Energias Renovables C2

CENTRALES DE GENERACIÓN
CON ENERGÍAS RENOVABLES
CAP. 2: CENTRALES DE ENERGÍA

FOTOVOLTÁICA
Prof. Fº Javier Alcántara Benjumea. FIEE - UNI

CENTRALES DE GENERACIÓN CON ENERGÍAS RENOVABLES
RECURSOS ENERGÉTICOS DE LA TIERRA

El Sol es el origen de la energía solar. Es un gran reactor de fisión nuclear que transforma parte
de la masa en energía. Esta energía llega a nosotros en forma de radiación electromagnética
Radiación directa: es la radiación incidente en
un objeto sin haberse reflejado o interaccionado
con otros objetos.
Radiación difusa: es la radiación que incide
indirectamente en los cuerpos de la superficie
terrestre, al desviarse en partículas de polvo o
moléculas (como vapor de agua) de la
atmósfera.
Radiación reflejada o Albedo: es la radiación
sobre una superficie que procede de la radiación
directa reflejada en cuerpos cercanos a la
superficie.
Energía solar que llega a la Tierra
Centrales de energía fotovoltaica

La potencia recibida antes de la atmósfera es de 1,367kW/m2. De ella, llega a la superficie
aproximadamente 900 W/m2. La distribución de la energía solar varía mucho en cada lugar de
la Tierra.
Mapa de la radiación
solar en el mundo
La Tierra describe una órbita elíptica

alrededor del Sol. El plano de esta
órbita se llama Eclíptica. A la vez gira
alrededor de un eje que pasa por los
polos cada 24 h. Este eje presenta
una inclinación respecto a la eclíptica
de 23,45°, y por esto, el plano
formado por el ecuador y la línea Sol-
Tierra, llamado Declinación Solar (),
varía entre +23,45° (solsticio de
verano) y -23,45° (solsticio de
invierno). En los Equinoccios la Movimiento elíptico de la Tierra
declinación es nula.
Como consecuencia de la variación de , el ángulo con el que los rayos solares inciden sobre la
superficie terrestre variará mucho dependiendo de la época y de la latitud (es menor en verano
que en invierno)
Incidencias de los
rayos del Sol en
Invierno y Verano
Incidencia de los
rayos del Sol en
función de la latitud

Las medidas de radiación solar se realizan con diferentes aparatos. Para medir la radiación
global (directa + difusa) se utilizan los Piranómetros y para medir la radiación directa se usan los
Piroheliómetros
Piranómetros
Los Piroheliómetros deben contar con un sistema de

seguimiento del Sol de gran precisión, a diferencia de
los Piranómetros que son medidores fijos.
Piroheliómetro
COORDENADAS SOLARES
Para la Ingeniería de la energía solar se considera que es el Sol el que se mueve alrededor de
la Tierra, por lo que se deben definir las coordenadas del Sol respecto a un observador. Además
para calcular una instalación solar, se definirán unas coordenadas que definen la orientación del
panel.
- Ángulo acimutal o Acimut (, A): el ángulo

entre la proyección en la superficie terrestre de
la línea Tierra-Sol respecto a la recta Norte-Sur.
En el hemisferio sur se mide hacia el norte y es
+ hacia el Este.
- Ángulo cenital (z, ): es el ángulo entre la
línea Tierra-Sol con la vertical del lugar. Su
complementario es la altura solar (, h).
- Altura solar (, h): ángulo entre la línea
Tierra-Sol y el plano horizontal al lugar.
- Ángulo de inclinación del panel (): ángulo
que forma el plano que contiene al panel con
respecto a la recta Norte-Sur.
- Acimut del panel (): ángulo de desviación
entre el plano del panel con la línea Norte-Sur.

Al cambiar la inclinación y orientación del panel, respecto de la posición óptima, se va a producir

una reducción de la radiación de la radiación solar anual.
En la siguiente figura se
observa como es la variación
de la radiación solar sobre un
panel inclinado, cuando se
varía sus coordenadas de
orientación e inclinación,
respecto del punto óptimo (con
radiación máxima ó 100%)

ESTIMACIÓN DE SOMBRAS
Uno de los problemas que se presenta al proyectar una instalación de energía solar es ubicar
los paneles en un sitio carente de sombras, por lo que se debe tener en cuenta los obstáculos
entre el Sol y el panel. Para eso se deberá calcular la altura de los objetos que puedan producir
sombras, y estimar la longitud de las sombras en el Solsticio de Invierno, que es cuando la
trayectoria del sol es más baja y las sombras más largas.
Para un objeto de altura h, en un lugar con altura solar

 y acimut , la longitud de la proyección de la sombra
sobre la línea Norte-Sur es:
=ℎ
En un lugar como Lima, con latitud L=12º sur.
Longitud de sombra máxima (proyectada en la línea

Norte-Sur) en el Solsticio de Invierno:
0º
=ℎ = 0,55ℎ
73º − 12º Sombra proyectada por un
obstáculo en la línea Norte-Sur

Existe un método para calcular las pérdidas que se producirían por sombras, en porcentaje de
la radiación global que habría sin sombras. Para eso se debe trazar el diagrama de las
trayectorias del Sol. A este diagrama se debe superponer el perfil de los obstáculos que puedan
crear sombras, mediante el acimut y la elevación horizontal, para luego dibujarlo en el
diagrama. Para esto se utilizará un teodolito.
Diagrama de las trayectorias del Sol

HISTORIA DE LAS CÉLULAS SOLARES
Edmund Becquerel descubrió en 1839 que algunos materiales podía generar pequeñas
corrientes cuando se los exponía a la luz.
En 1839 Smith descubrió el mismo efecto fotovoltáico pero en un material como el Selenio.
En 1904 Einstein formuló el efecto fotovoltáico de forma teórica, o consiguió el Novel en 1921.
Los estudios de Einstein ayudaron a Chaplin, Fuller y Pearson en 1954 a fabricar la primera
célula de Silicio en los laboratorios Bell, consiguiendo alimentar una radio a transistores. La
célula tenía una eficiencia de 6%.
En la época de la exploración espacial se investigó mucho en las células solares. En 1955 se
consigue fabricar comercialmente células solares para aplicaciones en satélites con una
eficiencia de 8%. En 1958 se envía al espacio el primer satélite alimentado con energía solar, el
Vanguard, con una potencia solar de 0,1W.
En 1971 se lanza el primer satélite comercial de telecomunicaciones, Telstar, con una potencia
fotovoltáica de 14W.
Desde 1979 se consiguió enviar una sonda a Marte alimentada con energía solar, la Viking, y
hoy en día se envían otras sondas.
Las investigaciones de hoy en día han llevado a producir en Japón una célula con una eficiencia
de 36,5% (siendo la eficiencia e las células comerciales alrededor de 15%) fabricada con los
semiconductores Indio, Galio y Germanio.

FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LAS CÉLULAS SOLARES
Átomos estables e inestables: un átomo

estable es aquel que tiene completa su capa
de valencia. Por ejemplo el He (con 2 e- en
su capa de valencia) y el Ne con 8 e-.
Un átomo inestable es el que no tiene Atomos estables
completa la capa de valencia. Tienden a
convertirse en estables desprendiendo e- de
valencia o adquiriendo del exterior otros e-
para completar su valencia (hará lo que
menor intercambio de energía suponga)
Conductores y aislantes: los

cuerpos conductores son los que Atomos inestables
permiten, por su estructura de
valencia, la circulación de e- de
valencia por todo el interior del
material. Ejemplo: el Cobre tiene
Atomo de
un solo e- en su cuarta capa, y Cobre
tiene, pues, gran tendencia a
desprenderse de él.

Al aplicar una Diferencia de potencial a un cable de Cu, los e- de los átomos cercanos al terminal + son
atraídos por el generador. Estos átomos adquieren carga +, por lo que se comportan como «huecos» y atraen
otros e- de átomos cercanos. Este proceso se repite hasta el terminal – en donde los átomos cercanos se
comportan como huecos y atraen los e- entrantes por el terminal negativo.
Los aislantes son los que tienen átomos muy estables y no se desprenden fácilmente de e -.
Semiconductores intrínsecos: son

cuerpos que presentan un comportamiento
intermedio entre el Aislante y el Conductor.
Normalmente poseen 4 e- en su capa de Atomo de
valencia (como el Si). En este caso los Silicio
átomos del semiconductor forma enlaces
covalentes (compartiendo dos e-) con otros 4
átomos vecinos formando una estructura
cristalina y estable.
En estas condiciones la propiedad aislante
del semiconductor es muy relativa y
depende fuertemente de la Temperatura. A
temperaturas medias y altas, se rompen
continuamente enlaces covalentes y se
forman pares e-h, los mismos que luego se
Estructura
recombinan en el interior del material. cristalina del Si
Enlaces
covalentes del Si
Semiconductores extrínsecos: Al aplicar una tensión a un semiconductor intrínseco se origina
una débil corriente, ya que la concentración de e-h es muy pequeña. Para conseguir aumentar la
corriente producida se añaden elementos (impurezas) que eleva bastante la concentración de e-
o huecos.
Semiconductores extrínsecos tipo N: en estos cuerpos
se añade al semiconductor intrínseco pequeñas
cantidades de elementos con 5 e- de valencia (como el
antimonio Sb). Así, los átomos nuevos se acomodan en la
estructura cristalina formando 4 enlaces covalentes y
desprendiendo 1 e- que queda libre. La concentración de
e- se vuelve mucho mayor que la de huecos y el
semiconductor se denomina tipo N.
- e-: portadores mayoritarios. Estructura del Si tipo N
- huecos: portadores minoritarios
Semiconductores extrínsecos tipo P: ahora se añade

pequeñas cantidades de elementos de 3 e- de valencia
(como el Boro, B o Aluminio). Al introducirse estos átomos
de impurezas en la estructura cristalina del Si, se forman
cuatro enlaces covalentes por cada átomo, pero en uno
de ellos falta un e- (o aparece un hueco). La concentración
de huecos es mucho mayor, por lo que los huecos son los
portadores mayoritarios. Estos semiconductores son los Estructura del Si tipo P
tipo P
Unión de semiconductores p-n: al juntar un semiconductor P con otro tipo N se mantiene la
neutralidad de la carga, pero en la zona de la unión, debido a la difusión, los e - mayoritarios
cruzan a la zona P y los huecos mayoritarios cruzan a la zona N.
Los electrones se combinan con los

huecos en la zona de unión,
desapareciendo ambos. En la unión se
forma una zona neutra y estable
Aparece una diferencia de potencial
entre la zona n (con carga +) y la p (con
carga -)
La difusión termina cuando la Barrera
Estructura P-N de semiconductores de potencial creada se opone a la
circulación de e- y huecos.
La Barrera de potencial es del orden de

0,2 V para el Ge y 0,5V para el Si
Barrera de potencial en la unión P-N

EL EFECTO FOTOVOLTAICO
En una unión p-n, al aplicar luz exterior los fotones transmiten energía a los e- extrayéndolos de
los átomos y cruzando la barrera de potencial. Estos e- pueden ser recogidos por un circuito
exterior (el terminal +) y vuelven por el terminal -, formándose una corriente.
La luz actúa como generador eléctrico. Se transforma

la energía de los fotones en energía eléctrica. No
todas las frecuencias de la luz visible se comportan
igual en el Efecto fotovoltaico. Unas frecuencias son
más apropiadas que otras dependiendo del tipo de
material.
En cualquier generador fotovoltaico a la vez que se
producen pares e-h, algunos de estos pares se
recombinan en el interior antes de llegar a los
terminales y formar la corriente eléctrica. Por tanto,
continuamente se están produciendo pares e-h y a la
vez, algunos de estos pares se están recombinando,
perdiendo eficiencia el generador.
Efecto fotovoltaico

Los procesos de producción de pares y recombinación en el semiconductor son diversos:

Proceso radiativo : el e- gana energía y se desprende
al absorber un fotón. La energía del fotón necesaria
debe ser mayor que el Gap (energía Umbral) del
material. Algunos materiales (Ga As) producen e- de
manera fácil, por lo que las células de estos materiales
son muy delgadas. Otros (como el Si) necesitan mayor
espesor para absorber toda la luz.
Proceso SRH : existe uno o varios niveles energéticos,

que no deberían estar, entre la banda de conducción y
de valencia. El origen de estos estados es la
imperfección del la red y las impurezas introducidas.
Estos procesos deben ser evitados porque son un
camino para la recombinación, que significa pérdida de
eficiencia.
Proceso Auger: cuando se genera un par e-h, la

energía se toma de otro e- (o hueco) más energético.
Es un proceso natural en el semiconductor y no puede
evitarse. También provoca pérdida de eficiencia.

Proceso Superficial: es un proceso similar al proceso

SRH, pero su origen es la presencia de los límites o
superficies del semiconductor. Sólo ocurre en las zonas
superficiales y se presentan muchos niveles intermedios
permitidos.
MALLA DE METALIZACIÓN
Los contactos metálicos superiores de la célula forman un entramado llamado malla de
metalización. Esta malla absorbe luz, que no llega al interior de la célula, con lo que no debe
tener una superficie alta, pero a la vez, no debe ser muy fina porque aumenta mucho la
Resistencia serie del contacto. El porcentaje de célula cubierto por la malla se llama Factor de
recubrimiento o de sombra
Si se genera una corriente en la célula, esta
circula por la resistencia del contacto y provoca
una tensión V, que es muy negativa ya que
provoca recombinación de los pares e-h. Por
esa razón la resistencia serie no debe ser muy
grande.
Además, los fotones con energía mayor que el
gap, producen electrones y la energía sobrante
so transforma en calor. Los fotones con energía Esquema de una célula con la malla
menor que el gap pasan a través de la célula. de metalización

EVOLUCIÓN DE LA EFICIENCIA DE LAS CÉLULAS
En los años 70 y 80 se han hecho avances importantes en el desarrollo de las células solares:
- Se incluyó la BSF (back surface field), un campo eléctrico en la parte trasera conseguido
mediante una capa muy fina situada por encima del contacto trasero, y que reduce la
recombinación en esa zona.
- Se incluyó el texturizado formando pirámides en la superficie, lo que reducía las pérdidas por
reflexión.
- Se incluyó el reflector posterior.
- Se redujo la velocidad de recombinación superficial en las zonas limítrofes mediante la
pasivación con óxido.
Texturizado piramidal y Célula MINP, ef. 18% Célula PESC, ef. 19%
reflector posterior
Célula Microgrooved PESC. Se

producían surcos en V que reducían la
reflexión al 1%. Eficiencia de 20,8%
para 1 Sol y 23,8% para 102 soles.
La estructura PERL introdujo:

- Las pirámides invertidas que
reducían la reflexión.
- La pasivación mediante óxido de las
superficies frontal y posterior..
- La presencia de regiones con
elevado dopaje en los contactos
para reducir la recombinación.
Célula PERL, ef. 23,1% para 1 sol y
24,8% para 21 soles
CÉLULAS MÁS USADAS ACTUALMENTE
Los tipos de células actuales son:
- Células de Si monocristalino: son más gruesas (100-300 m), tienen una eficiencia alta (
18%), una duración alta pero son caras. El Si se purifica, se funde y se cristaliza en lingotes.
So las células más solicitadas en el mercado.
- Células de Si policristalino: tienen interiormente muchos cristales de Si, una eficiencia
menor entre 13-15 %, vida útil de 20 años y son más baratas que las cristalinas. Se utiliza un
Si de bajo coste y un proceso de fabricación parecido al monocristalino.
- Células de Si amorfo: es tipo de células más común de las llamadas Capa Delgada (Thin
Film, 5 m). Se fabrican evaporando varias capas de Si en un sustrato. Son las más
económicas pero su eficiencia está entre 11-13 % y. además, decrece bastante después de
10 años.
Célula de Si policristalino Células de Si amorfo

Célula de Si monocristalino
PARÁMETROS DE UNA CÉLULA SOLAR
Los parámetros son:

- Corriente de cortocircuito,
ISC: corriente cuando la
tensión es 0 V.
- Tensión de circuito
abierto, VOC: es la tensión
cuando la corriente es cero.
Es la máxima tensión de una
célula.
- Potencia máxima, Pmax:
potencia máxima que se
puede extraes de la célula.
- Factor de forma, FF:
= Curvas de corriente y potencia en función de la tensión
Cuanto mas cerca a 1 se FF mejor será la célula.

- Eficiencia, : es la relación entre la potencia de salida de la célula y la potencia de la luz incidente.
=

Para tener la máxima eficiencia de una célula, se debe maximizar la corriente de cortocircuito.
Los procesos de pérdidas en la corriente ISC son:
- Los fotones con energía menor que el Gap del material.
- Los fotones que no son absorbidos por el material. Son las pérdidas por transmisión
- Los fotones que se reflejan en la superficie de la célula o que chocan con la malla de
metalización.
- La recombinación de pares e-h antes, que se extraiga la corriente de estos electrones.
Para caracterizar la
corriente de cortocircuito
se traza la curva de
Eficiencia cuántica. Se
incide con luz de una  y
se mide la corriente
producida. La Ef.
Cuántica es la relación
entre la energía de la luz
y la energía eléctrica
producida. Mientras ,más
se acerque la curva de Ef.
Cuántica a la curva ideal,
mayor será la ISC
Curva de la eficiencia cuántica
La estructura de una célula es la estructura de un Diodo, por lo tanto, sin iluminación, su

corriente se calculará según la corriente de un diodo.
m es un factor de idealidad del diodo (entre 1 y 2), e es la carga de un e-
=− ( ) (1,60210-19 C) y K es la cte. de Boltzman
I0 es la corriente inversa de saturación, y se produce por efecto de la tensión exterior V,

conectada a la célula. Depende fuertemente con la T. Al aumentar T aumente I 0.
Principio de superposición: se usa para calcular la corriente cuando incide luz y además se
tiene una tensión V exterior.
Incide luz + V=0: =
= − ( )
No incide luz + V0: =− ( )
Para tensiones bajas I = IL = ISC. Para I=0, se obtiene la tensión de circuito abierto.
=
( )
La característica ideal se ve alterada por la Resistencia serie y la Resistencia paralelo. La

resistencia serie se debe a la malla de metalización, a los contactos y a la resistencia del
semiconductor. La resistencia paralelo se debe a la imperfección de la unión p-n y provoca fugas
de corriente.
Ecuación con las resistencias:
+
= − −
Los parámetros fundamentales de la célula son:

- Corriente de cortocircuito.
- Tensión de circuito abierto.
- Máxima potencia, PM
- Corriente de máxima potencia, IM
- Tensión de máxima potencia, VM
- Factor de forma.
- Eficiencia.
En la figura se observa la influencia de las

resistencias serie y paralelo en la característica real

DEPENDENCIA CON LA TEMPERATURA
La eficiencia de las células solares

se reduce con la Tª, sobre todo por
la reducción de VOC, aunque la
corriente de cortocircuito es
prácticamente insensible a los
efectos de la temperatura.
Esta reducción se debe a que la
potencia máxima se reduce
=
Influencia de VOC con la temperatura
De la fórmula deducida de VOC se
deduce que un aumento de la Tª
=
produce aumento en la corriente I0 , ( )
que provocará la reducción de VOC
La eficiencia decrece del orden de 0,4 a 0,5% por cada grado de aumento de la Tª para una
célula de Si, y del orden de 0,3% para una célula de GaAs.

EFICIENCIA MÁXIMA DE UNA CÉLULA
Al decrecer el Gap de una célula aumenta la corriente ISC, pues se absorben más fotones. Por
el contrario, disminuye la tensión VOC. Existe un Gap óptimo en que la eficiencia es máxima.
Dependencia de la eficiencia de las

células de Si y AsGa con el Gap
Dependencia de ISC y VOC con el Gap

POTENCIA MAXIMA PICO Y HORAS SOLAR PICO

La potencia de las células se expresa en Watts-pico (Wp), que representa la potencia máxima de
salida cuando la radiación incidente es de 1000 W/m2 .
Otro parámetro es las Horas solar pico, HSP. Cuando la radiación que llega a un panel durante
un día es W Wh/m2, esta radiación equivale a W/1000 horas HSP, es decir, horas a la máxima
radiación de 1000 W/m2.
Con el parámetro HSP, se puede

calcular fácilmente la energía diaria
producida por un panel. En lugar de
hacer la integral de la curva de
energía diaria, se considera el
parámetro HSP y se calcula el área
del rectángulo:
= ∙ 1000
Los valores de radiación solar en

superficies horizontales se recogen
en tablas de valores diarios, medios Curva de radiación diaria y cálculo de las HSP
mensuales y medios anuales.

Radiación media anula en diferentes estaciones meteorológicas (I)

Radiación media anula en diferentes estaciones meteorológicas (II)

Radiación media anula en los departamentos del Perú

TIPOS DE SISTEMAS FOTOVOLTÁICOS
Los sistemas fotovoltaicos más usados son el Sistema Autónomo y el Sistema conectado a la
Red.
Los sistemas autónomos son una solución muy válida para electrificación de zonas rurales o
aisladas.
Esquema de un Sistema fotovoltaico autónomo
Los sistemas autónomos pueden dar una tensión de AC o de CC, dependiendo del tipo e cargas
que se vaya a alimentar. Los únicos componentes que no se usan en el otro tipo de sistema
(conectado a la red) son la Batería y el Regulador de carga.

Batería: almacena la energía eléctrica en forma de tensión de Continua. Las baterías usadas en
sistemas fotovoltaicos son las de Ciclo Profundo o Estacionarias, que pueden soportar una alta
descarga (hasta el 30 % de la carga). Se definen por.
- Capacidad: es la cantidad de carga que se puede obtener. Se mide en Ah.
- Grado de descarga: la energía que se puede obtener de la batería en un tiempo
determinado. Varía en función del tiempo de descarga.
- Estado de carga: es la carga aún disponible en la batería. Se mide en %
- Autodescarga: es la carga que se pierde dentro sin estar conectada a ninguna carga
- Vida de la batería: nº de ciclos de carga/descarga para el que la capacidad cargada
es del 80% de la capacidad inicial.
Regulador: regula la entrada y salida de corriente en las baterías en función de su estado de

carga, protegiéndolas contra la sobrecarga y la descarga excesiva. Sus características son la
Tensión nominal y la corriente máxima de carga.
En las sobrecargas, cortocircuita los paneles y corta el paso de la corriente hacia las baterías y
en las descargas excesivas, corta la corriente y avisa que la tensión esté cerca del nivel mínimo
de seguridad.
El regulador es necesario ya que la sobrecarga de las baterías produce gases de H y O2 por
hidrólisis del agua y un sobrecalentamiento que puede ser peligroso y acorta la vida de las
baterías.
Una descarga excesiva reduce la capacidad de la batería en cargas futuras.
Los Sistemas conectados a la Red tienen un amplio margen de potencias, desde algunos kWp
hasta varios MWp. Consisten en un generador fotovoltaico cuya salida de tensión CC es
transformada en CA por un Inversor en paralelo con la Red eléctrica.
Esquema de un Sistema fotovoltaico conectado a la red

Los componentes básicos de estos sistemas son:
- Módulos fotovoltaicos.
- Inversor para la conexión a la red.
- Elementos de protección, seguridad y cableado.
- Medidor de energía bidireccional.
Ventajas de la Energía solar fotovoltaica:
- Se eliminan las pérdidas en transmisión (8-12%) y distribución (16-22%)
- No produce contaminación ni efecto nocivo al medio ambiente.
- Son sistemas modulares, permiten inversiones en forma progresiva.
- Los costos de operación y mantenimiento son mucho menores que las centrales térmicas.

PANELES
Las células fotovoltaicas se agrupan en paneles, para dar mayor corriente y tensión y estén
protegidas del exterior. Para instalaciones fijas se instalarán con una inclinación igual a la latitud
(en Lima 10º Norte) y Azimut 0º. Pueden instalarse horizontalmente pero se tiene el problema de
la acumulación de agua o polvo.
Para evitar las pérdidas debida a sombras producidas por filas paralelas o por obstáculos, debe
haber una distancia horizontal entre filas mínima o con el obstáculo.
1
=ℎ
tan (67º − )
Distancia de separación entre paneles y con obstáculos
Se puede aumentar la eficiencia de los módulos haciendo un seguimiento del movimiento del
Sol, de tal manera que la radiación incide verticalmente. Los sistemas principales son dos:
- Seguimiento a un eje (15-20 % más de energía que sin seguimiento)

- Seguimiento a dos ejes (30-35 % más de energía que sin seguimiento)

Seguidor de 2 ejes
Seguidores de 1 eje
ELEMENTOS DE PROTECCIÓN, SEGURIDAD Y CABLEADO
Los inversores suelen venir con características de protección:
- Protección contra polarización inversa.
- Protección contra cortocircuitos.
- Seccionador en carga.
- Monitorización de red: detecta tensiones fuera del rango normal (0,85V n-1,1Vn) y frecuencias
anormales de la red.
- Monitorización de toma de tierra.
- Protección diferencial integrada.
- Eliminación de las sobretensiones mediante varistores, en el lado de CC y CA.
MEDIDORES
El medidor de energía bidireccional debe ser capaz de medir el flujo de energía en los dos
sentidos:
- Cuando la planta esté en condiciones de generar energía eléctrica.
- Cuando la planta no genera energía y consume una pequeña energía (en Stand by o
Modo nocturno).
Los medidores pueden ser equipos de medida electrónicos que incluyen, además de la medida,
el análisis completo de todos los parámetros, la visualización de las formas de onda y incluso la
función de telegestíón desde una computadora o equipo exterior.

INVERSORES
Los Inversores para plantas fotovoltaicas conectadas a la red debe tener la característica del
seguimiento del punto de máxima potencia, MPPT (Maximum Power Point Tracking)
Debido a que muy pocas veces se consigue radiación solar igual o cerca a 1000 W/m 2 , se debe
dimensionar la potencia del inversor por debajo de la potencia-pico de los paneles. Con esto se
consigue mejorar la eficiencia del inversor para radiaciones bajas.
Eficiencia de los inversores para diferentes niveles de radiación
La conexión a la red se hará de forma que se compensen las tres fases, conectando un tercio de
los inversores en cada fase y el hilo neutro.

Los inversores para instalaciones fotovoltaicas son básicamente de dos tipos:
1.- Inversores para instalaciones aisladas: funcionan con el principio de fuente de

tensión (VSI).
2.- Inversores para plantas conectadas a la red: funcionan con el principio de fuente
de corriente (CSI)
Los primeros necesitan en el lado de continua antes de la inversión, una tensión CC constante
para los que se utiliza un filtro LC.
Los segundos necesitan una corriente de CC constante para lo que se utiliza una bobina
colocada en el lado de CC o de CA, que suaviza la forma de la corriente y la hace constante.
Los elementos de Electrónica de Potencia usados en los inversores son los IGBTs. Se usan
cuatro IGBTs para formar puentes monofásicos o seis IGBTs para formar puentes trifásicos
(Puentes de Graetz).
El sistema de control realiza el encendido y apagado de los IGBTs para conseguir la forma de
onda de la tensión deseada (para los VSI) a partir de pequeños tramos de la tensión de CC
disponible. En el caso de los CSI, se realiza el encendido y apagado para conseguir la forma
deseada de la corriente, a partir de la corriente CC disponible

Inversores para instalaciones aisladas: el puente de IGBTs tienen cuatro fases de operación:
Q1, Q2 en ON. Vo = VCC
Q3, Q4 en ON. Vo = -VCC
Q1, Q3 en ON. Vo = 0
Q2, Q4 en ON. Vo = 0
Inversor en puente monofásico
Modulando correctamente los

encendidos y apagados, se puede
conseguir una forma de onda de
tensión de CA en la carga, usando las
tensiones VCC, -VCC y cero.

Para un inversor de onda cuadrada y carga de tipo RL, se pueden ver en la figura las forma de
onda de tensión y las corrientes en el lado de CA, en los IGBTs y en el lado de CC.
El puente funciona sólo en

dos fases de operación:
Q1, Q2 en ON. Vo = VCC

Q3, Q4 en ON. Vo = -VCC

Modulación por Anchura de pulsos (PWM)
Se compara la señal senoidal de referencia
(frecuencia de suministro) con una señal
triangular (portadora) de más alta frecuencia.
Como resultado de la comparación se puede
construir una señal formada por trenes de
pulsos, con un armónico fundamental igual a
la referencia
1.- Conmutación bipolar
La trenes de pulsos van cambiando de VCC a
–VCC. El contenido armónico no es muy alto,
pero el tercer armónico es importante
V0=VCC si Vsen>Vtri V0=-VCC si Vsen<Vtri
Fundamento de la modulación
PWM, bipolar
Armónicos en la conmutación bipolar

1.- Conmutación unipolar

Se usan dos ondas de referencia
desfasadas 180º para producir una
modulación incluyendo la fase de tensión
nula y obteniendo la tensión en la carga
como la resta de la tensión superior Va
menos la inferior Vb. Vab=Va-Vb
Q1 conduce si vsen>vtri
Q2 conduce si -vsen<vtri
Q3 conduce si -vsen>vtri
Q4 conduce si vsen<vtri
Los armónicos son de orden más alto y
sus amplitudes son más reducidas
Fundamento de la modulación
PWM, unipolar
Armónicos en la conmutación unipolar

Inversores para instalaciones conectadas a la red: se usan los puentes monofásicos (puentes
en H) de IGBTs trabajando como fuente de corriente (CSI). Son muy versátiles, capaces de
trabajar como convertidor CC-CC y CC-CA.
Inversor básico en puente

Las principales estrategia de modulación son:
1.- Modulación bipolar.
2.- Modulación unipolar.
3.- Modulación híbrida.
Modulación bipolar: los IGBTs son encendidos en diagonal existiendo dos fases de
conducción: corriente positiva y corriente negativa. Este inversor tiene una baja eficiencia
(96,5%) debido al intercambio de reactiva entre CPV y L1(2)
Modulación bipolar: fase de corriente positiva Modulación bipolar: fase de corriente negativa

Modulación unipolar: cada parte (superior o inferior) se conmuta según su propia referencia.
Hay seis fases de conducción: tres para corriente positiva y tres para negativa.
Estos inversores tienen una alta eficiencia, mayor de 98%, dada las reducidas pérdidas en los
estados de V=0, sin embargo tienen la desventaja de que VPE tienen componentes armónicos,
por lo que hay pérdidas altas de corrientes de alta frecuencia a tierra.
Modulación unipolar: fase de corriente positiva, VAB =0

Modulación unipolar: fase de corriente Modulación unipolar: fase de corriente

positiva, VAB =VPV positiva, VAB =0

Modulación unipolar: fase de corriente

negativa, VAB =0

negativa, VAB =VPV

negativa, VAB =0
Modulación híbrida: una parte se conmuta a alta frecuencia y la otra a la frecuencia de la red
Estos inversores tienen una alta eficiencia también, mayor de 98%, dada la reducida potencia
reactiva entre CPV y L1(2). Su principal desventaja es que VPE tiene una forma cuadrada a la
frecuencia de la red lo que provoca perdidas altas de corriente a tierra.
Modulación híbrida: fase de corriente Modulación híbrida: fase de corriente

positiva, VAB =VPV positiva, VAB =0

Modulación híbrida: fase de corriente Modulación híbrida: fase de corriente

negativa, VAB =-VPV negativa, VAB =0

El Puente llamado H5 fue introducido por SMA, conservando una alta eficiencia y reduciendo los
problemas anteriores. Se incluye un quinto IGBT que tiene las funciones:
- Elimina la potencia reactiva entre CPV y L1(2) en los estados tensión nula.
- Aísla el módulo PV del inversor en el estado de V=0, eliminando la pérdida a tierra.
Estos inversores tienen dos fases de conducción para I>0 (1º S5, S1, S4 On, 2º S5, S4 Off y S1
On, S5, S4 a alta frec. y S1 a la frecuencia de red), y otros dos para I<0 (1º S5, S2, S3 On, 2º
S5, S2 Off y S3 On, S5, S2 a alta frec. y S3 a la frecuencia de red
Esquema del inversor H5

El Puente llamado HERIC fue introducido por Sunways, conservando una alta eficiencia y
reduciendo los mismos problemas que el H5 . Se incluye una rama by-pass en lado de AC
formada por dos IGBTs en serie y enfrentados.
Estos inversores tienen dos fases de conducción para I>0 (1º S1, S4, S+ On, 2º S1, S4 Off y S+
On, S1, S4 a alta frec. y S+ a la frecuencia de red), y otros dos para I<0 (1º S2, S3, S- On, 2º
S2, S3 Off y S- On, S2, S3 a alta frec. y S- a la frecuencia de red
Esquema del inversor HERIC

Los inversores reales requieren una etapa anterior de conversión CC-CC para controlar la
tensión de CC.
Un esquema típico es un puente en H con convertidor CC-CC usando un transformador de HF. El
convertidor en H de la derecha se puede sustituir por los esquemas de alta eficiencia vistos.
Inversor usando convertidor CC-CC con transformador de HF

Otro esquema se tiene usando un convertidor CC-CC clásico con transformador de baja
frecuencia.
Inversor usando convertidor CC-CC clásico con transformador de BF
Los inversores trifásicos suelen ser una conexión de tres inversores monofásicos más un hilo neutro. Algunos
fabricantes tienen Inversores monofásicos especiales diseñados para la conexión trifásica, que requiere la
monitorización de la tensión de línea y el control de cada fase independiente.
El principal problema de los inversores realmente trifásicos es que necesitan una tensión de CC muy elevada
(hasta 600 V) para una tensión de la red de 400 V. En cambio los inversores monofásicos sólo requieren una
tensión CC de 400 V.

Estudio Técnico-económico de una instalación aislada: se hace una comparación entre el
costo de la energía solar y el costo de la energía con un grupo electrógeno. Cgrupo= 500 €/año
Casa de campo con 7 días de reserva de energía, con los siguientes equipos:
Equipo Cantidad Potencia W total parcial W h/día Energía W/h Energía kWh/año
L. fluores. 4 15 60 6 360
Radio 1 10 10 6 60
Televisor 1 60 60 3 180
Refrigerador 1 60 60 24 1440
Total (Wh/día) 2040
bat. 12V (Ah) 170 745
Para reserva de 7 días = 7 baterías de 170 Ah
Paneles solares (1,32 x 0,66 m) Potencia (Wp) H. sol E (Wh/día) Nº paneles Nº paneles real Sup (m2)
Datos 110 4 495 4,64 5 4,34
Costo del sistema de energía fotovoltáico
Equipos Cantidad Costo unit. Costo tot. (€)

Panel solar fotovoltaico 110 Wp 5 800 4000
Batería fija de 12V, 170 Ah 7 400 2800
Reglador de batería 12 V, 30 A 2 150 300
Inversor 12 Vcc/220Vca, 1000W 1 100 100
Total sin instalación 7200
Costo de instalación (10%) 720
Total de la inversión, sin subvención 7920
Ingresos ahorro energía (4 personas) 500

Resultados finales: se calcula el periodo de Pay Back (amortización) y los valores del VAN y del
TIR para 5, 10, 15 y 20 años.
Inv. Inicial Año 1 Año 2 Año 3 Año 4 Año 5 Año 6 Año 7 Año 8 Año 9 Año 10
Ingreso 500 530,00 561,80 595,51 631,24 669,11 709,26 751,82 796,92 844,74
Mant, (1% Inv) -79,2 -83,95 -88,99 -94,33 -99,99 -105,99 -112,35 -119,09 -126,23 -133,81
Inversión -7920
Cash flow -7920 420,80 446,05 472,81 501,18 531,25 563,13 596,91 632,73 670,69 710,93
Pay back -7920 -7499,20 -7053,15 -6580,34 -6079,16 -5547,91 -4984,79 -4387,87 -3755,15 -3084,45 -2373,52
Año 11 Año 12 Año 13 Año 14 Año 15 Año 16 Año 17 Año 18 Año 19 Año 20
895,42 949,15 1006,10 1066,46 1130,45 1198,28 1270,18 1346,39 1427,17 1512,80
-141,84 -150,35 -159,37 -168,93 -179,06 -189,81 -201,20 -213,27 -226,06 -239,63
Pay back = 13 años
753,59 798,80 846,73 897,54 951,39 1008,47 1068,98 1133,12 1201,11 1273,17
-1619,93 -821,13 25,60 923,14 1874,53 2883,00 3951,98 5085,10 6286,20 7559,38
TIR (10 TIR (15 TIR (20

VAN = 496 € TIR (5 años)= -29% años)= -6% años)= 2% años)= 6%

BIBLIOGRAFÍA:
Carta Gonzáles, J.A., Calero, R., Colmenar A., Castro M.A., Centrales de energías renovables. Ed. Pearson
Educación, 2009.
Creus Solé, A. Energías renovables. Ediciones Ceysa, 2004
Teodorescu R, Liserre M, Rodriguez P. Grid Converters for Photovoltaic and Wind Power Systems. John
Wiley 2011.

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CENTRALES DE GENERACIÓN

CON ENERGÍAS RENOVABLES

CAP. 2: CENTRALES DE ENERGÍA

Prof. Fº Javier Alcántara Benjumea. FIEE - UNI

RECURSOS ENERGÉTICOS DE LA TIERRA

Energía solar que llega a la Tierra

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La Tierra describe una órbita elíptica

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Los Piroheliómetros deben contar con un sistema de

- Ángulo acimutal o Acimut (, A): el ángulo

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Al cambiar la inclinación y orientación del panel, respecto de la posición óptima, se va a producir

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Para un objeto de altura h, en un lugar con altura solar

En un lugar como Lima, con latitud L=12º sur.

Longitud de sombra máxima (proyectada en la línea

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Diagrama de las trayectorias del Sol

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Átomos estables e inestables: un átomo

Conductores y aislantes: los

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Semiconductores intrínsecos: son

Semiconductores extrínsecos tipo P: ahora se añade

Los electrones se combinan con los

La Barrera de potencial es del orden de

Barrera de potencial en la unión P-N

La luz actúa como generador eléctrico. Se transforma

Centrales de energía fotovoltaica

Los procesos de producción de pares y recombinación en el semiconductor son diversos:

Proceso SRH : existe uno o varios niveles energéticos,

Proceso Auger: cuando se genera un par e-h, la

Centrales de energía fotovoltaica

Proceso Superficial: es un proceso similar al proceso

Centrales de energía fotovoltaica

Célula Microgrooved PESC. Se

La estructura PERL introdujo:

Célula de Si policristalino Células de Si amorfo

Los parámetros son:

= Curvas de corriente y potencia en función de la tensión

Cuanto mas cerca a 1 se FF mejor será la célula.

Centrales de energía fotovoltaica

La estructura de una célula es la estructura de un Diodo, por lo tanto, sin iluminación, su

I0 es la corriente inversa de saturación, y se produce por efecto de la tensión exterior V,

La característica ideal se ve alterada por la Resistencia serie y la Resistencia paralelo. La

Ecuación con las resistencias:

Los parámetros fundamentales de la célula son:

En la figura se observa la influencia de las

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La eficiencia de las células solares

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Dependencia de la eficiencia de las

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Con el parámetro HSP, se puede

Los valores de radiación solar en

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