Universidad Tecnológica de Panamá

Facultad de Ingeniería Eléctrica

Carrera:__________________________
Circuitos Electrónicos II
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EXPERIMENTO 1
CARACTERÍSTICAS V-I DEL FET

Objetivos:
1. Presentar las curvas características de un NMOS de enriquecimiento en el osciloscopio
2. Determinar la característica de transferencia de un NMOS de enriquecimiento por medición
3. Estimar la magnitud del voltaje de umbral.
4. Estimar el valor de Kn.
5. Determinar la magnitud de IDSS y Vp de un JFET canal N

Materiales
 1- Osciloscopio de dos canales
 1- MOSFET canal N de enriquecimiento 2N7000
 1- JFET canal N
 1- Amp-Op uA741
 1- Generador de señales
 Resistores: 100 W , 1k W , 100k W
 1- Potenciómetro 10k W
 1- Fuente de Poder DC (dual)
 1- Voltímetro digital
 1- Voltímetro análogo (VOM)

Procedimiento

I. Obtención de los parámetros de funcionamiento de los transistores

a. Obtenga las especificaciones del fabricante del NMOS y del JFET canal N indicados a través de sus hojas
de datos.
b. Estime la magnitud de Vt y Kn y VA del MOSFET.
c. Estime la magnitud de IDSS y Vp del JFET.

II. Obtención de la curva característica del NMOS

a. Calibre el generador de señales ajustando su offset a 5.0 V DC y seleccionando una onda sinusoidal con
amplitud de 10Vp-p.
b. Conecte el generador de señales al circuito mostrado en la figura 1.

Figura 1. Circuito para determinar las características

de un MOSFET.

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c. Calibre el osciloscopio y conéctelo como se muestra en la figura e invierta la señal del canal X.
d. Conecte el canal Y entre D y tierra real.
e. Conecte el canal X entre la salida del Amp-Op y tierra real
f. Incremente la resistencia del potenciómetro y registre el valor de V G con el voltímetro. Grafique la
característica de salida resultante para cada valor de VGS.
g. Estime el valor de Vt, Kn y VA .

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III. Característica de transferencia del NMOS

a. Arme el circuito mostrado en la figura 2, con VDD = 0 y VGS = 0.

Figura 2. Circuito para determinar las características

de un MOSFET.

b.
Ajuste el valor de VDD a 12V y anote la lectura del voltímetro DC
c.
Ajuste VGS lentamente y observe la lectura en V. Estime el valor de Vt
d.
Incremente el valor de VGS desde el valor estimado de Vt en escalones de 0.5V y registre para cada valor
de VGS la magnitud de V leída en el voltímetro. Llene la siguiente tabla.
VALORES SIMULADOS:
VGS 0 1.5 2 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 3 3.5 4 4.5
V 0 108.5n 109.75n 0.5m 2.015 4.53 8.056 11.62 11.86 11.91 11.926 11.938
ID=V/RD 0 0 0 500n 2.015m 4.53m 8.856m 11.62m 11.86m 11.9m 11.926m 11.938m

El valor estimado de Vt es de 2V
e. Grafique ID vs VGS

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CALCULOS:

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IV. Características del JFET.

a. Arme el circuito mostrado en la figura 3. Incremente VDD desde cero hasta el punto en que V permanezca
aproximadamente constante.

Figura 3. Circuito para determinar las características

de un JFET.

VDD
5V

VDD

Q2

2N3370
0 1
Probe1,Probe1
V: 178 mV
R1
1kΩ

b. Complete la siguiente tabla

VDD 0 0.25 0.5 0.75 1 1.5 2 2.5 3 4 5

V 0 0.105 0.164 0.174 0.175 0.175 0.175 0.176 0.176 0.177 0.178

VDD -V 0 0.145 0.336 0.576 0.825 1.325 1.825 2.324 2.824

3.823 4.822
ID=mA 0 0.105 0.164 0.174 0.175 0.175 0.175 0.176 0.176 0.177 0.178

Desde 0.75 hasta 5 voltios V permanece aproximadamente constante

Vemos que VGS = -VS=-V
SI GRAFICAMOS TENEMOS

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Ahora colocamos una fuente variable en la compuerta y dejaremos el dreno con una fuente fija de 5 voltios
VDD=5Volts

VG
VD
-1.2V
5V

VD

Q2

VG
2N5484
1 VS: 9.28 mV
Probe2,Probe1

R1
1kΩ
0

AL SIMULAR OTENEMOS

V 0.67 0.606 0.572 0.506 0.347 0.287 0.229 0.123 0.0769 0.0093
VDD-V 4.33 4.39 4.23 4.49 4.65 4.71 4.77 4.88 4.92 4.99
VG 0 -0.1 -0.15 -0.25 -0.5 -0.6 -0.7 -0.9 -1.0 -1.2
VG-V -4.33 -4.49 -4.38 -4.74 -5.15 -5.31 -5.47 -5.78 -5.92 -6.19

ID=mA 0.67 0.606 0.572 0.506 0.347 0.287 0.229 0.123 0.0769 0.0093

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Comparaciones
c. . Compare los valores de los parámetros obtenidos de los transistores con los de la data del fabricante

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