UNIVERSIDAD CATÓLICA DE SANTA MARÍA

PROGRAMA PROFESIONAL: INGENIERÍA MECÁNICA

LABORATORIO 1 –CARACTERÍSTICAS DEL DIODO

AUTORES: BRYAN CANDÍA CHIRE

RENZO VÁSQUEZ EGUILUZ
ALDO HANCCO YUCRA
ALBERTO MANRIQUE VERA

DOCENTE: CHRISTIAM COLLADO OPORTO

GRUPO 03

AREQUIPA - PERÚ
2016
 LABORARTORIO N.- 1: CARACTERÍSTICAS DEL DIODO

OBJETIVOS:
 Obtener las características de u diodo de silicio y germanio.
 Analizar las Características técnicas de un diodo.

MARCO TEORICO:
INTRODUCCION
UN POCO DE HISTORIA…
En 1873 Frederick Guthrie descubrió el principio de
operación de los diodos térmicos. Guhtrie descubrió
que un electroscopio cargado positivamente podría
descargarse al acercarse una pieza de metal caliente,
sin necesidad de que este lo tocara. No sucedía lo
mismo con un electroscopio cargado negativamente,
reflejando esto que el flujo de corriente era posible
solamente en una dirección.

Independientemente, el 13 de febrero de 1880 Thomas

Edison redescubre el principio. A su vez, Edison
investigaba porque los filamentos de carbón de las
bombillas se quemaban al final del terminal
positivo. El había construido una bombilla con
un filamento adicional y una con una lámina
metálica dentro de la lámpara, eléctricamente
aislada del filamento. Cuando uso este
dispositivo, el confirmó que una corriente fluía
del filamento incandescente a través del vació
a la lámina metálica, pero esto solo sucedía
cuando la lámina estaba conectada
positivamente.Edison diseño un circuito que
reemplaza la bombilla por un resistor con un
voltímetro de DC. Edison obtuvo una patente
para este invento en 1884. Aparentemente no
tenía uso práctico para esa época. Por lo cual,
la patente era probablemente para
precaución, en caso de que alguien
encontrara un uso al llamado Efecto Edison.

Aproximadamente 20 años después, John Ambrose Fleming (científico asesor

de Marconi Company y antiguo empleado deEdison) se dio cuenta que el efecto
Edison podría usarse como un radio detector de precisión. Fleming patentó el
primer diodo termoiónico en Britain el 16 de noviembre de 1904.
En 1874 el científico alemán Karl Ferdinand Braun descubrió la naturaleza de
conducir por una sola dirección de los cristales semiconductores. Braun patentó
el rectificador de cristal en 1899. Los rectificadores de óxido de cobre y selenio
fueron desarrollados para aplicaciones de alta potencia en la década de los 1930.
El científico indio Jagdish Chandra Bose fue el primero en usar un cristal
semiconductor para detectar ondas de radio en 1894. El detector de cristal
semiconductor fue desarrollado en un dispositivo práctico para la recepción de
señales inalámbricas por Greenleaf Whittier Pickard, quién inventó un detector
de cristal de silicio en 1903 y recibió una patente de ello el 20 de noviembre de
2006. Otros experimentos probaron con gran variedad de sustancias, de las
cuales se usó ampliamente el mineral galena. Otras sustancias ofrecieron un
rendimiento ligeramente mayor, pero el galena fue el que más se usó porque
tenía la ventaja de ser barato y fácil de obtener. Al principio de la era del radio,
el detector de cristal semiconductor consistía de un cable ajustable (el muy
nombrado bigote de gato) el cual se podía mover manualmente a través del
cristal para así obtener una señal óptima. Este dispositivo problemático fue
rápidamente superado por los diodos termoiónicos, aunque el detector de cristal
semiconductor volvió a usarse frecuentemente con la llegada de los económicos
diodos de germanio en la década de 1950.

En la época de su invención, estos dispositivos fueron conocidos como

rectificadores. En 1919, William Henry Eccles acuñó el término diodo del
griego dia, que significa separado, y ode (de ὅδος), que significa camino.

DIODO IDEAL:
El diodo ideal es un dispositivo de dos terminales que tiene el símbolo y las
características siguientes:
Proporciona una base comparativa respecto de las características de un
dispositivo real. En forma ideal un diodo conducirá corriente en la dirección
definida por la flecha en el símbolo, se comporta como un circuito cerrado para
la región de conducción, y actuara como un circuito abierto al intentar establecer
corriente en dirección opuesta. Para el diodo ideal:

𝑹𝒅𝒊𝒓𝒆𝒄𝒕𝒐 = 𝟎 Ω (𝒄𝒐𝒓𝒕𝒐 𝒄𝒊𝒓𝒄𝒖𝒊𝒕𝒐)

𝑹𝒊𝒏𝒗𝒆𝒓𝒔𝒐 =
∞ Ω (𝒄𝒊𝒓𝒄𝒖𝒊𝒕𝒐 𝒂𝒃𝒊𝒆𝒓𝒕𝒐)
DIODO SEMICONDUCTOR:
Se forma uniendo material tipo p y material tipo n construidos a partir del mismo
material base Ge o Si.
Los e- y los huecos en la región de conducción se combinaran,
dando como resultado una carencia de portadores en la región
cercana a la unión. Esta región de iones positivos y negativos
recibe el nombre de región de agotamiento por ausencia de
portadores en la misma.
La aplicación de un Voltaje implica tres posibilidades:
No hay polarización (Vd = 0V)
Polarización Directa (Vd > 0V)
Polarización Inversa (Vd < 0V)

SIN POLARIZACION:
Los portadores minoritarios (huecos) en el material tipo n que se encuentra
dentro de la región de agotamiento pasaran directamente al material tipo p.
Supondremos que todos los portadores minoritarios del material tipo n que se
encuentran en la región de agotamiento debido a su movimiento aleatorio
pasaran directamente al material tipo p. Los portadores mayoritarios (electrones)
en el material tipo n deben superar las fuerzas de atracción de la capa de iones
positivos en el material tipo n, así como la capa de iones en el material tipo p ,
para emigrar hacia el área más allá de la región de agotamiento del material tipo
p. Sin embargo el número de portadores mayoritarios es tan grande en el
material tipo n que invariablemente habrá un pequeño número de portadores
mayoritarios con suficiente energía cinética para pasar a través de la región de
agotamiento y llegar al material tipo p .En ausencia de un voltaje de polarización
aplicado el flujo neto de carga en cualquier dirección para un diodo
semiconductor es cero.
CONDICION DE POLARIZACION INVERSA:
Al aplicar un potencial externo y con la terminal positiva conectado al material
tipo n y la terminal negativa conectado al material tipo p, el número de iones
positivos en la región de agotamiento del material tipo n, aumentara debido al
mayor número de iones libres arrastrados hacia el potencial positivo. El número
de iones negativos se incrementara en el material tipo p. El efecto es un
ensanchamiento de la región de agotamiento que establece una barrera
demasiado grande para que los portadores mayoritarios puedan superar
reduciendo el flujo de los mismos.

CONDICION DE POLARIZACION DIRECTA:

O también llamado condición de encendido se establece aplicando el potencial
positivo al material tipo p y el potencial negativo al material tipo n. El Vd
presionara a los electrones en el material tipo n y a los huecos en el material tipo
p para recombinar con los iones cerca de la frontera y reducir el ancho de la
región de agotamiento. El flujo resultante de portadores minoritarios de los
electrones del material tipo p hacia el material tipo n no cambia de magnitud (el
nivel de conducción se controla por el aumento limitado de impurezas en el
material); la reducción en el ancho de la región de agotamiento resulta en un
denso flujo de portadores mayoritarios a través de la unión: al aumentar el valor
de la polarización, la región de agotamiento disminuirá su ancho hasta producir
un desbordamiento de electrones , resultando en un incremento exponencial en
la corriente. El voltaje a través de un diodo polarizado directamente será
Las características de un Diodo de Germanio o de Silicio tienen la forma general
mostrada en la figura Nro. 1 .Note el cambio en la escala para ambos en la
columna vertical y horizontal. En la región de polarización inversa la corriente de
saturación inversa es justamente constante de 0V al potencial Zener. En la región
de polarización directa la corriente crece realmente rápidamente cuando se
incrementa un poco el voltaje en el diodo. Note que la curva es subiendo casi
verticalmente aun voltaje de polarización directa de menos de 1V.
La corriente del Diodo en polarización directa se limitara solamente por la red en
que el diodo es conectado o la máxima corriente o por el valor de potencia del
diodo.

CARACTERISTICAS DE DIODO DE GERMANIO Y SILICIO:

La Resistencia de Corriente Continua o Estática de un diodo en un punto de la
curva característica está determinada por la proporción del voltaje del diodo en
ese punto, dividido por la corriente del diodo. Esta es:
𝑉𝐷𝑖𝑜𝑑𝑜
𝑅𝐷𝑖𝑜𝑑𝑜 =
𝐼𝐷𝑖𝑜𝑑𝑜
La Resistencia de Corriente Alterna o Dinámica aun particular voltaje y corriente
del diodo puede ser determinada usando una línea tangente dibujada como esta
en la figura Nro. 1 .El resultado del voltaje (∆𝑉) y corriente (∆𝐼) de desviación
puede ser determinado siguiendo la ecuación aplicada:
∆𝑉
𝑅𝐷𝑖𝑜𝑑𝑜 =
∆𝐼
EQUIPO Y MATERIALES:
 Fuente: DC, DMM
 Resistores: 1/4 W:1kΩ,1MΩ
 Diodos: Silicio 1N002 y 1N4148 , Germanio 1N60

PROCEDIMIENTO
 PARTE 1: Prueba del diodo
Escala de prueba de diodos del DMM
Usar la escala de prueba de diodo en el DMM y determinar la condición de cada
diodo.

CONEXIÓN DIRECTA

TEST SI(4004): SI(4007): GE:

DIRECTO 0.560 0.551 0.156
INVERSO   
Tabla 1. Condición de los diodos
Escala de resistencia del DMM
Usar la escala de prueba de diodo en el DMM y determinar la condición de cada
diodo.
TEST SI(4004): SI(4007): GE:
DIRECTO 1.205 kΩ 1.933kΩ 2.64kΩ
INVERSO   
 Tabla 2. Condición de los diodos

 PARTE 2: Características del diodo en polarización directa

Construya el circuito de la figura y registre el valor medido del resistor.

Rmedido = 0.98kΩ
 Incremente el voltaje de la fuente hasta que VR=0,1V
 Mida el VD y calcule ID. Anote en la tabla 3, 4 y 5 según el tipo de diodo.
 Obtener datos suficientes para dibujar las curvas características del diodo
de silicio y germanio.
DIODO (Si)
VR (V) 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9
VD (V) 0.47 0.50 0.52 0.53 0.54 0.55 0.56 0.57 0.57
ID = VR/ 0.10 0.20 0.30 0.40 0.5 0.61 0.71 0.81 0.91
RMed
VR
(mA)(V) 1 2 3 4 5 6 7 8 9
VD (V) 0.579 0.615 0.636 0.650 0.661 0.671 0.678 0.684 0.689
ID = VR/ 1.02 2.04 3.06 4.08 5.10 6.12 7.14 8.16 9.18
RMed Tabla 3.
(mA)
DIODO (Ge)
VR (V) 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9
VD (V) 0.22 0.24 0.25 0.26 0.27 0.27 0.28 0.28 0.29
ID = VR/ RMed 0.10 0.20 0.30 0.40 0.5 0.61 0.71 0.81 0.9
(mA)
VR (V) 1 2 3 4 5 6 7 8 9
VD (V) 0.29 0.323 0.343 0.361 0.376 0.390 0.404 0.416 0.428
ID = VR/ RMed 1.02 2.04 3.06 4.08 5.10 6.12 7.14 8.16 9.18
(mA) Tabla 4.
 PARTE 3: Polarización Inversa
Construya el circuito de la figura y registre el valor medido del resistor.

Rmedido = 0.998 MΩ
Mida el voltaje V calcule la corriente de saturación inversa con la ecuación
𝑉𝑟
𝐼𝑑 =
𝑅𝑀𝑒𝑑 𝑅𝑚
Rm es la resistencia interna del DMM (10MΩ)
(Si) (Ge)
Rm 0.998 MΩ 0.998 MΩ
VR 0.018V 0.007V MEDIDO
ID 18 mA 7mA CALCULADO

Determine los niveles de resistencia DC para los diodos usando la ecuación.

𝑉 − 𝑉𝑅
𝑅𝐷𝐶 =
𝐼𝐷
RDC (Si)= 1100.11
RDC (Ge)=2850.44

 PARTE 4: Resistencia DC
Usando las curvas características de los diodos, determine el voltaje de diodo en
los niveles de corriente indicados en la tabla 6, 7 y 8
Interpolando valores de la gráfica del Silicio ID-VD
Diodo (Si)
ID (mA) VD RDC
0,2 0 0
1 0.450 450
5 0.665 133
10 0.688 68.8
Tabla 6.
Interpolando valores de la gráfica del Germanio ID-VD
Diodo (Ge)
ID (mA) VD RDC
0,2 0 0
1 0.2 200
5 0.27 54
10 0.3 30
Tabla 7.
CUESTIONARIO FINAL
• ¿Cómo podría identificar los terminales de un diodo que no está marcado?
Por lo general, el cátodo de un diodo se indica mediante una banda circular. Si
el diodo no está marcado se puede determinar cuál es el ánodo y el cátodo con
una verificación en la resistencia. Primero se determina la polaridad de las puntas
de conexión óhmetro con un voltímetro conectado a los terminales del óhmetro.
A continuación se determina la posición de las puntas de conexión del óhmetro
que mide la resistencia directa del diodo. En esta posición, la punta de conexión
positiva del óhmetro se conecta con el ánodo y la negativa con el cátodo
• ¿Qué es la resistencia directa del diodo? ¿Cuáles son los valores para los
diodos analizados en el laboratorio?
El ánodo se conecta al positivo de la batería y el cátodo al negativo
Características:
El valor de la resistencia interna sería muy bajo
Se comporta como un interruptor cerrado.

• ¿Qué es la resistencia inversa del diodo? ¿Cuáles son los valores para los
diodos analizados en el laboratorio?
El ánodo se conecta al negativo y el cátodo al positivo de la batería
Características:
El valor de la resistencia interna sería muy alto
Se comporta como interruptor abierto
Puede existir una corriente de fuga del orden de µA

•De la ficha técnica de los diodos anote los valores más importantes y / o usuales
a consultar para los diodos revisados en el laboratorio y para los diodos en
general.
Diodo silicio 1N4001
Diodo de germanio

CONCLUSIONES
- Los diodos son elementos pasivos (semiconductores) por los cuales
circula corriente en un solo sentido, impiden el retorno.
- Al momento de trabajar con diodos se tiene que tener en cuenta la
polarización que le demos, si lo polarizamos directamente este producirá un corto
circuito , pero si lo polarizamos inversamente se comportara como un circuito
abierto idealmente con una resistencia infinita.
- El potencial necesario para excitar un diodo varía según sea el material o
el tipo de diodo.
Diodo de silicio 0.7V
Diodo de germanio 0.2V
- Hasta no alcanzar el potencial necesario para excitar al diodo este se
comportara como un circuito abierto.
- Los Diodos se pueden dañar o malograr por ejemplo cuando se coloca en
polarización inversa y se proporciona una gran tensión de voltaje llamada tensión
de RUPTURA que ocasiona que el diodo deje pasar la Corriente como si fuera
un simple cable de conexión, por lo tanto el diodo estaría dañado.