MICROPROCESSADORES E

MICROCONTROLADORES
AULA 1

Prof. Sérgio Luiz Veiga

1
CONVERSA INICIAL
Neste tema iremos aprender sobre o respectivo dispositivo que é
empregado para o armazenamento de informações/dados em formato digital ─
muito embora a informação seja armazenada em hexadecimal ─, bem como a
sua classificação, terminologia empregada, construção e princípio de
funcionamento. Bons estudos!

TEMA 1: TERMINOLOGIA

Célula de Memória
É o termo designado para representar a menor unidade de
armazenamento de uma informação em memória, por meio de um dado binário
0 ou 1. Os dispositivos empregados para realização deste armazenamento são
geralmente os flip-flops, e também os capacitores, dependo efetivamente do
tipo de construção da memória.

Palavra de Memória
“Um grupo de bits (células) em memória que representa instruções ou
dados. Por exemplo, um registrador constituído de oito flip-flops pode ser
considerado uma memória armazenando uma palavra de oito bits” (TOCCI et
al., 2011, p. 657).

Byte
“É uma terminologia emprega para designar uma informação e/ou dado
em um tamanho fixo de oito bits. Um termo especial, usado para designar
palavra de oito bits”. (TOCCI et al., 2011, p. 657). Esse tamanho de palavra é
muito utilizado em sistemas implementados por processadores e
microcontroladores por meio da palavra de dados.

2
Capacidade
Segundo Tocci et al. (2011, p. 657):
É uma forma de especificar quantos bits podem ser armazenados em
determinada memória. Para ilustrar, considere que tenhamos uma
memória que possa armazenar 4096 palavras de 20 bits,
representando uma capacidade de 81920 bits. Podemos também
expressar esta capacidade como 4096 x 20. Ao expressar desta
forma, o primeiro número (4096) é o número de palavras, e o
segundo (20), o número de bits por palavra.

Endereço
Conforme Tocci et al. (2011, p. 657):

Um número que identifica a posição de uma palavra na memória.

Cada palavra armazenada em qualquer dispositivo ou sistema de
memória possui um único endereço. Os endereços são expressos
com números binários, apesar de, em alguns casos, os números
octal, decimal e hexadecimal serem usados por.

Operação de Leitura
“É uma operação segundo a qual uma palavra binária armazenada em
posição específica de memória (endereço) é identificada e transferida para
outro dispositivo qualquer do sistema”. (TOCCI et al., 2011, p. 658)

Operação de Escrita
Operação na qual uma nova palavra é colocada em determinada
posição de memória. Também chamada de armazenamento. Sempre
que uma nova palavra é escrita numa posição de memória, ela
substitui a palavra que estava anteriormente armazenada naquela
posição. (TOCCI et al., 2011, p. 658)

Tempo de Acesso
Segundo (TOCCI et al., 2011, p. 658):
Uma medida de velocidade do dispositivo de memória. É a
quantidade de tempo necessária à efetivação de uma operação de
leitura. Mais especificamente é o tempo decorrido entre o momento
da recepção pela memória de um novo endereço, e o instante em que
a informação daquele endereço fica disponível.

Memória Volátil
Qualquer tipo de memória que necessite de energia elétrica para reter
a informação armazenada. Se a energia for retirada, toda a
informação armazenada na memória será perdida. Muitas memórias
e semicondutores são voláteis, enquanto todas as memórias
magnéticas são não voláteis. (TOCCI et al., 2011, p. 658)

3
Memória de Acesso Aleatório (Random Acess Memory - RAM)
São memórias que permitem operações de escritas e/ou leitura a partir
de qualquer endereço selecionado em qualquer sequência. Esse tipo de
memória é geralmente utilizado no armazenamento de informação enquanto há
alimentação no dispositivo, ou seja, os dados não são mantidos na ausência
da alimentação.

Memória de Acesso Sequencial (Sequential Acess Memory - SAM)

Conforme (TOCCI et al., 2011, p. 659):
Memória onde o tempo de acesso não é constante, mas depende do
endereço. Para encontrar determinada palavra, devemos passar por
todos os endereços situados entre aquele onde se realizou o último
acesso e o objeto do acesso atual. Isto produz tempos de acesso que
são bem maiores do que os dos dispositivos de acesso randômico.

Memória de Leitura (Read Only Memory - ROM):

É um tipo de memória que possui a característica de armazenamento de
dados permanentemente. “Tecnicamente, uma ROM pode ser gravada apenas
uma vez, sendo esta operação quase sempre feita em fábrica. Todas as ROMs
são não voláteis e continuarão a reter a informação armazenada, mesmo
quando não há fornecimento de energia”. (TOCCI et al., 2011, p. 659).

Dispositivos de Memória Estática

“Dispositivos de memória a semicondutor nos quais as informações
armazenadas permanecerão enquanto houver energia elétrica aplicada à
memória, sem que haja necessidade de a informação ser periodicamente
reescrita na memória”. (TOCCI et al., 2011, p. 659).

Dispositivos de Memória Dinâmica

Segundo Tocci et al. (2011, p. 659).
São dispositivos de memória a semicondutor nos quais as
informações não permanecerão armazenadas, mesmo em presença
da energia elétrica necessária à alimentação do circuito, a não ser
que as informações sejam reescritas na memória com determinada
frequência. Esta operação é denominada recarga (REFRESH) da
memória.

4
Estrutura Geral e Operação da Memória
“A memória contém diversas posições, cada uma das quais indicadas
por um endereço (ENDEREÇO); se a memória possui n linhas de endereço,
consequentemente conterá 2 posições”.
Em cada uma das posições é possível armazenar um certo número
de bits, geralmente 1, 4 ou 8 bits.
Para que o conteúdo de uma determinada posição seja lida, a
memória é habilitada através da ativação da linha HABILITA e o
endereço desejado é colocado nas linhas de endereço. Após um
determinado intervalo de tempo, o conteúdo da posição endereçada
aparece nas linhas de saída DATA OUT.
Na operação de escrita, a memória é habilitada, o endereço desejado
é colocado nas linhas de endereço e a informação que se quer
armazenar é colocada nas linhas DATA IN. Em seguida, aplica-se um
pulso na linha de controle ESCRITA, o que faz com que a informação
seja armazenada na memória. Na figura 01, temos um diagrama
básico de um dispositivo de memória. (JUNIOR, 2016).

Figura 1: Diagrama básico de uma memória

Fonte: PELLISON e TRISTÃO, 2016

TEMA 2: MEMÓRIAS DE LEITURA (READY ONLY MEMORY – ROM)

A memória de leitura é um tipo de memória a semicondutor, projetada

para armazenar que nunca mudam ou que, se mudarem, o farão com
pouquíssima frequência. Durante a operação normal nenhum dado novo
poderá ser escrito na ROM, sendo permitida a leitura dos dados que estiverem
armazenados.
Segundo Tocci et al. (2011, p. 664):
O processo de gravação de dados nestas memórias é chamado
programação, ou queima, da ROM. Conforme mencionado
anteriormente, algumas ROMs não podem mais ter seus dados
alterados após os mesmos terem sido gravados.
5
 Outras podem apagar e regravar seus dados quantas vezes forem
necessárias.
As ROMs são usadas para guardar instruções e dados que não vão
mudar durante o processo de operação do sistema. Uma das
principais aplicações da ROM é no armazenamento de alguns
programas do sistema operacional dos microcomputadores.
As ROMs são não voláteis, estes programas não se perdem quando
o microcomputador é desligado, permitindo que, quando ele for
novamente ligado, comece imediatamente a executar um programa
armazenado em ROM.

As saídas de dados da maioria das ROMs são tristate, para permitir a

conexão de vários chips de memória ROM ao mesmo barramento de dados,
permitindo a construção de memórias de diversas capacidades.

Temporização da ROM
O retardo de tempo entre um novo endereço quando fica válido, e
quando as saídas de dados ficam estáveis, é o chamado tempo de acesso tACC.
As memórias ROMs bipolares típicas têm acesso na faixa de 30 a 90 ns; já o
tACC de dispositivos NMOS está na faixa de 35 a 500 ns.
Outro parâmetro de tempo muito importante é o tempo de habilitação
da saída, tOE, que representa o retardo entre a aplicação da entrada
CS e o instante em que a saída fica estável. Valores típicos para tOE
estão na faixa de 10 a 20 ns para ROMs bipolares e de 25 a 100 ns
para aquelas fabricadas na tecnologia MOS. (TOCCI et al., 2011, p.
668).

Tipos de ROM
 ROM Programada por Máscara (MASK-ROM): Essa ROM tem suas
posições de memória escritas pelo fabricante de acordo com as
especificações do cliente. Um negativo fotográfico, denominado
máscara, é usado para especificar as conexões elétricas do chip.

A maior desvantagem destas ROMs é o fato de elas não poderem ser

apagadas e reprogramadas, quando uma mudança qualquer no
projeto do dispositivo exigir modificações nos dados armazenados.
Neste caso, a ROM com os dados antigos não podem ser
reaproveitada. Na Figura 2, temos a representação de uma MROM
bipolar. (GIACOMIN, 2016)

6
Figura 2: Estrutura interna de uma Mask-ROM bipolar

Fonte: GIACOMIN, 2016

 ROMs Programáveis (PROMs):

Conforme Tocci et al. (2011, p. 671):

Uma ROM programável por máscara é muito dispendiosa e não deve

ser usada a não ser para aplicações que exijam a produção de uma
grande quantidade de chips, fazendo com que os custos de
fabricação sejam divididos por um número bem grande de unidades.
Os fabricantes desenvolveram as PROMs a fusível, programáveis
pelo usuário, isto é, elas não são programadas durante o processo de
fabricação, e sim pelo usuário. Uma vez programada, a PROM será
semelhante a uma MROM, que não pode ser apagada e
reprogramada. Conforme apresentada na Figura 3, temos um PROM
programa por fusíveis.

7
Figura 3: As PROMs usam fusíveis que podem ser abertos seletivamente pelo usuário para
programar um zero lógico na célula em questão

Fonte: TOCCI, 2011.

 ROM Programável Apagável (EPROM):

Uma EPROM pode ser programada pelo usuário, podendo, além

disso, ser apagada e reprogramada quantas vezes forem
necessárias. Uma vez programada, a EPROM comporta-se como
memória não volátil que reterá os dados nela armazenados
indefinidamente.
O processo de programação de uma EPROM envolve a aplicação de
níveis especiais de tensão (na faixa entre 10 e 25 V) às entradas
apropriadas do chip por um intervalo de tempo determinado (em geral
50 ms por posição de memória). (BORGES, 2016)

Na Figura 5, é apresentada uma EPROM comercial 2732. Para a sua

funcionalidade, é necessária a configuração de seus terminais de controle,
conforme representado pela Tabela 1.

Figura 4: Típico encapsulamento de um chip EPROM, mostrando a janela para receber a

radiação ultravioleta.

Fonte: BORGES, 2016

8
Figura 5: Símbolo lógico para a EPROM 2732

Fonte: BORGES, 2016

Tabela 1: Configuração de operação para a EPROM 2732

MODO ENTRADAS SAÍDAS
CE’ OE’/VPP
LEITURA/VERIFICAÇÃO VIL VIL DATAOUT
DESABILITA SAÍDA VIL VIH HIZ
STANDBY VIH X HIZ
PROGRAMAÇÃO VIL VPP DATAIN

 HIZ  ALTA IMPEDÂNCIA

 VIL TTL BAIXO (0 VOLTS)
 VIH TTL ALTO (5 VOLTS)
 VPP 21 V (NOMINAIS)

O processo de apagamento requer uma exposição de 15 a 30 minutos

aos raios ultravioletas. A luz ultravioleta apaga todas as células ao mesmo
tempo, de forma que, após a exposição, a EPROM estará novamente
armazenando os “1”, conforme apresentado na Figura 4.

9
 O processo de programação, quando feito manualmente, pode levar
várias horas. Existem no mercado inúmeros programadores de
EPROM que podem programar e verificar uma 2732 em menos de
dois minutos, desde que o usuário tenha entrado com os dados a ser
gravados pelo teclado do programador de EPROM. (BORGES, 2016)

 EPROM Apagável Eletricamente (EEPROM):

As EPROM têm duas grandes desvantagens. A primeira é o fato de

elas precisarem ser retiradas de seu soquete para serem apagadas e
reprogramadas. A segunda é o fato de a operação de apagamento
remover o conteúdo da memória inteira, obrigando que a mesma
tenha de ser completamente reprogramada.
A maior vantagem da EEPROM sobre a EPROM é a possibilidade de
apagamento e reprogramação de palavras individuais, em vez da
memória toda. Além disso, uma EEPROM pode ser totalmente
apagada em 10 ms, no próprio circuito, contra mais de 30 minutos
para uma EPROM.
Pelo fato de a EEPROM poder ser apagada e reprogramada sem ser
removida do circuito através da aplicação de tensões específicas,
torna-se necessário o acréscimo de alguns componentes ao circuito
da EEPROM, componentes estes que não existem no caso da
EPROM. (BORGES, 2016)

Na figura 6, temos um EEPROM comercial 2864, as possíveis

configurações de funcionalidade desta memória, em virtude dos seus terminais
de controle, estão descritas na Tabela 2.

Figura 6: Símbolo para a EEPROM 2864

10
Tabela 2: Configuração de operação para a EEPROM 2864
MODO ENTRADAS SAÍDAS
CE’ OE’ WE’
LEITURA VIL VIL VIH DATAOUT
ESCRITA VIL VIH VIL DATAIN
STANDBY VIH X X HIZ

Aplicação das ROMs.

 FIRMWARE (Microprograma):

Até agora, uma das mais importantes aplicações da memória ROM é

no armazenamento dos microprogramas de um computador. Alguns
microcomputadores também armazenam em ROM seu sistema
operacional e, em alguns casos, até seus interpretadores de
linguagem.
Os programas do computador que estão armazenados em ROM são
denominados firmware pelo fato de não estarem sujeitos a mudança,
ao contrário daqueles armazenados em RAM (software). (BORGES,
2016)
 Memória de Partida Fria (Bootstrap):

Alguns microcomputadores e a maioria dos computadores de maior

parte não têm seu sistema operacional armazenado em ROM. Tais
equipamentos utilizam memória de armazenamento em massa,
discos rígidos, para armazenarem o sistema operacional. Um
programa muito pequeno de partida fria ou bootstrap, que está
armazenado em ROM, deve ser executado tão logo a máquina tenha
sido ligada. (PELLISON e TRISTÃO, 2016)

Memória Flash
As memórias EPROMs são não voláteis, oferecem tempos de acesso
reduzidos, alta densidade e baixo custo por bit. Entretanto, elas precisam ser
removidas dos seus circuitos para serem apagadas e reprogramadas.
As memórias EEPROM são não voláteis, oferecem rápido acesso para
leitura e permitem que o apagamento e a reprogramação de palavras

11
individuais sejam feitos no próprio circuito. Como desvantagem, possui baixa
densidade e o custo por bit maior do que as EPROM.
As memórias Flash são caracterizadas por serem não voláteis, com
capacidade da EEPROM de apagamento elétrico no próprio circuito, mas com
a densidade e custos próximo aos da EPROM, mantendo a alta velocidade de
leitura de ambas. São assim chamadas em virtude dos seus tempos curtos de
apagamento e escrita. A maioria das memórias Flash usa uma operação de
apagamento total, na qual todas as células são apagadas simultaneamente,
mas há também aquelas que possibilitam um modo de pagamento por setor, no
qual setores específicos da matriz de memória (por exemplo 512 bytes) podem
ser apagados por vez. Isto evita ter que apagar e reprogramar todas as células
quando apenas uma parte da memória precisa ser atualizada. Uma memória
flash típica tem um tempo de escrita em torno de 10us por byte, comparado
com 100us para EPROM e 5ms para a EEPROM.

VIDEO 3 – inserir aqui vídeo que vou gravar falando sobre o Tema 2:
Equipamentos de detecção de contaminantes (utilizarei slides)

Tema 3: Memórias de Acesso Randômico a Semicondutor (RAM)

Segundo Tocci et al. (2011, p. 682):

O termo RAM é usado para designar uma memória de acesso

randômico, ou seja, uma memória com igual facilidade de acesso a
todos os endereços. Muitos tipos de memória podem ser classificados
como de acesso randômico, mas quando empregamos o termo RAM
na designação de memórias a semicondutor estamos querendo nos
referir a memórias de leitura/escrita (RWM).

Arquitetura da RAM
“Vamos considerar uma RAM como constituída de um conjunto de
registradores, cada um dos quais armazenando uma única palavra de dados, e
possuindo cada um deles um único endereço”. (TOCCI et al., 2011, p. 682)
 Operação de Leitura:

12
 “O código de endereço escolhe um dos registradores do chip de
memória para ser lido ou escrito. De maneira a ler o conteúdo de um
registrador selecionado”. (TOCCI et al., 2011, p. 682)
 Operação de Escrita:
Segundo Tocci et al. (2011, p. 683):

Para escrever uma nova palavra de quatro bits em um registrador

selecionado, é necessário que R/W esteja em 0 e CS em 1. Esta
combinação habilita os buffers de entrada, fazendo com que a
palavra de quatro bits aplicada à entrada seja escrita no registrador
selecionado.

 Seleção de Chip:
Conforme Tocci et al. (2011, p. 682):

A grande maioria dos chips de memória tem uma ou mais entradas

de seleção CS, que são usadas para habilitar ou desabilitar o chip.
Quando desabilitado, todas as suas entradas e saídas de dados
estarão em alta impedância, de modo que não será possível realizar
nem uma operação de leitura nem uma operação de escrita.

RAM Estática (SRAM)

A operação de uma memória RAM discutida até agora se aplica à classe
das RAMs estáticas, aquelas que só podem manter a informação armazenada
enquanto a alimentação estiver aplicada ao chip. As células de memória das
RAMs estáticas são formadas por flip-flops que estarão em certo estado, por
tempo indeterminado, desde que a alimentação esteja ligada.

Temporização da RAM Estática.

Os circuitos integrados de RAM são utilizados quase sempre como
memória interna (principal) de um computador. O processador realiza
continuamente operações de leitura/escrita nesta memória, as velocidades
normalmente bem altas.

Os chips de memória que fazem a interface com o processador

devem ser rápidos o suficiente para responder aos comandos de
leitura e escrita sem retardar a operação do processador. Desta
13
 forma, um projetista de computador deve estar bem familiarizado com
as várias particularidades relativas à temporização das RAMs.
(TOCCI et al., 2011, p. 685)

Nas Figuras 7 e 8, temos os ciclos que correspondem às operações de

leitura e escrita.

Figura 7: Ciclo de LEITURA

 Ciclo de Leitura:
o tRCCiclo completo de leitura, quando o processador muda as
entradas de endereço para os valores envolvidos com a próxima
operação de leitura.
o tACCTempo de acesso da RAM, correspondendo ao intervalo de
tempo entre a aplicação do novo endereço e o aparecimento dos
dados na saída.
o tCO É o tempo que o dado de saída é válido a partir do instante
em que CE for ativado.

14
 o tOD As saídas da RAM retornam ao estado de alta impedância,
depois de decorrido o intervalo de tempo.

Figura 8: Ciclo de ESCRITA

 Ciclo de Escrita:
o tWCDetermina o ciclo completo de escrita, quando o
processador muda as linhas de endereço, colocando nelas o
endereço para a próxima operação de leitura ou escrita.
o tASTempo de estabelecimento do endereço, que tem por
objetivo dar tempo ao decodificador de endereços da RAM para
responder ao novo endereço que lhe foi apresentado.
o tAHTempo em que as entradas de endereço devem permanecer
estáveis durante o tempo de retenção do dado.
o tDS e tDH Os dados devem ser mantidos nas entradas de dados
da RAM por, no mínimo, um tempo equivalente a tDS antes, e no
máximo por um tempo tDH após a desativação dos sinais R/W e
CE.
15
  Chip RAM Comercial:
Um exemplo de chip SRAM disponível no mercado é o CMOS 6264,
Figura 9, com uma capacidade de 8K x 8 com tempos de ciclo de leitura e
escrita de 100 ns e com consumo em standby de somente 0,1 mW. Na Tabela
3, temos as configurações dos terminais de controle para os respectivos modos
de operação.

Figura 9: Símbolo lógico e tabela dos modos de operação do chip CMOS SRAM 6264

Tabela 3: Configuração dos modos de operação do chip

ENTRADAS
MODO PINOS DE E/S
WE CS1 CS2 OE
LEITURA 1 0 1 0 DATAOUT
ESCRITA 0 0 1 0 DATAIN
SAÍDA DESABILITADA 1 X X X HIZ

16
 X 1 X X
NÃO SELECIONADO HIZ
X X 0 X

RAM Dinâmica (DRAM).

Conforme Tocci et al. (2011, p. 689)

As RAMs dinâmicas são fabricadas usando a tecnologia MOS,

possuindo alta capacidade de armazenamento, baixo consumo de
energia e velocidade de operação moderada. As RAMs dinâmicas
armazenam 1s e 0s como cargas de microcapacitores MOS,
tipicamente de poucos picofarads. Em função da tendência destes
capacitores se descarregarem depois de decorrido determinado
tempo, as RAMs dinâmicas necessitam de recarga periódica das
células de memória, operação denominada refresh da memória RAM
dinâmica.

 A necessidade de refresh é uma desvantagem que esta memória tem,

se comparada com a RAM estática.
 Para memórias relativamente pequenas, com menos de 64 K palavras, a
RAM integrada, iRAM, fornece uma solução.
 Uma iRAM é um circuito integrado que inclui os circuitos de refresh no
mesmo chip que abriga a matriz de células de memória.
 O custo por bit da RAM dinâmica varia de um quinto a um quarto do
custo por bit da RAM estática.
 O baixo consumo das RAMs dinâmicas é outro fator que reduz os custos
dos sistemas que as utilizam. As RAMs dinâmicas têm um consumo em
torno de um sexto a um meio menor, o que permite que o circuito seja
alimentado por fontes menores e mais baratas.
 Equipamentos que precisam de memória com alta velocidade e pouca
memória utilizam memórias SRAM.
 Microcomputadores utilizam DRAM para comporem sua memória
principal.

17
Figura 10: Arquitetura simplificada de um chip DRAM 4116

18
Figura 11: Temporização dos sinais

 Multiplexação de Endereços:
A matriz de memória DRAM mostrada na figura 10 tem 14 entradas de
endereço. O ciclo de temporização para esta memória é apresentada na Figura
11. Uma DRAM de 64 K x 1 precisa de 16 entradas de endereço. Os chips de
memória de maior capacidade, como os citados acima, precisam ter muitos
pinos para entrada de endereço, se for mantida a relação de um pino para cada
bit correspondente de endereço.
A fim de reduzir o número de pinos de endereço em chips DRAM de alta
capacidade, alterando a relação dos pinos com os bits de endereço, os
fabricantes usam a técnica da multiplexação de endereços, por meio da qual
cada pino do integrado pode acomodar dois bits diferentes de endereço.

19
Tempo de Acesso

Quando o processador ordena o armazenamento de um dado na

memória, esse armazenamento não é imediato; a memória demora
um pouco para armazená-lo no endereço solicitado. O mesmo ocorre
quando o processador pede que a memória devolva um dado que
está nela armazenado. Essa demora é chamada tempo de acesso e é
uma característica inerente a todas as memórias.
As memórias dinâmicas têm tipicamente tempo de acesso de 70 a 10
ns. Já as memórias estáticas são bem mais rápidas, apresentando
tempo de acesso menor que 20 ns. (SOBRINHO, 2016)

TEMA 4: TECNOLOGIA DE MEMÓRIAS

 Memória “Fast Page Mode” (FPM):

A memória FPM retém o valor da última linha acessada. Com isso, para
os próximos acessos que forem à mesma linha, o controlador de memória não
precisará enviar à memória o valor da linha. O resultado disso é que o acesso
será mais rápido. Enquanto o acesso ao primeiro dado de uma linha demorará
o tempo normal, o acesso aos demais dados da mesma linha será mais rápido.
Na Figura 12, temos um diagrama de tempo que descreve o seu ciclo
de operação.

Figura 12: Funcionamento da memória FPM

20
  Memória Extended Data Out (EDO):
A memória EDO é uma pequena modificação na estrutura da memória
FPM. Se você reparar na linha de tempo da memória FPM, verá que esta se
torna inativa quando o sinal CAS é desabilitado, o que não acontece na
memória EDO. Os dados permanecem na saída da memória por mais tempo,
mesmo quando o sinal CAS é desabilitado, conforme apresentado pelo
diagrama na Figura 13.
A consequência disso é que o próximo endereço poderá começar a ser
decodificado enquanto os dados ainda estão na saída da memória, pois o sinal
CAS poderá ser acionado novamente sem alterar o valor dos dados que ainda
estão na saída da memória – ou seja, ganharemos tempo.

Figura 13: Funcionamento da memória EDO

 Memória Burst Extended Data Out (BEDO):

A memória BEDO é igual à EDO, com a única diferença de ter integrado
um contador de endereços. Quando o processador (ou controlador cache)
necessita ler um dado, o controlador de memória só precisa enviar o valor da
linha e da coluna iniciais. A própria memória trata de colocar os próximos três
dados automaticamente no barramento de dados. Essa modificação faz
aumentar muito o desempenho para a leitura de dados consecutivos. Na leitura
de dados não sequenciais, a memória BEDO tem o mesmo desempenho da
memória EDO.

21
  Memória Synchronous Dynamic RAM (SDRAM):
A última palavra em memória para micros pessoais chama-se SDRAM.
Caso o barramento local trabalhe acima de 66 MHz, há um grande problema
em relação aos outros tipos de memória apresentados: eles não conseguem
trabalhar tão rapidamente sem a utilização de muitos waitstates.
Internamente, a memória SDRAM apresenta diversas modificações. Ao
contrário de todas as demais memórias, ela é sincronizada pelo clock da
placa-mãe, e daí o seu nome Memória Síncrona.
Ela permite o acesso a dois endereços diferentes paralelamente.
 Memória Double Data Rate SDRAM (DDR SDRAM):
As memórias DDR apresentam evolução significativa em relação ao
padrão SDR, isso porque elas são capazes de lidar com o dobro de dados
em cada ciclo de clock (memórias SDR trabalham apenas com uma
operação por ciclo). Assim, uma memória SDR que trabalha à frequência de
100 MHz, por exemplo, um módulo DDR com a mesma frequência faz com
que esta corresponda ao dobro, isto é, a 200 MHz.

TEMA 5: EXPANSÃO E BANCO DE MEMÓRIAS

Em muitas aplicações com sistemas de memória, a capacidade ou o

tamanho da palavra necessária para uma RAM ou ROM não podem ser obtidos
apenas por um único dispositivo de memória, ou seja, um CI
(Circuito Integrado). Sendo assim, diversos CIs de memória devem ser
combinados para se obter a capacidade e/ou tamanho da palavra desejada.
Veremos como isso é feito por meio de exemplos, que têm como objetivo,
ilustrar estas técnicas.
 Exemplo 1: A partir de uma memória de 8k x 4, aumentar a
capacidade para 16k x 4. Nesse caso, e assim como os demais, não está
sendo tratado especificamente o tipo de memória, ou seja, RAM ou ROM, pois
não é indiferente.

22
 1

Podemos concluir que, para aumentar a capacidade de armazenamento de

dados em uma respectiva memória, é necessário aumentar a linha de
endereçamento, que neste exemplo é o A13:
 Quando A13 = 0 -> Habilita memória 1 com 8k x 4;
 Quando A13=1 -> Habilita memória 2 com 8k x 4;
Resultando assim uma expansão de memória para 16 x 4.

23
 Exemplo 2: A partir de uma memória de 8k x 4, aumentar o tamanho da
palavra para 8k x 8.

Podemos concluir que para aumentar o tamanho da palavra de dados

é necessária a habilitação de ambas as memórias, ou seja, quando é
habilitada a memória 1, temos o primeiro nible (4 bits) mais
significativo (MSB) da palavra de dados e quando habilitada a
memória 2, temos o segundo nible menos significado (LSB) da
palavra de dados, resultando assim um byte. (WIKIPEDIA, 2016)

 Exemplo 3: A partir de uma memória de 8k x 4, aumentar a capacidade

e o tamanho da palavra para 16k x 8.

24
 1 3

2 4

Neste caso, temos memória com 8k x 4 e precisamos de 16k x 8, então

é necessário o aumento da capacidade e também o tamanho da palavra de
dados. Precisamos associar quatro memórias de 8k x 4, pois para aumentar o
tamanho da palavra de dados para 8 bits precisamos habilitar duas memórias
em paralelo, sendo assim memória 1 e 2, resultando em 8k x 8, mas a
capacidade ainda permanece com 8k. Como precisamos expandir a
capacidade se faz necessário a adição de mais uma linha de endereçamento
A13. Sendo assim:
 Quando A13=0 -> Habilita memória 1 e 2, com 8k x 8;
 Quando A13=1 -> Habilita memória 3 e 4, com 8k x 8;
Resultando assim em 16k x 8;
Para este exemplo, vamos construir o mapa de memória que tem como
objetivo estabelecer a região compreendida de endereçamento para
cada memória.
Mapa de Memória para exemplo 3.

25
 Endereço
Linhas de Endereçamento
Memória HEX
A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0000
1e2
0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1FFF
1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 2000
3e4
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 3FFF

Podemos então concluir que, a região de endereçamento para a

memória 1 e 2 está compreendida de 0000h até 1FFFh e memória 3 e 4 de
2000 até 3FFFh.

SÍNTESE
Neste tema aprendemos como identificar os tipos de memórias, suas
características e princípio de funcionamento, bem como a sua constituição por
meio da criação de bancos de memórias e a determinação da região de
endereçamento que é utilizada por um microprocessador/microcontrolador para
acessar as memórias correspondentes. Podemos assim, mencionar algumas
aplicações:
 Tabelas de Dados:
“São muitas vezes usadas para armazenar tabelas de dados que não
mudam nunca. Alguns exemplos de tais tabelas são aquelas utilizadas para
implementar funções trigonométricas e as tabelas de conversão”. (BORGES,
2016)

Conversores de Dados:
“Os circuitos de conversão de dados recebem um dado expresso em
determinado tipo de código e produzem uma saída expressa em outro tipo de
código”. (BORGES, 2016)

Geradores De Caracteres:

26
 “Se você já prestou atenção alguma vez aos caracteres alfanuméricos
impressos na tela de display de cristal líquido, deve ter notado que eles são
formados por um grupo de pontos”. (BORGES, 2016)

Gerador De Funções:
“O gerador de funções é um circuito que produz em suas saídas formas
de onda das mais diversas, como senoidais, dentes de serra, ondas
triangulares e ondas quadradas”. (BORGES, 2016)

REFERÊNCIAS

BORGES, E et al. Registradores, contadores e memória. FTC – Faculdade

de Tecnologia e Ciência. Disponível em:
<http://pt.slideshare.net/Eduardo_borges/registradores-contadores-memriasr2>
Acesso em: 15 e outubro de 2016.

GIACOMIN, J. C. Dispositivos de memória. Disponível em:

<http://docplayer.com.br/878204-Dispositivos-de- memoria.html> Acesso em:
15 de outubro de 2016.

JUNIOR, R. C. Memórias Semicondutoras. Disponível em:

<http://www.corradi.junior.nom.br/memorias1.pdf > Acesso em: 14 de outubro
de 2016.

PELLISON, T; TRISTÃO, G. M. Memórias Semicondutoras. Bauru: 2012.

Disponível em: <http://docslide.com.br/documents/memorias-
semicondutoras.html> Acesso em: 14 de outubro de 2016.

SOBRINHO, A Q. Estudo a fundo das memórias dinâmicas. Disponível em:

<http://docslide.com.br/documents/hardware-montagem-ram-estudo-
detalhado.html> Acesso em: 15 de outubro de 2016.

27
TOCCI, R. J.; WIDMER, N. S.; MOSS, G. L. Sistemas Digitais: Princípios e
Aplicações. 11 ed. São Paulo: Pearson, 2011.

28