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Transistor de efecto de campo metal-oxido-

semiconductor
Guillermo Catricheo y Patricio Lespai

 las características esenciales requeridas de un dispositivo

Abstracto—En el presente informe se presentará el electrónico.
dispositivo MOSFET que es un tipo de transistor Por lo tanto, vamos estudiar cuantitativamente las propiedades
controlado por tensión, utilizado para ampliar y conmutar del dispositivo.
señales. Existen dos tipos básicos de MOSFET, los de canal
n y los de canal p. Los más usados son los de tipo n por su
capacidad de conmutar rápidamente. Su estructura consta
de tres partes: Drenaje, Compuerta y Fuente. Opera en
tres zonas: Corte, saturación, óhmica. Se dará a conocer
cuáles son la relaciones que hay entre corriente- voltaje ,
su región lineal , su región de saturación , cuáles son los
parámetros del material y dispositivo y la polarización del
sustrato

I. INTRODUCCIÓN
El MOSFET es un dispositivo de tres terminales: el drenador
(D, drain), la puerta (G, gate), el surtidor o fuente (S, source) .
La corriente en el interior del dispositivo puede ser en forma
de electrones o huecos, fluye desde la fuente hasta el drenador,
y es controlada por la puerta. El terminal de sustrato se utiliza
para fijar la tensión umbral del transistor, mediante la
aplicación de una tensión constante.
Bajo el terminal de puerta existe una capa de óxido (SiO2)
que impide prácticamente el paso de corriente a su través; por Figura 1: Un esquema de la estructura MOSFET. a) Vista superior
lo que el control de puerta se establece en forma de tensión. del dispositivo; b) sección transversal del dispositivo MOSFET. Los
contactos de fuente y drenaje son contactos óhmicos de tipo n. La
compuerta se encuentra aislada del canal por el óxido.

II. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO METAL-  Características de corriente-voltaje

OXIDO-SEMICONDUCTOR.
El MOSFET es un dispositivo complejo, para el cual un

T Enemos que un voltaje de compuerta sobre una estructura

MOS puede cambiar la densidad de carga de los electrones
libres en la interfaz óxido- semiconductor. Los electrones
libres pueden conducir obviamente una corriente en dirección
paralela a la interfaz. De este modo, en principio, la compuerta
puede modular la conductividad del canal MOS si se colocan
contactos adicionales a través del canal. Esto conduce a la
estructura MOSFET mostrada en la figura 1.
Además de la compuerta metálica que está aislada del canal de
conductividad, tenemos contactos óhmicos de fuente y
drenaje. Así, si se aplica una polarización entre fuente y
drenaje, fluirá una corriente en el canal. La corriente será
determinada por la carga libre en el canal que es controlada
por el voltaje de compuerta. De esta forma el dispositivo tiene
análisis adecuado requiere el estudio del flujo de carga en tres
dimensiones. Como puede verse en la figura 1, la geometría
del MOSFET es diferente en la dirección x, y o z. El análisis
completo del MOSFET en tres dimensiones requiere de
técnicas numéricas complejas; sin embargo, desarrollaremos
un enfoque simplificado que proporciona una buena
comprensión semicuantitativa de las características corriente-
voltaje del dispositivo.
De manera cualitativa, podemos observar cómo se comportan
las características I-V del MOSFET. Cuando se aplica una
polarización entre fuente y drenaje, la corriente fluye en el
canal cerca de la interfaz Si-SiO2. La densidad de carga en el
canal es controlada por la polarización de la compuerta, así
como la polarización fuente-drenaje. La polarización de
compuerta puede modular de este modo el flujo de corriente
en el canal.
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El primer paso en la obtención de las curvas I-V es

establecer la relación entre la carga del canal en cualquier 𝑛𝑠 (𝑉𝐶 ) =
punto x a lo largo del canal y el voltaje de compuerta en el 𝐶𝑜𝑥 2𝜀𝑠 𝑒𝑁𝑎 (𝑉𝐶 (𝑥)+2𝜙𝐹 1/2
[𝑉𝐺 − 𝑉𝑏𝑝 − 2𝜙𝐹 − 𝑉𝐶 (𝑥)] − [ ] (8)
MOSFET. Al aplicar la aproximación de canal gradual para 𝑒 𝑒
la carga inducida en el canal, tenemos:
La integración de la ecuación 7 de la fuente (x=0) hasta la
fuente (x=L) depues de utilizar el valor de 𝑛𝑠 anterior de
𝑄𝑠 = −𝐶𝑂𝑋 [𝑉𝐺 − 𝑉𝑏𝑝 − 𝑉𝑠 ] (𝑉𝐶 (𝐿) = 𝑉𝐷 ).
𝜇𝑛 𝑍𝐶𝑜𝑥 𝑉𝐷
= 𝐶𝑂𝑋 [𝑉𝐺 − 𝑉𝑏𝑝 − 2∅𝐹 − 𝑉𝐶 (𝑥)] (1) 𝐼𝐷 = [{𝑉𝐺 − 𝑉𝑏𝑝 − 2𝜙𝐹 − } 𝑉𝐷
𝐿 2
2(𝜀𝑠 𝑒𝑁𝑎 )1/2 3/2 3/2
− 3𝐶 {(𝑉𝐷 + 2𝜙𝐹 ) − 2𝜙𝐹 } (9)
𝑜𝑥

donde suponemos que estamos en el régimen de inversión, de
modo que el potencial de superficie es 2∅𝐹 + 𝑉𝐶 (𝑋)donde
𝑉𝐶 (𝑥) es el potencial del canal dependiente de x. Suponemos
que
𝑉𝐶 (𝑥) = 𝑂 en la fuente
𝑉𝐶 (𝑥) = 𝑉𝐷 en el drenaje
Aquí Les la longitud del dispositivo. De la ecuación 8
vemos que, para una polarización de drenaje
suficientemente alta, el canal puede constreñirse para el
extremo del drenaje. Esto define el voltaje de saturación de
drenaje 𝑉𝐷𝑠𝑎𝑡 es decir.
𝑛𝑠 (𝑉𝐷 ) = 𝑛𝑠 (𝑉𝐷𝑠𝑎𝑡 ) = 0 (10)
(2)

También suponemos que el sustrato esta aterrizado. La carga
total se compone de la carga electrónica libre y la carga fija de
los aceptores en la región de agotamiento. La densidad
superficial de la carga libre permite el flujo de corriente está
dada por
La constricción ocurre en el extremo de drenaje del canal
para una polarización donde 𝑉𝑐 = 𝑉𝐷 ·
Al igualar 𝑛𝑠 = 0 para el drenaje, obtenemos, para la
polarización de saturación de la ecuación 8 (después de
resolver una ecuación cuadrática)

𝑛𝑠 =
|𝑄𝑆 |
−
|𝑄𝑑𝑒𝑝 |
(3)
𝜀𝑠 𝑒𝑁𝑎
𝑒 𝑒 𝑉𝐷 = 𝑉𝐷𝑠𝑎𝑡 = 𝑉𝐺 − 2𝜙𝐹 − 𝑉𝑏𝑝 +
𝐶𝑜𝑥 2
|𝑄𝑆 | 1/2
= 𝑁𝑎 𝑊 (4) 2(𝑉𝐺 −𝑉𝑏𝑝 )𝐶𝑜𝑥 2
𝑒 ∗ {1 − [1 + ] } (11)
𝜀𝑠 𝑒𝑁𝑎
La anchura de agotamiento W es dependiente de la posición x
del canal, puesto que la polarización de drenaje produce un
La derivación de la corriente sólo es válida hasta la
incremento en el voltaje de polarización inverso a medida que
se va de la fuente hasta el drenaje. La densidad de carga constricción. Más allá de la constricción el problema de
superficial de agotamiento está dada por. la corriente es bastante complejo. Sin embargo, más allá
de la constricción la corriente esencialmente permanece
𝑄𝑎𝑔 = −𝑒𝑁𝑎 𝑊(𝑥) = −{2𝜀𝑠 𝑒𝑁𝑎 (𝑉𝐶 (𝑥) + 2𝜙𝐹 }1/2 (5) constante. Habíamos discutido el régimen de saturación
para el MESFET en el capítulo 8. Consideraciones
Haremos ahora una aproximación de movilidad constante para semejantes se aplican también al MOSFET.
hallar la corriente en el dispositivo. Se supondrá que la Consideremos ahora algunos de los casos limitantes de las
corriente se debe a la deriva de portadores y está dada por características I-V.
(corriente= densidad de carga superficial x movilidad x campo
eléctrico x anchura de compuerta). Región lineal

𝑑𝑉𝑐 (𝑥) En el caso donde la polarización de drenaje 𝑉𝐷 es tan

𝐼𝐷 = 𝑒𝜇𝑛 𝑛𝑠 𝑍 (6) pequeña que
𝑑𝑥

donde Z es la anchura del dispositivo. La corriente 𝐼𝐷 es 𝑉𝐷 ≪ (𝑉𝐺 − 2𝜙𝐹 − 𝑉𝑏𝑝 ) (12)

constante a través de cualquier sección transversal del canal. Y
Reescribiremos la ecuación 6como:
𝑉𝐷 ≪ 2𝜙𝐹 (13)
𝐼𝐷 𝑑𝑥 = 𝑒𝜇𝑛 𝑑𝑉𝑐 (𝑥) 𝑛𝑠 𝑍 (7)
podemos ignorar el término 𝑉𝐷 /2 en la ecuación 9..
De las ecuaciones 1,2,3 tenemos que : También el segundo término dentro de las llaves puede ser
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expandido mediante la serie de Taylor. La corriente se el modelo simple que está considerado, una vez que 𝑉𝐷 > 𝑉𝐷𝑠𝑎𝑡 la
convierte entonces en corriente es independiente de 𝑉𝐷 .
𝑍𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 √2𝜀𝑠 𝑒𝑁𝑎
𝐼𝐷 = 𝐿
[𝑉𝐺 − 2𝜙𝐹 − 𝑉𝑏𝑝 − 𝐶𝑜𝑥
√2𝜙𝐹 ]𝑉𝐷 (14)
1
√2𝜀𝑠 𝑒𝑁𝑎
𝑉𝐷𝑠𝑎𝑡 = 𝑉𝐺 − 2𝜙𝐹 − 𝑉𝑏𝑝 − (𝑉𝐺 − 𝑉𝑏𝑝 )2 (16)
En esta región de polarización de drenaje baja, las 𝐶𝑜𝑥
relaciones de corriente-voltaje son lineales como se
muestra en la figura 2. la relación corriente-voltaje puede Si suponemos ahora que la caída de voltaje a través de la
ser escrita en términos del voltaje de encendido (o el voltaje región del óxido es despreciable, entonces, para inversión
de umbral) 𝑉𝑈 como fuerte la cantidad 𝑉𝐺 − 𝑉𝑏𝑝 se hace aproximadamente 2𝜙𝐹 . Así
tenemos 𝑉𝐷𝑠𝑎𝑡 en términos de 𝑉𝐺 y el voltaje de umbral 𝑉𝑈
𝑍𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 definido como
𝐼𝐷 = (𝑉𝐺 − 𝑉𝑈 )𝑉𝐷 (15)
𝐿
𝑉𝐷𝑠𝑎𝑡 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑈 (17)
donde 𝑉𝑈 es el voltaje de compuerta requerido para
"encender" el transistor mediante el arranque de la La corriente de saturación se convierte entonces, después de la
inversión.
situación por 𝑉𝐷𝑠𝑎𝑡 en la ecuación 9.
Región de saturación
𝑍𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥
𝐼𝐷 = {[𝑉𝐺 − 2𝜙𝐹 − 𝑉𝑏𝑝 ]}(𝑉𝐺 − 𝑉𝑈 )
El análisis anterior es válido hasta el punto donde la 𝐿
3 2
(𝑉𝐺 −𝑉𝑈 )2 2 √2𝜀𝑠 𝑒𝑁𝑎
polarización de drenaje ocasione la constricción del canal en el − − [(2𝜙𝐹 + 𝑉𝐺 − 𝑉𝑈 )2 − 2𝜙𝐹 3 ] (18)
2 3 𝐶𝑜𝑥
extremo del drenaje. La condición para constricción fue
obtenida en la ecuación 11. En nuestro análisis simple
La corriente no cambia en 𝑉𝐷 en este modelo simple una vez
suponemos que cuando 𝑉𝐷 excede 𝑉𝐷𝑠𝑎𝑡 , la corriente no que se obtiene la constricción como se ilustra en la figura 2. Se
cambia. De este modo la corriente en la región de saturación presenta una simplificación adicional de la corriente saturada
puede ser obtenida mediante la sustitución de 𝑉𝐷𝑠𝑎𝑡 por 𝑉𝐷 en si suponemos que √𝑁𝑎 /𝐶𝑜𝑥 es muy pequeña. en este caso podemos
la expresión para la corriente 𝐼𝐷 . Sin embargo, el resultado suponer que
para la corriente de saturación puede ser simplificado en forma
adicional para algunos casos especiales. 𝑉𝑈 ≅ 2𝜙𝐹 + 𝑉𝑏𝑝 (19)
Si la concentración del adulterante en la región del Si es
Obtenemos
baja y el grosor del óxido es pequeño, entonces podemos
ignorar términos que incluyan 𝑁𝑎 /𝐶𝑜𝑥 2 y retener solamente
términos que involucren √𝑁𝑎 /𝐶𝑜𝑥 . Esto da, para la 𝑍𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 (𝑉𝐺 − 𝑉𝑈 )2
𝐼𝐷𝑠𝑎𝑡 = {(𝑉𝐺 − 𝑉𝑈 )2 − }
polarización de saturación 𝐿 2
𝑍𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥
= 2𝐿
(𝑉𝐺 − 𝑉𝑈 )2 (20)
De este modo una vez que comienza la saturación, la corriente
de compuerta tiene una dependencia de tipo cuadrática con
respecto a la polarización de la compuerta.

Parámetros de material y del dispositivo

Importantes parámetros de material y de dispositivo pueden

Figura 2: Un esquema de las características I-V de un MOSFET. En
la región óhmica la corriente se incrementa linealmente con la
polarización de drenaje para una polarización de compuerta fija. En
extraerse de las características I-V del MOSFET. Como se
discutió con anterioridad, para polarización de drenaje baja
la corriente de drenaje está dada por (ecuación 15).
de modo que la extrapolación de los puntos de corriente de
polarización de drenaje baja dan el
de modo que la extrapolación de los puntos de corriente de
polarización de drenaje baja dan el voltaje de umbral 𝑉𝑈 . Esto
se ilustra esquemáticamente en la figura 3. También, si la
corriente de drenaje se mide para dos diferentes valores de 𝑉𝐺
mientras se mantiene fija 𝑉𝐷 , la movilidad en el canal puede
determinarse, puesto que
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𝑍𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥
𝐼𝐷2 − 𝐼𝐷1 = (𝑉𝐺2 − 𝑉𝐺1 ) 𝑉𝐷 (21)
𝑑𝐼𝐷
𝐿
𝑔𝑚 = |𝑉𝐺=𝑐𝑡𝑒 (23)
𝑑𝑉𝐷

donde 𝐼𝐷2 e 𝐼𝐷1 son las corrientes para las polarizaciones de
compuerta de 𝑉𝐺1 y 𝑉𝐺2 . Puesto que Z, L y Cox son
conocidas, la movilidad de canal de inversión se puede
obtener. Es importante notar que la movilidad en un canal
MOSFET es generalmente mucho más pequeña que la
movilidad en el silicio en bruto. Esto se debe a la fuerte
dispersión que ocurre a consecuencia de la aspereza de la
interfaz Si-Si02. Las movilidades típicas del MOSFET son
~500 cm2/V-s mientras las movilidades típicas en el silicio en
bruto son ~1000 cm2/V-s.
El desempeño del MOSFET como un dispositivo se define por
medio de dos importantes parámetros, la conductancia de
drenaje (conductancia de salida) y la transconductancia.
La conductancia de drenaje se define como
Para saturación tenemos, de la ecuación 20
𝑍𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥
𝑔𝑚 = (𝑉𝐺 − 𝑉𝑈 ) (24)
𝐿
Un dispositivo de transconductancia alta se produce si la
longitud del canal es pequeña y la movilidad del canal es
alta. La transconductancia representa el control de la
compuerta sobre la corriente del canal y es por lo general
citada en milisiemens por milímetro (mS/mm) para
eliminar la dependencia sobre la anchura de compuerta Z.
Efectos de polarización del sustrato

𝑑𝐼 En el análisis anterior hemos supuesto que la polarización

𝑔𝐷 = 𝑑𝑉 𝐷 |𝑉𝐺=𝑐𝑡𝑒 (21) del sustrato es la misma que la polarización de la fuente. En
𝐷
Para polarizaciones de drenaje bajas obtenemos de las circuitos MOSFET, la fuente para la polarización del
ecuaciones 15, para la región óhmica sustrato (o cuerpo) 𝑉𝑆𝐵 ("source-body") es una variable
adicional que puede explotarse. En la figura 4 se ilustra un
𝑍𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 MOSFET de canal n que muestra la polarización de fuente
𝑔𝐷 = (𝑉𝐺 − 𝑉𝑈 ) (22) a cuerpo que se elige como cero o positiva para
𝐿
polarización inversa de la unión fuente a sustrato. El voltaje
𝑉𝑆𝐵 es sólo el negativo de 𝑉𝑆𝑢𝑠 .
En ausencia de 𝑉𝑆𝐵 , la condición de inversión se presenta
cuando 𝜙𝑆 , el potencial superficial es igual a 2𝜙𝐹 , como se
ilustra en la figura 4.b. En el caso de que 𝑉𝑆𝐵 sea positivo,
el voltaje de superficie requerido para la inversión se
incrementa, como se muestra en la figura 4.c, por una
cantidad 𝑉𝑆𝐵 , puesto que el cuerpo se encuentra a un nivel
de energía más alto.

Figura 3: un esquema que muestra como pueden ser obtenidos los

parámetros básicos 𝑉𝑈 y movilidad de las curvas 𝐼𝐷 − 𝑉𝐺 en la
región óhmica del MOSFET.

En la región de saturación, en nuestro modelo simple la

conductancia de drenaje es cero. En dispositivos reales,
𝑔𝐷 no es cero para saturación, El FET es por lo general
empleado con otras cargas, de modo que durante la
operación del circuito el voltaje 𝑉𝐷 puede cambiar. Si 𝑔𝐷
es distinto de cero, la corriente a través del FET
cambiará a medida que 𝑉𝐷 cambie, y esto ocasionará un
comportamiento no ideal en el circuito. El MOSFET (y
otros transistores) también se utiliza como fuente de
corriente constante que funciona en la región de
saturación. Esto también requiere que el transistor tenga
mínima conductancia de drenaje.
La transconductancia del MOSFET está
cercanamente ligada con la velocidad del dispositivo, y
está dada por
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Figura 4: a) MOSFET n que se muestra el voltaje entre la fuente y el puesto que, en nuestra discusión, era necesaria una
cuerpo del transistor; b) perfiles de bandas del MOSFET con 𝑉𝑆𝐵 = polarización de compuerta positiva para que ocurriera la
0 para la condición de inversión; e) perfil de banda del MOSFET inversión.
cuando 𝑉𝑆𝐵 > O. La anchura de agotamiento se incrementa cuando Para producir un dispositivo de modo de agotamiento que este
𝑉𝑆𝐵 > O.
encendido sin ninguna polarización de compuerta, la
fabricación del MOSFET se altera. Como se ilustra en la
figura 5, se comienza con un sustrato tipo p y se colocan dos
Cuando 𝑉𝑆𝐵 > O, la anchura de agotamiento ya no es Wmáx contactos n+. adicionalmente, en el dispositivo en modo de
sino que se incrementa para absorber el potencial adicional agotamiento, se difunde una delgada capa de donadores para
producir un canal delgado tipo n entre los contactos n+. el
𝑉𝑆𝐵 . La nueva anchura de agotamiento es
resto del MOSFET es producido de la manera normal al
2𝜀𝑠 (2𝜙𝐹 +𝑉𝑆𝐵 ) 1/2 colocar una capa de oxido y una compuerta. Las
𝑊(𝑉𝐺𝑆 ) = [ ] (25) características I-V de un dispositivo de la naturaleza también
𝑒𝑁𝑎
se ilustra en la figura 5.b.
como resultado, se necesita carga adicional en la compuerta El dispositivo discutido con anterioridad puede fabricarse en
para compensar la carga adicional requerida para el sustrato tipo p o tipo n. En este dispositivo se tiene portadores
agotamiento más amplio. Esta carga adicional es. libres debido a la adulteración y, por lo tanto, el dispositivo se
encuentra encendido, incluso si la polarización de compuerta
es cero. La polarización de la compuerta puede ser usada
∆𝑄 = −𝑒𝑁𝑎 𝑊(𝑉𝐺𝑆 ) + 𝑒𝑁𝐴 𝑊𝑚𝑎𝑥 ahora apagar el dispositivo como se muestra.
= −√2𝜀𝑠 𝑒𝑁𝑎 [√2𝜙𝐹 + 𝑉𝑆𝐵 − √2𝜙𝐹 ] (26) El MOSFET puede ser utilizada como un elemento de
conmutación del mismo modo que podrían emplearse los
Como resultado, es necesario una polarización de compuerta dispositivos bipolares u otros FETs. Sin considerar si el FET
adicional para crear la inversión. El cambio en el voltaje de es un dispositivo mejorado o de agotamiento, el FET conduce
umbral es corriente en uno de los estados del conmutador. Lo anterior
causa disipación de potencia puede causar serios problemas de
∆𝑄 √2𝜀𝑠 𝑒𝑁𝑎 calentamiento. Esto puede evitarse mediante el uso de los
∆𝑉𝑈 = − 𝐶 = [√2𝜙𝐹 + 𝑉𝑆𝐵 − √2𝜙𝐹 ] (27) dispositivos MOS-n y MOS-p juntos.
𝑜𝑥 𝐶𝑜𝑥

Para asegurar un corrimiento positivo en el voltaje de

umbral, 𝑉𝑆𝐵 debe ser positivo.
El voltaje de umbral de un MOSFET también puede ser
modificado mediante la alteración de la densidad de
adulteración en la región del silicio. Esto puede hacerse
mediante implantación de iones, de manera que se
introduzca una dosis agregada de aceptores (o
donadores). Esto cambia el valor de Wmáx y en
consecuencia se altera el voltaje de umbral.

 MOSFETs mejorado y de agotamiento

En las discusiones del MOSFET, hasta ahora vimos que

a medida que el voltaje de compuerta se incrementa a
algún valor positivo 𝑉𝑈 , se presenta la inversión y el
dispositivo comienza a conducir o se enciende. Por supuesto,
esta no es la única configuración en la que el dispositivo puede
funcionar. Es posible diseñar dispositivos que estén activos
cuando ninguna polarización de compuerta este aplicado o
cuando se aplique una polarización negativa. Esta versatilidad
es muy importante pues permite una mayor flexibilidad al
Figura 5: a) esquema de un MOSFET de agotamiento fabricado en
diseñador lógico. un sustrato tipo p, con un canal n. b) en el modo de agotamiento, el
Un dispositivo en el cual no fluye cuando la polarización de dispositivo se encuentra encendido para polarización de compuerta
compuerta es cero, y solamente fluye cuando se aplica una cero. Para desactivar el dispositivo, se requiere una polarización de
polarización de compuerta positiva o negativa, se conoce compuerta negativa como se ilustra. El símbolo del dispositivo se
como un dispositivo de modo mejorado. A la inversa si el muestra también. C) las características I-V muestra el
flujo de corriente ocurre cuando la polarización de compuerta comportamiento del dispositivo en el modo mejorado. También se
es cero y el dispositivo se apaga cuando la polarización de muestra el símbolo del dispositivo .
compuerta es positiva o negativa, se dice que el dispositivo
funciona en modo de agotamiento. el dispositivo que hemos
discutido hasta ahora es el dispositivo de modo mejorado
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 MOSFETs complementarios durante la conmutación de voltaje de entrada. B) un esquema de la

estructura CMOS.

Es posible reducir en gran medida el problema de las III. EJEMPLO

disipaciones de potencia si se conecta un dispositivo de canal
n de modo mejorado a un dispositivo de canal p de modo
mejorado en serie. Este es el MOSFET complementario o
CMOS y es fabricado en el mismo chip que se muestra en la
figura 6. En el inversor CMOS ilustrado, el drenaje del
MOSFET p y n están conectados y forman la salida. La
entrada se presenta a las compuertas del dispositivo como se
ilustra. El dispositivo de canal p tiene un umbral negativo
mientras que el dispositivo de canal n tiene un voltaje de
umbral positivo.
Cuando se aplica un voltaje de entrada cero 𝑉𝑖𝑛 , el voltaje
entre la fuente y el drenaje del dispositivo de canal es cero,
apagándolo. Sin embargo, el voltaje entre la compuerta y la
fuente del dispositivo de canal p es -V puesto que la fuente del
dispositivo de canal p se encuentra a +V. esto enciende el
dispositivo de canal p. así el canal p esta encendido y el canal
n se encuentra apagado de modo que el voltaje de salida es
𝑉𝑜𝑢𝑡 = 𝑉. No fluye corriente alguna en los dispositivos puesto
que están conectados en serie.
Cuando se aplica una polarización de compuerta positiva, el
dispositivo de canal n se encuentra encendido, mientras el
dispositivo de canal p está apagado. El voltaje de salida
𝑉𝑜𝑢𝑡 = 0. Una vez mas no se presenta ningún flujo de
corriente puesto que los dispositivos están en serie y uno de
ellos se encuentra apagado. Como puede verse, para entrada
de 1(alto) o 0(bajo), uno de los dispositivos permanece
apagado. De este modo, el CMOS no consume potencia
cuando se encuentra manteniendo el estado de información.
Sol durante la conmutación se presenta un flujo de corriente.
Esta propiedad de bajo consumo de potencia del CMOS lo
hace muy atractivo para aplicaciones de alta densidad tales
como memorias de semiconductores. Sin embargo, debe
advertirse que el dispositivo tiene mucha más complejidad de
fabricación. También, puesto que el transporte de tipo p es
mucho más pobre que el transporte de tipo n, se debe tener
especial cuidado para diseñar los dos dispositivos para
rendimiento semejante.
Considere un MOSFET de canal n con una adulteración del
sustrato 𝑁𝑎 = 2 × 1016 𝑐𝑚−3 a 300K el grosor del sio2 es de
500 A y si se aplica una polarización de fuente cuerpo de 1 V.
calcule el corrimiento de en la corriente umbral.
Solución:
El potencial 𝜙𝐹 esta dado por
𝑁𝑎 2 × 1016
𝜙𝐹 = 0.026 ln ( ) = 0.026 ln ( ) = 0.367 𝑉
𝑁𝑖 1.5 × 1010
La capacitancia del óxido es
𝜀𝑜𝑥 3.9(8.84 × 10−14
𝐶𝑜𝑥 = = = 6.9 × 10−8 𝐹⁄𝑐𝑚2
𝑑𝑜𝑥 500 × 10−8
El cambio en el voltaje de umbral es
[2(1.6 × 10−19 )(11.9)(8.84 × 10−14 )(2 × 1016 )]1/2
∆𝑉𝑈 ≈
6.9 × 10−8
{[2(0.367) + 1]1/2 − [2(0.367) + 1]1/2 }
= 0.54𝑉
IV. CONCLUSIÓN
Como conclusión podemos decir que el MOSFET es un
transistor de efecto de campo metal oxido semiconductor que
posee tres terminales, que son la fuente , el surtidor y la
compuerta , este dispositivo funciona como si fuera un
interruptor , comienza su funcionamiento cuando la compuerta
se le aplica una tensión y esta deja fluir electrones o huecos
dependiendo del tipo de MOSFET que sea ( tipo n o tipo p)
entre fuente y surtidor , también se dio a conocer la
combinación de polarización entre compuerta y drenaje crea
una condición donde no hay inversión cerca del extremo del
drenaje, también presentamos la relación entre corriente -
voltaje , su región lineal , región de saturación.

V. REFERENCIAS

[1] Alonso and Finn, “Fundamentos de Física General”,

Tomo III.

[2] Singh J., “Dispositivos Semiconductores”, México:

McGraw-Hill, 1997.

Figura 6: a) una estructura de MOS complementaria mostrada para

funcionar como inversor. El circuito conduce corriente solamente