Tecnología de fabricación de circuitos integrados - Electronica UGR.

electronica.ugr.es/~amroldan/deyte/cap13
1.
2.
El material de partida en la construcción de un circuito integrado es
una oblea semiconductora con una determinada resistividad y orientación
cristalográfica. El primer proceso consiste generalmente en la formación de capas
delgadas de material sobre la oblea. Esta se puede realizar medianteprocesos
de crecimiento ...
Introducción · Componentes pasivos en ... · Tecnología bipolar · Tecnología
CMOS
Examen Paco - Scribd
https://es.scribd.com/document/243098634/Examen-Paco
1.
Una vez limpiada la superficie de la oblea se somete a un proceso de oxidación
para crear una capa ... temperatura ambiente en obleas de silicio para la
formación de uniones. Átomos de impurezaionizados (es decir, átomos a los
que se han arrancado uno o .... un sustrato caliente sobre el cual se
deposita el material.
[PDF]Materiales y tecnologías de fabricación de circuitos integrados
ftp://cefca-vir-015.cefca.es/people/private/UOC/Microelectrónica/.../PID_00206006.p...
1.
por MB Iniesta - Artículos relacionados
tadas las ideas y procedimientos sobre los cuales se sustentan. ... En el proceso
de diseño de un circuito integrado encontramos varios niveles ..... de la
superficie de la oblea y oxígeno dentro de un horno a alta temperatura. El óxido
creado por oxidación térmica tiene mucha más calidad que el quese
obtiene mediante ...
Fotolitografía - Monografias.com
www.monografias.com › Tecnologia
1.
2.
Los más favorecidos inicialmente fueron los circuitos integrados numéricos,
los cuales se beneficiaron del vasto mercado de las calculadoras. ... proceso
de crecimiento y partiendo de una fase de vaporsobre la superficie de un
monocristal calentado hasta una alta temperatura átomos que se colocan
ordenadamente de ...
Deposición química de vapor - Wikipedia, la enciclopedia libre
https://es.wikipedia.org/wiki/Deposición_química_de_vapor
1.
2.
La Deposición Química de Vapor o CVD (de sus siglas en inglés Chemical Vapor
Deposition) es unproceso químico utilizado para producir productos de
alta pureza y de alto rendimiento de materialessólidos. El proceso se utiliza a
menudo en la industria de semiconductores para producir películas delgadas.
MMIC - Wikipedia, la enciclopedia libre
https://es.wikipedia.org/wiki/MMIC
1.
2.
Los primeros MMIC se fabricaron de Arseniuro de Galio (GaAs), el cual tiene dos
ventajas fundamentales frente al Silicio (Si), que es el material tradicional para la
fabricación de circuitos integrados: la velocidad del dispositivo y el sustrato semi-
aislante. Este tipo de circuito usa una solución cristalina para el dieléctrico y la ...
Deposición química de vapor - Wikiwand
www.wikiwand.com/es/Deposición_química_de_vapor
1.
La Deposición Química de Vapor o CVD es un proceso químico utilizado para
producir productos de alta pureza y de alto rendimiento de materiales sólidos. ...
En un proceso CVD estandar el sustrato (oblea) se expone a uno o más
precursores volátiles, que reaccionan o se descomponen en la superficie del
sustrato para ...
[PDF]TEMA 5 - OCW Usal
ocw.usal.es/ensenanzas.../materiales.../MaterialesElectronicos/Tema_5_Dopado.pdf
1.
2.
Definición: Redistribución de átomos desde regiones de
alta concentración de especies móviles hacia regiones de baja concentración. →
las impurezas, ... Este fenómeno tiene lugar a todas lastemperaturas, sin
embargo, la difusividad .... La oblea se expone a una cantidad ∞ de impurezas en
el proceso de difusión. ○.
Falta(n): deseadas
[PDF]Preparación y Estudio Morfológico y Espectroscópico del Silicio ...
www.bdigital.unal.edu.co/48143/1/1067848126.2014.pdf
1.
2.
por SD Bertel Hoyos - Artículos relacionados
1 jul. 1997 - Fluorhídrico (HF) en obleas de SC, para utilizarlas en circuitos micro-
electrónicos; posteriormente estudió más detalladamente el
nuevo material encontrado [2] y observó que el SP era formado
electroquímicamente por una densidad de corriente crítica, la cual
se incrementaba con la concentración de.
[PDF]Silicio - Inet
www.inet.edu.ar/wp-content/uploads/2012/11/silicio.pdf
1.
2.
Este proceso, denominado proceso Siemens, requiere mucha energía y no es
eficiente, lo cual eleva considerablemente el costo del material a 60 - 70 U$S/kg.
El silicio producido por éste y otros métodos similares se denomina silicio
policristalino y tí- picamente tiene una fracción de impurezas de 0,001 ppm
(partes por ...
Búsquedas relacionadas con El proceso en el cual se deposita sobre la
oblea un material desde el cual se obtienen las impurezas deseadas y se
calienta la oblea a una temperatura elevada es conocido como:
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