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UNIVERSITÉ DE COCODY
LPMCT)
(
UNIVERSITÉ DE VACANCES
ELECTRONIQUE ANALOGIQUE
(Notes de cours et exercices d’application)
2009 -2010
INTRODUCTION .................................................................................................................................................. 8
1) L'ATOME ..............................................................................................................................................8
2) LES ELECTRONS ...................................................................................................................................8
3) LA STRUCTURE CRISTALLINE .............................................................................................................9
4) L'AGITATION THERMIQUE ..................................................................................................................9
5) LA BANDE DE VALENCE .....................................................................................................................10
6) LA BANDE DE CONDUCTION ..............................................................................................................10
I- INTRODUCTION ............................................................................................................................................ 19
A JONCTIONS ..................................................................................................................................................... 50
I- INTRODUCTION : .......................................................................................................................................... 50
1) DEFINITION : ......................................................................................................................................74
2) GAIN EN COURANT – GAIN EN TENSION ...........................................................................................75
1) EXEMPLE :..........................................................................................................................................76
2) APPLICATION A UN AMPLIFICATEUR ................................................................................................77
EXERCICES....................................................................................................................................................... 136
INTRODUCTION
1) L'atome
Un atome est composé d'un noyau autour duquel gravitent des électrons.
Le noyau est composé de protons de charge positive et de neutrons de charge nulle.
Les électrons ont la même charge que les protons en valeur absolue. Ils sont chargés
négativement.
La charge de l'électron ou du proton est la plus petite charge existante et vaut e = 1,6 10-19 C.
Un atome possède autant de protons que d'électrons. Donc, il est électriquement neutre.
Un atome devient un ion lorsqu'on lui arrache un ou plusieurs électrons(ion positif =
cation) ou si au contraire on lui apporte un ou plusieurs électrons (ion négatif = anion).
Les divers composants diffèrent par leur nombre de protons ou électrons.
2) Les électrons
Les électrons tournent autour du noyau atomique sur des orbites autorisées (permises)
correspondant à des niveaux d'énergie(niveaux permis).
Tout niveau intermédiaire entre deux niveaux permis est un niveau interdit.
Les électrons peuvent occuper les niveaux permis en respectant les règles suivantes :
- Il ne peut exister plus d’un électron par niveau,
Les électrons des niveaux bas sont très fortement liés au noyau de leur atome. Les
électrons des niveaux élevés sont faiblement liés à leur atome.
3) La structure cristalline
Dans certaines conditions, les atomes peuvent s'assembler dans les trois dimensions de
l'espace et former des édifices rigides nommés cristaux.
Le cristal est un assemblage d'atomes formant un édifice rigide.
La cohésion de la structure est due au fait que deux atomes voisins mettent en commun
un électron chacun. Ce sont les électrons des orbites périphériques qui participent à cette
cohésion(les électrons sur l’orbite de valence).
Les forces qui maintiennent les atomes ensemble sont appelées liaisons covalentes (ou
de covalence).
4) L'agitation thermique
Les particules qui constituent la matière sont en perpétuel mouvement ce qui est vrai
pour les électrons comme les noyaux. Ces mouvements constituent l'agitation thermique.
En effet, il existe une corrélation entre le degré d'agitation et la température d'un corps
(dilatation, fusion, vaporisation).
L'absence totale d'agitation thermique survient à -273°C correspondant au zéro (0) degré
absolu.
Dr YAPO Claude – Enseignant Chercheur – UFR SSMT- LPMCT
Cours d’électronique analogique 10
5) La bande de valence
C'est l'ensemble des niveaux d'énergie permis pour les électrons de valence.
La bande de valence de certains corps comporte plus de niveaux d'énergie que
d'électrons. Elle est dite alors incomplète.
6) La bande de conduction
Il existe des niveaux d'énergie pour lesquels l'électron est libéré de l'obligation de
demeurer sur orbite autour de deux noyaux voisin(électrons libres).
L'ensemble de ces niveaux d'énergie très voisines constituent la bande de conduction.
La bande de conduction n'est pas toujours occupée.
e-
F
+ _
E
2) Mobilité-Résistivité
Les électrons libres dans leur déplacement heurtent les ions de la structure cristalline
donc leur mouvement n'est pas uniformément accéléré. Ces chocs provoquent un
ralentissement. Et très vite, les électrons acquièrent une vitesse limite proportionnelle au
champ électrique.
S
v = E e- v e-
v E
= mobilité vdt
= m /V.s
2
La quantité de charge dQ qui traverse une section droite du conducteur pendant le temps
dt infiniment petit est :
dQ = neSvdt
e = charge de l’électron
n = concentration en électrons par unité de volume
S = la section du conducteur
v = la vitesse d'écoulement
dQ
Or I = = neSv
dt
= nesE
I
On définit la densité de courant j = = enE on pose
S
j = E = en
en -1m-1 .
1
= est la résistivité en .m
2) Résistivité
Comme dans un conducteur, si on applique un champ E à l'intérieur d'un semi-
conducteur, les porteurs libres prennent un mouvement d'ensemble. :
les trous dans le sens du champ E (porteur > 0)
les électrons dans le sens inverse (porteur < 0)
Ce double déplacement constitue le courant électrique.
+e v p E vn -e
○
+e
v n -e ○
vp
Il s'agit de semi-conducteurs dans lesquels sont introduites des impuretés voulues pour
améliorer la conductibilité. On parle de dopage du semi-conducteur (SC).
En fait, la production des porteurs libres des SC intrinsèques à T° ambiante est
insuffisante pour les besoins des applications.
Par dopage on remplace dans la structure cristalline un certain nombre d'atomes du SC
par des atomes de dopeurs.
Les dopeurs sont de deux types: soit ils ont 3 électrons sur leur couche externe soit 5
●
●● ● Le 5ème électron apparaît comme excédentaire
●
dans la structure cristalline qui demeure
●● ●●
cependant électriquement neutre.
NB : l'atome qui a donné son électron reste sous forme d'ion positif (cation) fixe dans le
réseau cristallin.
b) Semi-conducteur extrinsèque de type P
c) La résistivité
) SC de type N
Nd = concentration en atomes donneur
nn = concentration en porteurs négatifs
pn = concentration en porteurs positifs
Le cristal restant électriquement neutre, on a
nn = Nd + pn avec nn >>pn les porteurs majoritaires (les électrons ) sont plus
nombreux que les porteurs minoritaires (les trous)
Il vient : nn Nd
On montre que dans tous les cas, on a :
nnpn = nipi
avec ni = concentration en porteurs négatifs dans le SC intrinsèque
pi concentration en porteurs positifs dans le SC intrinsèque
40 373 Ge T(K)
473 Si
I- INTRODUCTION
Dans un même barreau de SC on réalise une zone de conductibilité de type P et une zone
de conductibilité de type N qui se touchent.
+ + + + - - - -
P - - - - + + + + N
+ + + + - - -
- - - - - + + + +
+ + + + - - -
- - - - - + + + +
+ + + + - - -
- - - - - + + + +
Dans la zone P, les trous sont les Dans la zone N, les électrons sont les
porteurs libres (porteurs majoritaires porteurs libres (porteurs majoritaires
symbolisés par le signe (+). Dans les symbolisés par le signe (-). Dans les
carrés avec le signe - ( - ) ce sont carrés avec le signe + ( + ) ce sont
les anions (ions négatifs) qui sont figés. les cations (ions positifs) qui sont figés.
- - - - - + + + + +
P - - - - - + + + + + N
- - - - - + + + + +
- +
F eE F eE électron minoritaire de la zone P
P
N trou minoritaire de la zone N
E
Trous et électrons minoritaires sont soumis à des forces les conduisant dans le sens de la
traversée de la zone de transition (zone de déplétion). Le déplacement de ces porteurs
minoritaires constituent le courant de saturation, en sens inverse du courant de diffusion
(courant des porteurs majoritaires).
Lorsque la jonction est en circuit ouvert, un équilibre s’établit.
On a alors Idiffusion = Isaturation.
3) Caractéristique courant-tension
Le courant Id croît rapidement avec la tension U (U > 0) alors que le courant de fuite IS
ne dépend pratiquement pas de la hauteur de la barrière de potentiel. IS garde une valeur très
faible et pratiquement constante quand U est négatif (U < 0).
T2>T1
T1
U
-IS1
-IS2
L’une des bornes appelée Anode (notée A) correspond à la zone P. L’autre borne
appelée cathode et notée K correspond à la zone N.
La dissymétrie de la représentation symbolique traduit quelque peu le fonctionnement
asymétrique du composant.
Lorsque le courant circule de A vers K, la diode est polarisée en direct.
Polarisation en direct (i > 0 et v > 0)
A K
i (diode passante)
IV- MODELISATIONS
On distingue plusieurs méthodes pour traduire le fonctionnement d’un composant
quelconque et la diode à jonction ne failli pas à cette règle. Suivant le domaine d’utilisation on
appliquera tel ou tel autre modèle. De manière générale, il existe trois(3) types de
modélisation :
- par une loi mathématique
- par une courbe caractéristique
- par des schémas électriques équivalents.
1) Modélisation par une loi mathématique : la loi de Shockley
L’étude théorique de la physique du solide appliquée à la jonction PN permet de déduire
VRM
VS v (V)
IS
IRM
En polarisation directe (v > 0 et i > 0) la tension v aux bornes de la diode est quasi
a) VS négligeable VS 0
La diode se comporte comme un interrupteur fermé. Le schéma électrique équivalent
sera donc un interrupteur fermé.
i
IFM
A A
K K
i
i
v v=0 0 v
i0i>0
Symbole 0 < i IFM
Schéma électrique équivalent Caractéristique
correspondante
v = VS VS v
v
0 < i IFM
Symbole Caractéristique
Schéma électrique
correspondante
Ce modèle est le plus utilisé en pratique. Notons que VS n’existe que si la diode est
incluse dans un réseau. La diode est un composant passif qui tout seul ne peut produire la
tension VS.
Ce modèle très utilisé a besoin quelquefois d’être affiné. En effet, autour de VS (v > VS )
mais très peu différent de VS. La caractéristique n’est pas tout à fait verticale. Il existe deux
façons d’approximer la celle-ci :
) Caractéristique linéaire de pente di/dv = 1/Rd
La caractéristique a l’allure suivante :
i = av + b
a est la pente de la droite, on pose a = 1/Rd
IFM
à i = 0 v= VS
d’où 0 = aVS + b
soit b = -aVS
il vient donc i = av - aVS
i = 1/Rd.v – 1/Rd.VS
0 VS v
Rd est homogène à une résistance
Soit v = Rdi + VS. De cette équation, on tire le schéma électrique équivalent suivant :
i Rd
A i K
+ -
v
VS
Symbole v
rd
i0 A i + - K
i
v VS
v
Dans ce cas, le domaine de validité du modèle est restreint autour de la valeur i0 qui
permet de calculer rd =v / i
a) IS négligeable IS 0
La diode se comporte comme un interrupteur ouvert.
i
A
A
i K i=0 K
VRM
0 v
v V<0
VRM < v < 0
Symbole
Schéma électrique
Caractéristique
Interrupteur ouvert
correspondante
VRM 0
v v
- IS v
Symbole VRM < v < 0
Schéma électrique Caractéristique
correspondante
IS
A K VRM
A i K
0 v
i - IS
v
Ri
Symbole De pente 1/Ri
v
VRM < v < 0 Caractéristique
Schéma électrique correspondante
4- Résumé
En résumé et de façon générale, la diode à jonction sera considérée en première
approximation (diode idéale) comme un interrupteur : diode passante = interrupteur fermé (v=0, i
> 0)
diode bloquée = interrupteur ouvert ( i = 0, v < 0).
i
IFM
VRM
0 v
i
IFM
VRM
0 VS v
Trait en pointillé
= fcem + résistance interne Rd
i Rd
A K
VS
V- SPECIFICATIONS PRINCIPALES
Ces spécifications, le plus souvent précisées par les constructeurs sont indispensables
pour l’utilisateur. Elles l’aident pour un fonctionnement optimal du composant dans
l’environnement d’utilisation. Elles sont regroupées sous quatre (4) rubriques :
- les limites d’utilisation
- les paramètres du modèle
- le comportement fréquentiel
- l’influence de la température.
3) Le comportement fréquentiel
Les modèles proposés sont faux ou plutôt ne sont pas satisfaisants pour traduire le
comportement de la diode lorsqu’elle est soumise à des fréquences élevées ou à des
impulsions.
Notons simplement que la prise en compte de ces phénomènes se traduit par la mise en
parallèle de condensateur sur les résistances Rd et Ri.
En direct 1nF < Cd < 103nF
En inverse 1pF < Ci < 100pF
e g v AK
Dans le plan (v,i), la droite de charge a pour équation i
Rg
i
eg
Rg M1
D2 M D1
0 M2
E-em E E+em vAK
La diode étant définie par sa caractéristique dans le plan (v,i), il existe un point
d’intersection entre la caractéristique i = f(vAK) et la droite de charge. Ce point d’intersection
est appelé le point de fonctionnement. Il traduit l’état de fonctionnement du montage. Les
coordonnés du point M donnent la valeur i du courant dans le circuit et la tension vAK aux
bornes de la diode pour une valeur eg et Rg bien définie (eg =E)..
Remarque : l’ensemble des points de fonctionnement décrit la caractéristique i = f(vAK).
Rg vD 0
Ru t
s
e
VD
D1 e
Em
e t
R
-e
VR
-e
t
D2 vR
Tension redressée double alternance
vD2
-2Em
D1 e
D2
A Em
C R
VR
℮
t
~ D4
D
D3
D4 - Em
D3
+
D
1- La diode électroluminescente
C’est un composant de caractéristiques électriques semblables à celle d’une diode à
jonction mais qui émet un rayonnement lumineux visible ou non lorsqu’elle est polarisée en
direct. On la trouve le plus souvent sur la face avant d’appareils électriques pour indiquer la
mise sous tension.
A i K
Symbole
v
i0
. Caractéristique de
la Zener
IZmax
- Symbole :
A K
modèle idéal
i
VZ
A - + i K
0
v
modèle linéaire
i
VZ
A RZ K VZ
- + i
0 v
uZ
i0
La diode Zener est une diode à jonction pour laquelle la tension de claquage est connue avec
précision.
montage complet
i1 R1 A
Circuit stabilisateur
Stabilisateur à vide
vAB = E – R1i1
R1 A i
i1
iZ E v AB
i1 iZ
R1
E vAB
Droite de pente < 0 dans le plan (v,i)
A K VZ
v
v
i
i
A K
v v
VZ
:
E v AB
Si nous traçons iZ = f(v) et i1 = sur le même graphe, on a :
R1
E/R1
E v
VZ vAB
On a iZ = i1 (stabilisateur à vide).
Le point de fonctionnement de l’ensemble est le point d’intersection des deux
caractéristiques.
Il implique la condition VZ < vAB < E
La position du point P peut varier suivant que E ou R1 varient.
Lorsque E est constant et R1 variable, cela implique une variation de la pente de la
i
M
M’
E v
i
M
M’
E v
V ΔE
Nous constatons que pour une grande variation de E (E), on observe une faible variation de v
(v).
i1 R1 i2
A
iZ
E vAB R2
R1 i1 i2 A
iZ
RZ R2
E
VZ
R1 i1 i2 A
iZ RZ R1
E Th E VZ
R1 R Z R1 R Z
E RZ
ETh R 1R Z
R Th R 1 //R Z
R1 R Z
VZ
B
Le montage devient :
RTh i2 A
vAB = ETh – RThi2
R Z E R1VZ RR
v AB 1 Z i2 vAB
R1 R Z R1 R Z ETh R2
i
(c) (c) (c’)
E Th Q
R Th P
P’
P’
i’2
P
D1
vAB ETh ETh v
v
ΔvAB ΔETh ΔvAB
Régulation aval
Elle caractéristique l’influence du stabilisateur sur la tension vAB aux bornes du dipôle
d’utilisation R2, lorsque E est fixe et que R2 varie.
i
R
Circuit à
↑ protéger
E DZ
X VZ v
Si E < VZ, la diode DZ est bloquée. Tout se passe comme si elle n’existait pas.
Si E > VZ, la diode conduit le courant et la tension à ses bornes reste pratiquement
constante et égale à VZ.
VIII- LE FILTRAGE
Dans les montages redresseurs vus plus haut, les tensions redressées sont des tensions
continues (puisqu’elles ne changent pas de signe) mais non constantes.
Le but du filtrage est de transformer ces tensions redressées en une tension aussi
constante que possible.
R
uC
um-vS
u
C
T T
4
u = Umsint = Ue 2 sint
Le temps de charge de C est très court du
fait de la valeur faible des résistances
résuduelles (secondaire du transformateur,
résistance interne des diodes)
uC Um (en toute rigueur uC = Um - VS)
b) Cas général ( R ∞)
VS
C R
VR en
l’absence
de C
-
Tension redressée < 0
C
+
C
- R
U C max U C min
U C
2
Remarque : Dans le cas du pont de Graëtz, il faut compter deux VS car il y a toujours
deux diodes en série.
Pour um supérieur à une dizaine de volt, on néglige VS.
3- Ondulation
a) Définition
UC 2ΔU
2ΔUC u
VS
U
On appelle taux d’ondulation le rapport il est évalué en pourcentage.
U C moy
E B
P
N P N
E B C
C
N P N
Zone sous E plus dopée que zone C mais la surface de contact est plus petite.
Zone en contact avec C a une plus grande surface commune avec la zone en relation
avec le contact B.
Un transistor est un semi-conducteur dopé de façon à avoir 3 régions dont deux sont de
même conductibilité et qui donne deux types de transistors : PNP et NPN. (figure NPN ci-
dessus).
P N P
Emetteur plus
dopé que Base faible Collecteur
collecteur épaisseur
3 électrodes métalliques.
Au niveau des jonctions, il apparaît une agitation thermique à la température ambiante
responsable de l’existence des zones de transition.
Symbole
c
c
b
b
NPN
e
PNP
e
1) Les connexions sont placées suivant un triangle isocèle dont le sommet est la base et
un ergot repère l’émetteur.
E C
2) Le collecteur est repéré par un point de couleur sur le boîtier (bleu NPN rouge PNP)
la base est au milieu.
E
B
C
3) Cylindre tronqué
E B C
NPN
Tension
IC VCE = VCB + VBE
VCB
C IE = IB + IC
VCE
B
En petits signaux variables alternatifs
IB
E ou non, on utilisera des lettres
VBE
IE
minuscules : vBE, vCE, vCB, iB, iC, iE
+
R1 E2
IB + E2 - VCE
E1 -
VCE
- + VBE
E1 IE
VBE
IE
VCE
sortie VEC
VEB VCB VBC
Entrée VBE
E. C. B. C. C. C.
E. C. est le montage le plus utilisé.
b) Réseau de caractéristiques
Montage expérimental
RC
mA
IC
VCC
mA VCE V
RB
V
VBE
VBB
Caractéristiques de
VCE constante sortie
Caractéristiques de
transfert
IB(A)
VCE(V)
0,6V(Si)
VCE constante
Caractéristiques d’entrée
VBE(V)
Sens de P
parcours
des
électrons N
Causes :
- la base est très peu épaisse. Ce qui fait que les deux zones de même type sont très proches
- la base est très peu dopée afin que la plupart des porteurs la traversent sans être piégés.
I- INTRODUCTION :
Nous avons vu précédemment les transistors bipolaires (il intervient les deux types de
porteurs majoritaires et minoritaires.
- majoritaire dans l’émetteur et dans le collecteur
- minoritaire dans la base)
Mais il existe d’autres types de transistors dits unipolaires (il intervient un seul type de
porteurs : les majoritaires).
Par rapport aux transistors bipolaires, ils présentent certaines particularités :
1) leur courant d’entrée est extrêmement faible et le plus souvent négligeable
2) leur courant de sortie est commandé par la tension appliquée à l’entrée
3) leur fabrication est plus simple et ils occupent une surface plus réduite sur le substrat
(intégration plus grande).
Il existe deux types de transistpors unipolaires :
- TEC à jonctions
- TEC MOS (Métal Oxyde, Semi-conducteur)
II- DESCRIPTION
S G D
SiO2
Le transistor est réalisé selon la méthode dite PLANAR, le TEC repose sur un substrat
La zone de Semi-conducteur entre le substrat et la porte est très mince (de l’ordre du
m). On l’appelle canal.
Remarque : les zones fortement dopés (N+) au dessous des contacts métalliques S et D
le sont pour assurer un bon contact entre le Semi-conducteur et les électrodes S et D.
Conclusion :
Le T.E.C. à jonctions comporte deux jonctions PN entre lesquelles est situé le canal
qui peut être de type N ou P.
Le T.E.C. a trois électrodes : la source, la porte et le drain (la porte et le contact
métallique sur le substrat sont reliés).
Symbole :
Canal N.
Canal P
D
P+ N P+
P
G
N
S
ID
VDG
D
IG IS = IG + ID avec IG = 0
VDS
VDS = VDG + VGS
G
VGS IS
S
ID
A
D
VDD
G VD V
S
VGS = 0
S
Observations :
Pour les faibles valeurs de VDS (0 à 2V) ID reste proportionnel à VDS. Ce qui entraîne
Dr YAPO Claude – Enseignant Chercheur – UFR SSMT- LPMCT
Cours d’électronique analogique 53
un comportement résistif du transistor : le T.E.C. est équivalent à une résistance.
Pour des valeurs intermédiaires de VDS (2 à 5 ou 6V) ID ne croît plus
proportionnellement à VDS.
Pour VDS > 5V, ID reste pratiquement constant
Et enfin, au delà d’une trentaine de volts, ID recommence à croître considérablement
(effet d’avalanche), il y a risque de destruction du transistor (claquage).
La caractéristique ID = f(VDS) a l’allure suivante :
ID(mA)
VDS(v)
Régime
résistif Régime
Régime de d’avalanche
Régime pincement
d’étranglement
Zone de transition
Pincement du canal
ID
D
N
+ G P
P Zone de transition
-
S - E3
E2
e- E1
ID(mA)
IDSS VGS = 0
-1
-3
VDS(V)
Montage de principe :
ID
A
D
IS
VDD
VDS V
V S
VGS IS
IG 0 IS = ID + IG
ID(mA)
Réseau de sortie
VGS constant
IDSS VGS = 0
-1
Réseau de transfert à
VDS constant
-3
- VGS -4
VB VDS(V)
VDS
impédance dynamique de sortie
I D VGScte
I D
s pente du T.E.C. (en mA/V).
VGS VDScte
ID R
VDS = V
R + RD
RD
VDS R
V D
=
G V R + RS
RD
D ED
Rg
iG G
VDS
S
Eg
Ig
E/RD
VGS constante
P’ IDO P
Droite d’attaque
Droite de
charge
Eg 0 VDSO ED VDS
VDS + RDID = ED
ED-VDS
ID = droite de charge.
RD
ID
4) Régime d’amplification
Montage de principe :
ID + iD
RD
Rg
ig 0
VDD
Eg
vs
vgs
vg
Etude graphique
Vgs Eg + Vg sint
iD
ID = I sint en phase avec vys
P’ IDO P
VS = - RDiD
Vs = -VDS sint
Eg VDSO
VDS = RDI
VDS
Vgs
Amplification obtenue
en tension t
en courant
Ai = iD/ig = I/0 = en pratique, ig 100mA = 10-7A.
Si ID = 1 mA alors Ai = 10-3/10-7 = 104 qui est considérable.
en puissance
RD
VDD
Rg
RS
La source est potée à un potentiel > 0 par rapport à la porte qui est à la masse : la
jonction GS est donc polarisée en inverse don on a bien ig = 0, alors on a vgs - RSiD.
T.E.C. à canal P
Nous en avons parlé au début de ce cours. Nous y revenons tout simplement pour
comment est réalisé le montage de polarisation dans lequel par rapport à la source le drain est
polarisé négativement et la porte l’est positivement. Les orientations des tensions et courant
restant les mêmes que pour le TEC à canal N, donc les grandeurs de la polarisation (V GS, VDS,
ID) ont changé de signe. Soit donc le montage de polarisation d’un T.E.C. à canal P.
IDD
VGS S
VGS
On les appelle aussi transistors à grille (ou porte) isolée. En effet grâce à une couche
isolante d’oxygène de silicium (O), la grille (porte) métallique (M) est isolée du reste du
transistor (M.O.S. = Métal Oxyde Semi-conducteur).
Il existe deux types, de transistors M.O.S.
- les M.O.S. à conduction en volume
- les M.O.S. à conduction en surface
ID
B VDS
B = substrat.
G D
SiO2
S
Le courant de drain ID est engendré par
+ N +
les porteurs majoritaires (e-) qui
N N
circulent de S vers D
Substrat P
Remarque : M.O.S. à porte isolée à canal P diffusé. Tout ce qui était N précédemment
devient P et tout ce qui était P devient N.
Symbole :
ID
G
B VDS
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S
Cours d’électronique analogique 63
VGS
Ce T.E.C. est toujours de nature M.O.S. car la porte métallique est isolée du semi-
conducteur par une couche d’oxyde de silicium.
Ici, le substrat s’étend jusqu’à l’oxyde isolant ; donc à la fabrication aucun canal n’est
prévu. C’est la polarisation convenable de la porte qui va créer un canal appelé canal induit.
N+ N+
Si vGS = 0, la région entre S et D reste occupée par les porteurs majoritaires P du substrat
s’accumulent sous l’oxyde isolant et la jonction PN substrat drain reste toujours bloquée.
Si vGS > 0, juste sous la couche d’oxyde en contact avec le substrat (P) les porteurs
majoritaires positifs sont repoussés et les minoritaires négatifs sont attirés. Il y a toujours
blocage si vGS est faible (vGS 2V). Mais pour une plus grande tension VGS (8 V) les porteurs
minoritaires deviennent plus nombreux dans la zone sous-jacente à la couche d’oxyde et la
conduction entre le drain et la source est assurée (couche d’inversion).
+ -
D D
+ B B
-
S
S
1) Avantage et inconvénient
- Le T.E.C. MOS nécessite une puissance de commande très faible. En effet, le courant
d’entrée entre G et S est encore plus faible que pour un T.E.C à jonctions surtout en régime de
commutation.
- Les transistors M.O.S. sont très fragiles du faite de la très faible épaisseur de la couche
de silice (0,1 m) qui peut claquer pour des tensions VGS de quelques volts. (d’où la nécessité
de la protection de la porte des tensions parasites par diode Zener).
Question : représenter sur une même figure le 4 sortes de transistor M.O.S. et préciser le
signe des grandeurs vDS, iD, vGS correspondante.
I- GÉNÉRALITÉS ET CONVENTIONS
Schéma de principe
Signal à
amplifier Amplificateur Charge R
i1 i2
V1 Amplificateur V2
2 bornes
d’entrée 2 bornes
de sortie
Le dispositif actif (Amplificateur) est dans une boîte ne laissant apparaître que 2 bornes
d’entrée et 2 bornes de sortie.
L’amplificateur est un quadruple (4 bornes).
i1 i2
V1 Q V2
Il existe plusieurs choix d’écriture des relations entre courants et tension en prenant 2 de
ces grandeurs comme variables.
Z11 Z12 i1
il vient donc : V1
=
V2 Z21 Z22 i2
Matrice impédance ou
matrice [Z]
En condensé on écrit V = Zi
Exemple :
Z1 Z3
i1 i2
v1
v2
Z2
Trouver la matrice Z.
Z1 +Z2 Z2
v1 = (Z1 + Z2)i1 + Z2i2
Z=
v2 = Z2i1 = Z2 + Z3)i2
Z2 Z2 + Z3
Remarque :
Z11 = (v1/i1) i2 =0 Z12 = (v1/i2) i1 = 0
Z21 = (v2/i1) i2 = 0 Z22 = (v2/i2) i1 = 0
Question : retrouver la matrice Z de l’exemple précédent en utilisant les formules de la
remarque.
i1 Y11 Y12 v1
=
i2 Y21 Y22 v2
Matrice admittance
ou matrice [Y]
En condensé [i] = [Y][v]
Exemple :
Y1 Y3
i1 i2
V1 VB v2
Y2
On tire i1 ( v 1 v B ) y 1 Or i 1 i 2 Y 2 v B
i1 i 2
i 2 (v 2 v B ) y 3 vB
Y2
i1 i 2
d ' où i1 v 1 Y 1 Y1 (1)
Y2
i1 i 2
i 2 v 2 Y3 Y3 ( 2)
Y2
Y3 Y3
de (2) on tire i 2 (1 ) v 2 Y3 i 1
Y2 Y2
Y2 Y3 Y2 Y3
i2 v2 i1
Y2 Y3 Y 2 (Y 2 Y 3 )
On remplace i 2 dans (1)
Y2 Y 3 i1 Y1 Y2 Y3 Y1 Y3
i 1 v 1 Y1 Y1 v2 i1
Y2 Y3 Y2 Y2 Y2 Y3 Y2 Y2 Y3
Y (Y Y3 ) Y1 Y3
i1 1 3 2 v1
3
Yi Yi
I 1 i 1
Y1 Y3 Y3 (Y2 Y3 )
3 3
Yi
i 2 i 1 Yi
v2
i 1
Matrice Y
Remarque :
i1 i
Y11 Y12 1
v1 v 2 0 v2 v1 0
i i
Y21 2 Y22 2
v1 v 2 0 v 2 v1 0
Dans ce cas, les deux grandeurs d’entrée (v1, i1) sont exprimées en fonction des deux
grandeurs de sortie (v2, -i2).
v1 t11 t12 v2
=
i1 t21 t22 -i2
4) Matrice Hybride
v1 h11 h12 i1
=
i2 h21 h22 v2
En amplification par transistors bipolaires, les paramètres hybrides sont ceux qui sont
utilisés :
h11 : homogène à une résistance
h12, h21 : constante sans dimension
h22 : homogène à une conductance.
2) Amplification
Les caractéristiques d’un amplificateur sont :
- Son amplification
i2
amplification en courant A i
i1
v2
amplification en tension A v
v1
P2
amplification en puissance A p A v Ai
P1
- Son impédance d’entrée
v1
Ze
i1
- Son impédance de sortie
v2
Zs
i2
Pour le signal d’attaque annulé et la charge retirée. Zs est l’impédance interne du
générateur équivalent de Theverin vu par la charge.
- La bande passante : c’est la bande de fréquence dans laquelle l’amplificateur
fonctionne.
3) Application
Les grandeurs v1, i1, v2, i2 ne sont pas indépendantes ; elles sont liées par des relations où
interviennent des éléments constitutifs du quadripôle (voir les matrices Z, Y, T et H qui sont
effectivement composées des éléments du quadripôle).
Pour les applications nous n’utiliserons que les paramètres hybrides.
Considérons donc le montage suivant et écrivons les différentes équations.
Rg i1 i2
B V1 Amplificateur v2 RC
a) Amplification en courant
i2 = h21i1 + h22v2
= h21i1 +h22(-RCi2)
i2(1 + h22RC) = h21i1
i2 h21
Ai = =
i1 1 + h22RC
b) Amplification en tension
v2 - R C i2
Av = =
v1 h11i1 + h12v2
- RC i2/i1
Av = avec i2/i1 = Ai
h11i1/i1 + h12 Rc i2/i1
- RC Ai
Av =
h11 + h12 AiRc
- RC h21
Av = avec h = h11h22 – h12h21
h11 + Rch
R c (h 21 ) 2
Ap A v Ai
(1 h 22 R c )(h 11 R c h )
Définition :
L’impédance d’entrée, Ze d’un amplificateur est égale au rapport de la tension d’entrée
v1 sur le courant d’entrée i1.
Autrement dit, c’est l’impédance vue des bornes d’entrée de l’amplificateur.
v1
Ze =
i1
h11i1 + h12v2
Ze = avec v2 = -RCi2
i1
= h11 – h12RCAi
h11 + RCh
Ze =
1 + h22RC
V- IMPÉDANCE DE SORTIE ZS
Rg i1 i2
ZS
RC
Eg v1 RC v2
v2
ES
Calcul de ZS et ES
v2 + ES
ZS =
i2
Eg – h12v2
i1 =
h11 + Rg
Eg – h12v2
Soit i2 = h21 + h22v2
h11 + Rg
h21Eg h12h21
i2 = + v2 h22 -
h11 + Rg h11 + Rg
ES v2
i2 = +
ZS ZS
1 h12h21
= h22 -
ZS h11 + Rg
h11 + Rg
soit ZS = h = h11h22 – h12h21
h + h22Rg
h 21 h h 22Rg
Eg ES
h11 Rg h11 Rg
h 21
Es Eg
h h 2 2Rg
i1 i2
v1 = - Rgi1
v1 = h11i1 + h12v2
Rg v2 RC
i2 = h21i1 + h22v2
Des trois équations, on tire v2/i2 = ZS et on obtient le même résultat que précédemment.
1) Définition :
L’amplification en puissance AP pouvant être importante (elle dépasse 104 et même 105),
on préfère souvent considérer le gain G’P qui est égal au logarithme décimal de AP : G’P = logAP.
G’P est exprimé en bels (symbole B). Afin de réduire l’emploi de nombre décimaux (ex :
si AP = 2 104 G’P = 4,3 bels) le gain en puissance est exprimé le plus souvent en décibels
(symbole dB).
Soit donc GP = 10logAP.
Remarque : l’efficacité d’un amplificateur est d’avantage mise en évidence grâce au
Gi = 20logAi, Gv 20logAv
En effet si l’amplificateur débite dans une charge R égale à sa résistance d’entrée R e,
On a AP = P2/P1 = Ri22/Rei12 R = Re
2
= v2 /R x Re/ve2
GP = 10logAP = 20logi2/i1 = 20logv2/v1
Ce qui justifie les définitions des Gains en tension et en courant.
Définition :
L’amplification fournie par un amplificateur est fonction de la fréquence du signal
amplifié. La courbe de réponse de l’amplificateur est le tracé du gain en tension Gv en
fonction de la fréquence f. On adapte une échelle logarithmique pour les fréquences en
abscisse et des décibels (dB) en ordonnées.
Max
3 dB
fb fh f(log)
1) Exemple :
Soit le montage suivant :
Rg
Pour quelle valeur de R la puissance P
fournie par eg est maximale?
eg R P = Ri2 i = eg/(R + Rg)
e2 g eg N
PR
( R Rg ) 2
( R
Rg 2 D
)
R
Rg Résistance interne de eg
Rg
R
R
Soit R = Rg
Lorsque cette condition est réalisée, on dit que le récepteur (ici R) est adapté au
générateur.
2) Application à un amplificateur
Dans le cas d’un amplificateur, on cherche à adapter :
- d’une part l’entrée au dispositif qui l’alimente (générateur ou autre amplificateur)
- d’autre part la sortie à la charge.
L’adaptation des impédances a une grande importance en électronique surtout lorsque
les puissances transportées par les signaux sont faibles.
Exercice d’application :
1) Les équations de fonctionnement d’un quadripôle sont les suivantes :
v1 = 1 000 i1
i2 = 200 i1 + 5 10-5v2
LA résistance de charge est égale à 1000 . Ce quadripôle est alimenté au moyen d’un
générateur de résistance interne égale à 15 k.
- Calculer Ai, Av, Ap, Ze et ZS
- Pour que l’entrée et la sortie du quadripôle soient adaptées déterminer :
la résistance du générateur à utiliser
la résistance de charge à placer entre les bornes de sorties.
2) Déterminer les paramètres hij du 2N2218 à partir de ses caractéristiques.
- On tracera d’abord IC = f(IB) pour VCE = 5V et pour constater que IC = f(IB)
varie très peu avec VCE.
Corrigé exercice :
i1 i2
v1 = 1000 i1
v1
v2 RC = 1000
i2 = 200 i1 + 5 10-5v2
AP Av Ai 36,3 103
Ze = v1/i1 Ze = 103
ZS = v2/i2
Montage à considérer :
i1 i2
Rg v2 RC
v1 = Rgi1 = 103i1
15.103i1 = 103i1 i1 = 0
i2 = 200 i1 + 5 10-5v2 ZS = v2/i2 = 1/5 10-5 = 2 104
ZS = 2 104
I- ETUDE GRAPHIQUE
1) Réseau de caractéristiques (cf chapitre III)
2) Paramètres du transistor
dV
Résistance de sortie r CE
dI C IB
S
dIC
Gain statique en courant β
dIB VCE
dV
Résistance statique d' entrée re BE
dI B VCE
dVBE
Rap p ort de réaction h12
dV
CE IB
3) Caractéristiques dynamiques
Montage de principe complet : En plus des générateurs continus on a une source variable
qui produit le signal à amplifier. Les grandeurs continues de courant et tension constituent les
valeurs moyennes de signaux variables. L’amplification s’effectue donc autour des valeurs de
polarisation VCE0 et IC0 du point de repos. RC
RB
VCC
VCE
EBB
e
(VBE , IB).
La droite de charge : son équation se détermine à partir du circuit de sortie
VCC VCE
IC de pente 1
RC RC
VCC/RC Caractéristiques de
VCE constante sortie
Caractéristiques de
transfert Droite de charge
IB(A) VBB / RB
VCC VCE(V)
0,6V(Si)
Droite d’attaque
Caractéristiques d’entrée
VBE(V)
RC
R2
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Rg
VCC
IP
Cours d’électronique analogique 82
ICBO
C
B
NPN
C
B ICBO
E
) Le coefficient
- Emetteur en l’air IE = 0
Donc IC = IS = ICB
Il vient alors IC = IE + ICBO
ΔIC ΔIC
α T et β T
ΔIE ΔIB
Et on sait que IE = IC + IB
Soit en variation IE = IC + IB et on tire
ΔIE ΔIB
T 1 T
ΔIC ΔIC
1 1
IC = ICEO + ICBO
1
ICEO ICBO
β 1
ICEO(1-) = ICBO
ICEO = ( + 1)ICBO
IE = IC + IB (1)
IC = IE + ICBO IE = IC/ - ICBO/ (2)
(1) et (2) nous donnent
IC/ - IC = IB + ICBO/
1 α ICBO
IC IB
α α
En réalité
IC = S1ICBO + S2VBE + S3
S1, S2, S3 sont les coefficients de stabilité.
Plus ces coefficients sont petits, plus les variations sont faibles
Ces coefficients dépendent du mode de polarisation utilisé pour le transistor.
RC
IC
R1
+
= Val
R2 RE
IP
ΔVBE RE(β 1)
ΔIB Δβ
RP RE β 1 RP RE(β 1)
Nous pouvons par suite tirer l’expression de IC en identifiant à l’expression de IC (i)
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S1 S2 S3
RC
RB
+
=
RE
R2 dans ce cas R2 = ; R1 = RB ; RP = RB et
( 1)(R B R E ) I I (R R E )
S1 ; S2 ; S3 B CBO B
R B ( 1)R E R B ( 1)R E R B ( 1)R E
RC
R’B
IB
IC
+
= Val
RE
Ici, RP = R’B et on remplace dans l’expression de IC, RE par RC + RE car IC traverse RE.
( 1)( R' B RE RC )
S1
R' B ( 1)( RE RC )
RC
R2
Rg
VCC
IP
Ru
v2
CE
v1 R1
eg RE
IC C
I1 I2
IB
V1 V2 B
VCE
VBE
E E
2) Paramètres hybrides
On déduit :
dV dI dV 1 dI C
h BE r h β C h BE h
11 dI e 21 dI 12 dV 22 r dV
B B CE s CE
3) Equations du transistor
Le transistor est un quadripôle et on sait que les équations d’un quadripôle en utilisant
les paramètres hybrides sont :
v1 = h11i1 + h12v2
i2 = h21i1 + h22v2
Appliqué au transistor on a :
vBE = h11iB +h12vCE
ic = h21iB + h22viE
iB = dIB vB = dVBE
h11
iB
B
+
vBE h12vCE
iC
C
D’où le schéma équivalent en régime des petits signaux du transistor monté en émetteur
commun
iC
ib
B
h11 +
vBE h12vCE h21iB h22
vCE
E E
Z'e Ze ZS Z'S
Rg iB h11 iC
B C
ig
vBE = v1 h22 RC Ru
R1 R2 h21iB vCE
eg h12VCE v2
E RP E RL
(1) v BE h 11i B h 12 v CE
(2) i C h 21i B h 22 v CE
On a les équations suivantes :
(3) v CE v 2 R L i C acec R L R C //R U
(4) v BE v1 e g R g i g
5) Caractéristiques de l'amplificateur EC
Amplifications
Calcul de Ai = iC / iB
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Cours d’électronique analogique 91
i C h 21i B h 12 R L i C
(2) et (3) permettent d'écrire :
i C (1 h 22 R L ) h 21i B
h 21
On déduit A i
1 h 22 R L
Calcul de Av = v2 / v1
A partir de (1) et (3)
v2 R Li C
en divisant le numérateur et le dénominateur par iB on obtient
v1 h 11i B h 22 R L i C
v2 R LAi
en remplaçant Ai par son expression on obtient :
v1 h 11 h 22 R L A i
v2 R L h 21
Av ; h = h11h22-h12h21 le déterminant de la matrice H.
v1 h 11 R L Δh
Calcul de AP
R L h 221
AP Ai * A v
(1 h 22 R L )(h11 R L Δh)
Impédance d'entrée :
v1 v1
Ze et Z'e
iB ig
v1 h 11i B h 12 R L i C
(1) et (3) premettent d'écrire Z e h 11 h 12 R L A i soit en
iB iB
h 11 R L Δh
remplaçant Ai par sa valeur Z e
1 h 22 R L
v1 v1
Z 'e ; i g i RP i B
ig RP
1 ig 1 i 1 1
'
B
Z e v1 R P v1 R P Z e
Ze R P
donc Z 'e Z e //R P
Ze R P
Impédance de sortie :
v
ZS s et la charge retirée ici notre charge sera RL = RC // RU
s eg0
i
v
Z S' 's et la charge retirée ici notre charge sera RU
s eg0
i
Attention : lors du calcul de l'impédance de sortie par cette méthode nous travaillons avec
un nouveau circuit aussi toutes les caractéristiques calculées plus haut ne sont pas à
utiliser. Le schéma à considérer alors est le suivant :
Les quatre (4) équations deviennent :
eg=0 ZS
B
iB h11 is
(1' ) v1 h 11i B h 12 v CE
ig (2' ) i C i s h 21i B h 22 v CE
Rg R1 R2
h21iB h22
vCE = vs (3' ) v1 R 'g i B car eg 0
vBE = v1 h12vCE
(4' ) v CE v s
RP E E
R'g
i C i s h 21i B h 22 v CE
h 12 v s
(1') et (3’) -R’gig = h11iB + h12vs et on tire i B qu’on introduit dans (2’)
R 'g h 11
h 21h12
is vs h 22 v s
R 'g h11
Remarque :
En général, le coefficient de réaction h12 = dVBE/dVCE est très petit et peut être considéré
comme nul. Cela revient à considérer que la caractéristique IB(VBE) est indépendante de VCE
(caractéristique unique dans le 3ème quadrant) et que les caractéristiques du 4ème quadrant sont
parallèles à l’axe des VCE.
Le schéma équivalent devient :
ZS Z'S
Rg Z'e Ze
iB iC
B C
ig
vBE = v1 h11 h22 RC Ru
R1 R2 h21iB vCE
eg v2
E RP E RL
L’admittance h22 dans un montage amplificateur pourra être négligée à chaque fois que
la résistance de la charge est très petite devant l’inverse de h22 (RC <<1/h22). Il vient alors :
vBE = h11iB
et on obtient le schéma équivalent suivant :
iC = h21iB
iB iC C
B
Rg
RP h11 h21iB RC vC RU v
v1 vBE 2
eg E
E E
Ai = h21 =
Av = -h21RC / h11 = -RC / re en posant re =h11
AP = h212RC / h11
Ze = h11 ; Z’e = h11 // RP
ZS = ; Z’S = RC
Conclusion : le montage qui a été utilisé comme support de ce cours est le montage dit
émetteur commun E.C. Il présente l’intérêt d’amplifier à la fois en courant et en tension. Des
divers montages possibles, il fournit la plus grande amplification en puissance. C’est le plus
utilisé.
1) MONTAGE COMPLET :
Le même montage que E.C.pour la polarisation mais :
- un condensateur de découplage CB ramène la base à la masse en dynamique
- le système est attaqué par un générateur au niveau de la connexion d’émetteur.
+ Val
RC C2
R2
i1 C2
Ru
v2
CB R1 RE (eg, Rg)
v1
i1 i2
E
v1 v2
Le transistor en base commune
B
i1 = iE i2 = iC
v1 = vEB v2 = vCB
En respectant les conventions des orientations des courants et tension des quadripôles, le
transistor se présente comme un nœud où : (1) iE + iC + iB = 0
et il est également une maille où : (2) vBE + vEC + vCB = 0
Pourquoi ? Car dans les caractéristiques que le constructeur donne, ce sont toujours les
paramètres hijE qui sont précisés où qui peuvent s’en déduire.
vBE = h11iB + h12vCE
iC = h21iB + h22vCE
Note : Nous omettrons l'indice E pour les paramètres hybrides EC. Par conséquent
quand les indices lettres ne seront pas précisées sur les paramètres hij, il s’agira de paramètres
hybrides E.C.
(1) iC = -(iB +iE)
= h21iB + h22vCE
iE h 22
iB v CE
1 h 21 1 h 21
(Δ h h 21) h 22
Soit h 21 B ; h 22 B
1 h 21 h 12 Δh 1 h 21 h 12 Δh
h11 h12 h
v BE iE v CB
1 h 21 h12 h 1 h 21 h12 h
h 11 Δh h 12
D’où : h 11 B ; h 12 B
1 h 21 h 12 Δh 1 h 21 h 12 Δh
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Cours d’électronique analogique 97
iC = h21iB + h22vCE
-iE - iC VCB + vBE
Remplacé par sa valeur en
fonction de iE et vCB
Simplifications
Si h12 =0 coefficient de réaction négligeable
h11 h11h 22
h11B ; h12 B
1 h 21 h 22 h11 1 h 21 h 22 h11
(h 21 h 22 h11 ) h 22
h 21B ; h 22 B
1 h 21 h 22 h11 1 h 21 h 22 h11
Valeurs approchées
En général h11h22 << h21
h11h22 << 1
h11 h11h22
Soit h11B ; h12B
1 h21 1 h21
h21 h22
h21B ; h22B
1 h21 1 h21
h11B
E C
IE
+
h21BiE 1/h22B
h21BvCB
VEB VCB
B B
h21iB
iE E iC
C
B B
C’est ce schéma qui sera utilisé dans les applications ce qui donne pour le schéma
équivalent du montage complet la figure ci-dessous :
Z'e Ze h21iB
iE E ZiCS ZS Z'S
C
Rg
v1 vEB h11
RE h22 v2
vvCBC RC RU
eg
~ B
B B
RL =RU // RC
Remarque : on reprend les mêmes formules que pour E.C. avec RE qui joue le rôle de
RP et on remplace les hijB par leurs expressions en fonction des hij.
h 21 B
Ai
1 h 22 B R L
h 21
Ai 1 Avec les expressions simplifiées des hijB
1 h 21 R L h 22
Ai 0
) Amplification en tension
h21BR L h 21 R L
Av Av 0 peut être très élevé
h11B ΔhBR L h 11(1 h 22 R L )
) Amplification en puissance
) L'impédance d'entrée Ze
h11B Δh BR L v1 h 11
Ze Ze Ze est faible
1 h 22BR L iE h 21
1
1 h 22 R L
) Impédance de sortie
h11B R L h11 R L (1 h 21 ) 1
ZS ZS ZS peut être très
Δh B h 22BR L h 22 (h11 R L ) h 22
élevé.
iC h 21
alors A i 0
iE 1 h 21 h 22 R L
Calcul de Av = v2 / v1
R Li C R L i C
Av
h 11i B h 11 i B
R L h 21 h11h 22
Av
h11 1 h 22R L
Calcul de AP
A P Ai A v
RL (h 21 h 11 h 22 ) 2
AP A PEC
h 11 (1 h 22 R L )(1 h 21 h 22 R L h 11 h 22 )
RL
AP h 21
h 11
) L'impéance d'entrée
v1 v1
Ze ; Z 'e
iE ig
v1 h 11i B
h 21 h 11 h 22 d'après les calculs précédents
i E i B (1 )
1 h 22 R L
h 11 h 11 (1 h 22 R L )
Ze Ze
h h 11 h 22 1 h 22 R L h 21 h 11 h 22
1 21
1 h 22 R L
1 ig i RE i E i RE i E 1 1 1
; Z'e R E //Z e
Z 'e v1 v1 v1 v1 Z'e R E Ze
) L'impédance de sortie
v
ZS s et la charge retirée ici la charge est RL
s eg0
i
v'
ZS ' s et la charge retirée ici la charge est RU
s eg0
i
Attention : lors du calcul de l'impédance de sortie par cette méthode nous travaillons avec un
nouveau circuit aussi toutes les caractéristiques calculées plus haut ne sont pas à utiliser. Le
schéma à considérer alors est le suivant :
vCE
v1 Ri s ; R R g //R E //h11
h21iB ZS
E iE is C
i s h 21i B h 22 (vs Ri s )
R 'g
Rg v1 RE h22 iB is
vEB
h11 vCB vs R 'g h 11
B h 21 R 'g
B is i s h 22 vs Rh 22 i s
R'g R 'g h 11
R
h 21 R 'g
is h 21i B h 22 vCE avec vCE vs v1 i s (1 Rh 22 ) h 22 v s
R 'g h 11
1 i h 22 1
(R 'g h11 )h 22
s Z
(R 'g h11 )(1 Rh 22 ) h 21R 'g
S
ZS v s h 21R 'g
1 Rh 22
R 'g h11
Pour le calcul de Z'S il faut ajouter au schéma précédent la résistance RC qui se retrouve être
montée en parallèle sur l'impédance ZS soit Z'S = ZS // RC
Intérêt :
- le montage BC permet d’adapter un étage de résistance de sortie faible à un étage de
résistance d’entrée élevée
- le gain en puissance est faible mais la distorsion des signaux amplifiés est réduite au
minimum.
1) Montage complet
En entrée : iB , vBM
R1
h21C = - (1+h21)
h22C = h22
h11
B ib iE E
C C
Question : retrouver les équations du transistor à partir du schéma ci-dessus.
Rg
RP h21ib 1/h22 RE
v2 RU
vEC
eg
C C
RL
4) Caractéristiques du montage CC
4-1) À partir des hijC
Remarque : on reprend les mêmes formules que pour E.C. avec RE qui joue le rôle de
RC et on remplace les hijC par leurs expressions en fonction des hij.
) L'amplification
Calcul de Ai
h 21C h 21
Ai
1 h 22CR E 1 h 22R E
Les courants sont en opposition de phase et Ai peut être très élevé.
) L'impédance d'entrée Ze
h11C Δh C R U h11 (h11h 22 h 21 )R U
Ze en négligeant h12 Ze h 21R U
1 h 22C R U 1 h 22 R U
L'impédance d’entrée est très élevée.
) L'impédance de sortie ZS
h11C R 'g
ZS et en négligeant h12 on a
R 'g h 22C Δh C
h11 R 'g 1
ZS
h 22 h11 h 21 h 22 R '
g h 22
h 21
h11 R 'g
h 21 h11 R 'g
h 22 soit ZS
h11 R 'g h 21
ZS dépend de RG et est en général faible.
Calcul de Ai = iE /iB
v1 v
b) L’impédance d’entrée Ze et Ze 1
'
iB ig
v
ZS s avec la charge retirée ici RL est la charge
i s eg 0
Le schéma équivalent à considérer est alors le suivant :
ig B
h11 h12vCE E is ZS is h 22 vs h 21i B i B car vCE vs
iB
v s h12 v s h11i B R 'g i B
Rg
RP h21iB h22 vs i B (h11 R 'g ) v s (1 h12 )
1 h12
R’g C C iB vs
h11 R 'g
(1 h 21 )(1 h 1 2 )
i s h 22 v s vs
h 11 R 'g
1 i (1 h 21 )(1 h 1 2 ) 1 h 11 R 'g
s h 22 ZS //
ZS v s h 11 R 'g h 22 (1 h 21 )(1 h 1 2 )
h 11 R 'g
ZS
(1 h 21 )(1 h 1 2 ) h 22 (h11 R 'g )
h 11 R 'g
h12 0 ZS ZS a une valeur très faible
h 21
v
ZS' 's avec la charge retirée ici Ru est la charge. On peut tout de suite dire ou écrire
s eg 0
i
RE
is' 1 1 1
' ZS ZS // R E
'
vs ZS ZS R E
En conclusion, ce montage est intéressant pour adapter un étage dont la résistance de
sortie est grande à un étage dont la résistance d’entrée est faible.
Exercices :
1) Donner le schéma équivalent du montage ci-dessous.
On négligéra le paramètre h12E et le condensateur C est un court circuit à la fréquence de
travail.
Calculer Ai, Av, Ze, ZS.
A.N. : h11E = 5k ; h21E= 200 ; h22E = 10-5-1 ; R = 1/h22E ; R1 = 56k ;
R2 = 22k ; RE = 1k.
RD
C’2
+
C2 D
G
= Val
S
v2
eg RG RS CS
ID (mA)
Val droite de charge dynamique
RS +RD VGS = 0
iD
IDO P
E
I IG
i G f(vGS , v DS ) G v GS v DS
VGS V
DS
VDS V GS
I I
i D f(vGS , v DS ) D v GS D v DS
VGS V
DS
VDS V GS
ID ΔI I D ΔI 1
D s et D
VGS VDS ΔVGS VDS VDS VGS ΔVDS VGS ρ
En amplification linéaire, s et sont constants (vrai donc pour de faibles variations
1
autour du point de repos). Soit : i D svGS v DS
ρ
3) Schéma équivalent au TEC en régime de petits signaux
iD
iG
D
svgs vDS
vGS
S S
s dépend de VGS car la caractéristique ID (vGS) n’est pas linéaire. Pour VDS > 4V s est
indépendant de VDS.
Tracer les droites de charge statique et dynamique.
Statique :
Val (R S R g )I D VDS
15 VDS
ID mA 6 0,4VDS
2,5
Dynamique :
0 R Di D v DS
1
iD v DS 0,5vDS
Rg
On choisira le point de repos au milieu de la droite de charge statique soit à VDSO =
7,5V (vDSO = Val/2)
On déterminera s au point de repos et on vérifiera que s est indépendant de VDS comme
annoncé plus haut. Déterminer également .
svgs
vgs RG ρ RD v2
VDS
v2 R ρ
gv s D
v1 RD ρ
A.N. : gv = 7,84
Calcul de Ze
Ze = v1/i1 = RG = 1M
Calcul de Zs
v R Dρ
Zs 2 RD
2 v1 0
i R D ρ
5) Montage avec résistance de source non découplée
Schéma équivalent
G D iD
iG = 0
svgs
RD
v1 v2
S S
R’G
RS
Cas =
v2 = - sRDvgs
vgs = v1 - sRSvgs
vgs (1+sRS) = v1
d’où v2 = - sRD v1/(1+sRS)
sR D
et gv
1 sR S
Cas
v 2 - R Di D
v
- R D svGS DS v DS v R S
ρ
v1 vGS R Si D
v DS
v DS v 2 v R S v 2 R S (svGS )
ρ
RS
v DS (1 ) v 2 sRS vGS
ρ
ρ
v DS (v2 sRS vGS )
ρ RS
R Dρ
v 2 -sRD vGS - (v2 - sRS vGS )
(ρ R S )ρ
sR R RD
v 2 (-sRD D S ) vGS v2
RS ρ RS
Si on fait tendre vers l'infini on retrouve l'expression de gv dans le cas où est négligé.
Impédance d’entrée
Ze = R’G
Impédance de sortie
Le schéma à considérer est celui qui suit ( la charge est retirée et la tension d'attaque est
nulle) :
iG = 0 G D iS
vGS
svgs
v1 vS
S S
R’G
RS
-vGS
v DS
On tire : i S svGS et v DS vS v GS et svGSR S vGS ce qui donne vGS = 0 donc
ρ
v
vDS = vS et alors Z S S ρ
iS
Le schéma de l'amplificateur est donné ci-dessous avec à côté son schéma équivalent en
régime des petits signaux :
ρ
v1 R v2 RS
S
v1 v2 RD
-VSS G
Calcul de Av
v2
: Av avec
v1
v1 vGS
v DS
v 2 R Di D R D (svGS )
ρ
vDS v2 v1 v2 vGS
1
v 2 R D svGS (v2 vGS )
ρ
R R
v 2 (1 D ) vGS (sRD D )
ρ ρ
v2 (ρ R D ) vGSR D (sρ 1)
R (sρ 1)
v2 D vGS
ρ RD
v 2 R D (sρ 1)
Av si ρ A v sR D
v1 ρ RD
Calcul de Ze
v e v GS
Ze en effet ie =iS = -iD et ve = - vGS
ie iD
v2 sρ 1
iD v GS
RD ρ RD
ρ RD
Ze si ρ = Ze = 1 /s Ze est très petit
sρ 1
Calcul de Zs
v
Z s s
i s eG0
e g v GS 0 donc v s v DS
vs
et i s
ρ
On en déduit Zs = ρ l’impédance de sortie est très élevée
Schéma équvalent :
Ze ZS v1 v 2 v GS
iS RS
G S v 2 (1 ) sR S v GS
ρ
RS sR S ρ
v2
RP svGS ρ v2
v1 v GS
ρ RS
D sR S ρ
v1 v 2 v GS v GS ( 1)
Calcul de Av ρ RS
v v2 sR Sρ
avec A v 2 Av
v1 v1 sR Sρ ρ R S
v2
v 2 R Si S R S (sv GS )
ρ
1
Av
ρ RS
1
sR Sρ
sR S
Si ρ = alors A v 1 si sRS>>1
1 sR S
v1 et v2 sont en phase
Dr YAPO Claude – Enseignant Chercheur – UFR SSMT- LPMCT
Cours d’électronique analogique 116
Calcul de Ze
v e v1
Ze car iG = 0.
ie iG
NB : Si on tient compte de la résistance RP alors Z’e = RP
Calcul de ZS
v
ZS s
i s eg 0
vs
i S svGS or v GS v s
ρ
1
soit v s (s ) i S
ρ
v 1
ZS s si ρ = ZS = 1/s ZS est petit.
iS 1
s
ρ
L'AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL
30/09/2004
Ce cours sur l’amplificateur opérationnel (A.O.) a été « piqué » sur le Net. Il me parait assez
complet et devrait être très profitable aux étudiants qui voudraient poursuivre leur formation
en électronique. Cependant je dispose d’un tiré à part sur l’A.O. plus succinct (une bonne
dizaine de pages) disponible pour les étudiants qui le souhaitent.
Introduction:
Son étude constitue le prélude à celle de l’amplificateur opérationnel. En effet, dans ce dernier
les premiers « étages » sont constitués d’amplificateurs de différence. L’amplificateur de
différence, appelé aussi amplificateur différentiel ,comporte deux entrées recevant deux
tensions V1 et V2; il délivre un signal de sortie Vs qui ne dépend que de leur différence:
Vc Vc Vs=Am c.Vc
+ Vd/2 -Vd/2 Vs=Ad.Vd
=
V1 V2 Vs=Ad.(V1-V2)+Am c.(V1+V2)/2
V1+ V2
Le comportement du système lorsque V1=V2= est appelé comportement en mode
2
commun, alors Vd=V1-V2=0.
Le comportement du système lorsque V1=-V2=Vd/2 est appelé comportement en mode
V1+ V2
différentiel car alors =0.
2
Si nous considérons le modèle simplifié du transistor en petits signaux ci-dessous:
ib
h11 h21.ib
alors, le schéma équivalent du montage de la figure n°1 en régime dynamique est le suivant:
Vc1
Rc Rc
Vc1c2
h21.ib1 h21.ib2
ib1 ib2
V1 V2
fig.2
La tension de sortie est prélevée entre les deux collecteurs. Il vient immédiatement la relation:
VC1C2 h 21 R C i b1 i b2
βR C
VC1C2 Vd
h 11
VC1C2 RC
Ad
V1 V2 h11
h 21 R C βR C
A ds
2h 11 2h 11
Vd Zed
Vd
Dans le cas de l’amplificateur idéal qui vient d’être étudié, on obtient : Zed 2h11
I ed
+
fig n°3.a
Ro
Io R
fig n°3.b
Io
On voit que le courant Io sera d’autant plus faible que la résistance Ro sera plus grande. Pour
un générateur de courant de très bonne qualité, ce dispositif nécessiterait donc une tension Eo
très élevée, difficilement compatible avec les tensions couramment utilisées.
Ce type de générateur de courant sera tout de même utilisé lorsque la valeur de la résistance
interne n’est pas primordiale. Il en sera ainsi dans les étages intégrés autres que l’étage
d’entrée (à l’intérieur des amplificateurs opérationnels).
Une deuxième méthode consiste à utiliser un montage à transistor (fig n°3.b).Dans ce cas-là, la
tension aux bornes de R est égale à Eo- vbe Eo .
Il en résulte
Eo
Io Ir Cte .
R
Le générateur de courant réalisé présente alors une impédance interne de l’ordre du mégohm,
tout à fait convenable pour cette utilisation.
7) taux de rejection en mode commun :
Quel que soit le type de générateur de courant utilisé, celui-ci présentera toujours une
résistance interne que nous désignerons par Ro .
Le schéma équivalent du montage pour le régime dynamique devient alors celui de la figure
ci-dessous :
Rc Rc
Vc1c2
V1 Ro V2
fig n°4
Vd
a) Mode différentiel : V1 V2
2
Le montage vérifie les relations suivantes :
Vd
2 h 11.i b1 = Ro.(h 21 + 1).(i b1 + i b2 ) (1)
- Vd - h .i = Ro.(h + 1).(i + i ) (2)
2 11 b2 21 b1 b2
VC1C2 = - h 21 .Rc.(i b1 - i b2 )
VC1 = - h 21 .Rc.i b1
VC1C2 h
Ad = 21 . Rc
Vd h 11
VC1 h 21 .Rc
Ads = =-
Vd 2.h 11
b) Mode commun : V1 = V2 = Vc
Par raison de symétrie, il vient : i b1 =i b2 =i bc .
Il en résulte donc les relations :
VC1C2 = 0
VC1 = - h 21 .Rc.i bc
Vc = h .i + 2.Ro.(h + 1).i
11 bc 21 bc
On constate qu’en mode commun, la qualité du générateur de courant n’influe pas sur le
montage à sortie flottante mais, par contre, une tension non nulle apparaît dans le montage à
référence commune.
V
On définit alors une amplification Ac de mode commun telle que Ac = C1
Vc
h 21.Rc
soit dans le cas étudié : Ac = -
h 11 + 2.Ro.(h 21 + 1)
Par application du théorème de superposition, on en déduit :
Vs=Ads.Vd+Ad.Vc
Un taux de réjection en mode commun élevé signifie que la valeur de Ac est faible par rapport
à Ads, donc que le défaut est de faible importance.
Le taux de réjection d’un amplificateur différentiel idéal est infini.
Pour l’amplificateur réel étudié, le T.R.M.C. s’écrit :
h + 2.(h 21 + 1).Ro
T.R.M.C. = 20 log 11
2.h 11
Remarques :
1) On retrouve bien que le T.R.M.C. est infini dans le cas où l’amplificateur est idéal (Ro=)
+Valim
(1)
(3)
V-
V+
Vs
(2)
-Valim fig.5
Ce schéma d’amplificateur différentiel est celui d’un « vieux » A 702. Dans le cadre en
pointillés n°1, on reconnaît un amplificateur de différence à deux étages. Le cadre n°2 contient
un générateur de courant à transistors pour le premier étage, plus performant que celui du
deuxième étage qui ne comprend qu’une résistance et une source de tension. Le cadre n°3
contient un adaptateur d’impédance ainsi qu’un circuit de décalage des potentiels .
Cet amplificateur différentiel intégré est appelé amplificateur opérationnel.
Les amplificateurs opérationnels actuels sont beaucoup plus complexes que le schéma
précédent constituant de «véritables usines à gaz».
AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS
1) Présentation des a.o :
Un amplificateur opérationnel est constitué d’un circuit intégré analogique (comportant de
nombreux composants, voir ci-dessus) :
* enfermé dans un boîtier;
* relié à l’extérieur par l’intermédiaire de plusieurs broches (8 pour un 741);
* polarisé par 1 ou 2 générateurs de tension ;
2) Branchement des alimentations des a.o :
Il ne faut pas croire, comme on l’entend trop souvent, que la seule manière d’alimenter un
«ampli op» est d’utiliser deux tensions égales et opposées, comme par exemple +15V,-15V.
Afin de bien le montrer, examinons la constitution interne très simplifiée d’un A.O
Fig. 6
Fig. 7
Les générateurs +Vcc, -Vcc de l’ampli de différence et de l’étage de sortie sont les mêmes, on
a un seul +Vcc et un seul -Vcc commun aux deux étages.
Ainsi si +Vcc=+15V et -Vcc=-15V, Vs pourra varier entre -15V et +15V; en fait, réellement
entre -13V et +13V, tension de déchet oblige, mais les A.O récents sont beaucoup plus
performants !
-
fig.8
4) Caractéristiques essentielles et applications :
a) Un A.O. possède les propriétés suivantes :
1° Son amplification aux fréquences basses est considérable (par exemple de 10 3 à 10 9 )
cela est dû aux nombreux étages amplificateurs qu’il comporte.
2° Le module de I’amplification décroît lorsque la fréquence augmente depuis zéro (par
suite des «capacités parasites» des transistors) mais sa bande passante est souvent
considérable (par exemple plusieurs dizaines de mégahertz).
3° Son impédance d’entrée est très élevée (de 10 k à 10 6 M) ainsi que son
T. R. M. C.
4° Son impédance de sortie est très faible (au maximum quelques kilo-ohms); ce résultat
est obtenu, par exemple, en adoptant pour le ou les transistors de sortie, le montage C.C.
b) Les A. O., très compacts et de plus en plus performants, présentent de grandes
facilités d’emploi; en particulier :
1° ils possèdent à I’entrée deux bornes actives sur lesquelles on peut appliquer des
tensions issues d’une ou de deux sources;
2° ils sont munis de broches spéciales dites de compensation destinées au branchement
d’éléments extérieurs (résistances et condensateurs) dont le rôle est en particulier de
modifier à volonté la courbe de réponse.
En conséquence les A.O., conçus initialement pour réaliser des opérations
mathématiques, sont désormais utilisés dans de nombreux domaines; citons :
* les asservissements;
* le contrôle;
* la métrologie;
* les calculateurs analogiques...
VVs
U Vsr U(mV)
Udéc
E-E
Figure 9
fig.10
E
Dés que u dépasse = ,Vs cesse d’être proportionnel à U : l’A.O. sature. Par exemple si
A0
12
E=12 V et A 0 106 6 12.106 12 V .
10
c) courant de décalage :
Si Ip1 et Ip2 sont les courants de polarisation correspondant aux bornes (+) et (-), on a par
définition : Idéc= ip1-ip2.
Idéc, appelé aussi « courant d’offset », est également une conséquence de la dissymétrie de
l’A.D. d’entrée. De l’ordre du microampère pour les vieux A.O., Idéc est de l’ordre du
picoampère pour les A.O. récents.
Les courants Ip1 et Ip2 doivent passer par les circuits extérieurs à l’A.O.. Si l’ensemble de
ces circuits présente une résistance : R+ entre la borne (+) et la masse, R- entre la borne (-) et
la masse, il apparaît à l’entrée de l’A.O., en régime de polarisation, la tension parasite Up :
Up = -R+.Ip1 + R-.Ip2
Un dispositif d’équilibrage est indispensable pour annuler Up puisque l’A.O. se sature pour
une trés faible valeur de U.
fig.11
Aussi, pour imposer une valeur précise au gain, utilise-t-on la contre-réaction ou réaction
négative. Cette technique, étudiée de manière exhaustive en automatique, consiste à reboucler
la sortie du montage sur l’entrée. Comme, par exemple, dans le schéma ci-dessous :
fig.12
Ve U U+Vs R2 R1
U= - Ve VS
R1 R2 R1 R 2 R1 R 2
R2 R1 R
En général, on choisit : R2 R1 1 et 1
R1 R 2 R1 R 2 R 2
R
D’où U = - Ve 1 Vs
R2
Ve - U Vs
A
(R1/R2).Vs -
R1/R2
fig.13
Tout se passe comme si :
* la sortie Vs était prélevée à la sortie,
* puis multipliée par le coefficient R1/R2,
* enfin réinjecté à l’entrée soustraite à -Ve.
R
U = - Ve 1 Vs
R2
Vs AU
Lorsque, par la suite d’un phénomène parasite, le gain A augmente, la tension Vs augmente
simultanément : mais alors la tension U diminue; ce qui réduit l’augmentation de Vs; même
chose si A diminue.
D’une façon générale, les fluctuations de Vs sont considérablement atténuées par la présence
de R1 et R2.
R
La tension 1 Ve ramenée à l’entrée est en opposition avec Ve; cela est dû au fait que le pont
R2
R1, R2 est connecté à la borne (-) : il s’agit d’une réaction négative.
L’amplification est désormais bien déterminée :
R V R 1 V R2
U = - Ve 1 Vs s Ve Vs 1 s
R2 A R2 A Ve R1 R 2 / A
R2
Comme A 1 R1
A
R 2 100.103
Par exemple, si A = 106 0,1 R1 10k
A 106
Vs R
D’où 2
Ve R1
Cette amplification ne dépend plus de l’A.O. : elle est donc indépendante
* des différentes dérives,
* du vieillissement de l’A.O.,
* du gain propre de l’A.O.
En régime de polarisation, la borne (+) est directement reliée à la masse : R+ =0; la borne (-)
est reliée à la masse par l’intermédiaire de R1 et R2 en parallèle. Pour réduire la tension
parasite Up qui apparaît à l’entrée de l’A.O., la solution la plus simple consiste à insérer une
résistance de valeur
R1//R2 entre la masse et la borne (+).
Up
R1 . R 2
I I p1 , siI p1 I p2 U p 0
R 1 R 2 p2
R1 1
,etVe cte 1mV
R 2 1000
L’A.O. est supposé tel que sa sortie augmente de 100xU par unité de temps, (afin d’être
réaliste, cette unité est la nanoseconde).
Ces paramètres fixés, traçons les courbes : Vs= f(t) et U= g(t).
Pour t=0, Ve= 1mV, U= 1mV (transmission instantanée à travers le sommateur que nous
R1 V
admettrons par souci de simplification), Vs= 0 et donc Vs . s 0.
R 2 1000
R 1 100mV
Pour t=1ns, Ve= 1mV, Vs= 100mV (Vs= 100x U t=0 ), Vs . 0,1mV (transmission
R2 1000
instantanée à travers R1/R2), U= 1-0,1= 0,9mV.
Pour t=2ns, Ve=1mV, Vs= 100+
100x0,9= 190mV, Vsx(R1/R2)= 0,19mV, U= 1-0,19=0,81mV
On voit que U diminue au cours du temps et que Vs « augmente de moins en moins
rapidement ». On peut visualiser les courbes Vs=f(t) et U=g(t) à l’aide d’une calculatrice ou
d’un PC en programmant : X=X+1; Vs=Vs+100.(1-Vs/1000); PLOT X,Vs.
Ces courbes sont en tous point identiques aux courbes de charge et décharge d’un
condensateur ou d’une self; courbes en exponentiel, réponse d’un système du premier ordre à
un échelon.
Il est très important de remarquer que U tend vers 0, théoriquement au bout de t ,
pratiquement de manière instantanée, en effet l’axe des temps est gradué en ns et on obtient 99
% de Vs au bout de 5 constantes de temps !
R R
Donc U 0 , par conséquent V+ = V- (fig n°12 et 13) et - Vs . 1 Ve ouVs 2 Ve .
R2 R1
Ceci explique pourquoi le potentiel des deux entrées d’un A.O. contre-réactionné est le même,
et pourquoi on a une masse virtuelle si l’entrée + est à la masse (V+ = V- = Vmasse).
Une écriture plus mathématique permet d’écrire :
R
U Ve Vs 1 dVs R R
R 2 100. dt ln Ve Vs . 1 100. t. 2
R R2 R1
100. U. dt dVs Ve Vs 1
R2
R1 100.t .
R2
R2 100.t .
R2
Ve Vs . k. e R1
Vs . Ve .1 e R1
,
R2 R1
En effet si t=0, Vs = 0 = Ve-k k = Ve
Avons nous tout élucidé ??? Il reste un point important à traiter :
nous avons admis que U 0, Vs (R2/R1).Ve, si l’on pousse le raisonnement sans y prendre
garde, on ne comprend plus rien. En effet, si on considère qu’à la limite U=0, alors Vs= - A.U
= 0, puis U = Ve - (R1/R2).Vs = Ve, nouveau cycle d’amplification (instantané), donc
R1 R 2 R R
U Ve Ve 0 Vs 0 U Ve 1 .0 Ve Vs 2 . Ve ...
R 2 R1 R2 R1
Il semble qu’il y ait oscillation de la sortie.
Il n’en est rien!
Au fur et à mesure que Vs croît, U décroît ; supposons que A 106 et reprenons les valeurs
utilisées précédemment. Vs tend vers 1V, U tend vers 0 mais plus précisément vers
Vs 1
6 1V , dés lors le système n’évolue plus.
A 10
Plus A est grand, plus U sera petit, mais sans toutefois atteindre la valeur 0. L’état final du
système est stable, A amplifie énormément la toute petite tension résiduelle U.
Vs
U
A
Vs
si A alors U 0 mais 0
A
Vs A d V V
fig n°14
11) Vitesse limite de balayage en tension a la sortie d’un a.o. :
Réalisons à l’aide d’un A.O. ancien (un 741 par exemple) le montage suiveur ci-dessous:
fig n°15
Appliquons un signal d’entrée Ve(t), rectangulaire, d’amplitude 10V.
Pour une fréquence f=100 Hz, Vs est un signal carré, identique à Ve. Pour f= 10 kHz, VS a
une forme trapézoîdale. Le passage de Vs=+10 V à Vs=-10 V, ou l’inverse, dure 40 s . Pour
f 16 kHz, le signal de sortie est carrément triangulaire!
Vs
Pour tout A.O., la vitesse d’évolution de la tension de sortie, , est limitée, à la montée,
t
comme à la descente:
Vs
-à la montée, S v ,
t
Vs
-à la descente, S v .
t
Cette limitation ne dépend pas du montage réalisé (intégrateur, ampli, ...). La plus faible des
deux valeurs Sv ou S -v est notée S v , c’est la vitesse limite de balayage (slew-rate en anglais).
Donc, le signal de sortie d’un A.O. est déformé si le signal d’entrée possède une fréquence
trop importante et une amplitude trop grande.
12) Conclusion :
L’A.O.est une brique trés importante du grand « lego électronique » ,utilisé à l’origine dans
les calculateurs analogiques comme sommateur, intégrateur, différentiateur, multiplicateur,...il
est aujourd’hui présent dans les P.I.D. analogiques, dans les amplificateurs, dans
l’électronique logique...
Donc à connaître! Pour vous aider à vous familiariser avec lui, voici quelques exercices tirés
des annales hydro.
POUR EVITER ÇA :
EXERCICES
1) Exprimez Vs en fonction de Ve dans le montage suivant :
Exprimez
Vs en fonction de V1 , V2 , V3 et R.
Solution : Il faut acquérir des réflexes concernant les A.O: rebouclage de la sortie sur l’entrée
-, pas de rebouclage sur l’entrée +, donc fonctionnement en régime linéaire Si régime linéaire
et si on impose le potentiel de l’entrée + , alors l’entrée - est au même potentiel; ici le potentiel
de la masse.
L’entrée - est une masse virtuelle dans le cas présent.
Il suffit, pour résoudre le problème, d’appliquer la loi d’Ohm en ayant présent à l’esprit
qu’aucun courant ne peut entrer ou sortir par l’entrée - (pas plus par l’entrée + d’ailleurs à
cause de l’impédance différentielle d’entrée infinie).
V1
Loi d’Ohm entre V1 et l’entrée - : V1 0 RI 1 , donc I 1 .
R
V2
Loi d’Ohm entre V2 et l’entrée - : V2 0 RI 2 , donc I 2 .
R
V3
Loi d’Ohm entre V3 et l’entrée - : V3 0 RI 3 , donc I 3 .
R
Loi des noeuds au point - : I I 1 I 2 I 3 .
Exprimez
Vs en fonction de Ve , V' e , R1 , R'1 , R 0 , R 2 .
Solution : Soient i 1 le courant traversant R 1 et i'1 le courant traversant R'1 .
Alors, i1 i'1 0 (impédance différentielle d’entrée infinie)
R0
Le même courant parcourant R 0 et R 2 , on a : V0 V.
R0 R2 s
Ve V0
Ve R 1i 1 V0 , d'où i 1 .
R1
V' e V0
V' e R'1 i'1 V0 , d'où i'1 .
R '1
Ve V0 V'e V0
0 Ve V' e R0 1 1
R1 R'1 Vs
R 1 R '1 R 0 R 2 R 1 R '1
d’où:
R 0 R 2 R 1 R'1 Ve V' e
Vs
R0 R 1 R '1 R 1 R '1
R0 R2
Si R1 R'1 , Vs Ve V 'e
2 R0
L’A.O réalise donc la somme des deux tensions Ve et V' e , ici la tension à la sortie est en phase
avec la tension d’entrée, c’est un sommateur non inverseur. Si de plus,
R 2 R 0 , Vs Ve V' e .
4) Soit le montage suivant:
Exprimez Vs en fonction de R, C et Ve .
Attention : Ve n’est pas forcément sinusoïdale, donc ne pas employer les impédances
complexes !
La borne - est une masse virtuelle donc :
Vc Ve
dV dV
Vs Ri RC c RC e
dt dt
Donc, en définitive :
dV
Vs RC e Le circuit est donc un dérivateur
dt
Exprimez Vs en fonction de R, C et Ve :
Solution : La borne - constitue encore une masse virtuelle. Le même courant traverse R et C.
Ve Ri
1
C
Vs Vc et Vc i dt
V dt + constante
1
1 Ve
Vs dt donc Vs
C R RC e
Le montage est un intégrateur.
Solution :
Il y a rebouclage de la sortie vers l’entrée
- et rebouclage sur l’entrée + ! Lequel l’emporte?
VB VA
R2 R1 R2 R1
VA Ve Vs Ve k 1 Vs (k 1 )
R1 R 2 R1 R 2 R1 R 2 R1 R 2
R3 R3
VB V k 2 Vs (k 2 )
R3 R4 s R3 R4
V k 1 k 2 Vs
R2
Donc
R1 R 2 e
R2
Posons: Ve ' V et k = k 1 k 2 Ve ' kVs
R1 R 2 e
En faisant varier R 2 et R 4 , nous modifions k 1 et k 2 , le système est stable si k 0 , c’est à dire
si le taux de contre-réaction k1 k2 . Vous reverrez de semblabes calculs en cours
d’automatique !
7) Soit le montage ci-dessous. On suppose que l’A.O est parfait et fonctionne dans le domaine
linéaire. Les résistances ont toutes la même valeur.
Exprimer Vs en fonction de V1 et V2 . Justifier votre réponse.
Que réalise ce montage?
V2
Solution : Le point B est au potentiel , par conséquent le point A aussi. Il suffit ensuite
2
d’appliquer la loi d’Ohm en se laissant guider par le texte pour le sens du courant. On écrit
ainsi les relations:
V2
R 3 I Vs
2
V2
R 1I V1
2
R3 V2 V2 R 1
On en tire: Vs V1
R1 2 2 R 3
Le montage réalise une différence pondérée, d’ailleurs si R1 R 2 R 3 R 4 , alors
Vs V2 V1
Les tensions de saturation de l’A.O sont +Vsat et -Vsat. Tracez la courbe Vs= f(Ve) pour Ve
variant de moins l’infini à plus l’infini (évidemment dans la réalité l’intervalle de variation est
plus réduit!!!), puis de plus l’infini à moins l’infini.
Solution : Rebouclage sur l’entrée +, donc fonctionnement en régime saturé. Supposons que la
R2
sortie soit au potentiel +Vsat, le potentiel V+ de l’entrée + est V Vsat .
R1 R 2
R2
Tant que V V 0, c’est à dire V V , Vs reste inchangée.
R 1 R 2 sat
R2 R2
Quand V devient supérieure à Vsat , V V 0 Vs Vsat et V+ V
R1 R 2 R 1 R 2 sat
.
R2
Tant que V reste supérieure à V , Vs reste inchangée. Quand V devient
R 1 R 2 sat
R2 R2
supérieure à Vsat , V+ V 0 Vs Vsat et V+ V . D’où la courbe:
R1 R 2 R 1 R 2 sat
Vs
Vsat
R2
V
R 1 R 2 sat
R2 Ve V
V
R 1 R 2 sat
Vsat
Solution : Ayons des reflexes ! Pas de rebouclage sur l’entrée - mais uniquement sur l’entrée
+.
Par conséquent l’A.O fonctionne en régime de saturation, la sortie ne peut prendre que deux
valeurs: +Valim et -Valim; ici +15V et -15V. La valeur de la tension qui fait chavirer le coeur
R1
de l’A.O est : V V2 , soit +1.5V et -1.5V.
R1 R 2
R 3 ne sert pas à grand chose, sinon à empêcher l’existence d’une tension d’off-set. En effet,
vous aurez remarqué que R 3 R1 / / R 2 .
Le montage transforme la sinusoïde en crénaux.
10) Soit le montage ci-dessous
L’A.O est supposé parfait; les tensions de saturation sont de + ou - 12V. On applique à l’entrée
une tension e. On donne: R a 10 k, R b 90 k, R c 18 k.
a) Montrez que, quand e=0, ce système possède deux états stables. Quelles sont les valeurs de
Vs et de V + correspondant à ces deux états?
b) Déterminez la relation entre e, V+, Vs , R a , R b et R c .
c) L’entrée e est une tension périodique formée d’impulsions d’amplitude Ve et - Ve .
e
+Ve
-Ve
Solution : Si e=0, alors l’extrémité de R c est à la masse, on est ramené à l’exercice précédent
avec au lieu de R 1 , R a // R c .
Le mieux est ensuite d’utiliser le théorème de Millman pour la détermination de V+.
On trouve e2,4 V si Vs 12 V et e 2,4 V si Vs = -12 V.
Quand t , e- = B = Vsat
2R R 2
D’où : A 1 V
R 1 R 2 sat
Donc : e Vsat 2R1 R 2 Vsat e t / RC
R1 T R1 2 R 1 R 2 T/ RC
Quand e-= Vsat , t = : 1 e d’où :
R1 R 2 2 R1 R 2 R1 R 2
2R R 2
T 2 RC ln 1 soit ici 6,3 mS.
R2
Le rapport de forme est égal au rapport de la valeur efficace sur la valeur moyenne, afin
d’éviter de trouver une quantité infini, il faut faire le calcul sur une demi période.
12) Le montage précédent est modifié de la manière suivante:
Les diodes possèdent une tension de seuil V0 , une résistance dynamique rd en direct et une
résistance infinie en inverse.
Montrer qu’en déplaçant le curseur du potentiomètre de résistance totale R, on contrôle la
valeur du rapport cyclique , sans modifier la période T du signal de sortie. Entre quelles
valeurs extrêmes peut varier ?
Quel est le rôle des résistances ?
A.N.: on donne V0 =0,6 V, rd 10 , 200 .
Pour r=1 k , calculez la durée t1 de l’état de saturation positive, celle t2 de l’état de saturation
négative, et le rapport cyclique .
R 2 Vsat R 1 R 2 V0
2R R V R R V
t 2 R' 2 C.ln
1 2 sat 1 2 0
R 2 Vsat R 1 R 2 V0
R V
2 sat R 1 R 2 V0
soit encore:
2R R V R R V
T' R 2 rd . C.ln
1 2 sat 1
R 2 Vsat R 1 R 2 V0
2 0
rd rd R
min max
2 rd R 2 rd R
Montrez que ce dispositif est un amplificateur différentiel qui délivre en sortie la tension:
Vs A Ve1 Ve2 . Exprimez le gain différentiel A en fonction de k coefficient sans
dimension.
Solution : Lorsque plusieurs A.O. sont branchés en série, il faut déterminer la tension de sortie
du premier A.O., l’utiliser comme tension d’entrée du deuxième A.O. et calculer la tension de
sortie du second A.O., utiliser cette tension comme tension d’entrée du troisième A.O.…
Appelant V la tension de sortie du premier A.O., et i 1 le courant traversant R et R/k, nous
avons:
Ve1 0 V Ve1 1 k
i1 V Ve1 .
R R/k k
De même pour le second A.O., nous avons en appelant i 2 l’intensité traversant les éléments R
et k.R du deuxième A.O. :
Ve2 V Vs Ve2
i2 Vs 1 k. Ve2 kV ou Vs 1 k Ve1 Ve2
R kR
Solution : L’A.O. est en fonctionnement linéaire, ainsi la tension aux bornes de R 3 est égal à
VZ . Le courant traversant R 3 est le même que celui traversant R, il provoque dans R une chute
de potentiel égal à U- VZ . On a donc:
V U
VZ R 3 i i Z , U - VZ U R 3 i Ri R R 3 1 , R 5,161 k.
R3 VZ
Si R c tend à faire chuter U, le courant traversant R et R 3 tend à diminuer entraînant une baisse
de la tension aux bornes de R 3. L’A.O. est momentanément dans la situation où Ve Ve cela
entraîne une augmentation de Vs car l’A.O. « essaie » de maintenir ces deux potentiels égaux.
Dés lors, T1 est plus saturé, sa résistance collecteur-émetteur diminue, ceci entraîne un
accroissement de U.
En fait, T1 sert de résistance variable piloté par l’A.O..Ceci montre pourquoi le rendement de
ces alimentations est si faible, une bonne partie de l’énergie est dissipée dans le transistor-
résistance.
T2 sert à protéger l’alimentation contre les surintensités. En effet, dés que le courant dans R 2
atteint un certain seuil, la d.d.p. aux bornes de R 2 dépasse 0,6 V et T2 conduit, court-circuitant
la jonction base-émetteur de T1 qui se bloque, mettant ainsi fin à la surintensité.
0,6
L’alimentation peut donc débiter ici: R 2 i 0,6 V i = 0,5 mA au maximum.
1,2.103
15) On donne ci-après le schéma d’un régulateur analogique de type P.I.D. tel qu’il est
couramment réalisé.
Exprimez Ve en fonction des tensions Vconsigne et Vmesure (revoir le cours d’automatique pour la
signification de ces tensions).
Exprimez Vi , Vp , Vd en fonction de Ve .
Exprimez Vordre en fonction de Vi , Vp , Vd puis de Vconsigne et Vmesure .
On prendra toutes les résistances égales à R, sauf les résistances variables que l’on notera r;
tous les condensateurs ont pour valeur C
Le montage réalise-t-il bien la fonction prévue?
Vi Ve dt , Vp Ve , Vd rC e
1 r dV
rC R dt
d Vconsigne Vmesure
Vordre
r
R
Vconsigne Vmesure
1
rC
Vconsigne Vmesure dt rC
dt
16) Soit l’oscillateur sinusoïdal à pont de Wien dont le schéma figure ci-dessous:
Solution : Nous allons d’abord étudier deux montages simples, chacun composés de deux
fonctions de transfert complexes: A et B , et déterminer leur conditions d’oscillation.
+
E A S +
+ E A S
-
S= A.
B B
E B.S S= A.
d’où S A. E A. B.S E B.S
d’où S= A. E A. B.S
A
S E
1 A. B S
A
E
[montage à réaction positive] 1 A. B
A [montage à réaction négative]
si A. B 1 alors A
1 A. B si A. B 1 alors
dés lors S existe même si E 0 1 A. B
dés lors S existe même si E 0
Fonction A de l’oscillateur:
Soit le circuit:
Ve R 2 i V R R2
s 1
Vs R 1 R 2 i Ve R2
Fonction B de l’oscillateur:
jC
1 R
Ve R I R 1 jC jR 2 C 2 R
jC 1
R 3R jR 2 C 1 jC
jC Ve jRC 1 1
Vs R R Vs
R
jC jRC 1 V
Vs I
R 1
jC
L’oscillateur:
Vs
A B
Ici le montage est à réaction positive (rebouclage sur la borne +). Ainsi la condition
d’oscillation est A. B 1. Soit:
1
R 1 R 2 3R jR C jC
2
j
3 R 2 C 22 1
R2 R RC
R1 j
1 3 R 2 C 22 1
R2 RC
La partie imaginaire du menbre de droite doit s’annuler étant donné que l’on a un réel pur dans
le menbre de gauche, d’où:
1
R 2 C22 1 si R et C sont donnés: f condition de pulsation.
2RC
R
Il reste 1 1 3 R1 2R 2 condition d’entretient.
R2
17) Soit le montage dont le schéma est donné ci-dessous et pour lequel la diode et les
amplificateurs opérationnels sont considérés comme parfait :
Solution :
1 et 2 L’ampli-op fonctionne en comparateur.
Lorsque V+ > V- , la tension de sortie de l’ampli-op devient égale à 24 V. Le transistor T1 est
saturé, le relais met en service la pompe. Lorsque V- > V+, la tension de sortie de l’ampli-op
est au potentiel de la masse, T1 est bloqué, la pompe est arrêtée.
Le potentiel de V+ dépend du potentiel de sortie de l’ampli-op. Lorsque la sortie de l’aop est à
24 V, le potentiel du point C par rapport à la masse est à :
24 VZ 1 3 24 6
VZ 1 R2 6 20.10 3
6 9 15 V
R2 R3 20.10 20.10
3
Lorsque la sortie de l’aop est au potentiel de la masse, le potentiel du point C par rapport à la
masse est à :
V 0 6 20.103
R3 Z 1 3V
2
R R 3 20.10 3
20.103
La pompe étant arrêtée (sortie de l’aop à la masse), si le niveau dans la cuve descend
suffisamment de telle sorte que VA = V- chute en dessous de 3 V, alors :
V+ > V- et la sortie de l’aop passe à 24 V entraînant le démarrage de la pompe.
Le potentiel de C devient 15 V et on a toujours : V+ > V- .
Pour que la pompe s’arrête, la cuve devra se remplir suffisamment pour que VA devienne
supérieur à 15 V.
On aura à nouveau V- > V+ et la sortie de l’aop reviendra au potentiel de la masse entraînant
l’arrêt de la pompe.
Donc si VA<3V, la pompe démarre, si VA>15V, la pompe s’arrête.
3 R1 limite le courant dans la Zener et donc la puissance dissipée par effet Joule dans celle-ci.
P 0, 6
Le courant dans la Zener doit être inférieur à : P UI I 0,1 A 100 mA
U 6
24 6
Cela sera assuré si R1 180
0,1
4 La sortie d’un ampli-op réel, lorsque V- > V+ , ne descend pas à 0. Pour des aop ordinaires et
bon marché (741), la tension ne descend guère en dessous de 2 à 3 V. Le transistor T1 ne se
bloquerait donc jamais. Afin d’éviter cela, on remonte le potentiel de la base de T1 à l’aide
d’une diode Zener de tension VZ > 3 V. Ainsi, même si la tension de l’aop ne descend qu’à 3
V, le transistor se bloque.
coffret
On suppose : que l’amplificateur opérationnel est parfait; que R2 est réglée pour que e2 puisse
devenir supérieure à e1 .
l) Expliquer le fonctionnement des montages élémentaires 1 , 2 , 3 , en indiquant de manière
précise le rôle des différents composants.
2) Calculer la valeur minimale à donner à R1 sachant que la puissance maximale
admissible pour DZ1 et DZ2 est de 500 mW.
3) Tracer en synchronisme les chronogrammes des tensions aux points A, B, C et D.
4) Résumer le fonctionnement du montage en précisant les différentes possibilités de
réglage.
21) Gyrateur ou comment simuler des inductances :
Figure 1
Montrer que le circuit de la Figure 1est un convertisseur d’impédance négative, c’est-à-dire
que Zentrée = -Z. Pour ce faire, il peut être judicieux d’appliquer une tension V à l’entrée et de
calculer le courant d’entrée I. Le rapport V/I donne alors Zentrée.
Un gyrateur est formé de 2 CIN comme indiqué Figure 2.
R2
Montrer que le circuit de la Figure 2 vérifie Z entrée . Il est judicieux de considérer le
Z
circuit comme un ensemble de diviseur de tension et de commencer le calcul par la droite.
Le gyrateur transforme un condensateur en une inductance :
ZC 1 Zentrée jCR 2
jC
Ainsi, avec R = 10 k et C = 10 F, on obtient L = CR2 = 1000 H !!!
Ce résultat remarquable explique le succès des gyrateurs dans la confection des filtres.
Figure 2
Solution : Le CIN
Ve Vs
Ve Vs Ri i
R R
Ve
Ve V iRZ
Z
Ve
Vs RiRZ ZiRZ R
Ve
Z
Ve
Ve Vs Ve R Z Ve V
Donc i e
R R R R Z
Ve
Ze Z
i
Le gyrateur :
En considérant la partie droite du circuit, c’est-à-dire (R et Z en série) en parallèle avec (le
CIN en série avec R) :
1 1 1 R Z R R 2 RZ
Z eq
Z eq R RZ R R Z Z
Cette impédance est en série avec R, la résistance placée juste derrière le premier CIN à
R 2 RZ R2
gauche, aussi, la nouvelle impédance équivalente est : R
Z Z
R2
Enfin, le CIN de gauche inverse le signe de cette impédance, tant et si bien que Z entrée
Z
ANNEXES
E2 – On étudie l'influence de la température sur les caractéristiques courant-tension d'une diode à jonction
PN ID(VD). On a ID = IS( exp (VD/UT) – 1) avec UT =kT/q (q charge de l'électron) et IS = I0 exp ( -qE / kT) ( E
= 1,12 V pour le silicium).
1) Déterminer, en polarisation directe, l'expression ΔVD / ΔT pour une diode au silicium ; comment
se déplace la caractéristique directe quand T augmente (on garde le courant constant) ?
2) Calculer en polarisation inverse, la variation de température nécessaire pour doubler ID au
voisinage de 300 K pour une diode au silicium. (On rappelle qu'en polarisation inverse ID ≈ IS et
2 1
figure on
1 pourra faire l'approximation 2 ; T = 300 K)
12
0 V0 v
E4 - Pour simplifier on admettra que la diode est idéale (fig. 3). Tracer, après analyse:
a) la caractéristique de transfert us = f(ue)
b) le graphe de us(t) lorsque ue(t) =Um sin t, avec Um = 15 V et E = 5 V
R i
fig. 3 i R
fig. 4 D1 D2
D e
ue 2R us u
E E1 E2
Note : Pour chaque construction on fera une analyse du fonctionnement du circuit justifiant le graphe tracé.
REDRESSEMENT
5°) Représenter sur papier millimètré les fonctions u1(t) et i(t). Échelles u2
imposées :en abscisses : 1 Cm pour 0,5 s ; en ordonnées 1 Cm pour 5 V ou 0,1 A
6°) A présent u1(t) est un signal sinusoïdal. En vous inspirant des résultats des B
questions 1°) et 7°) tracer sur un même graphique les courbes u1(t) et u2(t) .
8°) Quel type de signaux périodiques faudrait-il choisir pour u1(t) si l’on désirait
obtenir, pour u2(t), une tension constante ?
E3 – Tracer le montage de redressement à pont de diodes. La tension du signal à redresser est v = 20 sin
5000t.
Calculer la fréquence de la tension redressée et sa valeur moyenne.
Que se passe-t-il si, pour les 4 diodes, on permute anode et cathode ? Donner le schéma.
DIODE ZENER
E4 – La diode Zener DZ est donnée par sa i
caractéristique
ci-contre (trait plein). Tracer la caractéristique de R
transfert
US = f(Ue) et le graphe US (t) lorsque Ue (t) = sin VZ v Ue DZ US
ωt avec
VS
Um = 15 V et VZ = 5 V et VS = 0,6 V.
E2 : Une diode Zener de tension VZ = 45 V est utilisée pour réguler une tension sinusoïdale redressée et
filtrée, susceptible de varier entre les limites 40 V ≤ e ≤ 60 V. (figure 2)
On considère pour les quatre (4) premières questions que la
I2 résistance dynamique de la diode est nulle RZ =0.
I1
1) Lorsque e = 40 V on mesure I2 = 20 mA. En déduire la valeur
R1 IZ de R1 (R2 = 1,8 kΩ).
e DZ s R 2 2) À partir de quelle valeur de e, la tension de sortie est-elle
régulée ?
3) Tracer le graphe de transfert s = f(e). (40 V≤ e ≤ 60 V)
Figure 2 4) Calculer le courant dans la diode quand e = 60 V.
5) RZ vaut à présent 50 Ω, calculer la résistance ri et le coefficient de régulation amont kam. On utilisera pour
s s
la résistance interne ri et k am .
I 2 e e I 2
SANS RÉSEAU
E2 - a) Quelle est l’équation d’une droite de charge passant par les points R1 RC
A(8V ; 0) et B(0 ; 14 mA) ? VCC
b) Quelle est l’équation d’une droite de charge si le point de repos IP
est P(5V ; 50 mA) et la résistance de charge RC = 100 R2
c) Calculer les résistances de pont R1 et R2 (Figure 1) pour IP = 2 mA et
VBE = 0,2 V sachant que VCC = 10 V (on négligera IB devant IP) Figure 1
POLARISATION
E3 - I – Soit le montage de la figure 2, avec U0 = 9 V ; RC = 2,7 kΩ ; RB = 470 kΩ ; β= 100 ; le transistor est au silicium
(VBE = 0,6 V). Calculer IB, IC et VCE.
IC I1
RB RC RC
RC R1 IC
RB IC U0
U0 U0 IB
IB IB
VCE VCE R2 RE
I2
M
Régime dynamique :
On donne RG = 600 Ω ; RU = 1 k ; h11 = 1250 ; h12 = 0 ;
h21 = 80 ; h22 = 1,25 10-4 -1.
1- Tracer le schéma équivalent. (Tous les condensateurs sont des courts circuits à la fréquence de eG.
On fera attention à la position de la résistance R1).
2- Exprimer et calculer dans l’ordre : Av = v2 / v1 ; Ze = v1 / i1 ; Ai = i2 /i1.
3- Et enfin l’impédance de sortie ZS vue par la résistance Ru.
4- Donner les équations des droites de charge statique et dynamique.
E2 : Un transistor bipolaire NPN au silicium est utilisé pour amplifier des signaux de basses fréquences et de
faibles amplitudes.
On a pour la polarisation la figure 2 pour laquelle on fixe les valeurs suivantes : U0 = 10 V ; β = 100 ; VBE0 =
0,6 V ; VCE0 = 5 V ; IC0 = 1 mA.
1) Calculer les valeurs des résistances. On précisera le type de polarisation dont il s'agit.
2) Pour le montage de la figure 2 :
-a) donner le schéma équivalent de Thévenin du circuit d'entrée et en calculer les éléments.
-b) Déterminer les équations des droites d'attaque et de charge statiques du transistor. Les tracer dans
le réseau de caractéristiques joint.
3) Le transistor est utilisé en amplificateur (voir figure 3). On admet que tous les condensateurs ont des
impédances nulles aux fréquences de travail et RU = RC.
figure 3 a) Donner le schéma équivalent du circuit de sortie pour les variations.
+ U0
On rappelle que dans ce cas on a iC = ΔIC = IC – IC0 et vCE = ΔVCE = VCE
RC C2
Ze R1 Zs –VCE0.
ie C1 b) Écrire l'équation de la droite charge dynamique iC = f(vCE) et calculer
T son équation dans le réseau de sortie (VCE, IC) en remplaçant iC et vCE
Rg RU par leurs expressions rappelées plus haut. Tracer la dans le réseau de
R2 Vs
Ve RE CE sortie et donner la valeur de VCEB au point de blocage (IC = 0) et la
eg valeur de ICS au point de saturation (VCE =0).
c) On note VCE+ = VCEB-VCE0 et VCE- = VCE0, on appelle dynamique du
signal alternatif de sortie VPP = inf(2VCE+ , 2VCE-). Déterminer VPP dans
le cas de notre amplificateur.
4) Établir le schéma équivalent du montage complet et calculer les caractéristiques de l'amplificateur
(amplification (Ai = iC / iB et Av = VS / Ve) impédances d'entrée (Ze) et de sortie (Zs)). On Donne Rg = 600 Ω
; h11 = 1000 Ω ; h12 = 0 ; h21 = 100 ; h22= 10-4 S.
E1 : On considère le montage de la figure 2 dans lequel le transistor utilisé est défini par ses
paramètres hybrides en émetteur commun :
h11 = 100 Ω ; h21 = 150 ; h12 = 0 ; h22 = 0.
figure 2 R1
A – Etude statique C1 V0
Le point de repos est défini par VCE0 = 7 ,5 V ; B
C2
IC0 = 75 mA ; VBE0 = 700 mV ; IC0 = 150 IB0. i1 IP
On donne V0 = 15 V et IP = 10 IB0. eG
ve R2
Calculer RE, R2 et R1. RE RL vs
M
B – Etude dynamique
a) De quel type d’amplificateur s’agit-il ?
vs
b) Calculer l’amplification en tension du montage AV . On donne RL = 100 Ω.
ve
c) Calculer la résistance d’entrée : - vue des bornes B et M.
- vue des bornes du générateur.
E1 - Dans le circuit de la figure 1 le transistor est tel que s 0= 8000 µS = 8 mA/V (s0 est la valeur de la pente s lorsque VGS =
0). Déterminer la valeur approchée de R S donnant une polarisation à VGS= VGSOFF /4 (VGSOFF =VB). Soit IDSS = 8 mA
déterminer VGS pour la valeur de RS trouvée ci-dessus et calculer la valeur correspondante de VDS.
E2 - Pour VDS compris entre 4 V et 20 V, on trouve pour un TEC à jonction la valeur expérimentale ID= IDSS(1-
VGS/VGSOFF)².
1) Tracer la caractéristique de transfert sachant que IDSS = 20 mA et VGSOFF = -8 V. La tangente à la courbe en ID=
IDSS coupe l’axe des tensions en un point P. Calculer ses coordonnées.
2) On veut que le point de repos du transistor monté dans le circuit de la figure 2 soit : VDS0 = 10 V et VGS0 = - 3 V.
Calculer RD et RS.
3) On donne EDD = 30 V, RD = 2,7 k, RS = 820 . Calculer ID, VGS et VDS.
4) Tracer la droite de charge statique du transistor mis dans le circuit de la figure 3 et placer le point de repos M0
5) Les condensateurs sont tous des courts circuits à la fréquence de travail. Tracer la droite de charge dynamique.
6) ve est un signal variant entre +2 V et -2 V à la fréquence f0 = 1 kHz. Tracer en fonction du temps les
chronogrammes ve(t), vs(t) et iD(t).
24 V EDD= 30 V ED= 30 V
Figure 3
4,7 k RD RD =2,7 k
C0
C1
Vs
10 M RS RG= 10 M RS RG = 1 M RS =
Ve
820 CS
E3 : Étant donné le montage drain commun de la figure 2 le FET est caractérisé par +U0
ses paramètres admittances en drain commun y11D = 0 ; y12D = 0 ; y21D = - s ; y22D = 1/D ie
1) Établir le schéma électrique équivalent en régime des petits signaux. iS
2) En déduire l’amplification en tension Av = us / ue , la résistance d’entrée
Re = ue/ ie et la résistance de sortie Rs = us / is. RG
Ue
3) A. N. : s = 4 mA /V ; D = 250 ; R = 750 ; RG = 1 M. R Us
Figure 2
Fiche 8
E2 : Soit le montage à A.O.P fig. 2, en appliquant le théorème de Millmann aux nœuds A et B calculer le
rapport V2 / V1 en fonction des admittances Yi.
R’ R’
E 3 : On considère le circuit de la figure ci-contre où l’AOP est idéal. ie
Calculer l’impédance d’entrée du montage. +
Qu’a t-on ainsi réalisé ? VS
Ve R
R’ R Ie
Ie C Ve R0
C0
Ve +
Vs
2) On désire réaliser un filtre passe-bande. Pour cela, on utilise un convertisseur à impédance négative qui se
présente comme un quadripôle dont les propriétés peuvent être obtenues à partir des dispositifs ci- dessous :
R2 R
R1 R
2 2
- I 2 -
1 -
+ +
V + Zg
3
R3 V V0
IS V0 4
kR
Ve R44 4 IS
kR
Vs RL ZL
Vs Vs
Figure 2 Figure 4
Figure 3
V’ ZL
V’’ VS
BIBLIOGRAPHIE
BIBLIOGRAPHIE
Série Schaum
Théorie et application des circuits électriques
Joseph A. Edminister
Masson et Cie
Cours d'électronique : Dipôles et Quadripôles
Enseignement technique supérieur
R. Touchet
Educalivre
Collection A. Capliez
Électronique analogique : Cours avec problèmes résolus
Stéphane Valkov
Ellipes
Cours et problèmes d'électronique analogique
142 exercices avec solution
Alain Lebègue, Alain pelat, Jean-Paul Vabre
Dunod
Électronique
1. Les composants discrets non linéaires
Serge Coeurdacier
Dunod
Électronique
2. Amplification basses fréquences. Commutation
Serge Coeurdacier
Dunod Université
Électronique linéaire : Cours avec exercices et travaux pratiques
Joseph Blot