Drei elektronische Regelteile für Gesamtgerät, Endverstärker
und am 220-V-\Vechselstromnetz betreiben. Es kann als Misch­ 11nd Vorverstärker.
stufe für nachgeschaltete Leistungsverstärker benutzt werden - Anschlußmöglichkeit an 220-V-Netz, 24-V-Ratterie oder mit
und enthiilt einen Mischverstärker sowie einen leistungsfähigen vnringertcr Leistung an 12-V-Batterie.
Endverstärker. Durch seine geringen Abmessungen ist der Ver­ · - Alle Regelteile kur;.i;schlußfest und wiedereinsdrnltend.
stärker in jedem PK\V leicht einzusetzen und zu betreiben. - Gemeinsamer Netz-Batterie-Hanptschalter.
Er weist folgende Eigenschaften auf: - Kleinste GeriitPnbnwsslmgen bei großPr J,cist1111g.
- Sechs untereinander beliebig mischbare Eingänge.
Jeder Eingang ist über einen in der Verstärkung stetig cm­
4.2. Elektrischer Aufbau (Bild 4.1)
stellbaren Vorverstärker geführt.
- Vcrstiirknng der Vorverstärker von l,G- bis lOOOfach cinstdl­ Bedingt durch die lfordernngen nach Portable- und Netzbetrieb
bar. sowie Anschlußmöglichkeiten für n iederohmige und Lautspre­
- Eingänge bis Uerr 1,6 V übersteuerungsfest.. cher mit 100-V-Norm, konnte die übliche Konzeption des eisen­
- Leichte Einpegelung aller TonspannungsqnC'llen durch Über- loscn Transistorendverstärkers nicht verwendet >verden. Die
steuerungsanzeige. schon halb vergessene „klassische" Ausführung des Leistungs­
- An zwei Eingängen direkter Anschluß von Kondensatormikro­ verstärkers mit Treiber- und Ausgangstransformator war die
fonen möglich. günstigere Lösung. Eine weitere Schwierigkeit bestand darin,
- Entkoppeltes Summensignal zum Aufsprechen von Magnet­ daß für den Anschluß an die unterschiedlichsten Betriebsspan­
bandgeräten an 2 Diodendosen. nnngsquellen im Spamrnngsbereich von 12,5 bis 28 V die Ar­
- Je drei Eingänge werden nach den Mischreglern einem aktiven beitspunkte der Endtransistoren und die Betriebsparameter der
Höhen-Tiefen-Netzwerk zugeführt. Dadurch getrennte, wirk­ übrigen Schaltungen stabil sein mußten, um auch bei n iedrigen
same H-T-Regelung in zwei Gruppen. Betriebsspannungen optimale Ü bertragungsbedingungen zu er­
- Einstellbare Steuerausgänge vom Sumrnensignal jeder Misch­ halten. Aus diesem Grund ·wird die Betriebsspannung der Vor­
reglergruppe. stufen, Überwachungsschaltungen und der Arbeitspunkt der
- 2-Programm-Betrieb für nachgeschaltete Vcrstärkernnlagen Endstufen durch 12-V-R.egelteile gewonnen. Da es bei den unter­
möglich. schiedlichen Betriebsbedingungen und provisorischen Leitungs­
- Abhören der Ausgänge jedes Vorverstärkers vor den J\'Iisch­ verlegungen im Portableeinsatz leicht zn Verkopplungen und
reglern und den H-T-Netzwerkausgäügcn mit eingebautem Ü berlastung kommen kan!1, wurde großer Wert auf kurzschluß­
Abhörverstärker und Kopfhörern möglich. feste, 8f'lhstwif'cl<'n'inscha.lt.endo Regelteile und ;indcre Über-

60
61
Bu 7,k5
Bu 1,KI+ )-
Bu4,k4

Bu 7,kl
(über47kan 72-V­
Bu 6 u. ßli 3,KJ) Rege!teil
vv
Bu 7,1<4
12-v-
(über47kan
Regelte1l
Bu 6 u. Bu 3,K4)
EV
E?/I
(Bu 1. l? Ar

K7,3,2
il � 'S 0 ....,
..,...� 100-V­
Ausgang
r?
Aussteue­
E2/I A1 lj H1
50-W­
rungsan­
(Bu2, Höhen- Tiefen­ z eige und
KJ,5,2 fnd­
.

Netzwerk Anze1ge­
verstärker
Kanal I verstdrker. Bull
EJ/I 8etriebs- f2Q
Über-
(BuJ, spannungs­ temperatur-
KJ,5,2 kontrolle überwacllung _Bu_10. Aus-
30k � , 8 .Q gänqe,
f!,/ll meder­
(Bul., fntkopp­ Butt 6 n ohmig
K1,3,2 JO lungsstufe .___, JG
k
[5/JJ
(Bu5,
K 3,5,2
Höhen- Tiefen�
[>
'S
Regler End­
Bu9
4Q
Netzwerk
verstärker
Kana/U
E6/l!
(Bu6,
K.3,5,2
r--1.. Abhör-
6 Vorverstärker Mischfeld, Trennstufen 1{' verstärker
1

Bu17 Haupt- L,
rege/teil � !
--
r-

Über-
sfeuerungs­
0
überwachung
1
• 1 -
• 1 -

l L®_
220JI
50Hz

Bild J.1 "1 >l'l'S ll··J1t'-'sc·lialtpln11


l' . „. - <ll.'s l'ortahleHT:"ti\!'kcrs

G3
wachungs- und Kontrollschaltungen gelegt. Ein großer Nachteil Die Ausgangswechselspannung des Endverstärkers wird durch
für den Verstärkerbetrieb sind die unterschiedlichen Ausgangs­ einen quasilogarithmischen Aussteuerungsmesser angezeigt. Da
spannungen der Tonspannungsquellen. Ein Magnetbandgerät bei unterschiedlichen Betriebsspannungen die Maximalansteue­
gibt z. B. Spannungen von 1 ... 1,5 V, ein dynamisches Mikrofon· rung verschieden groß ist„ bewirkt eine betriebsspannungsab­
Spannungen von 1 ... 2 m V ab. Diesen großen Bereich muß hängige Regelschaltung die richtige Einstellung des Anzeigever­
der Vorverstärker unverzerrt verstärken und mit genügend gro­ stärkers. Am Anzeigeinstrument des Aussteuerungsmessers kön­
ßem Pegel der Mischstufe zur Verfügung stellen. Das läßt sich nen mit dem eingebauten 12stufigen Kontrollschalter die zwei
durch einstellbare Vorregler, mit denen die angeschlossenen Ton­ 12-V-Betriebsspannungen der Regelteile und die Hauptbetriebs­
frequenzquellen an den Verstärker angepaßt werden, erreichen. spannung kontrolliert werden.
Zur optimalen Einpegelung der Vorverstärker wirkt eine Über­ Wie schon erwähnt, müssen alle Baugruppen, außer den End­
wachungsschaltung, die gleichzeitig alle Vorverstärker und die transistoren mit stabilisierten 12-V-Spannungen betrieben wer­
zwei nachaeschalteten aktiven Höhen-Tiefen-Netzwerke auf
0 den. Z-Dioden-Stabilisierungsschaltungen lassen sich wegen des
Übersteuerung überwacht. großen Spannungsverlustes nicht verwenden. Für Leistungsver­
.Te drei Eingänge sind zu einem Mischkanal zusammengefaßt braucher und Vorverstärker mußten deshalb zwei getrennte 12-
und einem Höhen-Tiefen-Netzwerk zugeführt worden. Vor diesen V-Regelteile eingesetzt werden. Diese Reihenregler, von denen
Netzwerken kann für nachgeschaltete Verstärkeranlagen eine eines (EV) die Betriebsspannung für Abhörverstärker, Über­
regelbare St.euerspa.nnung entnommen 'verden. Bis zu dicsrn
steuerungsüberwachung, Aussteuerungsanzeige und Arbeits­
f:)tcncrnusgiingcn ist dcslrn..Ib mit dem Mischfeld echter Zwripro­
punkteinstellung Endverstärker, das andere (VV) die Betriebs­
grammbctrieb möglich. Die Ausgänge der Höhen-Tiefen-Netz­ spannung für Vorverstärker, Mischstufe und Höhen-Tiefen-Netz­
werke wurden über Entkopplungswiderstände zusammengefaßt werke liefert, arbeiten mit einer Eingangsspannung von 12,5 bis
und über eine Emitterstufe dem Summenregler vor dem Endver­ 30 V, sind kurzschlußfest und selbstwiedereinschaltend. Ein
stärker zugeführt. Vor diesem Regler liegt ein dritter Steueram;­ ebenfalls kurzschlußfestes, selbstwiedereinschaltendes Haupt­
gang. Mit dem eingebauten Abhörverstärker und einem Stufen­ reaelteil liefert bei Netzbetrieb die Hauptbetriebsspannung. Die
0
schalter können mit Kopfhörern die Ausgänge der 6 Vorverstär­ Itohgleichspannung wird dem Netztransformator mit nachge-
ker vor den Mischreglern, die Ausgänge der Höhen-Tiefen-Netz­ schaltetem Doppelweggleichrichter und Siebkondensator ent­
werke und das Summensignal vor dem Lautstärkeregler des End­
nommen. Über einen unvertauschbaren Spezialstecker, eine
verstärkers abgehört werden. Ein Lautstärkeregler gestattet die Germaniumschutzdiode und den Hauptschalter kann bei Batte­
kontinuierliche Pegeleinstellung des Abhörverstärkers. Der End­ riebetrieb die Batteriespannung eingespeist werden. Ein 6,3-A­
verstärker hat hoch- und niederohmige Transformatorausgänge Schmelzeinsatz schützt das Gerät vor Überlastung bei Batterie­
und ist über den großen Betricbsspnnnnngsbereich von 12,[) ... betrieb und Defekten im Hauptregelteil. Ein weiterer Schmelz­
28 V ohne znsätzliche Scha.Itmaßnnhmen betriebsfähig. Die zu einsatz (T 630 mA) liegt vor der Primärseite des N etztransfor­
erreichende maximale Ausga,ngsleistung richtrt sich nach der mators. Die Hauptschaltertaste ist beleuchtet und schaltet
jeweils anliegenden Betriebsspannung, die ct\rn qua,dratisch in gleichzeitig Netz- und Batterieanschluß ein. Das Gerät hat
die Ausgangsleistung eingeht. D0r Endverstärker enthält eine Schutzleiteranschluß. Eingänge und Steuerausgänge sind an
elektronische Sclrnltung zur Tcmpcniturübcrwachung am Kühl­ 5polige Diodendosen geführt. An zwei dieser Dosen liegt über eine
blech der Endtmnsistoren. Zwei l\ .idt.leikr skl11·n in t h crmi:;:;eh C'1 1 1
.
Glühlampe eine 12-V-Betriebsspannung zum Betrieb von Studio­
Kontakt mit den E1ultransiston•11. \\'ird cini� lo\ ühlb]c('htcmpe­ Kondensatormikrofonen (Verstärker MV 691).
rat11r yo11 !l:i lOO ''C err0i1,hJ. :-;q Hehaltet <'ine elekt.roni�'whe
. . .
Die niederohmigen Lautsprecheranschlüsse liegen an den üblichen
�d1;dt 1111g <l<'ll H.1dw�f.rn1t1 uud di1• �(<'lll'l'\\<'('h1-JPll'pnrn11111g <lt'r Lantsprecherdosen mit Schaltkontakt, der 100-V-Ausgang an
Lci::>tu11g::;t.n.m::>i::>tore11 ab. Telefonbuchsen.

(i4
65
4.3. Beschreibung der Baugruppen

4.3.1. Vonerstärker
Cl/1 0,1.'/µ -)�-,-­
zu Bu 1, Et --1 --- Uamax
Der 0-Kanal-Vorverstärker (Bild 4. 2) besteht aus 6 2stufigen K 1, 3 100V 2,2 JI
Einzelverstärkern. Die 2 rauscharmen Transistoren eines Kanals 0, 1 m/I. .. Vmin 1,32
sind direkt gekoppelt. Der Ruhestrom des Transistors Tl wird
1,6JI
Vmax
25Hz„.
vom geteilten Emitterwiderstand R8, R9 des Transistors T2 etwa 1000
20kHz
über die ·widerstandskette R5, R4, RI abgeleit.et. Verändert
sich durch Umgebungstempera.tureinfl.uß oder Betriebsspan­
nungsänderung der Arbeitspunkt von Tl und T2, so wird über zußu0 l1e-----�_._____ -- ------ -+--.-• 11
�- � �

diese Rückführung die Arbeitspunktänderung kompensiert. Das K2 Awgänge


zu8u2 E2 - -- - - - - - - - - - --+-+--& Az At bis A5
Integrierglicd R;), 03 bewirkt eine zusätzliche Tonfrequenzaus­ )
)(J) 5 zum
fil t cru n g für niedrige ]'requenzen. Durch die mit dem Regler zu8u2, 12 - - - - - - - - - -- - -�,__. 12 Mi.scllfeld
RIO e:nstellbare Spannungsseriengegenkopplung zwischen Aus­ V ---
gang T2 und Emitter Tl läßt sich die Spannungsverstärkung die­ zu 8uJ1 E3 - - - - - - - - - - - �-+--. A3
KJ,5
ser Anordn ung von etwa 1,5- bis lOOOfaeh verändern. Mit Vcr­
zuBu� 13 --- - - - -- - - - - - --- J.3
größC'rung cl<'r Gegenkopplung erhöht sich der Eingangs- und 1(2
.\w1g:ingr-ndcl<·r;;tand, die Übcniknerfcstigkcit und die olH:'ro zu Bu4, E4 --- - - - - - - - - - - --+--+-� A�
/(1) 3
< :n·11zfrcq11<'11z. Der Eingangswiclcrst11ncl der Vc n;tiirkcr lwfriigt.
zußu41l4 o-- - - - - - - - - -- --..---. 14
dut'l'h die Boot..strapsehaltung des Tl lH\i der größ te n Verstär­ l<2 ---
kung ehrn 150 kn. Mit der relativ ge ringen Betriebsspannung v on zu Bu 5, E5 - - - - - - - - - - -t--t-.... As
Un = 12 V ist eine maximale effektive Eingn. ngswechselspannung /(]) 5
von 1,6 V (bei geringster Verstärkung) und einer Ausgangs­
zuBu5,l5 --- - - -- --- - -- -+-1...... 15
K2
we chs e lspannung von 2,2, V das optimal Erreichbare. Bedingt zu8u6Js --- - - - - - - - - - - --+--+-...a As
dnrch den hohen Eingangswiderstand und die große Verstär­ KJ,5
kung ist die Schaltung sehr brummempfindlich und muß deshal. b zu Bu6, 16 --- - - - - - - - - - ---1fo--+-e .L5
K2
gut ab ge schirm t werden. Als günstigste Lösung bietet sich die
..:\nordnnng der Vorv c rstärk crbangruppo in unmittC'lbarer :N"iihc
der Eingangslrnchsen nnd ein Ab s chirm b l e ch über die gesamte
Haugrnppc an (s. B ild 4.:1). Die B auel e mente der () Verstärker
wcr(kn nc benri nander auf zwei sich gegenüberskhcnden HastC'r­
lcitcrplntten angebracht. Bei der Verdrahtung ist unbedingt auf
eine getrennte l\fasseführung eines jeden Kanals vom Kontakt 2
der Eingangsdiodendose zu C'inem gemeinsamen Fußpunkt jcdC'r
Ntufo und Yon d or t zum i\finu:;:;a11:-:;ehl11ß cks Elelürolytkornh•n­
:c;:i.tnrs r.s illl Von·1•rsi�irk<'1Tcg<•ltl'il (VV) z11 ;1<'lik11. dessen �J;i:-;:-;('­
lc'i(1111g z11111 '.\li1w:-;pol d<'s 47fHl-,11F-Ekktrolytko11dl'ns::i.t.on; im Dild ·L� Ba11gn1ppcn fo·Knnal-Yo1Tl'l'�tärkt•1· rnHl 1:2-\'-l!t'g-l'lh·il \·\-
lla11plr<'g('lkil gel"i"1hrt ist .. ÜÜ's<·r .\n::;ehl11l.I hildd d<'ll zc1i1rnk11

ü7
lVIassepunkt des Verstä.rkes. Die Masselei tungen a ll0r Gerätf'­ Wird durch eine falsch beschaltete oder ungeeignete Anschluß­

baugruppen werden zu dieser Anschlußfahne geführt. leitung diese Spannung kurzgeschlossen, so leuchtet die Glüh­

Da.s Vorverstärkerregelteil VV befindet sich auf einer kleinen lampe auf und läßt durch ihren jetzt hohen Widerstand einen

Rasterplatte am Vorverstärker. Es erhält seine Rohspannung bedingten Betrieb der Eingangsteile zu (Aussteuerungsmöglich­

vom Hauptregelteil bzw. vom Batterieanschluß und kann eine keit geringer).
Eingangsspannung von 12,5 ... 30 V ausregeln. Schaltungs­ Bild 4.3 zeigt die Chassisunterseite. Im Vordergrund befindet

mäßig bilden die Transistoren T3 und T4 einen Komp lementär­ sich der 6-Kanal-Vorverstärker (Abschirmhaube entfernt). Die
reihenregler. Die Z-Diode Dl liefert die Referenzspannung, die Einstellwiderstände zur Verstärkungseinstellung ragen über die
Dioden D2 und D:3 bewirken die Temperaturkompensation der Chassisrückplatte und können an der Gehäuserückwand mit
Ausgangsspannung. Die Überbrückungswiderstände Rl2, Rl3 Schraubenzieher eingestellt werden. Unterhalb des Vorver­

liefern einen Startstrom, damit die Schaltung nach Aufhebung stärkers befindet sich an der linken Seite der Einstellwiderstand

der Überlastung selbsttätig wieder einschaltet. Regeltransistor des 12-V-VV-Regelteils. Am unteren Bildrand sind die :Misch­

T3 ist mit einem Kühlstern versehen, um die große Verlustlei­ regler zu erkennen.

stung abführen zu können.


Die Betriebsspannung der 6 Vorverstärker wird über das RO­
Glied Rl8, 08 noch einmal entkoppelt. Über eine Kleinglüh­
4.3.2. 6-Kanal-Mischfeld (Bild 4.4)
lampe 12 V, 0,05 A (Lal) und einen 100-µF-Elektrolytkonden­
sator (010) wird die 12-V-Spannung an den Kontakt 4 zweier
Je 3 Mischregler des Mischfelds werden über 220-kD-Entkopp­
Diodeneingangsbuchsen zum Betrieb von Kondensatormikrofo­
lungswiderstände zusammengefaßt und den Eingängen zweier
nen geführt. Im Normalbetrieb bei einer Belastung von etwa
aktiver Höhen-Tiefen-Netzwerke zugeführt. Am Eingang eines
5 mA ist der Widerstand der Glühlampe sehr gering (Kaltleiter) .
jeden Mischreglers, der auch gleichzeitig der Ausgang des jewei­
ligen Vorverstärkerkanals ist, liegt über ein Ankoppel-0 eine
Impedanzwandlerstufe. Alle sechs Ausgänge dieser Stufen sind
an einen Kontrollstufenschalter des Abhörverstärkers und über
Entkopplungsdioden zur Übersteuerungs-Überwachung geführt.
Durch die Trennung der Mischregler in 2 Gruppen ist ein Zwei­
programm-Mischbetrieb mit je 3 Mischreglern bis zum Steueraus­
gang möglich. Die Übersteuerungsüberwachung wirkt unab­
hängig von dieser Trennung auf alle Kanäle. Ebenso lassen sich
alle Kanäle mit dem Abhörverstärker kontrollieren.

4.3.3. Höhen-Tiefen-Netzwerke (Bild 4.4)

Um die unterschiedlichen Frequenzcharakteristiken der Ton­


spannungsquellen beeinflussen zu können, ist es günstig, we­
nigstens 2 getrennte Höhen-Tiefen-Netzwerke zur Frequenzkor­
rektur einzusetzen. Die Wirkungsweise soll am Kanal I erläutert
Bild 4.3 Ansicht des Verstärkerchassis von unten. Im Vordergrund ist
der Vorverstärker zu erkennen (Abschirmblech entfernt)
werden. Der Transistor T2. l ist als Emitterfolger geschaltet und

69
68
-:i
0

Mischfeld Trennstufen Entkopplungsstufen H-T-Netzwerke


12-v-
Reoel­
tel; VV
A1. • IH -- . • • 11

11 zum
- --- - Kontm�sc/ialter
1

zum Kontrollschalter R20/1 0,K7


A2•- - ---
1 �1C2l D /2 J,9k -:tD2/1
h.__J
1 1
L- -
- - - - - �5AY40 1SZX21/8,2
R2!/1 nR22/1
- - - - - ----+-!---+-----. J,8k y6ßk
zum Kontrollschalter
A3-----
zußu7,K1
ei!3r 0113 -
3�, , -- -- �SAYl.O
J L - - - - -�>--1._l
--- (!!,
zuBu 7, K5
-
-

-
----„
--
zum Kontrollschalter
A4--- -
E!, /(!,
-
- r �D VI. R23/2 zum Kontrollschal/er
��1 1-- - ----- SAYl.O 27k f7, K9
1
J

25
/•

[I) �
l.t�50�k�I��·�� �� jE'q�ng
zum Kontrcl/schalter
As----- EJ,K51 wm
- - Q �01.I15
s----'1 1 Endverstärker
1- SAYl.01 1 •
J
l
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-

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C2/6 zum
.-..
� 270k 33p 11/6 SC Kontrol/schal!t
" Cl/6 1µ 20 1 K6
� A5 CJ/o
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50k log.
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R4/S
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1

Rr,6
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1 schal/er
zum
14/2 Kontro!l­
::r' J[l07c
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2.
R27 Rl0/.6"
;:
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1.Bk 6,8k
Q
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.-+
N
....
-1 zuBu7,K4
::? --
*
Q
zur Übersteuerungsüb'erwaclwng

-1
bildet die niederohmige Quelle für das Höhen-Tiefen-Netzwerk. 4.3.4. Abhörverstärker (Bild 4.5)
Der Einstellregler R8.l ist der Emitterwiderstand dieser Stufe
und gleichzeitig Quelle für das Summensignal der Verstärker­ Der eingebaute Kontrollverstärker gestattet in Verbindung mit
eingänge 1 bis 3. Dieses wird über eine Entkoppelschaltung einem Stufenschalter die akustische Kontrolle der 6 Verstärker­
(R9.l und 07.1) zum Steuerausgang geführt. eingänge vor den Mischreglern, der Ausgänge der Höhen-Tiefen.
Netzwerke und des Summensignals vor dem Summenregler.
Nn,ch dem Koppelkondensator C5.l und dem Widerstand RlO.l
Die zu kontrollierenden Meßpunkte sind über ein Flachbandkabel
folgt das variable Gegenkopplungsnetzwerk mit den linearen
zu einem Miniaturstufenschalter geführt. Da alle zu kontrollie­
Höhen- und Tiefenreglern Rl2.l und R l3.l. Voraussetzung für
renden Meßpunkte wegen der Emitterfolgeausgänge niederohmig
eine gute Tiefen- und Höhenanhebung ist die niederohmige An­
sind, konnte auf eine Abschirmung dieser Leitungen verzichtet
steuerung des Gegenkopplungsnetzwerks durch die Emitterfolge­
werden. Zwischen den Signalleitungen wird lediglich jeweils eine
stufe T2. l. Die große Stabilität der Klangeinstellung ist durch
Ader mit Massepotential geführt. Auf den Schalterstellungen
die Einbeziehung des Klangregelnetzwerks in die Gegenkopp­
1 bis 9 werden die einzelnen Niederfrequenzmeßpunkte kontrol­
lung des nachfolgenden 2stufigen Verstärkers (T3.l, T4.l) be­
liert. Die Schalterstellungen 10 bis 12 gestatten die Sollwert­
dingt. Die Rückführung des Signals vom geteilten Emitter­
kontrolle der Betriebsgleichspannungen VV, EV und UB. Die
widerstand des T4.l gewährleistet eine große Aussteuerbarkeit.
Anzeige erfolgt am Aussteuerungsmesser.
Bis zu einer Ausgangsspannung von Ueff 3 V ist der Klirrfaktor
An den Schleifer des Stufenschalters ist über den Koppelelektro­
unter 1 % . Gleichzeitig wird mit diesem Spannungsteiler die
Grundverstärkung bei 1 kHz (beide Regler Mittelstellung) von lytkondensator 015 und eine geschirmte Leitung der Lautstärke­
regler R28 des aus den direkt gekoppelten Transistorstufen T6
z. B. 10 dB eingestellt.
und T7 bestehenden Abhörverstärkers angeschlossen. Durch die
Sind beide Regler in Mittelstellung, ist der Spannungsfrequenz­
Stromgegenkopplung der Eingangsstufe hat der Verstärker bei
gang linear. Die Grundverstärkung beträgt dabei etwa das
voll aufgedrehtem Lautstärkeregler den relativ hohen Eingangs­
3,2fache (� 10 dB).
widerstand von 25 kQ. Die direkte Kopplung beider Stufen be­
Das Höhen-Tiefen-Netzwerk des Kanals II ist wie das des Kanals! wirkt eine sehr große Arbeitspunktstabilität. An den Ausgangs­
aufgebaut. Es liegt am Summensignal der Verstärkereingänge 4 transistor, für den sich auch ein SF 126 C einsetzen läßt, ist eine
bis 6. Die Ausgänge der Höhen-Tiefen-Netzwerke werden durch schaltbare Lautsprecherdose angeschlossen, an die zum Abhören
die Widerstände R23 entkoppelt und einem weiteren Emitter­ entweder ein hochohmiger Kopfhörer oder mit anderer Stecker­
folger (T5) zugeführt. Außerdem werden sie dauernd auf Über­ stellung ein Lautsprecher zwischen 4 ... 20 Q angeschlossen
steuerung überwacht und lassen sich mit einem Kontrollstufen­ werden kann. Bei Kopfhörerbetrieb bildet der Widerstand R31
schalter über den Abhörverstärker abhören. Die Z-Dioden D2 den Gleichstromarbeitswiderstand. Der Kopfhörer liegt dabei in
bewirken eine geeignete Gleichspannungsentkopplung der Über­ Reihe mit Cl7 sowie R32 und ist dadurch fast gleichstromfrei.
steuerungsüberwachungsleitungen. Mit den Widerständen R22 Wird ein Lautsprecher angeschlossen, so öffnet sich der Kontakt
wird der richtige Überwachungspegel eingestellt. Am Emitt.er­ der Lautsprecherdose und schaltet diesen in Reihe mit R31. Da
widerstand des T5 (R24) liegt das Summensignal aller 6 Kanäle der Verstärker in A-Betrieb arbeitet, erhält die Endstufe T7 einen
Über den Koppelkondensator 014 ist der Summenregler R25, Kühlstern Form N.
der sich unmittelbar vor dem Endverstärker befindet, angeschlos­
sen. Das Summensignal kann ebenfalls vom Kontrollschalter
4.3.5. Übersteuerungsüberwachung (Bild 4.5)
angewählt und mit dem Abhörverstärker kontrolliert werden.
Es wird außerdem über den ''Tiderstand R26 an den Steueraus­ Wie schon erwähnt, werden die Vorverstärkerausgänge und die
gang geführt. Höhen-Tiefen-Netzwerke durch eine schwellwertempfindliche

72 73
8drnltung auf Übersteuerung ilberwa<·ht.
gleichzeitig Dadurch
können die Vorverstärker optimal <'ingcr,;tcllt werden. Erreicht
die Niederfrequenzspannung einer,; d('r überwachten Ausg�inge
die Übersteuernngsgrenw, so leuchtet eine Kontrollampe „Über­
steuerung" auf. Die eigentliche Ül.wrwnchungsschaltung, be-
. stehend anr,; den Transistoren T8, T9, '1'10 1111d dPn entsprechenden
. lcmcnten, bildet eine l\.om liina tion von Schmitt­
passiven Bnue
Trigger und monostabilem iliultivibra tor. Hat die Eingangs­
wechselspannung oder ein Impuls an der Basis des TS die An­
sprechschwelle erreicht, so leuchtet La,mpc Lal auf und verlischt
nach einer durch das RC-Glied (R37, Cl9) bestimmten Zeit
wieder. Wird die Amplitude der Eingangsspannung größer, so
blinkt Lampe I�aJ, und zwar um so schneller, je größer die
Amplitude ist. In diesem Fall muß die V erstärknng des entspre­
chenden Vorverstärkers reduziert bzw. die Tonfrequenzquelle
über 0inen zusätzlichen Spannungsteiler angeschlossen werden.
Die Schaltung arbeitet sehr zuverlässig. Ihre Überwachungs­
funktion soll an Bild 4.4 erklärt werden. Sie hat einen hohen
Eingangswiderstand und kann deshalb ü her ein Diodengatter

::j (DI.l bis DI.6) die Vorverstärkerausgänge und über die Z-Dioden
i3
D2 die Höhen-Tiefen-Netzwerke überwachen. Die Dioden Dl

� gi
:::) entkoppeln zu einein gewissen Gntd die einzelnen Meßa.usgü,nge
-<:)
'0 i3 voneinander. Sind z. B. 2 Ausgänge mit gleichem Pegel bea,uf­
� �
� schlagt, so würde die Übersteuernngsan:wige mit \Viderstands­
� �
Q.,
:::, � entkopplung schon bei kleineren Amplitu<-�en a,nsprechen. Durch

t?
�gi die Z-Dioden D2 wird einmal derselbe Entkopplungseffekt er­
Cl.> ��
,:g (i; 'lJ
::::::: ::::i reicht und zum anderen der Gleichspannungspegel für Stufe T4
<I,,�
t:: � von der Überwachungsschaltung getrennt. Es erfolgt z. B. bei
��
cf§ einer effektiven Ausgangs'\vechselspannung von 3 V an einem
Höhen-Tiefen-Ausgang Übersteuerungsanzeige. \Verden beide
<-..
Cl;
Kanäle parnllelgeschaltet und mit gleichem Signal beaufschlagt,

't:J
liJ
.._
� so wird ab 2,9 V Übersteuerung angezeigt. \Vird mit Widerstän­
t:: �:�
tS� den und Kondensatoren entkoppelt, so liegt das Verhältnis bei
� � &;
:� '---. !:; §:
l_._;,,,.
3 V: 1,8 V, also wesentlich ungünstiger. Bei den Vorven;tärkern
..c:: c::: ...
---
-Cl
'<1:: c;:, �
"'-1 beträgt dieses Verhältnis mit Entkopplungsdioden 2,1 V: 1,75 V.
c:::
N
� „ Die Ansprechschwellen von Vorverstärkern und Höhen-Tiefen­
N
Netzwerken beeinflussen sich kaum.
� Mit den Widerständen R22 und R27 werden die Ansprechschwel­
��
...:
<.._;:::·-Q
� len eingestellt. \Vegen ihres hohen Eingangswiderstands kann die
.V, ......

�t) S('haltung auch zur Überwachung größerer \Vcchselspamrn11gc11


t: §
��
7;:,
74
benutzt werden. Dazu muß man lediglich einen entsprechend
Temperaturbereich von 20 ... 50 °C. Da sich der Thermistor­
großen Vorwiderstand einsetzen. Eine ausführliche Beschreibung
widerstand auch mit der Umgebungstemperatur verändert, wird
dieser Überwachungsschaltung findet der Leser in [12].
·

diese Abhängigkeit durch Reihenschaltung mit einer weiteren


Heißleiterkombination (R50, R51) kompensiert. Der Heizer
liegt über die Lampe 1, die dazu parallel geschaltete Z-Di ode D3
4.3.6. Aussteuerungsanzeige (Bild 4.5) und die Vorwiderstände R45, R46 an der Hauptbetriebsspan­
nung UB. Lampe 1 beleuchtet den Aussteuernngsmesser und
Die eingebaute Aussteuerungsanzeige gestattet die Pegelüber­
bildet gleichzeitig die Kontrolle des Heizkreises. Durch die Z­
wachung des Endverstärkers. Sie muß die Aussteuerung der
Diode wird die Lampenspannung stabilisiert. Die geregelte Ein­
Endstufe etwa logarithmisch anzeigen und außerdem eine be­
gangswechsel spannung liegt über den Kop'pclkondensator 020
triebsspannungsabhängige Anzeigebeeinflussung aufweisen. Da
an der Basis des als Emitterfolger geschalteten Ausstenerungs­
der NF-Pegel der Vorverstärker betriebsspannungsunabhängig
verstärkers Tll. Am Emitter dieses Transistors steht die ent­
ist, muß eine betriebsspannungsabhängige Regeleinrichtung vor
koppelte ausstcuerungsproportiona le Tonfrequenz, die dem
dem Anzeigeverstärker geschaltet sein. Die NF-Spannung wird
Gleichrichter D5 und dem Aussteuerungsmesscr über den Vor­
der Gegenkopplungswicklung des Ausgangsübertragers entnom­
widerstand R53 zugeführt wird. Über das RO-Glicd R54, 023
men. Diese \Vicklung liegt einseitig an Masse und liefert bei Voll­
kommen Ausstcuerungsspitzen unmittelbar ;,,ur Anzeige. E i ne
aussteuerung des Endverstärkers und einer Betriebsspannung
weitere Diode (D4) bewirkt eine Q1rns i-Logarithmierung der
von UB 25 V eine Ausgangswechselspannung Uerr von etwa 28 V. Anzeige, wobei mit dem Kondensator 022 langsames Abklingen
Die aussteuerbare Ausgangswechselspannung reduziert sich etwa
des Zeigcrausschlags erreicht wird. Außer der Aussteuerungsan­
proportional mit der anliegenden Betriebsspannung.
zeige wird <las Instrument noch zur Sollwert.kontrolle der 3
Als einfache Lösungsmöglichkeit einer betriebsspannungsab­
hängigen Regelung bot sich ein fremdgeheizter Heißleiter an.
Da keine solchen Bauelemente im Handel sind, wurde ein gla­
sierter Heißleiter TNM 56K mit einer zusätzlichen Heizwick­
lung von etwa 100 n aus oxydiertem Widerstandsdraht bewickelt.
Meist ist dieser Draht schwer zu b eschaffen und sollte deshalb
einem drahtgewickelten Widerstand entnommen werden.
Bei der Dimensionierung wurde angenommen, daß die effektive
Wechselspannung an der Basis des Transistors Tll bei allen
Betriebsspannungen zwischen 12,5 bis 28 V und Vollaussteue­
rung des Verstärkers etwa 2 V betragen soll. \Veiterhin wurde der
Heizstrom bei UB 12,5 V auf 30 mA und bei UB 25 V auf 60 mA
festgelegt. Da der Heißleiter möglichst linear regeln soll, muß
sich der gescherte Heißleiterwiderstand bei einer Stromänderung
von 30 auf 60 mA um die Hälfte verringern, darf aber dabei
nicht zu niederohmig werden. Der optimale Wert des Scherwider­
stands wird durch Einsetzen verschiedener Widerstandswerte
und Berechnung des Kompensationswiderstands bei den Heiz­
Bild 4 6 Ansicht der Hasterplatte mit deu Baugruppen l\lischfelcl,
strömen von 30 und 60 mA gefunden. Es ergibt sich ein Wert von .

lI ·T· Netzwerke, Abhörverstärker, Übersteuerungsüberwa­


5,6 kQ und eine maximale Linea.ritätsabweichung von ± 4 % im chung und Aussteucrungsanzeigc

76
77
Betriebsspannungen genutzt. Über einen KontrollschaJter und gnngstransistors T2. Dies('!' ist mit dem Tn,ibc1trnnsistor T4
entsprechende Vorwiderstände werden diese Spannungen im 1m­ g1t lnmisd1 gek1ippelt. D11rl'l1 diese K11ppl1111g 11nd di1· l<:rz1·11g1111g
ausgcsteuerten Zustand des Verstärkers an das Instrument ge­ dt>r Ba:-:issjHttmtm,g dPs T::! i'dir-r d1·11 l•:111iltf•n\·id1·nd:111d dl's T-1
schaltet. s1f·llt. si1·h t•in st·hr �;k1hil(•I' Arbf'it:-:p111ild ff1r Jwidt• 'l'r:rnsist.01·1·11

Die in Ab:o·whuitt 4.:L2. bis Ahsdmit.t. 4.3.f:i g <' 1rn.1 1 n t.c n Ba.ugrnJ>fll'll 1•i11. Der Arbt'iünviderstarnl dt·s J<:ingn11gsLransist.on; T� li1•gt. i'JlH·r
hcfinden sich auf cin<'r Rastcrphttc hinter tfor Montageplatte. 1•iner Kontrollu.mpe und einem Sehutzwickrst;rnd a n der stabi­

ln Bild 4.G ist diese Platte im demontierten Z u stan d >viedcrge­ lisierten 12-V-Betricbsspannung „EV". Bei Ansprechen d•.'r
gcben. Befestigt wird sie mit 4 l\13-Schrauben und Distanzstücken Temperaturüberwachungsschaltung wird Transistor TG leitend.
an der Rückseite der Montageplatte. Im unteren Bildteil sind die Dadurch erhält der Eingangstransistor T2 keine Betriebsspan­
Bauelemente des Mischfelds, darüber die Regler und Bauelemente nung. Die fällt über R8 sowie die jetzt leuchtende Kontrollampe
der Höhen-Tiefen-Netz,verke wiedergegeben. In der Mitte erkennt ab, und der Transistor T4 sperrt.
man die Einstellregler der Steuerausgänge. Die linke obere Ecke wird Die Primärwicklung des Treibertransformators Ül und die auf

von der Baugruppe „Übersteucrungsüberwaclrnng" cingenomn10n. die Primärseite transformierten Seknndärwiderstiincle bilden dc·n
:Die Vassung dm· A nze i gelam pe LaJ, ganz links auf dem ontf-ipro­ komplexen Arbeitswidersta.nd des Transistors T4. Beide Wick­
chcndcn Bild 4.G, wurde mit !Cpasol eingeklebt. Rechts dancbnn lungen wurden zusätzlich mit MetaJlfolic abgeschirmt. Damit
sind der Regler des Kontrollverstärkers und der Summcnregkr werden kapazitive Verkopplungen bei hohen Frequenzen ver­
z11 seh<'n. In der rmtcrcn Ebene sind die 4 lkglcr d0r H-T-Nct.z­ mieden. Im :Mittelabgriff der Sekundärwicklung des Treiber­
\Vl'rke angeordnet. Auf der rechten oberen �·kitc der Rasterplatte übertragers wird über einen Spannungsteiler eine Spannung
erkennt nmn in einer Aussparung den Ausst.c11erungsmesscr, der eingespeist, die den Arbeitspunkt und damit den l�uhcstrom der
durch eine Schrrnrngummiunterlage federnd angebracht wird. Am Endstufen festlegt. Den unteren Zweig dieses Spannungsteilers
rechten unteren Hand des Ansstcuerungsmcssers ist der mit dem bi ldet eine vViderstands-Heißleiterkombination (Rl9, R20, R2:�
Heizer bewickelte Heißleiter zu sehen. Um einen großen Störab ­ bis R25). Die Heißleiter befinden sich auf dem Kühlblech in
stand zu erhalten, wird die gesamte Platte mit einer Absehirm­ unmittelbarer Nähe der Endtransistoren und bewirken ihre Ruhe­
lw ube v0rsehen. stromstabi lisierung. Die am Mittelabgriff der Sekundärwicklung
des Ül gegen Masse liegenden Dioden D3 und D4 halten bei
einem eventuellen Defekt des Regelteils oder einer Unterbre­
chung im unteren Zweig des Spannungsteilers die Spannung am

4.3.7. Endverstärker (Bild 4.7) M ittelabgriff auf etwa 1,5 V fest. Der Ruhestrom der Endstufen
nimmt dabei noch keine gefährlichen Werte an. Bei Ansprechen
Die Baugruppe Endverstärker besteht im wesentlichen aus einer der Temperaturüberwachungsschaltung wird durch Transistor T5
transformatorgekoppelten AB-Gegentaktendstufe mit Ausgangs­ die Spannung am Mittelabgriff und dadurch der Endtransistor­
übcrtrager. Um den Endverstärker über einem großen Betriebs­ Ruhestrom abgeschaltet. Von der Sekundärwicklung des Über­
spannungsbereich betreiben zu können, müssen die Betriebs­ tragers Ül werden die Treibertransistoren T8, T9 und die damit
spannungen der Vorstufen und die Arbeitspunkte der Endstufen verbundenen Endstufen Tl2, Tl3 im Gegentakt angesteuert.
stabilisiert werden. Das erreicht man durch ein kurzschlußfesteB Da die erforderliche Basisspannung zu Ansteuerung der End­
12-V-Regelteil (EV), das organisch mit der Baugruppe Endver­ stufen relativ niedrig ist, läßt sich die Kollektorspannung der
stärker verbunden ist. 'Veiterhin befindet sich die Baugruppe Treibertransistoren T8, T9 vom 12-V-l�egelteil „EV" entnehmen.
._.Tet11pcraturüberw;tch11ng'' ;u1f der E udverstärk ergr un dpl attn . . Dadurch werden die Treibertransistoren nur gering belastet, und
Dns Eingangssigna.I vom � 1u11nrn11rcgk1· liegL iilwr dcu 1 \V ider­ es lassen sich Transistoren geringer Leistung verwenden.
öL111d /ll 11ud dem l\.011pdkondcrn;ai.or Cl ;u1 <.ler Basis des Ein- Der Ausgangsübertrager Ü2 hat großen Einfluß auf Klirrfaktor

79

00
0

Übersteuerungskontrolle D6
!(ontrollampe SAn
!(ontro/lverslärker
r---t--- - + Ua
-
etwa 115mA
R2 R26
2,2k 2,lk
C5
2200,11:
16V

R3rlr RS :105 R37


+1 J ZA250/6 1,2k
TPl6D/9D-4

Temperaturüberwachung 12-V-Regelfetl,, Eli"


Ws1 811.1315 I
100V
miru:OOQ
Ü1
IJmAI 1' ·• • 1 1 1 1 , 1r
3J 14,16
1
1 .... 12!2
Ws2 Bd2
1
1 ' 8.Q
1 WsJ Bu!O
1 '6Q

C2
1
1
Whijll1Ws4 3 ....l.
· 11
li

100µ Ws5 -c _.;Q


25V 1 04 RJO Rdlll �:....,j

1 270 c J
20
1 Bt..d
Ws6
911�egenk' '
Einr;f!.!!2_ �1 oppwngs-
wlcklung una

1
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d
zum Aussteuerungs-
/?
4, 7k
10µ messer28V
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RJ4

1?16
Haise J l J
70
1 l I ·� 1 1iJ1Uk ]V

Bild 4.7 Endverstärker, Temperaturüberwachung, 12·V-Regclteil EV; oben rechts bei ·ws 1 heißt es richtig 200 n

00
.......
Fortsetzung von Tabelle 4.1.
Tnhclle -Li Hc\\·ickcltc� B1111Pkrnt'ntc\ dc·R tl0-\V-Por·tahl1·v1·r­
�bi.rkers ;i. Decki solation 2 Lageu Lackbandgm,·chc

�ach F erti gstellung ist eine Isolationsprü(ung der l'L·irnü.nviekl u11g gcgeu
Kem und Sekundärwicklungen mit 2000 V� durchznführen.

l(l'l'll .1/•i-i, l>y11.-l\lL'1·l1 l\' o,:::, j1• :10 "„ l\lt'l'lw in 1·i1wr· l:il'fd 1111g·
p1·i111i'1r: !HIO \\'dµ;., 0 , :! :1 -111 1 11-( '111, und B a n db reite des Verntiirkers. Primii.r- und Sekundiirwicklungen
�td,1111dür: :! <i·:rn \\'dg„ 0,:!:·,-111111-< :11L, zwvid1·ii.t.liig- \l'ic.kl'i11 werden deshalb ineinander verschachtelt nnd die Wicklungen
\\' iekc 1 \ 01·sc hri ft:
bifilar (zweidrähtig) ausgeführt. Wickelvorschrift und Aufbau
1. J.;'ilJ \Vclg. pl'imü.t', L<tgc11isolntion allur :! LHg'l'll l X La!'kpapier
des Transformators sind aus Tabelle 4.1 zu ersehen. Den Trans­
gdi c dcrt
2. Z.\nsclwu isolatio n 2 Lngcn La.ckp a p ic•r gcfictlcrt formator muß man sehr sauber und straff wickeln, da die vielen
:l. 2 ;< (i:W \Vdg . seknndür, zwcidrähtig, La.gc11i:>olation alll'r 2 Lng-1·11 'Vicklungen andernfalls nicht untergebracht werden. Um den
-L Z.wbch1·11isol11.tim1 2 Lagen Lnckpapier g·diechwt.
Eingangswiderstand der Endtransistoren zu erhöhen, ·wird ein
;) . .i;;o \\-dg. 111·imii.r, Lageui.�nlation aller:! Lngl'It
Teil der Primärwicklung zwischen Emitter der Endtransistoren
2. ,·1118'./<lil(JSf/'<lllSfOl'l!ULfOI' C :! 1111d M a sse geschaltet. Ein Boucherot-Glied (G7, R40) zwischen

Kent J185/32 l>yu.-Dleeh l\T X o,:1.'i ohne Luftspalt, wecl i scl we i s e ge­
d1_·n K o l lekto ren cler Endt ra n sist ore n setzt den Klirrfaktor bei
scl1iel1tct hohen Freq nenzen herab. Die G eg onk o pplungswidd ung wir<l in
primiir: Wp 1 Jl"p J ßS '\\'dg., 0,8:J-mrn-('11L, Wv :! 11nmittelharor Nähe der 100-V-Wicklnng
= ==
(H'sil auf dem Ans­
7 \\'dg„ 0,8:J-1nm-CuL
ga,ngst.ransformator angebracht. \Viihrcnd ein Arn;chluß dieser
sekurnliir: 11·s 1 = 578 \Vdg., 0,4-mm-CnL, fl's 2 = 21' \\'dg-.,
2 ;< 0,7-nim-CuL, Jl's 3 = 18 \Vdg., 2 X 0,7ri-mrn-CnL,
\Vickl nng a.n Masse liegt, wird der andere über ein frequenzab­
II'�-! = 18 \Y dg „ � x 0,75-mm-CnL, Jrs 5 = 88 Wdg., hängiges Netzwerk an den Emitter des Eingangstrnnsistors T2
2 x 0,8-unn-CuL, n·s ß = LiO \\'dg., 0,2-mm-CuL gegenphasig zurückgeführt. Dadurch ergibt sich am 100-V-Au s­
JJ's 2 bis l 1 's 5 wnrckn zm· Qucrsclmittsvergt'ößerm1g dnp1wld1·iU1tig
gang zwischen Vollast und Leerlauf nur ein Spannungsanst.icg
gcwickl'lt
Die \Yieklu11gen sind nufz 1 tteile n sowie Primär- und Sekundärwicklungen
von l: 1,3. Da die 100-V-,Vicklung eine sehr große \Vicklungs­
geschickt i11cinandcr zu v etscluw ht o ln . Unmittelbar über einen T e i l der ktipa,zität aufweist, werden die hohen Frequenzen auf dieser
l'rirniirwicklung i>,;t ein Teil v on 11·:-; 1 zu wickeln, darüber ein 'fuil voll Wicklung benachteiligt-. Im Gegenkopplungszweig ·wird deshalb
11 ·s G, darüber eine Lage TVs 5, danach wieder primär nnd so fort, bis a.llc
durch d<.is RG-Glied 06, R35 ein Teil der hohen Frequenzen aus­
\Vieklnugsteile unterg ebracht sind. �ach F ertigst cllu u g wird die phaseu­
richtigc Zusammenschaltung der einzelnen \Vickluugen durch Anlege n
gef iltert. Dadurch sind diese weniger gcgengckoppelt und er­
einer \Vcchselspannuug von 2-! V an JVs 6, Ausmessen und ricl1tiges möglichen am 100-V-Ausgang eine obere Grenzfrequenz von
Hi11tcreinauclcrschalt.l'n der T eilspann un gen ge J 1 r ilft. 14 kHz. Bei den niederohmigen Sekundärwicklungen ( W s2 bis
W ss) mit ihren verhältnismäßig geringen \Vindungsza,hlen tritt
3. X ct:::t·1·a118fonnator
diese Dämpfung nicht auf. In diesem Fall liegt die obere Grenz­
Kern .JJ85/45, D yn . - Blech IV�< 0,35 ohne Luftsp;1lt, wechsclwC'ise ge­
frequenz bei 25 kHz. Die Gegenkopplungs\vieklnng ( lV s6) speist
schichtet
primär: 75ß \Vdg., 0,42-rnm-CnL
außerdem noch die Aussteuerungsanzeige.
sekundär: 2 X 98 "rdg„ 1,0-rnm CuL, zweidrähtig wickel n
Wi c kel vors chri ft :
l. Kernisohttiou 2 Lagen Lackbandgewebe 0,1 X 53 gefiedert
4.3.8. Temperaturüberwachung
2. 756 'Vdg., 0,42-mm-CuL primär, L a,gen isolatiou jede Lage
1 X Lackpapier gefiedert
3. Zwischenisolation 3 L a g en Lackbandgewebe 0,1. X 53 gefiedert Diese Baugruppe bildet mit dem Endverstärker eine Einheit und
J. 2 x 98 V\Tdg., 1,0-mm-CnL sek undär, zweidrähth� wickeln, Au­
schützt. die Endtransistoren vor thermischer Überlastung (Bild
zapfnngcn na.ch Bilü J.10 ent f all e n. Lagenisolation jede Lngc,
4.7).
Lackpapier gefiedert

<..! '. >


{":JrJ
82
In unmittelbarer Nähe der Endtransistoren sind auf dem Kühl­
blech 2 Kaltleiterwiderstände aufgeklebt. Erreicht das Kühlblech
eine Temperatur von 90 ... 100 °0, so werden die Kaltleiter
hochohmig und schalten über die Entkopplungsdioden Dl, D2
den Schmitt-Trigger Tl, T3 ein. Ü ber die 2 Schaltstufen T5 und
T6 werden, wie schon erwähnt, der Endstufenruhestrom und das
Eingangssignal abgeschaltet. Ist die Kühlblechtemperatur wieder
niedriger, so geht die Schaltung in die Ausgangslage zurück. Die
Unterbrechung einer Kaltleiterzuleitung bewirkt ebenfalls eine
Auslösung der Schaltung. Die Temperaturüberwachungsschal­
tung hat den Vorteil, daß die Endstufen mit relativ kleinen
Kühlblechen betrieben werden können, die nur für den Normal­
betrieb dimensioniert sind.

4.3.9. 12·V-Regelteil „EV"


Bild 4.8 Blick von oben in das geöffnete Gerät. Im Vordergrund der

Dieses ltcgelteil ist kurzschlußfest und schaltet sich nach Abkliu ­ Endverstärker

gen der Ü berlastung selbst wieder ein. Der Widerstand R36


überbrückt den Liingstransistor Tll und bewirkt einen genügend öffnet und die Ausgangsspannung größer. Dieses setzt sich fort,
großen H.uhestrorn. Dadurch wird der Transistor Tll nicht so bis die Ausgangsspannung so groß ist, daß die Z-Diode D5 wieder
stark belastet, und die Schaltung startet nach einer Ü berlastung stabilisert und damit den Steuertransistor T7 auf seinen richti­
schon mit einer relativ großen Grundlast. Die Wirkungsweise ist gen Arbeitspunkt bringt.
folgende. Bei Norma.Ibetrieb erhält die Basis des Steuertran­ Den Aufbau des Endverstärkers zeigen Bild 4.8 und Bild 4.9.

sistors T7 vom Spannungsteiler R26, R27 eine solche Spannung, Auf einer Grundkühlplatte, Al 99,5, 2 mm dick, unten abge­
daß T7 bei sinkendem, d. h. gegenüber seinem Emitter negativer winkelt, mit den Abmessungen 234 mm X 99 mm und einem
werdenden Basispotential öffnet und damit auch den Treiber TIO
mehr durchsteuert. Dieser wiederum öffnet den Längstransistor
Tll und bewirkt damit einen Anstieg der Ausgangsspannung.
Das Umgekehrte tritt bei größer werdender Ausgangsspannung
ein. Die Z-Diode D5 erhält ihren Strom über die Diode D6 und
den ·widerstand R28. Im Überlastungsfall muß der Steuertran­
sistor T7 einen starken Kollektorstrom für TlO liefern. Dadurch
reicht der Strom für die Z-Diode nicht mehr aus, und die Span­
nung am Emitter des TlO wird negativer. Infolgedessen wird die
Ausgangsspannung des Regelteils, bis auf ei nen Reststrom durch
R36, abgeschaltet. Hat der Belastungswidersta,nd eine bestimmte
Größe wieder überschritten, so bewirkt der Spannungsabfall über
ihn einen geringen Strornflnß durch D6, R28 und T7 nach der Bild 4.9 Anordnung von Treiber- und Ausgangsübertrager
Basis des TlO. Damit wird auch der Transistor Tll etwas ge-
85
84
22 rnm brci h n ßpfrstigung"steg befinden sich alle B<1 t1l'lemenü�
'

des Endverstä.rkers. Je ();') mm von den Außenkanten entfernt,


:,lind die Endtransistoren montiert. Zusätzlich ist ü her jedem dieser
Transistoren noch ein Kühlblech ans Al 99,5 angebracht. Links 12 v­
am Kühlblech ist mit entsprechend langen Distanzbolzen der Rege1-
tei/„ !Y''
Treibertrnm;fornmtor, in der Mitte ebenfaJls mit Distanzbolzen
rr 1
der Ausgangstransformator befestigt.. Unter dem Treibertrans­ La! JJV
formator befinden sich auf einem U-förmigen Al-Blech das 12-V­
Regelteil EV und die Temperaturüberwachungsscha,ltung. Die D7
r:.
L//} 5Af!O
Rückseite der Grundkühlplatte enthält 6 Lötleisten, auf denen
sich die Bauelemente des Endverstärkers befinden. Der Befesti­
T6JOmA
gungssteg erhielt Kühl- und Befestigungsbohrungen.
HP
R9
JJO
1
© (3
4.3.10. Netzteil, Hau1•tregelteil (BiM 4.10)
T4 701'.'.LI,
_ __,

8u8
40 J!
Bedingt durch die große .Ansgangsleü,;tnng des Verstärkers \\-c.r­
RIO
dc·n an :Netzteil und Hauptregelteil bPsonders große Anfordenrn­ 250
gcn gestellt. Der Netztransformator muß in der Lage sein, eine
Seknndärlcistnng von 100 VA abzugeben. Es wurde deshalb trotz
des gedrängten Aufbaus ein Kern .M 86 b, Dyn.-Blech IV ein­
gesetzt. Die Netzspannung von 220 V, 50 Hz wird über Schutz­
kontaktstecker angeschlossen und ist mit einem beleuchteten
Tastenschalter von der Frontseite des Geräts 2polig abschaltbar.
Sie wird über einen fi:30-mA-Schmelzcinsatz zur Primärwicklung Bil(l 4.10 Baugruppen Ha.nptrogelteil n nü N ctztcil
des Netztransformators geführt. \Veiterhin läßt sich mit dem
genannten Schalter der Pluspol des Batterieanschlusses abselrnl­
ten. Die Itohgleichspmmung wird durch eine Mittelpunkt- Gleich­
richterschaltung aus 2 Si-Gleichrichtern SY 1(]2 gewonnen und einem Laststrom von etwa 6,3 A ab. Ist die Überlastu110' wieder
0

durch 2 parallelgcsclrnltete Elektrolytkondensatoren 2 X 4700 µF beseitigt und der Lastwiderstand > �) Q, entsprechend 2,9 A

geglilttet. vVährend der Mittelpunkt der Sekundärwicklung an Laststrom, so schaltet es sich wieder selbständig ein. Das Stell­

die Längstransistoren T2, T:3 des Hauptregelteils geführt ist, glied wird durch die parallelgesclmlteten Transistoren T2, T3

sind die den Pluspol der Gleichstromquelle bildenden Katoden gebildet, wobei die \Viderstände Rl und R2 gleichmäßige Strom­

der Si- Gleichrichter über eine Schutzdiode D3 (GY 122) mit dem aufteilung bewirken. Hat der Regler durch Ü berlastuna abae-
o 0

abschaltbaren Ba.tterieanschluß und über einen 6,3-A-Schmelz­ schnJtet, so muß auch in diesem Zustand noch ein kleiner Iiest-

einsatz (Si 2) mit dem Pluspol des Hauptregelteils bzw. des Ver­ strom durch die Last fließen. \Vird der Lastwiderstand wieder

stärkers verbunden. größer, so steigt auch der durch den Heststrom am Lastwider­

Das Hauptregelteil ist ein kurzschlußfester, sich selbst wieder stand verursachte Spannungsabfall.
Der bei abgeschaltetem
einschaltender Längsregler. Die \Virkungsweise ist ähnlich wie Stellglied durch R3 und Tl in den Basisspannungsteiler R9,

lwim schon beschriebenen 12-V-Regelteil ,,Ev··. Es schaltet. 1wi RIO, Rll fiießende Strom bestimmt die Größe dieses Reststroms
(etwa 0,2 A). Ist das Regelteil längere Zeit durch Überlastung

87
Betriebsspannung { Uvv) 12,5 V - 0,5 V
abgeschaltet, so ka,nn es durch die hohe anliegende Rohgleich­
Betriebsstromaufnahme etwa, 14 mA
spannung bei gleichzeitigem Reststrom durch das Stellglied zu
einer Aufheizung der Transistoren T2 und T3 kommen. Um das
zu Vi'rnwid<•n, wird der Thermistor R4 in den Basisspannungs­ Höhen-Tiefen-Netzwerke
teik�r des '1'1 gesdw.ltnt„ diesen klebt man mit Epa.sol anf das Grundverstärkung (Regler Mittel-
Kühlblech der Stcllgliedtransistoren; er bewirkt bei einer stellung) etwa 3,3fach /\ 10 dB
größeren Erwärmung eine Reduzierung des Reststroms auf 0,1 A. maximale Tiefenanhebung {bei
Mit der Z-Diode D4 wird der Ruhestrom durch Tl konstant ge­ 40 Hz und beide Regler
halten. maximal) etwa 8,8fach .6. + 19 dB
maximale Höhenanhebung
{bei 20 kHz und beide Regler
4.4. Technische Daten der Baugruppen maximal) etwa 8,8fach /\ + 19 dB
maximale Tiefenabsenkung (bei
Vorverstärker 40 Hz und beide Regler 0-Stel-
Verstärkung je Kanal stetig einstellbar 1000 ... lung) etwa 12,7fach _6_ - 22 dB
l,5fach maximale Höhenabsenkung(bei
Eingangsspannungsbereich Uerr 0,1 mV ... 1,6 V 20 kHz und beide Regler 0-
Eingangswiderstand(/= 1 kHz)l50 kQ . .. 2,5 MQ Stellung) et·wa 6,9fach /\: - 17 dB

-3dB-Frequenzgang maximale Eingangsspannung Ueff 100 mV


(größte Verstärkung) 25 Hz ... 20 kHz Eingangswiderstand(/= 1 kHz) etwa 120 kQ
maximale Ausgangsspannung Ua Ueff 2 V maximale Ausgangsspannung Uerr 3 V
Außenwiderstand Ra � 2,4 kQ ... 17 Q Ausgangswiderstand R a etwa, 23 Q
Klirrfaktor < 0,5 % Betriebsspannung (Uvv) 12,5 V - 0,5 V
Störspannungsabstand Betriebsstromaufnahm e
(bei Ua 2 V, Vmax und (alle 2 Kanäle) etwa 14 mA
RE 200 n > 60 dB Ausgangsspannung der Steuer-
Betriebsspannung (Uvv) 12,5 V± 0,5 V ausgänge Ucrr 0 ... 100 mV
Betriebsstromaufnahme Innenwiderstand der Steuer­
(alle 6 Kanäle) etwa 16 mA ausgänge 2 lOkQ
Vorverstärkerregelteil
Eingangsgleichspannung + 12,5 ... + 28 V
Abhörverstärker
Ausgangsgleichspannung (Uvv) + 12 . . . + 12,3 V
maximale Eingangsspannung U cff 430 mV
Ausgangsstrom 10 ... 50 mA
-3-dB-Frequenzgang :35 Hz ... 35 kHz
Abschaltstrom bei Un 25 V 100 mA
Eingangswiderstand
'Wiedereinschalten
ab 50 ... 70 mA
(f = 1 kHz) etwa, 25 kQ
(nach Überlastung)
maximale Ausgangsspannung Uerr 3 V
Ausgangslast Kopfhörer > 1 kn
Mischfeld
1 :0,2 14 dB Lautsprecher > G n
Grunddämpfung einer Gruppe /\ -

maximale Ausgangsleistung lOmW


maximale Eingangsspannung Uert 3 V

88 89
Betr i0l>�spannung ( l,'m·) 12V ::L- 0,:3 V (/ =--: 1kHz,100-V-Ausg;rng, Rr, �-=-, :?oon, Un 2t> \') 60 \V
lk t r iebs f' t r orn au fn ahme etwa 72 mA (f = 1 kHz, 100-V -Ausgang, RL = 200 n, UB 12,5 V) 12,;"5 "ff
(/ = 1 kHz, 4-D-Ansgang, RL == 4 n, Un 25 V) 65 ·w
Obf' rstf'11.eritn(JS iibencach un(J (/ = 1kHz,4-n-Ausgang, RL = 4 n, Un 12,5 V) rn \V
Art der A nz0 igc E in zcl i m p ulst ' bis Dn nerleud1- K l i rrfaktor (100-V-Ausgang, N ennl e ist nng 50 \V,
- O'
frn f = 40 Hz ... 10 kHz) t_) 10

Vorven;tiirkeriibcrwach1mg Blinkanzcig(' ct,nt ab Ua crr Stiirspannung (am offenen 100-V-A usgang, Eingang
2,1 V kurzgeschlossen < :3 mV
ÜlHTWachnng H-T-Nctzw0rke BI inkanzeige etwa n b U � cfr :J V Eingang offen -:::: 10 rnV
A n ze i g ela m pe 12 V, 0,05 V Sockel 'f;),5 Betriebsgleichspannung (J11 12.i'l ... 28 V
Betriebsspannung ( U EV) 12 V± 0,5 V R.uhestromaufnahmc (be i Un 12,5 V) n.:W
· A
Bctr ie bss tro m n ufnnhmc maximal 30 mA (bei Un 2;) V) 0,4;) ( l ..18 _.\
Betriebsstromaufnahme
_A 118·� lt• II(' J'l/11 {J8f(]l z1· i!Jf� (bei Vollaussteuerung, Un 12;, ) V, f = l kHz) 1,9 �.\
Anzcigcgerä t Drchsp11l-Au:-;stcul'l'Ung:1me:-;:-;er (bei Vollaussteuerung, UB 25 V, f = 1 kHz) :�,8 A
"\ nzeigebereicli 10 bis 170°� Vollaussteuerung
.Anzcigcfehkr bei Vollau:-;- Überte111.perat·u.rüberwachung

skucrnng :l� 10°;. Auslösetemperatur (K. ühlbl ech Endtr;1nsis1.nren) ü5 ... 100 °C

f-lignn.lwcdu.:r·lspnnnung (Lei Ueu H ... 28 V bei .Anzeige bei A u sl ösun g Lampe ü V,

\'olla11sst('ll<'ntng) Lr.11 12.:) . . . 23 V 0,0;) ;\.


Bd.riebsspanrn'mg ( lf Ev) 12 V :1 0,5 V
Bet.ricbsstromanfnahnw von ( !E\- cbYn l mA 1:2- V-Regelteil-„EV"
8trornnufnahrne von Hm1pt­ Eingangsgleichspannung + J 2 ,5 V ... + 28 V
lwtriehsspannung etwa :30 ... GO mA Ausgangsgleichspannung ( U EV) + 11,8 V ... - 1- 12,2 V
Kon trol la m p e (in Reihe mit. Ausgangsstrom 100 ... 400 mA
}lpjz"·ick l ung) G \7 O,OG �-\. Grundlast 120mA
Abschaltstrom (Un 25 V) 0,6 A
X111/ cr· /'8/iirk<T \Viedereinschalten
rnaxin1<1 lv Ein:.?;all[�sspannung (nach Überl a stung) tib 250 .. . 300 mA.
( fii r Volln ußst<'nenrng. l 'n 2;1 \') ( · dt' �·---� 100 n1 V
Eingn ngswidcrstn ml Hau. ptregelteil

(/ = 1 kHz) Eingangsg leichspannnng 16 ... 40 V


� panuungsvl·rshi rkung Ausgangsgleichspnnnung 25 .. . 27 V
(am 100 V-"\usgang ) lOUOfa eh .!':::,_ üO dB Ausgangsstrom 0 „ . 5 A
-:� dB-Frequenzgang Abschaltstrom etwa 6,3 A
( n.m 100 V - A u sgang) 20 Hz . . . 14- kHz \Viedereinschalten (nach
-:� dB-Frf'quenzgang Überlastung) <3A
(nicderohrr1ige LantsprC e her ' ­

:\ usgii. nge) 25 Hz .. . 2G kHz .Netzteil


;\usgang:-;ki:-;t1mg Netzanschluß (Kaltgeräte-

\.10 91
Einbaustecker) 220 V± 10%, 50 Hz
Leistungsaufnahme etwa 100 VA
Schutzlei teranschluß mit allen Gehäuseteilen und
Gerätemasse verbunden
Netz-Batterie-Hauptschalter schaltet Netz 2polig und
Batterie lpolig ab
Schmelzsicherungen (vor
Netztransformator) T 630 mA
(vor Regelteil) 6,3 A

4.5. Mechanischer Aufbau

In einem nach vorn offenen Stahlblechgehäuse mit den Haupt­


abmessungen 275 mm x 180 mm X 130 mm befindet sich ein Bild 4.12 Geräterückseite mit Anschlußelementcu

Aluminiumchassis, das an seiner hochgezogenen Rückwand die


Baugruppe Hauptregelteil trägt. Die Vorderwand ist eine ab­
geschirmte Vorverstärkermodul. Ein auf der Chassisoberseite
schraubbare l\fontctgeplatte. Sie enthält die Bedien- und Anzeige­
befestigtes L-förmiges Alublech ist Träger des Endverstärkers.
elemente sowie die Rasterplatte mit den Baugruppen Abschnitt
In Bild 4.11 ist das mit Kleinstndio UVA 50 bezeichnete Gerät
4.3.2. bis Abschnitt 4.3.7. Die Chassisgrundplatte trägt den
von vorn zu sehen. Als Frontplatte benutzt man eine 0,5 mm
Netztransformator und die Gleichrichterdioden. Auf der Unter­
dicke, weiß gespritzte Aluplatte, die mit Abreibebuchstaben
se ite befinden sich Sieb- und Pufferkondensatoren sowie das
beschriftet und danach mit farblosem Lack überspritzt wird.
An der Beschriftung sind die einzelnen Reglerfunktionen deut­
lich zu erkennen. Unterhalb des Kontrollschalters und des Netz­
schalters auf der rechten Geräteseite befinden sich die Steck­
buchsen für Kopf hörer und Kontrollautsprecher.
In Bild 4.12 ist die Geräterückseite zu sehen. .Man beschriftet
mit schwarzer Tusche, wobei anschließend ebenfalls mit farb­
losem Lack fixiert wird. An die Steckbuchsen ganz oben links
werden die Lautsprecher mit 100-V-Anpassung angeschlossen.
An die darunter befindlichen Lautsprecherbuchsen können nie­
derohmige Lautsprecher oder Tonsäulen bis 50 vV mit verschie­
denen Anpassungswiderständen angeschlossen werden. Die ß
Eingangsdiodenbuchsen und die Buchse für den Steuerausgang
sind auf der rechten Geräteriickseitc. Unter den Eingangsbuch­
sen befinden sich die Vorregler der Eingangskanäle. Links unten
sind Einbaunetzstecker, Sicherungen und Batteriesteckdose zu
erkennen. Aus Bild 4.13 ist die Belegung der Steckdosen der
Geräterückseite zu ersehen.
Bild 4.11 Vorderansicht des Portableverstärkers

93
92
5. Transistoruniversalverstärker-Baustein

5.1. Allgemeines

In der Arbeitsgemei nschaft Elektronik an der Station Junger


Techniker und Naturforscher, Königstein, wmde ein Bausfoin
Transistoruniversalverstärker entwickelt und gebaut. Der Ver­
stärker hat 3 mischbare Eingänge gleicher Empfindlichkeit und
ein aktives Höhen Tiefen Netzwerk im Vorverstiirker.
- -

Vor dem Eingang des Endverstärkers ist ein Snmmenreglcr nlr­


geschen. Die Endstufe kann wahlweise mit Silizium- oder Ger­
maniumleistungstransistoren best ückt \Verden und je nach zt1r
Verfügung stehender Betriebsspannung Ausgangsleistungen von
2,G ... 25 \V abgeben.
Der Baustein läßt sich für l\Iono- oder StercovcrstärkPr einsetzen.
Die gPsamte Verstiirkerschaltung befindet sich <tllf einer Ein­
lagcnlcikq>lattc HO mm >< LIO nun t1nc1 wird über einen 24poligr·11
Str•1dzer nach 'f'(]f,1 :!()() ..')(j()J m i t Heglern sowie Eingangs- und
A 11 sga ngsb 1tchsen verlrnmlen. Ein mit Distmizstücken auf der
:::,,,.
Leiterplatte befestigter Kühlkörper trägt die Lei st ungstran ­
·� �
sistoren.
- ,,-----,___J
�(!)'+
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Cl:l

---'--
0

} :::s
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�-

5.2. Beschreibung der Schaltung (Bild 5.1)

Vor cl1·n 3 glcichhcrc<'lit.igtcn :\lischcingängr•n 111it d1·11 rnusch­


arnwn Transistoren Tl . .. T:l lil·�cn die l\lischrcgler, die an der
Frontpin ttc des G crii. ts a ngcbracht werden 1111d mthhn·isc Iog­
ari t h m isc hc Dreh- oder S ch ieberegler sein können. :-loll ein Stcrco­
vcrstärker geba ut WPrden, so muß man Tande m r egler mit mög­
lichst gutem Gleichlarif cinsl'tzen. Geeignet sind je naeh erfor­
derlichen Eingn ngsbeclingungen \\�iderstandswcrtc von 100 1d2
bis l MD.
+ +
Dil· ,'-khlcifrr der ::\lischrcgkr liegen an den Entkoppl11ngskonden­
s:1t1)J'l'1l ( '1 liis ( ':L 1 >ic 11ni"1 lwrbriickte11 E111ittern id!'rslii udr' dn
/·;i 11.;.;:; 111g."1 r. 1 ll "i·" t' 1n •11 11e \1 i rkl'll e11w n großen EingaHg.-; 11 idcr­
.-d all d. Der ArlJCiL-;punkt der Transistoren Tl . . . Tci wird ge-
:"t.t·ckdosenlwkgnng m1d J;;1nckn1P11tPz11onl111rng an 111'1' <:e­
Hiltl -LD
rütel'itcksPite
DG
��:·------- ------- ---- - - - -- - - - - -- - -- - - - --1

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Im 1J
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500/.: 21.1 C7 1�---1..-.-...- .----- -.---.---1�' Jdß
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L - _ - --- -- - - -- -- - - - - --
-- - - - - ------- - - - - __ J
- - - Begrenzung der Leilerplatte
- · - Bauelemente aufkü/Jlkörper
meinsam durch den Spannungsteiler RIO, Rlüa und Rll einge ­
® Anscfl!ußpunkte, Lötösen
stellt. Dabei sind RIO und RlOa so auszulegen, daß über Rl3
etwa die lrn 1 bc, an C4 anliegende Betriebsspannung abfällt. l)ilrl .).1 \·1·TSl�\l'l,\'rha11.'-'t('ill 111it :-:ilizi11rnl1'i'-'l 11ug-"! r:i11.'-'isl<ll'f'll n11fl
.\ l.k11h\•;;ehaH11 ng
Die KondenRatoren 04 und (!5 entkoppeln und sieben in Ver­ . u

b ind un g mit d('n Sielrn·idersüü1den Rl4 und RIO, RlOa die Vor-
Der Eingang des nachfolgenden aktiven Höhen-Ticfen-Xetzwcrks
1 liegt ain Stet"ker Ul und wird, k('invr dn i rn v ( 1riµ;c·11 Absatz


\l'<'flll

1 erwähntl"H Ht�glt•r vm·gest·ht·n i:-;L mit Ntef'kt•r :!l vedrnml1·11.

l 21 Für 1li1• Hi'ilwn. tilld Tid't•111·t·gtil1111g kirnl i111 ( k1·iit Z\\Ti li111·:1r1•

RJJ nic/Jt
+ IOO-ldl-l:(·gl1·r 1111d l'i'tr Nt.t·11,t>lwtridJ di1' gl1'ivlll'11 in Tand1�111at1s­
fühnmg vorzusl'hcn. Die aktive Kfangrnglerscha.ltung hat den
bestücken l 19
70µ r-
1---+< Steuerausgang zu
Vorteil, daß mit handelsüblichen linearen Potentiometern eine

1 18 16 11 1 weiteren Verstärkern na.hezu ideale Einstellcharakteristik erreicht wird. Die eimvand­


I,,__
___, __ T._ >-----
_ -4�- ----+-.r oder Bandgeräten freie Funktion setzt einen niederohmigen Quellwiderstand vor­
L-
_
_

__ j aus, der durch den vorgeschalteten :Emitterausgang (T4) ge­


währleistet ist. Über den Koppelkondensator 06 und den Anpaß­
Bild 5.2 Tiegelbarer St.euorausgang
widerstand Rl5 wird das Signal zum Klangregelnetzwerk ge­
führt . Sein Tiefenkanal ·wird durch die Bauelemente 08, On, Rl6,
Rl 7, RJ 8 sowie dem an den Steckern l:�, 15 und l 7 liegenden
stufenbetriebsspannungcn. Am Emitter des Transistors T4 bzw.
100-kn-Potentiometer, und sein Höhenlrnnal durch 07, 010 sowie
am Stecker 21 steht ein relativ niederohmiges Summenmisch­
einem weiteren, an den Steckern 14, 16 und 20 liegenden 100-kü­
�ignal für Bandgeräte oder nachgeschaltete Verstärkeranlagen
Potentiometer gebi ldet. Den erforderlichen Einstellbereich des
;,,ur Verfügung.
Sp<mnungsfrcquenzgangs bestimmt der folgende 2stufige Ver­
Ist es erforderlich, so kann das Signal über einen Schutzwider­
stärker (T5, T6) und die mit R23, R24 fest eingestellte Gegen­
stand 10 kn und einen Koppelelektrolytkondensator 2,2 . . .
kopplung. Die Rückführung des Signals von diesem geteilten
l 0 11F entnom men werden. Auf der Leiterplatte ist der Ausgang
Emitterwiderstand gewährleistet eine große Anssteuerbarkeit.
dc's T4 vom nachfolgenden Höhen-Tiefen-Netzwerk getrennt.
Das bedeutet, dnß bis zu einer Ausgangsspannung von etwa :� V
Das hat den Vorteil, daß Rl3 nicht bestückt werden muß und
der Klirrfaktor < 1 % ist. Gleichzeitig ·wird damit die Grund­
man an Stelle dieses \.Viderstands z. B. einen 5-kO-Einstellregler
verstärkung des Netzwerks bei 1 kHz festgelegt. Befinden sich die
znm Einstellen des erwähnten Summenmischsignalpegels im
Regler in .Mittelstellung, ist der Spannungsfrequenzgang linear.
Gerät vorsehen kann (s. Bild 5.2). Für Stereobetrieb wird an
Die maximalen Anhebungen und Absenkungen sind ans den
dieser Stelle ein linearer Tandemregler, 2 X 5 k.Q, zur Balance­
„Technischen Da,ten" zu ersehen.
einstellnng eingesetzt (s. Bild 5.3).
Die Ausgangsspannung des Vorverstärkers wird am Emitter des
Transistors T6 über den Koppelelektrolytkondensator 013 ent­
nommen nnd liegt am Stecker 12. Die Betriebsspannung des
1 Vorverstärkers wird über die Z-Diode Dl auf 12 V stabilisiert.
1 T(17demregler Die Größe des Vorwiderstands R25 hängt von der angelegten Be­
1 21 2 x 5 kQ !in, m/t
2!
1 triebsspannung ab. G leichzeitig liegt die stabilisierte 12-V-Span­
gegenläLJfig geschalteten
R 13 nichtL-- _.....
S�h.f!i!_e!(l -1 R_!._.'J nicht
nung am Stecker 4 zur Speisung hochwertiger Kondensntor­
(Maximalbelastung 10 mA).
_

bestücken l 19
___

bestücken mikrofone
__

1 1 1J
+- 1 l
-+---- Am Stecker 1 befindet sich der Eingang des Endverstärkers.
1
Ist ein Snmmenregl<'r oder RnHsch- und Humpelfilter vorgeselwn,
1,8 181
so sind diese Dämpfungselemente zweckmäßigerweise vor den
-1 - _J+ 570.Q 510.Q i--------- 1 Eingang des EndverstärkerR zu schalten. Bei Stereobetrieb muß
L
Der
_____ _

nn dieser Stelle t'in Tarnlernregler vorgesehen werden. End-

99
!)S
v<·rst.iirk<•r ist fr1r ckn fktrif'h <tn BPtriehsspannnngen nn ter­ steuenmg der Endtrimsistoren dur<'h Überschreiten der Verlust­
;:;dii1·1llidwr l-li'dll· bz\\'. a11 s1ark schwm1kende11 �}'<llll!Ullf!;t'H leistung zu vermeiden. Die Begrenzersdnrnlle kann 1nit R4{) und
\· 1,rg·� selwn. lnlnlgt->dessc·n 111111.\ dif' Rrngrup1w sdll' 1.tl\ erliissig R46 für jede Halbwelle getrennt eing estellt \\erden. Dadurch ist
·1 · 11s
• ;
•. rirplcui
- � \\'1•1'(\t:•n. r ll\ f<:i111:·':i:°'I ,rnu
t""'
ht·wi1·kt. c-irt Ditfrn·llZ\ t·l'�d ii.rkt·l'
(�S nicht notwendig, für Tl2 und Tl3 gepaarte Transhltorcn ein­
\T7, T�)) eine sehr stabilt• :'.\[i ttens panrnm g und eiiwn grol.lt·n Ein-
zusetzen. Durch die Schutzdioden D;) uml DG wird Inversbetrieb
gangswiderstand. Eine Konstantstromquelle vom gemeinsa.men
über Tl2 und TI:3 vermieden.
1-i�mittNpunkt dieser Differenzstufe, bestehend aus T8 , D2, R27,
R:l2 lmd R:rn, bf'wirkt gute Gleichtaktunterdrückung und geringe
.Betriebsspannungsabhängigkeit. Sind die Anforderungen nicht 5.3. Schaltungsvarianten
uroß, so kann auf diese Stromquelle verzichtet und vom «:>r-
so ,..,
wähnh'n l�mitterptmkL Pin 18- . . . 22-kD-WidNstnnd gf'g('n \Vio Rchon erwähnt, knnn die Steekeinheit auch
mit pnp- End ­
:\lass<· u:esdwltr·1, w<·r<kn. 1\lit. dem F:iHstt>llrt·glt't R2!l ist. dit' transistorenheRtüekt werden. Geeignet dafür sind z.B.
nlle
�t'l1<1 1 w, Einstell u 11g dt·r \' Cl'stürkcr-l\l ittenspnnn nng mögl i<·h. Germanimnleistungstransistoren mit ei ner zuläss
: igen Kollektor­
bit· Ausg.rngs\\·eeh:-wlKp1rn11ung <lt>r DiffPrenzstufe liegt <Llll Ar­ Emitter-Spannung von 22 bis 60 V und einem
maximalen Kollek­
Jwitswiderstnrnl R:H und wird von dort nn die T reilw rs t n fe TlO torstrom 2 3 A. Dabei darf die angelegte Betrie
bsspannung n uc h
gd'ührt. l\Iit dt>m R eg l er R40 \.Vird die Kollcktor-Emittcr-Sp<tn­ im Leerlauf die zulässige Kollektor-Emitter-Spannung ni<:ht
�� ung rks Tra ns ist ors Tll und damit der Ruhestrom durch beide übersteigen. Geeignet sind die Ger rn an iu ml
eist n ngstransist or rn
Endtrans i stm Pn P ingcsh'll t. Dieser Transistor befindet skh in GD J(JO . . . GD 180, GD ,?40 ... GD?dJ, diP
ungarisclwn Tran­
thermischer Kopplung mit den Endtransistoren in der :Mitte dt' S sistoren .A8Z 1015 . . . ASZ 1018, .AD 14!),
AD .WO, die Tran­
genwirnmn:en K ühl körpers. Vom Kollektor des Transistors TlO sistor en OC :!fi, OC 27, 3 NU't3 .. . 't NU73
von TESLA, scl\\-­
wird die verstärkte \Vt:chselspannnng an die komplementären jetische Gernrnniumleistungstransistm·en bei Beach
tung der ( :e­
Treibcrtrnnsistmen Tl4 und Tm geführt. Sie bewirken einen häuseform und entsprechende BRD- oder japani
sche Äquivalenz­
genügend großen Basisstrom der En<ltransistoren und erzeugen typen.
die erforderliche Phasenumkehr für Tl 7. l\Iit einem Transistorpaar GD 24.?C läßt sich
beispielsweise eine
Die gegen den Signabusgang (Mittelpotential) liegenden 0,5-0- Ausgangsleistung von 15 \V, mit einem T ransist
orp aar ASZ JOJ(j
Widerstände (R49, R50) gestatten eine gewisse Linearisierung eine Leistung von etwa 30 \V, am 4 D Lashv
iderstand bei 37 V
der Ausgangsströme beider Endtransistoren und ermöglichen den Betriebsspannung erreichen.
Anschluß einer elektronischen Überst.rombegrenzungsschaltung. Aus Bild 5.4 sind die für Germaniumbcstüclrn
ng erforderlichr·n
Der Kondensator 018 bewirkt in Verbindung mit den T eiler ­ A nd er ungen des
Endverstärkers zu erkennen. Die mit einem Ring
wid<•rständen R:�G, R:{8 eine dynamische Steuerspannungsauf­ versehenen Buchstaben stellen Anschlußpunkte
oder Lötösen
sto<:k ung '.lllI' sicheren Durchsteuerung der Darlington-Endstuff'. auf der Leiterplatte dar und entsprechen dc'n
Stützpunkten der
Der Gegenkopplungswidersta,nd R35 bestimmt die GrundvC'r­ Silizium variante.
stärkung des EndverstärkerR. Eine weit ere Gegenkopplung führt Die Änderungen gegenü ber der Silizimnausführnna sind aerincr.
,.._, '--�
b 0 <':"".'
vom L autsp reehera nschluß über dt'll 8pannungsteiler R42, Ri34 fögig und betrefft'n im wf'sentlichen die Umpo
lung von TreibC'r-
und Ele kt rolytk ond <ms ato r Clü Phenfalls zur Basis des Trnn­ und Endtransistoren Tl4 ... Tl7, die Umsch
altung der End­
sistors H. Sie verkleinert die dur ch den Lautsprecherkoppelkon­ transistoren-Basis\viderstände R4 7, R48 und die Ä
nderung zweier
denstüor und den L antsp re ehf'r verursachten nichtlinenrC'n VPr­ Drahtbrücken.
z errun g( ' ll im unt('r<•n bzw. oberen F re qupnzbereich. Bei einer weiteren, in Bild 5.4 dargeste>llte n Varian
te ist die in der
Tl2 und Tl:3 begrenzen bei Übersteuerung des Verstärkers die f'lehaltung nach Bild 5 .1 am gemeinsamen Emittc
rpunkt der
Basis-l•:mitter-Spanmrng der Treib<>rtransistorcn. um eine Übn- Differenzstufe (T7, T9) liegende Konstantstromquelle
(R:�2, 'P8

1 \)l) 101
D2, R27, R33) durch einen hochohmigen Widerstand von 18 ...
-- - -- -- - - -- -- -- -- -- -- -- -- --
22 kQ gegen Masse ersetzt worden. Diesen kann man auf der
Leiterplatte an Stelle des ·Widerstands R32 anbringen. Der
Anschlußpunkt des Kollektors von Transistor TS ist für diesen
Fall mit einer Drahtbrücke nach der Masseleitung (z. B. Fuß­
punkt R33), zu überbrücken. Die oben aufgeführten Bauelemente
werden für diese Variante, die man dann wählt, wenn keine hohe
D1 SlX21/ Anforderung an Stabilität und Eingangswiderstand des End­
., 12
verstärkers gestellt wird, nicht bestückt.
Wird auf m ischbare Eingänge verzichtet, braucht nur einer der
[15
3 Mischeingänge bestückt zu werden. Die zwei anderen Eingangs­
�· transistoren und ihre Bauelemente entfallen dann. Sinngemäß
!., 7/.1
wv ·wird verfahren, wenn nur 2 Mischeingänge benötigt werden.
Auch die elektronische Überstrombegrenzung durch die Tran­
sistoren Tl2, Tl3 kann entfallen, wenn andere Sicherungsmaß­
nahmen vorhanden sind. Das trifft z.B. bei Hochstroml eistungs­
transi storen (Je> 10 A) in Verbindung mit einein relativ hoch­
ohmigen oder elektronisch gesicherten Netzteil zu. Dabei \verden
die Bauelemente Tl2, Tl3, D 5, D6 und R43 bis R46 nicht be­
stückt. Sollen der Eingangswiderstand und die zulässige Ein­
gangsspannung auf Kosten der Gesamtverstärkung erhöht wer­
den, so sind die Widerstände Rl ... R3 auf 560 kQ und die Wi­
derstände R7 ... R9 auf 10 kQ zu erhöhen. Die Gesamtverstär­
kung geht dadurch auf ein Drittel des ursprünglichen \Vertes
zurück. Der Eingangswiderstand beträgt dann etwa 500 kO, die
maximale Eingangsspannung 1 V.

R33"1 R34
(22k) 39
5.4. Aufbau und Bestückung
1,2k
©
Eine Einlagenleiterplatte mit den Abmessungen 90 mm x l50mm
--·- -------··--
- ·
- - - -- ___J bildet die Basis des gesamten Bausteins. An einer Stirnseite wurde
- - - Begrenzung der Leiterplatte eine 24polige Messerleiste nach TGL 200-3604 (ehemals Zeibina)
- ·- Bauelemente auf Kühlkörper angenietet. 3 M3-Schrauben mit Distanzstücken tragen einen
® Ansch/ußpunkte; Lötiisen Prof ilkühlkörper 03840 nach TGL 26151, auf dem sich isoliert die
Bild 5..t Elld \·erstärket mit Germaniumleistungstransistorcu 2 Endtransistoren Tl6, Tl7 und der Kompensationstransistor
Tll befinden. Bild 5.5 zeigt den kompletten Baustein. In der
Darstellung entsprechend Bild 5.6 ist der Kühlkörper abge­
schraubt. Dadurch sind die Bauelemente auf der Leiterplatte
sehr gut zu erkennen.

103

102
Zum Anfertigen der drahtgewickelten Emitterwiderstände R4ü
und R50 ist weichlötbarer 'Viderstandsdraht im Durchmesser
von 0,4 ... 0,8 mm gut geeignet, df'r eine Belastung von we­
nigstens 2 A verträgt. Zwei gleiche 'Viclerstandsdrii bte werden
·auf einen -Widerstandswert von 0,5 Q ± 10% ausgemessen. Dabei
ist die Widerstandstoleranz unkritisch. Die beiden Drähte müssen
nur vom gleichen Stück sein und gleiche Länge auf weisen. Die
Drahtenden werden blan
. k gekratzt und sauber verzinnt. Danach
sind über einen geeigneten Spiralbohrerschaft zwei \Vider­
standswendel, maximal 8 mm Außendurchmesser, 18 mm Länge
zu wickeln. Diese werden dann auf der Leiterplatte mit ihren
abgewinkelten Enden an den Lötösen weich angelötet. Zwei
davon bilden die Lötstützpunkte C und G, an denen auch An­
schlußleitungen, z.B. Litze 0,5 mm2, zu den Endtransistoren
angelötet sind. Die anderen Anschlußpunkte zum Kompensa­
tionstransistor Tl 1 und zu den Endtransistoren sind ebenfalls an
nü :\Jo11tagdcilc
Yoli.-iti\ 1Hl ig bc!>\ ii.ektcr J);_rnsteiu
11
Bild :, :,
,
Stiftlötösen geführt. Unterhalb der Lötöse G und des Wider­
stands R48 setzt man zwei Drahtbrücken ein, die je nach ver­
wendeten Leistungstransistor-Zonenfolgen eingelötet werden.
Auch die 'Widerstände R47, R48 sowie die Treibertransistoren
Tl4 und Tl5 sind je nach verwendeten Endtransistoren anzu­
ordnen. 'Vährend die Treibertransistoren in i hrer Lage um 180°
versetzt werden können, sind für die Widerstände R47 und R48
unterschiedliche Plätze vorgesehen. Die richtige Bauelementelagc
ist aus dem Stromlaufplan zu ersehen. Die Transistoren TIO, Tl5
und Tl4 sind durch ein Plastedistanzstück auf Abstand von der
Leiterplatte zu halten. Bei hohen Betriebsspannungen und großen
Ausgangsleistungen ist es zweckmäßig, die Transistoren 1'14 und
Tl5 mit aufsteckbaren Kühlsternen (bzw. Kühlflügeln) zu ver­
sehen. Alle Diodenplätze bis auf D2 sind znr Bestückung mit
Glas- oder Plastedioden geeignet. R.ichttyp für Siliziumdioden
ist die SA Y 40. Verwendet werden können alle Siliziumdioden
mit gleichen oder besseren Strom- und Spannungswerten. Als
Z-Diode Dl können die Typen SZX 21/12, SZX 19/12, SZX 18/12,
ZA 250/12 oder entsprechende Importtypen eingesetzt ·werden.
Die Diode D2 ist bei Verwendung der aktiven Stromquelle mit
T8 in jedem Fall in Plastausführung einzusetzen.
Abgleichwiderstände wurden aus Zuverlässigkeitsgründen nur
zur Einstellung der Mittenspannung und des Endstufenruhe­

Bild 5.G Hes\,i\cktc Lei(crplaUc (l�ülilkli1'11er ;1bgcscltl'anbL) stroms als Regler ausgeführt. Außerdem kann der Mittenspan-

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Bild 5. 7 Leiterbild Bild 5.8 Bauelementobestückung

nungsregler R29 nach erfolgtem Endabgleich durch einen Fest­


Transistoren des Höhen-Tiefen-Netzv.·erks ein. Zum besseren
widerstand ersetzt werden. Für R29 und R40 sind die stehenden
Abgleich werden jeweils 2 vViderstände in Reihe vorgesehen
Einstellregler für gedruckte Schaltungen "p "Kenngröße 1 nach
(Rlüa, Rl9a). Bild 5.7 zeigt das Leiterbild, in Bild J.8 ist die
TGL 11 886 vorgesehen. Es können aber auch die wesentlich
Bauelementebestückung zu erkennen.
zuverlässigeren Dickschichteinstellregler nach TGL 27 423/01,
Die Leistungstransistoren sind, durch dünne Glimmer- oder Hart­
Kenngröße 523.813 eingesetzt werden. Mit den Widerständen
pa.pierscheiben isoliert, auf dem Profilkühlkörper ungeschrauht.
RIO stellt man die Arbeitspunkte der Vorstufen, mit Rl9 die der

107
106
Zur besseren \Viirmcleituug ist zvt·ü;e\wn Transistor uud lsolier­
sch(>ibe Rowic z·wischen Isolierscheibe und Kühlkörper Silikon­
fett. NP 30 a ufz utr a gen . Die 1\13-Bcfrstigungsschrnuben sitzen in

Isolierbuchsen nnd sind durch Federringe gesichert. Über je einen


3-mm-Knbeh;chuh und Schaltlitze sind die Kollektoren mit der
Schaltung verbunden. An die Anschlußstifte von B<tsis und
Emitter werden die ..::\1H.;chlußleitumren
C,'
direkt angelötet. <., Bild t>.J!l
]\:. ii h 1 körJll' I' rn l'i a 11 t e
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Abmessungen fur Transistoren Abmessungen für Transistoren kbtnng


mit JO-mm-Absfand der ßetest1gungsbo.i'/rungen m1! lJ-1111rrAbstand der Befest1gungsbol1r1mgen

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(Al-Guß)

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lJild .).!I l.karhcildc .h.ühlkürverprollk U-JSJIJ uud ':.'lluulagez;11behör Bild 5.11 Abmessuugeu der Kühlkörpcnariault•. fiir Tra11;;i,,t up·11 111i t
23-mm-Abstand der Bcfestiguug:>bohr1111grn

1118
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gungsgev.rinde ein Kabelschuh mit einer am Punkt ,0 angelöteten
Masseleitung geklemmt. Tn Bild r:>.f) sind din Alrnwss1mgen der
hearhf•-it0h,n Kühlki-irp<·rprnf'iln 111111 d(·S Mnnt;1gf·z11lwhiirs <111gt·­

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�tdwn keine genormtt�11 h.i.1hlküqJ('l' z11r Vcrfr1gung, so karn1, bi;,;
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den zusätzliche Kühlflügel an den Leistungstransistoren
festigt. Einzelheiten sind aus Bild 5.10, Bild 5.11 und Bild 5.12 zu
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ersehen.

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5.5. Inbetriebnahme und Erprobung

!JO 7,5 Zur Inbetriebnahme und Erprobung des fümsteins ist ein be­
stimmter Mindestaufwand an Meßgeräten und Hilfseinrichtungen
erforderlich.
Als Meßgeräte werden m indestens 2 Vielfachmesser, ein Oszillo­
graf und ein RC-Generator (wenigstens mit einigen Festfrequen­
zen) benötigt. Zusätzlich ·wäre noch ein dritter Vielfachmesser,
ein Durchgangsprüfer mit Ohmmeter un d C'in Transistor- ockr
){,öhrenvoltmeter günstig.
Als Hilfseinrichtungen ·wird ein Adapter oder wenigstens eine
24polige Federleiste zum Anschließen der Betriebsspannung, d<>s
Lastwiderstands und der Hegler benötigt. Weiterhin sind ci n
4 Q, 20-W-Lastwiderstand und ein Schutzwiderstand 20 . . .

30 0, 10 vV zur Strombegrenzung erforderlich.


Beim Abgleich des Bausteins kann die für den Verstärker vor­
f..- _jJQ_ ______ -- ----
gesehene Betriebsspannungsquelle oder eine zusätzliche Gleich­

Hild 5.12 Ahmessirngcn der Kühlkörpenariantc für Trm18h-;toren mit spannungsquelle verwendet werden.
;10-mm-Ahstaud der Befestigungsbohrungen Vor Beginn der Abgleicharbeiten ist die ordnungsgemäße Be­
stückung der Steckeinheit zu überprüfen. Dabei ist auf richtige
Polarität der Elektrolytkondensatoren und Einhaltung dc·r
z,, ü-;cheu den Lei:<tungstra.nsistoren wird der Kompensations­ Widerstandswerte besonders zu achten. Auch Dioden oder
transistor Tl 1 <lurch ein Klemmblech auf dem Kühlkörper be­ Transistoren können falsch gepolt sein. Vor dem Anlöten d<>r
festigt oder mit E1J11sol aufgeklebt. Seine Anschlußdrähte werden Leistungstransistoren kontrolliert man mit einem Durchgangs­
111il. Sd1al1lit.ze v<'rliing0rt, isoliert 1111rl. an dio Lötösen N, 0, P prüfer ihre Isolation gegen den Kühlkörper. Transistor Tl 1 ist
:•ngdötct. lll'I' Pj'()f'ilkiihlkii1·pcr wird dur1·h : ; :)chraubcn l\13 und ebenfalls an die entsprechenden Lötösen der Leiterplatte anzu­
1 >i:-d-:•111.st ü1l,1· rnit. dn L1·if1'rpl;d lt' \'1Tl11111d1·11. Um den Kühl­ schließen. In Verbindung mit dem Stromlaufplan ist noch einmal
körper rnit. ,\lm;sP zu ,-erbinden, \\ ird unter eines der 3 Befesti- zu prüfen, ob die variantenabhängigen Bauclemclltc der gc-

110 111
wi"ihlkn Endtrnnsistm·0n richtig gt'sehalt0t sind. I1'iir R2;) setzt gC's d� n ltet. \\'e1m die Möglichkeit lwstC?ht, ist PS z,wcckmäßig, die

n11rn j1� 1wt·l1 \·1wg1·gdw110r Betriebsspannung folgemli·n \\'ider Bettwhsspn1111ung l1111gsam ;1uf dt·11 �11lhn:rf, l111cl1z11rr-gel11 1111d
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:-;t •llHI Pill: dnbt•i dit� St-r1i1nr111t'tt1d1rn,·· 1kf-; \'1·r:-;Hi1l1·1·� „,-11 l1c•„huc·ht ;.1._ \\ird
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t·1-> 1 \ ""11„ 1:-;. · ·

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ahzusd11tlt1·11 1111d d1•r Ha11:-;ü·in mwh ci11111al a11f 8chaft,frhlcr oder
u n 18 . . . 25 v: 820 n 5 % 25.412,
falsche Bauek�mente zu unkrsuc·hnn. Hat diü lktriebsspam11111(J"
u B 25 ... 40 V: 1,8 kD 5 % 25.412.
ihren Leerlaufsollwert erreicht, so wird der Npannungsmesse · �
.
zwischen den Kontakten 10, 11 und 6, 7 angeschlossen und mit
An Stelle der Abgleichwiderständc Rlüa und RIO wird ein Ein­
�em Einstellregler R29 die halbe Betriebsspannung am .Meß­
stellregler 22 kf2, für Rl9a und Rl9 ein Einstellregler 1 Mn, an
mstrument eingestellt. Dabei ist die Stromaufnahme des Ver­
Stelle R27 <>in Einstellregler 10 kQ*), an Stelle R33 ein 100-0-
stärkers zu beobachten. Der Strom sollte nicht größer als O I A
Widerstand*) und für CI4n, ein kern,mischer Scheibenkondensator
sein. Mit dem Ruhestromeinstellregler R40 ist ein Endsü;fen­
470 p]' provü;orisch eingelötet.
ruhestrom von 20 bis 30 mA einzustellen. Dazu muß der Kollektor
Die Einstellregler R29 und R40 sind a.uf rechten Anschlag zu
des TI6 vom Lötstützpunkt A abgelötet und ein Strommesser
stellen. An Stelle R45, R46 sind 1-kO-Einstellregler in H.eihe mit
zwischengeschaltet werden.
j1•weils einem 100-.0-Schutzwiderstand einzusetzen und auf
Zwischen Masse und Katode der Z-Diode Dl muß eine Spannung
größten Widerstandswert zu stellen. Soll der Ba.ustein im fertig
von 12 V± 0,5 V zu messen sein.
vorschalteten V crstiirker abgeglichen und erprobt werden, so muß
Über den 'Widerstand R32 (1,8 k.O) ist C'in Spannungsmesser zu
man mit je einer 24poligen Steckerleiste und t>iner li'ederleiste
schalten und mit dem Ersatzeinstellregler 10 kQ (an Stelle R27)
<�inen Adu.ptcr anfertigen. Als Verbindungsleitungen werden
am Spannungsmesser eine Spannung von 540 mV ± GO mV ein­
isolierte Sehaltlitzen (0,5 mrn2) angelötet. Eingangsleitungen und
zustellen. Da.rauf ist die Betriebsspannung abzuschalten, der
Leitungen zu dt>n Höhen- und T iefenreglern sind geschirmt aus­
10-k.O-Regler auszulöten und sein eingestellter 'Widerstands­
zuführen.
wert mit einem Ohmmeter auszumessen. An Stelle des Reofor­
Don Abgleich kann man aber auch außerhalb des vorgesehenen
Verstärkergehäuses an einem getrennten Netzteil vornehmen.

w rts wird ein Festwiderstand eingelötet. Sollte der gefun ene d
vV1derstandswert außerhalb der Normreihe liegen, so kann der
Dazu sind an eine 24polige Federleiste provisorisch die Betriebs­
\V'iderstand R33 noch um +25% verändert und ein geeigneter
spt1nnungszuführungen (Kontakte 2, 3, 10, 11) mit den ent­
Wert für R27 eingesetzt werden.
sprechenden Überbrückungselektrolytkondensatoren von 2200;iP,
Wird die Konstantstromquelle nur mit einem Festwiderstand von
der Auskoppelkondensator 2200 µF 40 V mit Lastwiderstand 4 .0
18 · · · 22 k.O bestückt, so entfällt diese Einstellung. Damit ist der
(Kontakte 6, 7, 10, 11), die Gegenkopplungsleitung vom Last­
statische Abgleich des Endverstärkers beendet.
widerstand nach Kontakt 9, je eine Brücke zwischen Kontakt 19
Als nächstes gleicht man den Vorverstärker ab. Dazu sind alle
und 21 bzw. 18 und 10, 11 sowie für Eingangs-, Summen_
- , Höhen­
Mischregler vorerst auf 0 und die Höhen-Tiefenregler in Mittel­
und Tiefenregler entsprechende, lineare Einstellregler zu löten.
stellung zu bringen. Die Betriebsspannung ist wieder einzu­
Der für den \Viderstand R27 provisorisch eingelötete Einstell­
schalten. Zwischen Masse und Emitter T4 schaltet man einen
rf'gler 10 k.O ist auf größten Widerstandswert*) und der Summen­
Spannungsmesser und stellt mit dem RIO-Ersatzregler eine
regler bzw. sein Ersatz auf 0 einzustellen. In die positive Be­

Sp nnung von 6 V± 0,2 V ein. Danach ist der Spannungsmesser
triebssp<tnnungszuleitnng vom Netzteil wird ein Gleichstrom­
zwISchen ]\fasse und Emitter T6 zu schalten und mit dem Rl9-
messer (Bereich 1,5 A) und ein Schutzwiderstand 20 . . . 30 .0
Ersatzregler ebenfalls eine Spannung von 6 V ± 0,2 V einzu­
stellen. Dann werden die Betriebsspannung abgeschaltet, die
*) lloi Yal'ianton ohne Konstantstromquelle, wie z. H. in der Schaltung
uach Bilu ;J i, entfallen diese Bauelemente.
•.
eingestellten Ersatzregler ausgelötet, ihre 'Widerstandswerte

112 1 1:1
Tabelle 5.1 Technische Daten des Transistoruniversa.Iverstärker­ festgestellt und entsprechende Festwiderstände in die Schaltung

hatrnteins gelötet. Da die gemessenen Werte meist nicht mit den Normwerten
der Widerstände übereinstimmen, kann der benötigte Wert durch
eine Reihenschaltung aus 2 Widerständen (z.B. Rl9, Rl 0a)
realisiert werden. Bei den Rl9-Abgleichwiderständen ist <ler
--------· ------

111axi111al(• .\ 11sg-a11g-,.:­
;,; panuung
höherohmige Wert immer an die Basis des Transistors '1'5 zu legen
(l.Jei f == 1 kHz; und anzustreben, möglichst mit einem Widerstand auszukommen.
RL = 4Ü) An Stelle des nicht benötigten Widerstands wird dann für Rl9a
Siliziumendtram;istoren 4 V 5,3 V 6,7 V 8,6 V 10,2 V 11 V eine Drahtbrücke eingesetzt.
Germaniumcndtran- Sodann ist die Betriebsspannung wieder einzuschalten. Die Span­
sistoren 4V 5,4 V 6,9 V 9 V 10,4 V 11,2 V nungen an den Emittern von T4 und T6 werden noch einmal
maximale Ausga.ugs-
gemessen und die gefundenen vVerte in die Geräteunterlagen ein­
leistnng
(l.Jei t = 1 kHz;
getragen.

HL =
4Ü) Die dynamische Erprobung beginnt mit dem Endverstärker. An
Siliziumeudtrnusistoreu 4 \V 7w 11,2 w 18,5 w 26 w 30 w den 4-D-Lautsprecherersatzwiderstand, der schon zur statischen
Gcrmaniumend­ Einstellung angeschlossen sein kann, wird ein Oszillograf und,
tl'a11sistorcn 4W 7,3 w 11,9 w 20,2 w 27 w 31,4 w wenn vorhanden, ein Transistor- oder Röhrenvoltmeter bzw. ein
l3ctl'iebsstromanfuahme empf indliches Wechselspannungsinstrument angeschlossen. Da­
(l.Jei Vollausstcuerlmg
bei muß man beachten, daß die .Masseanschlüsse von Oszillograf
f = 1 kHz)
nnd Transistorvoltmeter am .Massekontakt 10, 11 liegen und der
Siliziumendtransistoren 0,44 A 0,57 A 0,68 A 0,85 A 1,18 A 1,26 A
Gegenkopplungsanschluß 9 am Minuspol des Auskoppelelektro­
Gcrmanium-
lytkondensators angeschlossen ist.
end transistoren 0,50 A 0,6ß A 0,8 A 1,0 A l ,� ,\ 1,:1 A
Der obere Anschluß des Summenreglers (oder sein Ersatz) wird
Bctriebsspannungsberciclt l<! V .. . 40 V
Endtransistorcnruhc­
vorn Kontakt 12 der Buchsenleiste getrennt und über eine ge­
st1·oru 20 mA ... 50 m.\. schirmte Leitung mit dem Ausgang eines RC-Generators ver­
Klirrfaktor bunden. Der Masseanschluß des RC-Generators wird a.n Kontakt
(bei Vollaussteuerung) 18 geschaltet. Der Summenregler ist vorerst auf 0 zu stellen . Vor
Frequenzbereich (-3 dB) 30 Hz ... 25 kHz dem Einschalten der Betriebsspannung ist der Schutzwider­
Eingangswiderstand et,va 100 kÜ stand in der Betriebsstromleitung zu überbrücken oder zu ent­
maximale Eiugaugs fernen. Zweckmäßigerweise wird eine flinke Schmelzsicherung
spaunung
in der Größe des maximal zu erwartenden Betriebsstroms an
(ohne Mischregler) Ueff = 300 mV
Eiugänge
seine Stelle geschaltet. Am RC-Generator wird eine Frequenz von
3, mischbar
Einga.ugs­ 1 kHz eingestellt und die Betriebsspannung des Bausteins einge­
empfiudlichkeit schaltet. Dabei ist die Betriebsstromaufnahme zu beobachten.
(bei Vollaussteuerung
Da der Eingangsregler noch auf 0 steht, darf die Stromaufnahme
f = 1 kllz) Ucrr 5 17 mV
maximale Tiefeu- und
nicht größer als 50 bis 100 mA sein. Der Verstärkerausgang ist
Höhenanhebung mit dem Oszillografen zu überprüfen. Es dürfen keine Verkopp­
(bei 40 Hz und 20 kIIz) etwa. Sfach � + 18 <lB lungserscheinungen bzw. Schwingungen auftreten. Die Stör­
maximale Tiefcu- uud
spannung (Brummen oder Rauschen) sollte nicht größer als
Höhenabsenkung
30 mV sein. Danach ist der Summenregler itufzuregeln und d<'r
(bei 40 Hz und 20 kHz) etwa 1 Ofach �' -20 dB

114 115
Der den Einsatz der elektronischen Sielwrung bestimmende
Verstiirk0r1wsgang mit dem Oszillografen zu beobachten. Die
l\faxirnalstrom richtet sich nach dc'm maximal zulässigen Kollek­
!-kHz-Frequenz muß sauber, ohne erkennbare Verformungen
torstrom der Endstufentransistoren. Ro entspricht B. der
und Überna.hmeverzerrungen abgebildet werden.
z.

maximale Kollektorstrom von 3 A bei den Germaniumtypen


Das Eingangssignal wird jetzt so lange vergrößert, bis die Schei­
telpunkte der Sinuskurve am Verstärkerausgang begrenzt werden. GD 242 . . . GD 244 einem Effektivwert von 3 A/�!i === 2,12 A.
Die Begrenzung muß etwa, gleichmäßig an beiden Halbwellen Auf cliescn \Vert wird die Sieherung oingeskll t. n,1 dPr minimale
eintreten. Ist da,s nicht der Fall, muß die Mittenspannung mit dem Atd3em\·idcrst.and des Ven.;tärkers 4 Q und die nwxima.lc Be­

Regler H2!) geringfügig korrigiert werden. Die Ausgangwechsel­ triebsspannung 40 V bot.ragen, kann für größere I„eistungstran­

spannnng, bei der die Begrenzung gerade einsetzt, wird gemessen sistoron ein Sicherungseinsatzpunkt bei 1crr 3, 18 A festgelegt

und in die Geräteunterlagen eingetragen. Bei gegebener Betriebs­ werden. Der \Vechselstrommesser wird in Reihe mit dem Last­

spannungsgröße muß sie etwa den vorgegebenen \Verten ent­ widerstand geschaltet und dieser so lange verkleinert, bis der

sprechen. l\faximalstrom erreicht ist. Danach verkleinert man d ic an Stelle

Bei dieser Aussteuenmg ist, die Betriebsstromaufnahme des Bau­ der Widerstände H45, H46 eingesetzten Einstellregler so lange,

steins nnd durch Umschalten des Transistorvoltmeters a.ll dc11 bis eine Begrenzung des Ausgangssignals gerade zn erkennen ist.

8i11ga11g l die orforclerliclw Einga.ngHwcchsclspannung für Voll­ Nach .Abschtdten der Betriebsspannung werden die eingestellten

aussteuerung zu messen. Die gefundenen \Vcrte sind chcnfalh; i11 \Yiderstandswerte von Schntzwiclerstand plus Einstellregler

die Geräteunterlagen einzutragen. Aus dem Verlüi.ltniH von Aus­ gemessen und entsprechende FeRtwidcrstände eingcset;r,t.
gangs- zu Eingangswechselspannung läßt sich die Spannungi,;­ Danach sind bei a.bgcschaltetem Verstärker der RC-Gencrator
verstärkung des Endverstärkers ausrechnen. I und seine Anschlußleitung vom Snmmonregler zu entfernen und
�ur Aufnahme des :Frequenzgangs des Verstärkers wird die 1- der Lantsprccherersatzwiderstand abzuklemmen. Wird jetzt die
kHz-Ausgangsspannung etwa auf ein Viertel des \Vertes der Endstufe wieder eingeschaltet, so d1uf anch bei voll aufgedrehtem
Vollansteuerung reduziert und danach, beginnend bei 1 kH z , die Summenregler (empfindlicher Regleranschluß von Kontakt 12
Frequenz des HO-Generators so lange verringert, bis die Aus­ getrennt) keine Selbsterregung des Endverstärkers auftreten.
gangsspannung auf den 0,7fachen \i\Tert (-3 dB) der Spannung Dmnit ist die Erprobung des Endverstärkerteils beendet..
bei 1 kHz zurückgegangen ist. Damit ist die untere Grenzfrequenz
Zur Inbetriebnahme des Vorverstärkerteils wird die Stromver­
gefunden. Diese liegt etwa zwischen 30 und 40 Hz. Die obere
sorgung abgescha,ltet und der Summenregler vor dem Endver­
Grenzfrequenz wird ebenfalls, wieder beginnend bei 1 kHz, durch
stärker auf 0 gestellt. Der Lautsprecherersatzwidersto,nd ist
Erhöhen der Frequenz ermittelt, und zwar so lange, bis die
wieder anzuklemmen. Oszillograf und Transistorvoltmeter (hier
Amplitude der Ausgangsspannung auf den 0, 7fachen Wert gegen­
darf kein einfaches Zeigerinstrument verwendet werden, da die
über dem \:Vert bei 1 kHz zurückgegangen ist. Dieser Punkt soll
Belastung des Ausgangs zu groß wäre) sind zwischen Kontakt 12
bei etwa 15 bis 16 kHz liegen und kann mit dem provisorisch
und 18 zu schalten. Ein Eingangsregler des .Mischverstärkers,
eingelöteten Kondensator Cl4a korrigiert werden. Die Redu­
z. B. am Kanal l,' wird auf größte Empfindlichkeit gestellt, die
zierung der Ausgangsspannung bei Aufnahme des Frequenz­
zwei anderen Mischregler bleiben in Nullstcllung. Der HO-Gene­
gangs ist bei Germaniumleistungstransistorbestückung unbedingt
rator wird an den Mischeingang 1 angt>schlossen und sein Ampli­
einzuhalten, da andernfalls die Leistungstransistoren durch
tudemegler auf 0 gestellt. Danach ist die StromversorO'UnO'
thermische Überlastung bei hohen Frequenzen zerstört werden. b 0

wieder einzuschalten. Beim Durchdrehen der Höhen-Tiefen-


Zur Einstellung der elektronischen Sicherungstransistoren Tl2,
regler darf keine Selbsterregung des Vorverstärkers auftreten.
Tl3 wird der Endverstärker mit !-kHz-Signal angesteuert und
Höhen- und Tiefenregler werden in Mittelstellung gebracht und
das Ausgangssignal am 4-D-Ersatzwiderstand auf Maximalaus­
an den Eingang ein !-kHz-Signal gelegt.
gangsspannung eingestellt.

117
lHi
Am Vorve.n.,;ti.irkcrau:sgang 12 muß :sich eine unv erzerrte 1-kHz­
dingt erforderlich. Isolierte und mit Massepotential verbundene
Sinll s spanuung von U err :J V + 0,3 V einstelkn lassen. Tritt eine
M etallfolie oder kupferknschiertes Basism<Ül'l'i;tl wird unter cl0n
g e ringe eiuscitige BPgrl'n;r,ung bei Übersteuernng auf, so ist mit
Baustein gelegt und an den Seiten hochgezogt'n. Allc>l1 dit· Bllcli­
de m Rrn-Abgleichwiderstand gleichmi.ißige Begrenzung einzu­
senleiste mit den Steckverbindern sollte in di<':-Jt' Neltin1illll" t•itt-
stellen. Bei 3-V-Ausga,ngs"\vechsclspttnnung mn Ausgang 12
.�

bezogen werden. Voraussetzung ist außenll'111, tLd.I die B<·trit·b:-;-


sclrnltei man das Transistorvoltmeter an den Verstärkereingang
spannungsversorgungsanschlüssc 1111mitteluar am �tcckv<'rbiudt·r
nu1, mißt die für die Maximalaussteuerung des Vorverstärkers
mit Elektrolytkondensatoren ?:: 2000 pF überbrückt sind.
erforderliche Eingangswechselspannung und errechnet die Ver­
stiirkung des Vorverstärkerteils. Die maximale Eingangsspan­ Durch Aufdrehen des Tiefenreglers wird die Sicherheit gegen
nung (ohne :Mischregler) liegt bei 300 ... 330 m V, so daß sich Verkopplung über die Versorgungsleitungen erprobt. Sollte es

für den Vorverstärker eine Spannungsvorstärkung von 9- bis dabei zu Selbsterregung mit niedrigen Frequenzen kommen, so
lOfaeh ergibt. Die anderen :Mischeingänge werden sinngemäß ist zu prüfen, ob die Masseleitungen des Versuchsauf baus Strom­
überprüft. schleifen bilden oder eventuell zu geringer Leitungsquers chnitt

Es schließt siuh die Erprnbung des Höhen-Tiefen-Netzwerks an. verwendet wurde. \Vird die Spannung des a11f 1 kHz eing estellten
Dazu werden die Höhen-Tiefenregler auf maximale Anhebung RC-Generators angelegt, so muß am Ausgang des Endverstärkers
gcstdlt, die Eing an gs s pan nung reduziert und durch Verändern ein sauberes Sinussignal anliegen nnd sich auf maximale Aus­

der :E ing a np;freque nz die tiefe und hohe :Frequenz mit der größten gangsleistung ohne Verzerrungen einste l kn lassen. Treten bei
Amplitndc am Ausgang 12 gesucht. Sind d i ese Punkte gefunden, aufgedrehtem Tiefenregler niederfrequente Signa,lmodulationen

so wird die Eingangswechselspannung so eingestellt, da,ß U err auf, so ist das auf eine schon oben erwähnte Vcrkopplung über die
2 V <1m Ausg1u1g 12 anliegt. Bei konstanter Eingangsamplitude Versorgungsleitungen zurückzuführen. In diesem FaJI kann z.B.

wird jetzt 1Yied<:'r 1 kHz eingestellt. Das Verhältnis von l\ilaximal­ die Verlegung des Anschlußpunkts der Vorverstärkermasse

amplitude bei hohf'r und niedriger :Frequenz zur Amplitude bei (Kontakt 18) von Kontakt 10, 11 nach dem Minuspol des Elek­

l kHz ist, die nu1ximalc Höhen-Tiefen-Anhebung. Sinngemäß trolytkondensators bereits helfen. Als nächstes wird der Höhen­

kann bei zurückgedrehten Höhcn-Tiefonregleru die maximale regler aufgedreht. Ungenügende Schirmung oder Kreuzungen

Ab senkung gegenüber l kHz bestimmt werden. Bei l\fittelstcl­ zwischen Eingangs- und Ausgangsleitungen führen leicht z11
lung der Höhen-Tiefomegler muß der Jfrequenzgang etwa von Selbsterregung des Verstärkers mit höheren Frequenzen. Das ist,
40 Hz bis rn kHz linear sein, d. h., die Amplitude darf, bezogen außer am Oszillografen, durch eine starke Betriebsstromzu nah ­

auf 1 kHz, nicht unter den 0,7fachen \Vert sinken. Ist dieser me zu erkennen.

Abglt>ieh beendet, so wird die Betriebsspannung abgeschaltet, Dieses Schwingen ist meist nicht hörbar, muß aber unbedingt
und an Stelle der Einstellregler werden entsprechende :Festwider­ vermieden werden, da es zur Zerstörung der Endtransistoren
stände einge lötet .
bzw. bei nur zeitweisem Einsatz zu einer unsauberen Tonwieder­
Zur dy n a m ische n Über p rüfun g des gesamten Bausteins werden gabe führt. Notfalls sind die Kondensatoren 014a bzw. CI 7 etwas
Oszillograf und Transistorvoltmeter wieder an den Lautsprecher­ zu vergrößern.
ersntzwiderstand geschaltet., den Summenregler und den Misch­
Nach diesen Tests ist der Verstärker noch einmal über den ge­
regler, an dessen Eingang der RC-Generator angeschlossen ist,
samten Frequenzbereich zu prüfen. Dazu wird die Ausgangs­
dreht man voll auf. Der Amplitudenregler des RC-Generators
spannung bei l kHz auf die O,lfache Maximalauscrancrsspannnncr
b b b
wird vorerst auf 0 gestellt und die Betriebsspannung eingeschal­
eingestellt und die Frequenz des RC-Generators nach niedrigen
tet. Da der gesamte Baustein eine große Verstärkung und hoch­
bzw. nach hohen :Frequenzen verändert. In Mittelstellung der
ohmige Eingä n ge anfweist, ist eine gute Abschirmung zur Ver­
Höhen-Tiefenreglcr muß sich ein etw<1 linearer Frequenzgang
meid ung von Selb�t;encguug und Brnmmcinstreuungcn unbe-
von 40 Hz . . . 15 kHz ergeben, bei voll aufgedrehtem Höhen-

118
119
Tiefenreglern muß eine mindestens 7- bis lOfache Überhöhung an leiste zu schrauben. Die Federleiste wird nur auf die Messerleiste
<len Eckfrequenzen festzustellen sein. aufgesteckt.
Achtung! Sind als Lei'.stimgstransistoren Ger maniumtypen ein­ Bevor die externen Leitungen an die Federleiste gelötet werden,
kHz die Ausgangsspannung
gesetzt, so darf bei Frequenzen über 3 sind ihre Federn sorgfältig zu säubern und die Federanschlüsse
nur kurzze itig den0,3/achen Maximalwert erreichen (thermische zu verzi nnen. Danach kann man die externen Leitungen anlöten.

Überlastung durch Phasenverschiebung bei hohen Frequen ze n) . Da der Steckverbinder aus thermoplastischem Material b esteht,
das sich bei Erwärmung verformt, darf nur bei eingesteckter
Zuletzt wird der Verstärker noch mit offenen Eingängen geprüft.
l\Iesserleiste an den Federanschlüssen gelötet werden. Die Lötzeit
Dazu sind alle Leitungen von den Eingängen zu entfernen und
soll nicht über 3 s betragen.
alle Regler in Maximalstellung zu bringen. Es darf kein Schwingen
Große Schwierigkeiten treten immer wieder durch unsachgemä­
oder zu großer Brumm auftreten. Ist das der Fall, so sind die
ßen elektrischen Aufbau auf. Ungenügend niedriger dynamischer
Eingänge nicht genügend geschirmt, oder es verlaufen Ausgangs­
Innenwiderstand der Betriebsspannungsquelle und Masseschlei­
neben Eingangsleitungen.
fen führen zu Verkopplungen über die Versorgungsleitungen, die
Die Funktion der elektronischen Sicherung bzw. der Strombe­
durch periodische Kippschwingungen niedriger Frequenz ( < 50
grenzungsschaltung wird durch allmähliches Verkleinern des
Hz) zu erkennen sind. Ungenügende Schirmung der rela.tiv hoch­
Lautsprecherersatzwiderstands bei voller Aussteuerung des
ohmigen Verstärkerei ngänge bzw. Eingangsleitungen, ungeeigne­
Verstärkers mit 1 kHz geprüft. Ab Einsatzpunkt der Strombe­
te Lei tungsführung von Ein- und Ausgangsleitungen nebenein­
grenzung darf der Betriebsstrom des Bausteins nicht mehr zu­
ander führcn bei aufgedrehten Höhen-, Tiefen-, Misch- und
nehmen. Für diese Prüfung muß die Betriebsstromquelle etwa
Summenreglcrn zu starken Brummerscheinungen und vor allem
3 A abgeben können. Nun kann der Baustein mit Lautsprecher
znr Selbsterregung mit einer hohen Frequenz. Zur Vermeidung
und Tonfrequenzquelle gehörmäßig überprüft werden.
dieser Fehler sind folgende Punkte zu beachten:
- Die Betriebsspannungsanschlüsse jedes Bausteins (2, 3, 10,
11) sind u nmittelbar an der Federleiste auf kürzestem ·w ege
5.6. Geräteaufbau und -prüfung
mit einem Elektrolytkondensator> 2000 µF zn überbrücken.
- Die Masseanschlüsse (nicht Gehäuseanschlüsse!) von Eingangs­
Beim Auf bau eines Verstärkers aus Universaltransistorverstär­
und Summenreglern sind einzeln mit dem Massekontakt 18
kerbausteinen sind mehrere Gesichtspunkte zu beachten.
der Steckerleiste zu verbinden. Das gilt ebenfalls beim Aufbau
Die Bausteine können waagerecht oder senkrecht montiert werden. eines Stereoverstärkers für die Massea,nschlüsse des Balance­
Die 24polige Federleiste wird entweder an der Grundplatte ange­ reglers und der Tandemmischregler, von denen jeder zum Kon­
schraubt (Distanzstücke unterlegen) oder bei senkrechter Mon­ takt. 18 des zugehörigen Baust.eins zu führen ist.
tage an einem Gestellrahmen „schwimmend" befestigt. Die Lei­ - Die Masscansc:hlüsse der Eingangsdiodenbuchsen (2) müssen
terplatte wird in Plasteschienen geführt, die entweder i m Ge­ a.n die Massoa.nschlüsse der jeweiligen Mischregler geführt
stellrahmen eingeknöpft oder an die Grundplatte geklebt werden. werden (bei Stereobeschaltung zum Minuspol des Netzteil­
Stellt man nur geringe Ansprüche an Service und Auswechsel­ elektrolytkondensators).
barkeit, so können an die der Steckerleiste entgegengesetzt - Der l\fassekontakt 18 ist auf kürzestem vVege mit dem Minus­
liegenden Ecken der Leiterplatte 2 Löcher gebohrt werden, und pol des oben angegebenen Überbrückungselektrolytkonden­
man kann den Baustein auf der Metall- oder Holzgrundplatte sators zu verbinden (Schaltdraht Durchmesser> 0,8-mm-Cu).
anschrauben. - Bei Stereoau f bau werden von den Massepunkten 10, 11 jedos
Dazu sind etwa 5 mm lange Isolierstoffdistanzrollen unterzulegen Bausteins getr ennte 1\fasseleitungen, Durchmesser= 1-mm-Cu,
und 2 Befestigungsschrauben durch die Nietlöcher der Stecker- zum Minuspol des Netzteilelektrolytkondensators geführt.

120 121
- Ein- und Ausgangsleitungen (die Gegenkopplungsleitung 9
einander die l\'IiRrhregler nufgcdrt·ht (die EingnngsbuehsPn Hind
ist a nch als Ausgangsleitung zu betrachten) sind soweit wie
nicht durch externe Geräte beschaltet), so darf die Brumm span­
möglich voneinander entfernt zu verlegen. Das gilt übrigens
nung am Ausgang bis maximal 1 % der Spannung bei Vollaus­
auch f ür die Anschlußdrähte der Endtransistoren auf dem
steuerung ansteigen. Kippschwingungen di'trfen auch jetzt nicht
Baustein, deren Schlaufen nicht gerade über dem Eingangs­
auftreten.
verstärker liegen dürfen.
Als zweites überprüft mn,n die Schwingsicherheit bei hohen Fre­
- Zur Vermeidung von Brummeinstreuung ist unter der Leiter­ quenzen. Dazu ist der Tiefenregler in Mitte lstellnng zu bringen.
plattenaufnahme eine iso lierte Meta l lfolie oder ein dünnes Summen- und Höhenregler werden voll auf ge d reh t. Die }\fisch­
Metallblech anzubringen, das zweckmäßigerweise auch noch regler befinden sich vorerst in Nullstell ung. \Verden diese nun
an den Längsseiten des Bausteins hochgezogen werden kann. nacheinander langsam auf größte Verstärkung gedrrht, so darf
Auch die Steckerleiste sowie die Eingangsbuchsen kann man sich bei keiner Reglerste l ln ng mit dem Oszillografen ein Schwing­
mit Metallfolie oder knpforkaschiertem Leiterplattenmaterial einsatz feststellen lassen . Das gilt auch, wenn a.llt\ l\fo>chregler
abs chirmen. Diese Schirmbleche bz\v. -folien werden unter­ in ]\faxirnalstellung sind und der Snmmenregll'r hctiitigt wir d.
einander und mit den Massestcckcrn 10, 11 verbunden. Das Sollte es trotz sorgfältigstem Aufbau und ausreichender Schir­
gkiche gilt für die Gehäuseanschlüsse der Regler und Eingangs­ mung noch zum Schwingeinsatz kommen, so kann man die ](on­
bu chs en. All e Schirmteile kann man schleifenförmig verbin­ densatoren Cl4a (Richtwert 470 pF) oder Cl 7 (150 pF) auf
den. 1'.:s ist nur da ra u f zu achten, daß sie nicht als Signalleitung Kosten der Höhenanhebung etwa s vergrößen. Anch durch Ver ­
benutzt werden. kleinern von R42 oder R35 läßt sich die Stabilitiit cve11tnPll wieder
- Die Leitungen zn den Reglern sind geschirmt zu verlegen. Alle herstellen.
Sehinnungen >Yerden einseitig z.B. an die Gehäuseanschlüsse Nach dieser Prüfung kann auch der Ticfenroglcr wieder anfge­
der Regler angeschlossen. dreht werden. Treten auch danach keine Instabil itä te n und zu

- Setzt man alle Regler auf ein Montageblech, so braucht nur große Störspannungen auf, so k önnen die V erstärkerkanälc, die

ein Gehäuseanschluß der Regler mit den Kontakten 10, 11 Höhen- und Tiefennetzwerke und die Gesamtvorstiirkung durch

verbunden werden. Anschluß eines RC-Generators gemessen word en . Aneh die stati­
schen vVerte, wie Betriebsstromaufnahme, Ruhcstromaufnu.hme,
Der Erfolg der durchgeführten Maßnahmen kann nur im fertig
Betriebsspannung ohne Aussteue rung und bei Vollaussteuerung,
geschalteten Gerät geprüft werden. Dazu ist an den Lautsprecher­
sind zu messen. Alle gefundenen ·werte werden in den Geräte­
anschluß des zu prüfenden Bausteins ein 4-0-Ersatzwiderstand
unterlagen eingetragen, um sie bei eventuell auftretenden spä­
zu schalten und an diesem Oszillograf und Transistorvoltmeter
teren Ausfällen zu Vergleichsmessungen zur Verfügung zu haben.
anznschlicßen. In die Plus-Zuleitung von der Originalbetriebs­
spannungsquelle zum Baustein ist ein Gleichstrommesser > l,5A
sowie ein Schutzwiderstand 15 ... 20 Q > 10 W zu schalten.
5.7. Betriebsspannungsversorgung
Zuerst überprüft man die Verkopplung über die Versorgungs­
leitungen. Dazu sind Summen- und Tiefenregler auf volle Ver­
Der Verstärkerbaustein kann je narh t'rforclcrlichPr Ausgangs­
stärkung, der Höhenr<'gler auf größte Höhenab
. senkun g und die leistung und Übertragungsqualität nn clf'n unterschiedlichsten
l\Iischreglcr auf 0 zn stellen. "Wird jetzt die Betriebs spannung
Stromversorgungsteilen betrieben werden. Da l'S in der Fach­
zugeschaltet so di'trfen am Oszillogra.f keine periodischen Kipp­
literatur genügend Bauanleitungen über Stromversorgungsteile
,

schwingungen zu sehen sein. Das gilt auch für die Stromauf­


gibt, werden die Forderungen an ein Xetzteil uur noch einmal
nahme des Bauskins. die nur etwa, den 3fachen \Vert des e inge­
allgemein abgehandelt und am Beispiel eines ausgeführten Stcreo­
stellten Endstufcnrnhel'ltroms betragen darf. \ V e rde n nun nach-
stromversorgungsbausteins gezeigt.

1')9
123
..,„
Beim Bau des Netzgeräts ist unbedingt die Einhaltung der
Beim Entwnrf des Netzteils mnß man beachten, daß die zu er­
Siehcrlwitsforderungen nach 1'GL 200-704/i, A 1 1 sgabe fl/7 1 Netz­
reichende Ausgangsleistung des Verstärkerbausteins neben dem
netricbu1P ilrkfi'oniachP llei1ii!]HiifP Sirhcrheitsforderu.ngen und
Lautsprecherwiderstand und dem maximal z u läss igen Kollektor­
--

1jf'iifiU1!Jtii; '7.li he<1c·l1t1·11. s„ lllUl.i '/„ 1·:. dt�J' NAtztl';UlRformatoJ'


strom der Endtransistoren unmittelbar von der a,nfü�genden
·

c'i11er J;-;olationsprii f'tmg zwi;-;d1t·11 Pri111iirwidd1111,!.!; t111d l\.(•rr1


Betriebsgleichsp annung abhängig ist. Die m a ximal für diesen
sowie zwischen Primärwicklun g zu 8Pkuütlärwicklung mit
Baustein zulässige Betriebsgleichspanmmg liegt bei 40 V + 10%
und wird dnrch die zulässige Betriebsspannung der E lektroly t ­
2000 V,......., unterzogen werden. Diese Prüfung sollte man in einer
Fachwerkstatt durchführen lassen. Das gleiche gilt für die An­
kondensatoren und Transistoren bestimmt. Damit sind die Grenz­
fertigung eines Netztra.nsformators, wenn kein solcher käuflich
werte, die an
. ch bei Leerlauf des Verstärkers nicht überschritten
zu erwC'rben ist. Da, bei Ton frcqnenzgeriiten dns Schutzleiter­
werden dürfen, vo rgegeben . Das heißt, daß die nrnximal Rekun­
Jirinz·iJ! iiußcrst selten angewendet werden kann - den Schutz­
däre Trn.nsformatonn·chsclspannung für <'in unRtabilisiertC's
lc-it<w mi"1ßt.e nrnn in diesem Fall mit der Gerätemasse verbinden,
Netzteil nicht größer als 28 V sein darf , denn im Leerlauffall
wa8 zu süwk<'n Brunnnstörungcn fühn•n wi"irde -, winl b0i dil Scn
lädt sich der dem Gleichrichter nachgeschaltete Glättungskon­
'

Geräten <li<� Sch u tzrn aßnahmc 1solieru.ng nngewcnd(�t. Dn,zn muß


densa tor ttuf den Scheitelwert dieser ·wc ch sels pannung (� 40 V)
das fertige Net.zger�it noch einmal mit 2000 V \Vechselspannung
auf.
zwischen Primärwicklung des Trnnsformak1rs und Uerätemasse
Die Sekundärwicklung wird für etwa den l,5fachen \Vert des
g0prüft werden. Alle mit l\!L.tsse verbund enen und der Bcriih­
zu erwartenden l\Iaximalstroms Ewsgelegt. Um eine möglielrnt.
nmg zu gän glichen l\letallteile, wie Buchsrn, Hcglcra clu;;cn usw„
niederohmige, br umrnfreie Betriebsspannungsquelle zu erhalten,
sind nach Möglichkeit gegen unmittelbare Berührung zu isolieren
ist immer eine Zwciweggleichrichtung vorzusPhen, die entweclet·
oder wenigstens zu verdecken. Für Steckbuchsen und ge schir mte
dureh eine Brückengleiehrie:htung oder durch 2 Dioden in 1\Titkl­
punktschaltung realisiert werden kann. Die letztgen a nnt e 8chHl­
Geräten nseh 1 nßkn brl sollte man 1111 r isoliNtc A usfii hnmgen Y(']'­
wenden.
tung ben ötigt zwar nur 2 Dioden, erfordert aber die dopp0itf'
S ekundär windungszahl auf dem Ketztra nsformat or. Dabei ist
gegenüber der einfachen Sekundärwicklung bei Brückengl eich­
richtung nur etwa der halbe Drahtquerschnitt erforderlich . Bei
einem unstabilisierten Netzteil bestimmt die Kapazität des Glät­
tungselektrolytkondensators im 'vesent.lichen den Innenwider ­

stand des Netzteils und die Größe der Brnmmspannnng. Durch


eine dem Glättun gskon densa t or nachgeschaJt ete Drossel und
einem weiteren Elektro lytkon densator läßt sich die Restwellicr-
o

keit der Betriebsspannung beträchtlich verringern. Der Glättungs-


kondensator sollte eine Ka pa zität von einigen tausend Mikrofa rad
haben. Die Gleichrichterdioden •verden durch den Lttdestrom­
stoß des E lektrolytkonde1rnator s beim Einschalten des Netz teils
sehr stark be 1rnsprucht. Um ihre Zers törun g zu vermeiden, muß
man deshalb bei zu geringem Innenwiderstand v on Transforma­
tor und Gleichrichterdioden einen Schutzwiderstand in die Dio­
denleitung schalten. Primär- und Sekundärseite des Net.ztra rn; ­

formators sind durch je eine Schmelzsicherung vor Überlastung


und Kurzschlüssen zu schützen.

12-1
Der Stromversorgungsbaustein ist für 2 getrennte Betriebsspan­
01
nungen ausgelegt. Jeder Gleichrichter besteht aus 2 Silizium­
3 dioden in Mittelpunktschaltung. Die Dioden werden durch kera­
1,2 A2 mische Kondensatoren für höhere Frequenzen überbrückt. Jede
4 6,8n
A1 Gleichspannung wird durch einen nachgeschalteten Elektrolyt­
02
5
kondensator 2200 µF, 40 V geglättet. Zur Speisung des Stereo­
SY200 C2
220V 2 AJ verstärkers werden die Minuspole beider Betriebsspannungen
50Hz 0 6,8fJ verbunden.
24 Steht für die Baugruppe Netzteil mehr Platz zur Verfügung, so
CJ
g [5 können die Elektrolytkondensatoren auf je 4700 lt�', 40 V ver­
JOVJA
BP 2200µ
OJ 6,8n größert werden. Man erreicht damit eine geringere Brummspan­
Sß 7 10 l.OV 21
nung am Verstärker. Wickel- und Montagean gaben für den
5Y200
81 Netztransformator sind aus Tabelle 5.2 zu ersehen. Soll ein LL­
1! Cl. 18
83 C6 30V1A Transformatorkern verwendet werden, so ist zu beachten, daß
8 12 6,8fJ 40V 2200µ 15 die Wickeldaten nur für Texturblech gelten. Dynamoblech er­
fordert größere \Vindungszahlen.
SY200

Bild 5.14 Stromversorgungsbaustein für Stereovcrstärkcr

Tabelle 5.2 Bauvorschrift Netztransformator für Stereover­


Bei der Anordnung des Netztransformators ist zu beachten, stärker
daß er ein mehr oder weniger großes magnetisches Streufeld hat,
Kern LL60/20 TGL 3015, Blech LL60 X 0,35 1�· 13G TGL 14342 (Textm·)
das z.B. den magnetischen Tonabnehmer von Plattenspielern,
Blechzahl etwa 2 X 55 wechselweise, vollstopfen. Jochverstärkung 4 x G.
dynamische Mikrofone und Bandgeräte stört. Mit magnetischen
Elektrischer Aufbau nach Bild 5.14;
Schirmungen ist dabei wenig zu erreichen. Durch Drehen des primär: 220 V, 1840 \Vdg„ Le 0,3-mm-Cu Polyester
Transformators wird in einem solchen Fall die geringste Brumm­ sekundär: 4 X 28 V, 1 A, 4 X 246 Wdg„ Le 0,7-mm-Cn Polyester
Vi'ickelvorschrift: Spule A ist wie Spule B zu wickeln, nach Fertigstcllu11g
beeinflussung gesucht. So haben z. B. Netztransformatoren mit
und Kernmontage sind die \Vicklungen phasenrichtig in Heihe zu
LL-Schnitt, besonders wenn die Bleche nicht wechselseitig ge­
schalten. Spulcnkörpcr UI 60/20, 2 Stück (TGL 0-4130.J)
schichtet wurden, ein so starkes magnetisches Streufeld, daß sie 1. Kernisolation: 2 X LBgw Öl 0,1 X 63 gfb 3 'l'GL 14888
in den Leiterzügen des Verstärkers eines zu nahe angeordneten 2. \Vicklung Al = Bl: Runddraht, Le 0,3-mm-Cu TGL 8402 Polyeste r
9:l0 Wdg. 6 Lagen. Lagenisolation jede Lage 1 x Lp Öl 0,04 x 63 gfb 3
Verstärkerbausteins eine starke Störspannung induzieren kön­
3. Zwischenisolation: 2 X LBgw Öl 0,1x63 gfb 3 TGL 14888
nen.
4. \Vicklnng A2 = B2: Runddrallt, Le 0,7-mm-Cu TGL 8.JOZ l'olyestcr,
Für einen Stereoverstärker aus 2 Universalbausteinen, der bei 246 \Vdg. 3,5 Lagen. Lagenisolation jede Lage 1 X Lp Öl
Vollaussteuerung 2 x 25 W Musikleistung abgeben soll, wurde 0,04 X G3 gfb :l

der folgende Stromversorgungsbaustein entwickelt (s. Bild 5.13). 5. Zwi1'elwnisolation 1 x LBgw Öl 0,1 X ß3 gfb :� 'L'UL 14888
6. Wiekl1111g .\:l - H:� wie \Vicklung A2 = B2
Auf einer Leiterplatte 90 mm X 150 mm mit 24poliger Stecker­
7. Dcnkbolatiou :.l < L Ugw Öl 0,1 X ;57 'L'OL 1-l888
leiste nach TGL 200-3604 befinden sich ein Netztransformator Nach Fp1·tig.„teil1111g des Tnmsformators ist eine faolatio11sprüfllug dl'I'
LL 60/20, Gleichrichterdioden und Siebkondensatoren. Bild 5.14 L'ri111ä1·wiekl11ug gegen Kern und Sekundärwicklungen rnit :.lOOO V�
durchzufül1ren.
zeigt die Schaltung.

127
126
Literaturhinweise

[1] Fischer, H.-J./Schlegel, W. E.: Transistor- und Schaltkreis­


technik, Militärverlag der DDR (VEB) - Berlin, 1979
[21 Halbleiter-Schaltbeispiele, Siemens, Ausgabe 1964
[:�] Ifontzsch, H.: 'Wärmeableitung bei Halbleitern, „Amateur­
reihe electronia", Band 161, Militärverlag der DDR (VEB)
- Berlin, 1978
[4] Streng, K. K.: NF-Verstärker mit Transistoren, „Der
prnktische Funkamateur", Band 67, Deutscher Militär­
verlag, Berlin 1967
[i:>] Streng, K. K.: abc der Niederfrequenztechnik, Deutscher
Militärverlag, Berlin 1969
J_()] NF-Leistungsverstärkcr mit Darlington-Vollkomplemen­
ti.ir-Endstufcn, Valvo-Brief, 2f>. 5. 1977
[7 ] Halblciter-Scha.ltbeispiele, Siemens. Ausgabe 1972/n
[_8] Halbleiter-Sdrnltbeispiele, Kombinat VEB Halbleifa"l'\\'<•rk
Frnnkfort (Oder), 1974
[U] Die monolithisch integrierten NF-Ven;tärkcr A 210D,
211 D, Eigenschaften und Anwendung, Appli­
A 210 K, A
:Ylikroelektronik Heft 1, Kombinat VEB
kationsreihe
Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), 1979
[10] Erdme1:er, U.: Integrierter 20-\V-Verstärker mit Knrz­
schlußschntz, ,,Funkschau", 1976, Heft 2, Seite 62
[11] Sonnefeld, R./ Brehm, K.: HiFi-Stereosteuergerät Carat S,
„radio-fernst·lwn-elektronik" 27 (1978), Heft 12, Seite 770
[12] Schiller, JJ.: Schaltung zur Amplitndenübcrwachnng,
. „Funkanw tl'ur", Heft 7, 1!)7!), Seite ;};H

12�