Resumen FET

UNIVERSIDAD TÉCNICA DE AMBATO
FACULTAD DE INGENIERÍA EN SISTEMAS, ELECTRÓNICA E INDUSTRIAL

CARRERA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y COMUNICACIONES
PERÍODO ACADÉMICO: MARZO - SEPTIEMBRE /2017
CIRCUITOS ELECTRONICOS II

Facultad de Ingeniería en Sistemas, Electrónica e Industrial
Título: TRANSISTOR FET
Carrera:
Ingeniería en Electrónica y Comunicaciones
Área Académica:
Aplicaciones
Línea de Investigación:
Practico Experimental
Ciclo Académico y Paralelo:
Tercero Electrónica “A”
Módulo y Docente:
Circuitos Electrónicos II
Ing. Patricio Encalada
Fecha: 26-03-2018
Integrantes:
Chipantiza Analuisa Marlon Leonardo
1
RESUMEN FET
El FET es un dispositivo activo que opera como una fuente de corriente controlada por
voltaje. Los mas comunes son los transistores de compuertas aisladas llamadas MOSFET
y lo de compuertas de unión llamados JFET. Posee cuatro zonas de operación óhmica o
lineal, saturación, corte y ruptura.
El transistor efecto de campo es un dispositivo semiconductor cuyo funcionamiento se
basa en el control de la corriente por medio de un campo eléctrico. Estos fueron
propuestos inicialmente en su versión JFET por William Shakley en 1952.
TIPOS DE FET
FET
El transistor FET (Efecto de Campo o Field Efecto Transistor) es un dispositivo

semiconductor cuyo funcionamiento se basa en el control de la corriente por medio de un
campo eléctrico.
Es un dispositivo semipolar ya que la corriente es transportada por portadores de una

polaridad, sea el canal N si la corriente se debe a e- o canal P si la corriente se debe a h+.
TIPO DE FET
➢ Puerta aislada, MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET)

➢ Puerta de unión, JFET (Junction FET)
▪ MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO CANAL N

Es llamado MOSFET de acumulación, incrementación o acrecentamiento si el
sustrato esta unido a la fuente se simplifican.
TECNOLOGIA
2
La siguiente figura muestra la tecnología usada en el MOSFT de canal N
SIMBOLO
-Símbolo
-Símbolo, sustrato unido a la fuente
-Símbolo abrasivo del MOSFET
FUNCIONAMIENTO O APLICACIÓN
De acuerdo a la figura (a) la compuerta esta aislada por una película de SiO2 y el
transistor se debe polarizar de acuerdo a la figura (b).
▪ JFET CANAL N
La operación de JFET se realiza mediante un circuito externo como se demostrará a
continuación.
TECNOLOGIA
3
Se debe aplicar una fuente de tensión VDD, al drenaje y una fuente de tensión a la
compuerta VGG. La fuente VDD provocara una tensión VDS, la cual hace circular
una corriente de drenaje i D hacia la fuente lo que será idéntica a la corriente de la
fuente de tensión VGS que es igual que crear una región desértica en el canal que
reduce l ancho de este y por lo tanto aumenta la resistencia entre el drenaje y fuente
como la juntura compuesta de fuente esta polarizando inverso, entonces la corriente
por la compuerta es cero.
SIMBOLO
FUNCIONAMIENTO O APLICACIÓN
Considerando VGS=0 y un pequeño potencial en el drenaje como se mostrará a
continuación los e- unirán de la fuente hasta el drenado así existiría una corriente ID.
La corriente en la compuerta será cero pues la juntura estará polarizada inversamente.
▪ Dispositivo unipolar: transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor, en inglés)

es un transistor que usa el campo eléctrico para controlar la forma y, por lo tanto, la
conductividad de un canal que transporta un solo tipo de portador de carga, por lo que
también suele ser conocido como transistor unipolar.
▪ La impedancia de entrada: es la impedancia equivalente "vista" por una fuente de
energía conectada a tal red. Si la fuente entrega un valor conocido de voltaje o de
corriente, tal impedacia puede ser calculada usando la ley de Ohm. La impedancia de
4
entrada es el circuito equivalente Thévenin de una red eléctrica, modelada por una
combinación de RL (resistencia-inductancia) o de RC (resistencia-capacitancia), con
valores equivalentes que resultarían en la misma respuesta que la de la red.
▪ BJT: El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus
siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones
PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus
terminales.
▪ Descarga electrostática: (conocido por las siglas en inglés ESD, que significan
electrostatic discharge) un fenómeno electrostático que hace que circule una corriente
eléctrica repentina y momentáneamente entre dos objetos de distinto potencial
eléctrico;1 como la que circula por un pararrayos tras ser alcanzado por un rayo.
▪ Sustrato: es un sólido (generalmente una sustancia plana) sobre la que se aplica una
capa de otra sustancia y que a la que se adhiere esta segunda sustancia. En la
electrónica de estado sólido, este término se refiere a una rebanada delgada de
material como el silicio, dióxido de silicio, óxido de aluminio, zafiro, germanio,
arseniuro de galio (GaAs), aleación de silicio y germanio o fosfuro de indio (InP).
Estos sirven como la base sobre la que se depositan los dispositivos electrónicos tales
como transistores, diodos y, en especial, los circuitos integrados (CI).
▪ IDSS: correspondiente a la intersección de la curva con el eje ID, ya no es la de
saturación.
CONCLUSIONES
• El FET es un dispositivo activo que funciona como una fuente de corriente

controlada por voltaje.
• Básicamente el voltaje en la compuerta v GS, controla la corriente iD entre el
drenador y la fuente.
• Para el JFET, la ecuación que da cuenta del comportamiento es la ley de
Schockley, en la cual al corriente IDSS, llamada corriente de saturación ser la
máxima permitida (para el JFET canal n),
• El voltaje Vp (también llamado VGSOF F) permite establecer el rango del voltaje
v GS y delimita el corte del transistor.
• Para el MOSFET de enriquecimiento se utiliza la relación en la región de
saturación como ecuación para la zona activa, donde la el voltaje umbral VT ,
establece el valor mínimo del voltaje en la compuerta.
REACTIVOS
1. Conteste V o F. El FET tiene tres terminales: Fuente (Source), Drenador (Drain)

y Compuerta (Gate).
Respuestas
5
a) Verdadero.
b) Falso.
Respuesta: A
Justificación:
El FET tiene tres terminales: Fuente (Source), Drenador (Drain) y Compuerta (Gate). Este
último es el terminal de control. El voltaje aplicado entre la compuerta y la fuente controlar·
la corriente entre la fuente y el drenador.
2. Cuales son los tipos de FET).
Respuestas
a) De puerta aislada, MOSFET (Metal - Oxide - Semiconductor FET).
b) De puerta aislada, JFET (Junction - Semiconductor FET).
c) De puerta aislada, MOSFET (Metal - Oxide - Semiconductor FET).
d) De puerta aislada, MOSFET (Junction - Semiconductor FET).
Respuesta: A y C
Justificación:
De puerta aislada, MOSFET (Metal - Oxide - Semiconductor FET).
De puerta aislada, MOSFET (Metal - Oxide - Semiconductor FET).
3. Conteste V o F. Características del MOSFET de Enriquecimiento
Alta impedancia de entrada

Ideal como etapa de entrada para todo amplificador.
Mejor estabilidad a T que el BJT.
Niveles de ruido más bajo.
Tecnología de fabricación más sencilla
Respuestas
6
c) Verdadero.
d) Falso.
Respuesta: B
Justificación:
Se utilizan para fabricación de circuitos integrados.
Requiere una vGS > 0.
Para canal n, vT > 0 y vGS > 0; para canal p, VT < 0 y vGS < 0:

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FACULTAD DE INGENIERÍA EN SISTEMAS, ELECTRÓNICA E INDUSTRIAL

UNIVERSIDAD TÉCNICA DE AMBATO

Título: TRANSISTOR FET

El transistor FET (Efecto de Campo o Field Efecto Transistor) es un dispositivo

Es un dispositivo semipolar ya que la corriente es transportada por portadores de una

➢ Puerta aislada, MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET)

▪ MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO CANAL N

La siguiente figura muestra la tecnología usada en el MOSFT de canal N

▪ Dispositivo unipolar: transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor, en inglés)

• El FET es un dispositivo activo que funciona como una fuente de corriente

1. Conteste V o F. El FET tiene tres terminales: Fuente (Source), Drenador (Drain)

2. Cuales son los tipos de FET).

a) De puerta aislada, MOSFET (Metal - Oxide - Semiconductor FET).

b) De puerta aislada, JFET (Junction - Semiconductor FET).

c) De puerta aislada, MOSFET (Metal - Oxide - Semiconductor FET).

d) De puerta aislada, MOSFET (Junction - Semiconductor FET).

3. Conteste V o F. Características del MOSFET de Enriquecimiento

Alta impedancia de entrada

Requiere una vGS > 0.

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