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INSTITUTO TECNOLÓGICO
Ingeniería en Mecatronica
DE PABELLÓN DE ARTEAGA
ELECTRÓNICA DE
POTENCIA APLICADA
INSTITUTO TECNOLÓGICO DE PABELLÓN DE
ARTEAGA
PORTAFOLIO DE EVIDENCIAS
UNIDAD 1
PRESENTA:
Daniel Andrade Martínez
Lucas Daniel Pedrosa Sánchez
Marco Antonio Luna Rios
DOCENTE:
Raúl Llamas Esparza
Uno de los dispositivos más importantes de los circuitos de potencia son los diodos, aunque tienen, entre otras,
las siguientes limitaciones: son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido
contrario al de conducción. El único procedimiento de control es invertir el voltaje entre ánodo y cátodo.
Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción, deben ser capaces de soportar una
alta intensidad con una pequeña caída de tensión. En sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte
tensión negativa de ánodo con una pequeña intensidad de fugas.
A continuación, vamos a ir viendo las características más importantes del diodo, las cuales podemos agrupar
de la siguiente forma:
Características estáticas:
Características estáticas
Los diodos de uso general están disponibles hasta 6000 V, 4500 A, con un tiempo de recuperación
inversa de 25 µ s y la especificación de los diodos de recuperación rápida puede llegar hasta 6000 V,
1100 A. El tiempo de recuperación inversa varía entre 0.1 y 5 µ s.
Los diodos de recuperación rápida son esenciales para la interrupción de los convertidores de potencia
a altas frecuencias. Un diodo tiene dos terminales: un cátodo y un ánodo.
Los diodos Schottky tienen un voltaje bajo de estado activo y un tiempo de recuperación muy pequeño,
típicamente en nanosegundos. La corriente de fuga aumenta con el voltaje y sus especificaciones se
limitan a 100 V, 300 A. Un diodo conduce cuando el voltaje de su ánodo es más alto que el de su
cátodo; siendo la caída de voltaje directa de un diodo de potencia muy baja, típicamente 0.5 y 1.2 V.
Parámetros en conducción
• Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la máxima intensidad de impulsos
sinusoidales de 180º que el diodo puede soportar.
• Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquélla que puede ser soportada cada 20 ms, con una
duración de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la cápsula (normalmente 25º).
• Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el máximo pico de intensidad aplicable, una vez
cada 10 minutos, con una duración de 10 ms.
Tiempo de recuperación inverso
El paso del estado de conducción al de bloqueo en el diodo no se efectúa instantáneamente. Si un
diodo se encuentra conduciendo una corriente IF, la zona central de la unión P-N está saturada de
portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de éstos cuanto mayor sea IF. Si mediante la
aplicación de una tensión inversa forzamos la anulación de la corriente con cierta velocidad di/dt,
resultará que después del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores que
cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante un
instante. La tensión inversa entre ánodo y cátodo no se establece hasta después del tiempo tan
llamado tiempo de almacenamiento, en el que los portadores empiezan a escasear y aparece en la
unión la zona de carga espacial. La corriente todavía tarda un tiempo tb (llamado tiempo de caída) en
pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van desapareciendo el
exceso de portadores.
El fenómeno de recuperación inversa determina la máxima frecuencia de operación del diodo de
acuerdo con
la expresión:
Parámetros de Rendimiento
La caída del procesamiento de energía de un rectificador requiere de la determinación del contenido
armónico de la corriente de entrada, del voltaje de salida. Utilizaremos las expansiones de la serie de
Fourier para encontrar el contenido armónico de voltajes y corrientes.
Hay distintos tipos de circuitos rectificadores y los rendimientos de un rectificador se evalúan
normalmente en función de los parámetros siguientes:
-El valor promedio del voltaje de salida (o de carga), 𝑉𝑐𝑑
-El valor promedio de la corriente de salida (de carga), 𝐼𝑐𝑑
-La potencia en cd𝑃𝑐𝑑=𝑉𝑐𝑑𝐼𝑐𝑑
-El valor medio cuadrático (rms) del voltaje de salida, 𝑉𝑟𝑚𝑠
-El valor medio cuadrático (rms) de la corriente de salida, 𝐼𝑟𝑚𝑠
Parámetros de Rendimiento
Los cálculos para determinar el valor promedio del voltaje de salida 𝑉𝑐𝑑 y el valor medio cuadrático
(rms) de la corriente de salida, 𝐼𝑟𝑚𝑠 se realiza de la siguiente manera:
Las aplicaciones industriales de Los diodos de potencia son: principalmente en los rectificadores. Y en
los siguientes componentes:
Abre puertas eléctricos, acondicionamiento del aire, alarmas contra robo, arrancadores para turbina
de gas, atenuadores luminosos, calderas, calefacción por inducción, cargador de baterías,
centelladores luminosos charolas para calentar alimentos, cobijas eléctricas, computadoras,
conductores, controladores de calor, controladores lineales de motor de inducción, corriente directa de
alto voltaje,(HVDC),crisoles, Electro deposito electromecánico, electrodomésticos, electroimanes,
elevadores, estibadores ,excitadores de generador, exhibidores, fuentes de alimentación para laser,
grabaciones magnéticas, grúas y tornos, herramientas manuales de potencia ,hornos de cemento,
ignición electrónica ,iluminación de alta frecuencia, juegos, licuadoras, locomotoras, mescladoras de
alimento, molinos, relevadores de enganche, secadoras de ropa, secadoras eléctricas, vehículos
eléctricos, ventiladores eléctricos, fuentes de alimentación para radar/sonar ,minería, control de
hornos ,controles de motor, circuitos de televisión, generadores ultrasónicos, propulsores motores,
interruptores estáticos, bombas y compresores, fotocopias, controles de señales de tránsito,
trasmisores de muy baja frecuencia, sistemas de seguridad, amplificadores de radio
frecuencia ,relevadores estáticos ,controles de temperatura ,prensas de impresión, balastros para
lámpara de mercurio, soldaduras, lavadoras, arranque de máquinas síncronas, proyectores de cine,
reguladores de voltaje, temporizadores ,máquinas de coser, contactores de estado sólido,
refrigeradores.
Algunas aplicaciones especiales de estos motores son los motores lineales, cuando ejercen tracción sobre un
riel, servomotores y motores paso a paso. Además existen motores de DC sin escobillas (brushless en inglés)
utilizados en el aeromodelismo por su bajo par motor y su gran velocidad.
Es posible controlar la velocidad y el par de estos motores utilizando técnicas de control de motores de corriente
continua.
Cuando un conductor, por el que pasa una corriente eléctrica, se sumerge en un campo magnético, el conductor
sufre una fuerza perpendicular al plano formado por el campo magnético y la corriente, de acuerdo con la Fuerza
de Lorentz:
F: Fuerza en newtons
I: Intensidad que recorre el conductor en amperios
L: Longitud del conductor en metros
B: Densidad de campo magnético o densidad de flujo teslas
Φ: Ángulo que forma I con B
Es la tensión que se crea en los conductores de un motor como consecuencia del corte de las líneas de
fuerza. La polaridad de la tensión en los generadores es opuesta a la aplicada en los bornes del motor.
Durante el arranque de un motor de corriente continua se producen fuertes picos de corriente ya que, al
estar la máquina parada, no hay fuerza contra electromotriz y el bobinado se comporta como un simple
conductor de baja resistencia.
La fuerza contra electromotriz en el motor depende directamente de la velocidad de giro del motor y del flujo
magnético del sistema inductor.
Número de escobillas
Las escobillas deben poner en cortocircuito todas las bobinas situadas en la zona neutral. Si la máquina
tiene dos polos, tenemos también dos zonas neutras. En consecuencia, el número total de delgas ha de ser
igual al número de polos de la máquina. En cuanto a su posición, será coincidente con las líneas neutras
de los polos. En realidad, si un motor de corriente continua en su inducido lleva un bobinado imbricado, se
deberán poner tantas escobillas como polos tiene la máquina, pero si en su inducido lleva un bobinado
Sentido de giro
En máquinas de corriente directa de mediana y gran potencia, es común la fabricación de rotores con
láminas de acero eléctrico para disminuir las pérdidas asociadas a los campos magnéticos variables, como
las corrientes de Foucault y las producidas por histéresis.
Reversibilidad
Los motores y los generadores de corriente continua están constituidos esencialmente por los mismos
elementos, diferenciándose únicamente en la forma de utilización. Por reversibilidad entre el motor y el
generador se entiende que si se hace girar el rotor, se produce en el devanado inducido una fuerza
electromotriz capaz de transformarse en energía eléctrica. En cambio, si se aplica una tensión continua al
devanado inducido del generador a través del colector delga, el comportamiento de la máquina ahora es de
motor, capaz de transformar la fuerza contra electromotriz en energía mecánica.
En ambos casos el inducido está sometido a la acción del campo magnético del inductor principal en el
estátor.
Los motores de corriente continua se construyen con rotores bobinados, y con estátores bobinados o de
imanes permanentes. Además, existen muchos tipos de motores especiales, como por ejemplo los motores
sin escobillas, los servomotores y los motores paso a paso, que se fabrican utilizando un motor de corriente
continua como base.
Si el estátor es bobinado, existen distintas configuraciones posibles para conectar los dos bobinados de la
máquina:
Los motores de imán permanente tienen algunas ventajas de rendimiento frente a los motores síncronos de
corriente continua de tipo excitado y han llegado a ser el predominante en las aplicaciones de potencia
fraccionaria. Son más pequeños, más ligeros, más eficaces y fiables que otras máquinas eléctricas alimentadas
individualmente.
Los motores de corriente directa sin escobillas están diseñados para conmutar la tensión en sus devanados, sin
sufrir desgaste mecánico. Para este efecto utilizan controladores digitales y sensores de posición. Estos motores
son frecuentemente utilizados en aplicaciones de baja potencia, por ejemplo, en los ventiladores de
computadoras.
Señal del
microcontrolador
Diodo de
protección
Resistencia de
base
La diferencia entre un transistor bipolar y un transistor unipolar o FET es el modo de actuación sobre
el terminal de control. En el transistor bipolar hay que inyectar una corriente de base para regular la
corriente de colector, mientras que en el FET el control se hace mediante la aplicación de una tensión
entre puerta y fuente. Esta diferencia viene determinada por la estructura interna de ambos
dispositivos, que son substancialmente distintas.
Es una característica común, sin embargo, el hecho de que la potencia que consume el terminal de
control (base o puerta) es siempre más pequeña que la potencia manejada en los otros dos terminales.
Tiempos de conmutación
Cuando el transistor está en saturación o en corte las pérdidas son despreciables. Pero si
tenemos en cuenta los efectos de retardo de conmutación, al cambiar de un estado a otro se
produce un pico de potencia disipada, ya que en esos instantes el producto I C x VCE va a tener
un valor apreciable, por lo que la potencia media de pérdidas en el transistor va a ser mayor.
Estas pérdidas aumentan con la frecuencia de trabajo, debido a que al aumentar ésta, también
lo hace el número de veces que se produce el paso de un estado a otro.
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de la corriente en cada caso, lo indica la
flecha que se ve en el gráfico de cada tipo de transistor. El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los
siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene
la flecha en el gráfico de transistor.
El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos una cantidad de
corriente por una de sus patillas (base), el entregará por otra (emisor) , una cantidad mayor a ésta, en un factor
que se llama amplificación.
Este factor de amplificación se llama ß (beta) y es un dato propio de cada transistor. Entonces:
Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a ß (factor de amplificación) por Ib. (corriente
que pasa por la patilla base).
Ic = ß x Ib.
Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es igual a (ß+1) x Ib., pero se redondea al mismo valor
que Ic, sólo que la corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso de sale él, o viceversa.
Según la fórmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el circuito (Vcc), pero en la
realidad si lo hace y la corriente Ib. cambia ligeramente cuando se cambia Vcc. Ver la figura de la derecha.
En la figura de la derecha las corrientes de base (Ib.) son ejemplos para poder entender que a más
corriente la curva es más alta.
Estructura
El IGBT es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que se alternan (PNPN) que son controlados
por un metal-óxido-semiconductor (MOS), estructura de la puerta sin una acción regenerativa. Un
transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) celular se construye de manera similar a un MOSFET de
canal n vertical de poder de la construcción, excepto la n se sustituye con un drenaje + p + capa de
colector, formando una línea vertical del transistor de unión bipolar de PNP.
Este dispositivo posee la característica de las señales de puerta de los transistores de efecto campo
con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una
puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo
dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características
de conducción son como las del BJT. En la figura II se observa la estructura interna de un IGBT, el
mismo cuenta con tres pines Puerta (G), Emisor (E) y Colector (C).
Funcionamiento
Cuando se le es aplicado un voltaje VGE a la puerta, el IGBT enciende inmediatamente, la corriente
de colector IC es conducida y el voltaje VCE se va desde el valor de bloqueo hasta cero. La corriente
IC persiste para el tiempo de encendido en que la señal en la puerta es aplicada. Para encender el
Aplicaciones
El IGBT es un dispositivo electrónico que generalmente se aplica a circuitos de potencia. Este es un
dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. Se usan en los Variadores de frecuencia,
así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas y convertidores de potencia que nos acompañan
cada día y por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de eso: Automóvil, Tren,
Metro, Autobús, Avión, Barco, Ascensor, Electrodoméstico, Televisión, Domótica, Sistemas de
Alimentación Ininterrumpida o SAI (en Inglés UPS),
El funcionamiento de este control se describe a continuación: la corriente alterna que llega se rectifica
en un puente de onda completa, cuyo voltaje pulsante de dc se aplica al devanado de campo y al
circuito de control de armadura. Se carga el capacitor con la corriente que fluye por el devanado de la
armadura, de baja resistencia, a través del diodo d2 y el potenciómetro para el ajuste de velocidad
La tecnología SMD, conocida por todos como de “Dispositivos de mon-taje superficial”, ha producido
una reducción enorme del volumen de los modernos aparatos electrónicos, al tiempo que estos
aumentan sus pres-taciones y potencia. El proceso no se ha detenido, y con la aparición en el mercado
de los circuitos integrados de aplicaciones específicas (AS1C) y de chip programables (PLD, FPLD.PIC)
hacen que, en un futuro muy próximo, un solo integrado, o conjunto de ellos realicen por completo
todas las fun-ciones de un aparato.
Paralelo a toda esta tecnología se ha desarrollado otra que, lejos de de-tenerse, ha seguido
progresando, nos referimos a la tecnología híbrida.
Un circuito híbrido es una placa de material aislante, generalmente ce-rámica, sobre la cual y por medio
de un proceso litográfico con tintas espe-ciales, se generan e integran compo-nentes pasivos como
son las resisten-cias y condensadores, siendo el tama-ño de estos muy reducido, por lo que podemos
decir que están “integrados”.
b) Explicar con sus palabras como funciona el rectificador monofásico de onda completa.
Con el semi-ciclo positivo (+) solamente conducen los diodos D1 y D2 circulando la corriente por la carga de
arriba hacia abajo como se indica con las flechas; y con el semi-ciclo negativo (-) solamente conducen los
diodos D3 y D4 circulando la corriente por la carga en la misma dirección.
c) Dibujar las formas de onda de tensión y corriente en los diodos y en la carga, considere una carga resistiva.
Metodología
Construir el rectificador monofásico de onda completa con carga R como se muestra en la figura 6.2
.
Figura 1.- Circuito rectificador de O.C. con Carga Resistiva.
Vm = 132.2* √2 = 186.9V.
2𝑉𝑚
𝑉𝐶𝐷 𝜋 2𝑉𝑚
𝐼𝐶𝐷 = = = = 1.19A.
𝑅 𝑅 𝜋𝑅
1 𝑇 𝑉𝑚
Vrms =√ ∫𝑂 𝑉𝑚2 𝑠𝑒𝑛2 𝑤𝑡 dwt = = 0.707Vm = 131.9V.
𝑇 √2
𝑉𝑚
𝑉𝑟𝑚𝑠 √2 𝑉𝑚
Irms = = = = 1.32A.
𝑅 𝑅 √2∗𝑅
𝑉𝑚 𝑉𝑚 𝑉𝑚2
𝑃𝐶𝐴 = VI = ( )( )= = 174.5 W.
√2 √2∗𝑅 2𝑅
𝑉𝑚
𝑃𝐶𝐷 (8)(𝑉𝑚2 )(𝑅) 8 𝑉𝑟𝑚𝑠 √2 𝜋𝑉𝑚 𝜋
= = (𝑉𝑚2 )(𝜋2 )(𝑅) = = .81 FP = = 2𝑉𝑚 = = = 1.1107
𝑃𝐶𝐴 𝜋2 𝑉𝐶𝐷 2√2𝑉𝑚 2√2
𝜋
𝑉𝑟𝑚𝑠 90.38 𝑉
FF = = = .011 RF = √(𝐹𝐹 2 ) − 1 = 1
𝑉𝐶𝐷 81.38 𝑉
Conectando el analizador de calidad de la energía en la entrada del circuito figura 1, obtener los datos en la
entrada.
(MATEMATICO) (PROTEUS)
Conectando el analizador en (a) obtenga los datos de la entrada del rectificador y complete la columna 1 de la
tabla 2 Grafiqué las formas de onda en la figura
(MATEMATICO) (PROTEUS)
Entrada Salida Entrada Salida
Cambie el analizador al punto (b) tome las lecturas para completar la columna 2 de la tabla 6.2. Grafiqué las
formas d onda en la figura 3.2
Figura 3.2 Gráficas de Corriente y Voltaje (Salida) del rectificador monofásico no controlado (carga RL).
Conectando el analizador como se indica en la figura 6.8 (a) complete la columna 1 de la tabla 6.3. Grafique
las formas de onda en la figura 4.1 y 4.2
(MATEMATICO) (PROTEUS)
Cambie el analizador a la salida y complete las lecturas de la columna 2 en la tabla 3. Grafiqué las formas de
onda de la Tensión y Corriente.
Figura 6.10 Gráficas de Corriente y Voltaje (Salida) del rectificador monofásico no controlado (carga RC).
Resistencias
Transistores PNP y NPN transistor bipolar 2N3906, 2N3904
Protoboard.
Cables de conexión para montaje.
Pelacables.
Multímetro.
2 Fuente de alimentación
Potenciómetro
Marco teórico
Metodología
Complete la siguiente tabla obteniendo los datos que se muestran a continuación de la practica
POLARIZACION CON DOS FUENTES (PNP) y comparándolos con la simulación echa en PROTEUS
(MATEMATICO) (PROTEUS)
Vce = 10 V PRc = 0.27 W Vce = 9.5 V PRc = 0.285 W
Tabla 1 de
Ib = 0.097 mA Rb = 155 K Ib = 0.064 mA Rb = 160.93 K
Rc = 300 Ω Rc = 316.66 Ω
Resultados
Complete la siguiente tabla obteniendo los datos que se muestran a continuación de la practica
POLARIZACION CON UNA FUENTE (PNP) y comparándolos con la simulación echa en PROTEUS.
(MATEMATICO) (PROTEUS)
Vce = 7.5 V PRc = 0.1875 W Vce = 7.45 V PRc = 0.2815 W
Tabla 2 de
Ib = 0.0833 mA Rb = 171.66 K Ib = 0.0811 mA Rb = 169.43 K
Rc = 300 Ω Ie = 25.0833 mA Rc = 303.21 Ω Ie = 24.5811 mA
IbMax= 0.087 mA VRc = 8.25 V IbMax = 0.85 mA VRc = 8.2 V
Resultados
Complete la siguiente tabla obteniendo los datos que se muestran a continuación de la practica
POLARIZACION CON PARTIDOR DE TENSION (NPN) y comparándolos con la simulación echa en PROTEUS.
(MATEMATICO) (PROTEUS)
Vth = 10 V R2 = 140 K Vth = 9.8 V R2 = 138 K
Ib = 0.13 mA R1 = 140 K Ib = 0.15 mA R1 = 138 K
Ie = 27.43 mA Ie = 26.84 mA
Req = 75000Ω Req = 74989Ω
Construya el siguiente circuito
Complete la siguiente tabla obteniendo los datos que se muestran a continuación de la practica
AUTOPOLARIZACION DEL TRANSISTOR (NPN) y comparándolos con la simulación echa en PROTEUS.
(MATEMATICO) (PROTEUS)
Vce = 7.5 V Ie = 25.064 mA Vce = 7.45 V Ie = 24.0544 mA
Ib = 0.064 mA Rb = 106.25 K Ib = 0.0544 mA Rb = 169.43 K
Rc = 300 Ω Rc = 305.01 Ω
Construya el siguiente circuito
Complete la siguiente tabla obteniendo los datos que se muestran a continuación de la practica
POLARIZACION CON RESISTENCIA DE EMISOR (NPN) y comparándolos con la simulación echa en PROTEUS.
(MATEMATICO) (PROTEUS)
Vce = 10 V Ie = 10.044 mA Vce = 909 V Ie = 9.085 mA
Ib = 0.044 mA Rb = 390 K Ib = 0.0394 mA Rb = 387 K
Rc = 300 Ω VcR = 2 V Rc = 305.01 Ω VcR = 2 V
VRb = 17.3 V Re = 198 Ω VRb = 18.15 V Re = 190 Ω
1 Reostato de 8 ohms, 8 A.
1 Reostato de 70 ohms o de 2 A o más.
1 Voltímetro CD.
1 Amperímetro CD.
1 Fuente de alimentación +5, +30, +30V regulable.
1 IGBT
1 Resistencia de 1k ohm a ¼ watt.
Un generador de señales.
Un osciloscopio digital
Marco teórico
d) Enliste 2 números de parte de 2 IGBT de fabricante diferente para controlar una carga que
demanda una corriente de 35A a un voltaje de 310V.
Metodología
1.1. Obtenga del manual las características principales del IGBT.
a).- Voltaje CE máximo de ruptur: 600V
b).- Corriente máxima de operación: 12A
c).- Tiempo de encendido ton: : 10 ms
d).- Tiempo de apagado toff : 12 ms
e).- Frecuencia máxima de conmutación: 60HZ
1.2 Arme el diagrama del circuito como se muestra. Utilice la fuente de alimentación de las mesas de trabajo en la
malla del lado derecho en 24V.
IC (A) 0.25 0.5 0.75 1 1.25 1.5 1.75 2 2.25 2.5 2.75 3
VCE (V) .97 1.15 1.21 1.24 1.28 1.32 1.28 1.4 1.41 1.46 1.5 1.64
PON=VCE IC (W) .24 .57 .90 1.24 1.6 1.98 2.24 2.8 3.17 3.65 4.12 4.9
En el transcurso del experimento el IGBT debe de estar siempre en estado de conducción (V GS=V0=15V).
1.10 Prueba en conmutación. Active el generador de señales y verifique con el osciloscopio que la señal de salida
del generador sea de una frecuencia de 1 kHz, amplitud de ± 15V y cuadrada.
1.11 Una vez ajustada la señal de control conecte la salida en la compuerta del IGBT.
1.12 Conecte el osciloscopio como se muestra. Ajuste el osciloscopio en el canal 1 para medición de voltaje en la
escala X1 y el canal 2 para medición de corriente en 100mV/A.
La forma de onda de la tensión es cuadrada y la de la corriente tiene forma de aleta de tiburón, la tensión resulta
más grande porque se tiene que descargar esto va a depender del tiempo de retardo que tenga el IGBT.