ELECTRÓNICA DE POTENCIA – FICHA: 697718

INSTRUCTOR: JAVIER ANDRÉS PIÑERES ARCINIEGAS

TEMA: CIRCUITOS DE EXCITACIÓN Y DE PROTECCIÓN (MOSFET - BJT)
Minimizar las pérdidas de potencia en los interruptores electrónicos es un
importante objetivo a la hora de diseñar circuitos electrónicos de potencia. Las
pérdidas de potencia en conducción se producen a causa de que la tensión en
bornas de un interruptor en conducción no es cero. Las pérdidas de conmutación
ocurren porque un dispositivo no hace una transición de un estado a otro
instantáneamente. En algunos convertidores, las pérdidas de conmutación suelen
ser mayores que las de conducción.
Las pérdidas en conmutación es esos tipos de convertidores se pueden minimizar
con circuitos de excitadores diseñados para proporcionar unas rápidas
transiciones de conmutación. Los circuitos de protección se diseñan para alterar
las formas de onda de conmutación, de forma que se reduzcan las pérdidas de
potencia y se proteja el interruptor.

CIRCUITO DE EXCITACIÓN PARA MOSFET

El mosfet es un dispositivo controlado por tensión y que resulta relativamente
simple de activar y desactivar, lo cual es una ventaja respecto al transistor bipolar
de unión. El estado de conducción se consigue cuando la tensión puerta-fuente
sobrepasa de forma suficiente la tensión umbral, lo que fuerza al MOSFET entrar
en la región de trabajo óhmica. Normalmente, la tensión puerta-fuente del
MOSFET para el estado activado en circuitos conmutados está entre 10 y 20 V. El
estado desactivado se consigue con una tensión menor que la tensión umbral. Las
corrientes de puerta para los estados de encendido y apagado son esencialmente
cero. Sin embargo, es necesario cargar la capacidad de entrada parásita para
poner al MOSFET en conducción, y descargarla para apagarlo. Las velocidades
de conmutación vienen determinadas básicamente por la rapidez con que la carga
se puede transferir hacia y desde la puerta. Un circuito de excitación para
MOSFET debe ser capaz de absorber y generar corrientes rápidamente, para
conseguir una conmutación de alta velocidad. El circuito de excitación elemental
de la Figura 1a excitará al transistor, pero el tiempo de conmutación puede que
sea inaceptablemente elevado para algunas aplicaciones. Además, si la señal de
entrada proviene de dispositivos lógicos digitales de baja tensión, puede que la
salida lógica no sea suficiente para poner al MOSFET en conducción.
En la Figura 1b, se muestra un circuito de excitación mejor. El doble seguidor de
emisor o tótem-pole consiste en un par de transistores bipolares NPN y PNP
acoplados. Cuando la tensión de excitación de entrada está a nivel alto, Q1
conduce y Q2 está apagado haciendo conducir al MOSFET. Cuando la señal de
excitación de entrada está a nivel bajo, Q1 está al corte y Q2 conduce, eliminando
la carga de la puerta y apagando el MOSFET. La señal de entrada puede provenir
de un circuito TTL de colector abierto usado como control, con el tótem-pole
utilizado como buffer para suministrar y absorber las corrientes de puertas
requeridas, como se muestra en la figura 1c.

1. Simulación de un circuito de excitación de MOSFET

a. Por medio de una simulación de Proteus, calcule los tiempos de activación

y desactivación y la potencia disipada en el MOSFET en el circuito de la
 Figura 1.a, con Vs=80V. La carga es una resistencia de 10Ω, V i es un pulso
de cero a 15V y R1=100 Ω, utilice el MOSFET IRF150
b. Repita el ejemplo para el circuito de la Figura 1.b, Q1 es 2N2222A y Q2
N2907.
c. Repita el ejemplo para el circuito de la Figura 1.c. Vs=80V, V G=15V y
R1=R2=1KΩ.
La frecuencia de conmutación en cada caso es de 200KHz y el ciclo de trabajo del
interruptor es del 50%.

CIRCUITOS DE EXCITACIÓN PARA EL TRANSISTOR BIPOLAR

El BJT es un dispositivo controlado por corriente, que necesita una corriente de
base que mantenga al transistor en estado de conducción. La corriente de base en
conducción para una corriente de colector I C debe ser al menos IC/β. El tiempo de
puesta en conducción depende de la rapidez con la que pueda entregarse a la
región de la base la carga de almacenamiento necesaria. Las velocidades de
conmutación de entrada en conducción se pueden reducir aplicando inicialmente
un pico elevado de corriente de base y disminuyendo luego la corriente hasta la
necesaria para mantener el transistor en conducción. De igual forma, es deseable
un pico de corriente negativa en el apagado para eliminar la carga almacenada,
reduciendo el tiempo de transición entre conducción y corte. La figura 2.a muestra
una disposición de circuito adecuada para excitar dispositivos BT. Cuando la señal
de entrada pasa a nivel alto, R 2 está cortocircuitada inicialmente por el
condensador descargado. La corriente de base inicial es

A medida que se carga el condensador, la corriente de base disminuye y llega a un

valor final de

El tiempo de carga deseado del condensador es el que determina el valor de éste.

Se necesitan de tres a cinco constantes de tiempo para cargar o descargar el
condensador. La constante de tiempo de carga es
La señal de entrada pasa a nivel bajo en la puesta al corte, y el condensador
cargado proporciona un pico de corriente negativa a medida que se elimina la
carga de la base. La figura 2,b muestra la forma de onda de la corriente de base.

2. Diseñe un circuito de excitación de la base de un BJT, con la configuración

de la Figura 2a, que tenga un pico de 3A durante la puesta en conducción y
mantenga una corriente de base de 0.4 A mientras el transistor está
activado. La tensión vi es un pulso de 0 a 50V con un ciclo de trabajo del
50% y la frecuencia de conmutación es de 100kHz. Suponga que V BE es de
1V cuando el transistor está conduciendo.

3. Simulación de un circuito de excitación BJT

Utilizando el modelo de transistor BJT 2N6545 simule el circuito de la Figura 2a

con VS =80V, una carga que es una resistencia de 10Ω y los componentes de la
excitación de base del punto anterior. Efectúe la simulación en las dos condiciones
siguientes:
a. Omitiendo el condensador de la base
b. Incluyendo el condensador de excitación de la base
c. Determine la potencia absorbida por el transistor en cada caso.