Práctica 1: CARACTERÍSTICAS ELECTRICAS

DEL DIODO CON SEÑAL DE CD.

OBJETIVO: El alumno armará los circuitos que permitan obtener las características eléctricas en CD
de diodos de Si (silicio), LED o bien diodo de conmutación; como voltajes, corrientes,
resistencia interna y potencia de consumo, e interpretará las mediciones realizadas con
el multímetro y/u osciloscopio. También reportará los resultados medidos en tablas y/o
gráficas según lo indique el desarrollo.

TAREA PREVIA PARA TENER DERECHO A REALIZAR LA PRÁCTICA

 Investigar las características de funcionamiento y limitaciones de los diodos de silicio (Si), y LED
rojo de baja intensidad en CD o bien diodo de conmutación.
 Investigar que es y cómo se obtienen la recta de carga y el punto de operación, en un dispositivo
semiconductor en CD.
 Investigar que es y cómo se calculan la resistencia estática y dinámica, en un dispositivo
semiconductor en CD.
 Investigar que es y cómo se calculan la potencia promedio y eficaz, en un dispositivo
semiconductor en CD.
 Realizar la simulación de los circuitos para obtener las características eléctricas del diodo de (Si).
 Traer hojas de especificaciones de los diodos de (Silicio y LED rojo baja intensidad o bien diodo
de conmutación), que se emplearán en la práctica.
 Traer el circuito de la fig.1 armado.

MATERIAL: (anotar el material utilizado en la práctica)

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 Práctica 1: CARACTERÍSTICAS ELECTRICAS
DEL DIODO CON SEÑAL DE CD.

DESARROLLO:

1. Proponer el dispositivo (diodos de Si comercial y valores de resistencias comerciales) que se

deseen emplear en la práctica, y consultar las hojas de especificaciones del diodo (de Si y LED o
bien diodo de conmutación) que se utilizará para el desarrollo de la práctica. Preferentemente que
los diodos y resistencias sean de I/2W ó más Watts.

2. Reportar el valor comercial de la resistencia a emplear, así como la serie de los diodos y las
características eléctricas que proporcionan los fabricantes de los diodos.

3. Armar el circuito como se muestra en la fig. 1; realizar y registrar las mediciones, como se indica
en la tabla. Realizarlo con el Diodo de Si y LED rojo o bien diodo de conmutación.

Tabla 1 mediciones
+
A D (Si) LED
+
VS VD ID VLED ILED
Vs D V 0V
0.2V
R 0.4V
0.6V
0.8V
Fig. 1 Circuito de prueba 1V
2V
3V
4V
5V

3.1 Graficar en papel milimétrico, los datos de la tabla 1, considerando el eje vertical para I
(corriente) y el eje horizontal para V (voltaje), tanto para el diodo de silicio, como para el LED rojo. A
Partir de la gráfica realizada en papel milimétrico, efectuar los cálculos correspondientes para
obtener la resistencia estática (RD), resistencia dinámica (rD) y potencia de consumo del diodo P D.
Anexar los cálculos realizados. Trazar la recta y punto de operación en la gráfica que se obtuvo con
los datos de la tabla.

3.1.1 invertir la polaridad de la fuente y realizar el mismo procedimiento que en los puntos anteriores
(3 y el 3.1). Mostrar los resultados en la tabla 2 y gráfica de los valores medidos, en la misma grafía
en donde graficaste los valores de la tabla 1.

Tabla 2mediciones
D (Si) LED
VS VD ID VLED ILED
-1V
-2V
-3V
-4V
-5V

3.2 Anotar comentarios, observaciones y conclusiones.

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