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( http://seb.france.free.fr/eseo/I2/epa )
Professeur responsable :
Eric CHAUVEAU
Etudiants I2 :
Sébastien FRANÇOIS
Yvonnick BRUNET
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SOMMAIRE
1. Introduction 3
2. Cahier des charges 3
3. Convertisseur Buck normal 3
1) La structure du Buck 3
2) Le remplacement de la diode 4
4. Convertisseur Buck Adapté 4
3) Le montage adapté 4
4) Fonctionnement en détails 5
5. Etudes préliminaires 6
1) Les temps de commutation 6
1. Le test de commutation du montage à canal P 6
2. Le test de commutation du montage à canal N 7
2) Résolution des temps de commutations différents 7
1. Les commandes asymétriques 8
2. Résultats de la manipulation 9
3) Le Push-pull 9
1. Schéma du Push-Pull 9
2. Observation de l’entrée et de la sortie de notre push-pull 10
6. Simulation du montage de puissance 10
1) Schéma du BUCK sous Matlab 10
2) Résultat de la simulation sous Matlab 11
7. Réalisation du montage de puissance complet 12
1) Schéma de la structure de puissance 12
2) Résultat obtenu en divers points du montage 12
1. Tension et intensité à la Gate du transistor canal P 12
2. Tension et intensité à la Gate du transistor canal N 12
3. Intensité dans l’inductance 13
4. Tension et intensité au moteur 13
8. Réalisation de l’oscillateur 14
9. Montage complet 15
10. Conclusion 16
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1. Introduction
Le but de ce projet est de pouvoir ramener la tension d’alimentation à une tension plus
standard, de manière à pouvoir l’alimenter avec du 12V.
Nous avons choisi de réaliser une alimentation à découpage abaisseuse de tension.
Parmi les structures que nous connaissons, nous utiliserons une structure de type BUCK car
les tensions utilisées sont proches et non dangereuses, ce qui ne nécessite donc pas
d’isolation.
1) La structure du Buck
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2) Le remplacement de la diode
Lorsque l’interrupteur commandé est ouvert, le circuit est bouclé par la diode qui devient
passante. Le courant qui traverse la diode est celui qui traverse la charge. Comme il est assez
élevé, la diode va s’échauffer provoquant 1.5*0.6=0.9W watt de pertes.
La puissance dissipée dans le MOS lorsqu’il est fermé correspond au produit de la résistance
à l’état ON multiplié par le courant qui le traverse. On constate que celle du MOS est plus
faible :
3) Le montage adapté
Les deux transistors sont équivalents à des interrupteurs qui doivent s’ouvrir et se fermer
alternativement pour permettre le bon fonctionnement du circuit. Sur un schéma parfait, on
commande les Grilles des deux transistors en opposition, ce qui permet de saturer le premier
MOS lorsque le second est bloqué et vice-versa.
Dans la pratique, nous avons utilisé deux types de transistors différents (MOS canal P et N)
commandés par le même signal. Nous verrons par la suite que cela pose aussi un problème car
les MOS canal P sont beaucoup plus lents à commuter, à cause de la différence de mobilité
entre les trous et les électrons.
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4) Fonctionnement en détails
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5. Etudes préliminaires
Nous avons donc réalisé dans un premier temps deux circuits séparés, afin de tester les temps
de commutation de chaque transistor.
On a donc mis en place deux montages avec deux charges indépendantes qui supportent une
puissance dépassant le Watt.
La détermination de notre charge s’est faite de cette façon : on considère que les puissances
d’entrée et sortie sont égales puisque en entrée et en sortie, au moins l’une des deux grandeurs
est continue.
Pe = Ps, ceci implique Ve x Ie = Vs x Is.
Le rapport cyclique théorique que l’on doit avoir est α = Vs/Ve = 2/12 = 16,7.%
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2. Le test de commutation du montage à canal N
Les premières manipulations nous ont confirmé que les transistors avaient des temps de
commutations différents et que l’on risquait que le canal N soit passant alors que le canal P ne
s’était pas complètement ouvert, ce qui aurait créer un court-circuit immédiat de
l’alimentation 12V.
Pour résoudre ce problème, nous avons décidé de mettre en place sur les grilles des
transistors, une résistance et une diode en parallèle.
Vgs = 0 V Vgs = 12 V
12 V
Etat bloqué Etat passant
Vcom est la tension à rapport cyclique variable commandant les gates des MOS.
Pour s’assurer que les transistors ne se court-circuitent pas, il faut donc retarder leur
fermeture, c'est-à-dire la transition de la tension de gate de 12 à 0V pour le canal P et de 0 à
12V pour le canal N, ceci tout en gardant bien sûr une ouverture la plus rapide possible.
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1. Les commandes asymétriques
Lorsque plus tard la commande passe de nouveau à 0V, la diode est polarisée en inverse, elle
ne conduit pas. La décharge de la capacité de gate se fait donc à travers la résistance variable.
En réglant celle-ci, nous sommes en mesure de pouvoir augmenter le temps de saturation du
transistor.
Il en est de même pour ce second transistor, sauf qu’ici la capacité de grille doit être
déchargée à travers la diode pour permettre une ouverture rapide. La résistance variable
permet ici aussi de régler le temps de fermeture du transistor.
Nous avons alors observé les deux tensions, Vcc-Vd pour l’IRF520 et Vd pour l’IRF9520, en
plaçant les circuits en charge.
Il fallait régler les résistances de manière à ce que les tensions ne se croisent pas, pour ne pas
court-circuiter l’entrée du hacheur.
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2. Résultats de la manipulation
Canal N Canal P
Canal P Canal N
3) Le Push-pull
Nous avons oublié dans nos mesures de tenir compte de l’impédance de sortie du générateur
basse fréquence que nous utilisions (50 Ω). Nous avons alors mis au point un push-pull pour
s’affranchir de celle-ci et pouvoir réellement régler les résistances variables.
L’introduction du Push-pull a pour effet de réduire l’amplitude du signal de commande à plus
ou moins le seuil Vbe des transistors bipolaires, fournissant en sortie une impédance nulle.
1. Schéma du Push-Pull
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2. Observation de l’entrée et de la sortie de notre push-pull
Avant de connecter les deux transistors ensemble, nous avons d’abord adapté le schéma
Matlab d’un convertisseur BUCK.
On envoie une tension variable aux Grilles des transistors par l’intermédiaire d’une PWM qui
à un rapport cyclique déterminé par la constante. Sous Matlab, la convention veut que cette
constante varie entre -1 et 1 (cf tableau suivant).
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Le tableau se comprend de la manière suivante :
A un rapport cyclique de 0% correspond une constante de -1, 0 pour 50% et 1 pour 100%.
Nous devons ensuite déterminer la valeur de la capacité de sortie pour avoir une ondulation
inférieure à +/-5% autour de 2V.
Nous avions pris au départ une fréquence de 70kHz ce qui correspond à une capacité
d’environ 2.13 µF, mais pour des raisons de disponibilité magasin, nous avons
surdimensionnée notre capacité à 4.7 µF.
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7. Réalisation du montage de puissance complet
1) Schéma de la structure de puissance
Résultats obtenus :
Résultats obtenus :
Résultat obtenu :
Résultats obtenus :
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8. Réalisation de l’oscillateur
Notre choix s’est donc porté sur le circuit intégré le NE555 qui peut fonctionner en 12V, à la
différence du 74HC14. Nous l’avons configuré pour fonctionner avec une fréquence de
70kHz et un rapport cyclique supérieur à 0,167.
Applications numériques :
Pour des raisons pratiques, nous avons mis des résistances variables de 4,7kΩ, pour
pouvoir faire varier la fréquence et le rapport cyclique si nécessaire.
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9. Montage complet
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10. Conclusion
Le sujet nous a beaucoup intéressé car nous avons pu nous pencher sur un problème concret
dans la continuité de notre projet microcontrôleur. Nous avons atteint notre objectif, le mobile
fonctionne désormais avec cette alimentation à découpage qui fournit 2V à 1,5A.
Il aurait été possible d’utiliser une diode à seuil beaucoup plus faible, de type Schottky, de
manière à éviter la double commande, ainsi que l’augmentation des temps de fermeture.
Celle-ci provoque un léger échauffement des transistors, car à un moment donné, nous avons
à la fois une tension non nulle aux bornes du transistor et un courant Drain-Source le
traversant.
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