ESTRUCTURAS CRISTALINAS EN SEMICONDUCTORES

Profesor:
ING. JESUS ERAZO.

Alumnos:
JULIO ENRIQUE MUÑOZ.
MAURICIO GONZALEZ OROZCO.

UNIVERSIDAD DE NARIÑO
FACULTAD DE INGENIRIA
INGENIERIA ELECTRONICA
SAN JUAN DE PASTO
Septiembre 2008
 INTRODUCCIÓN

Algunos semiconductores como el silicio y el germanio están conformados por átomos,

los cuales poseen un ordenamiento estricto y regular, es decir que ocupan posiciones
especificas formando estructuras bien definidas, que se conocen como estructuras
cristalinas, estas determinan sus propiedades como lo son su rigidez, fatiga, ductilidad,
maleabilidad, resistencia térmica y eléctrica entre otras, o su comportamiento ante
diferentes fenómenos físicos, como la presencia de un campo magnético o eléctrico, o la
reacción ante determinadas sustancias químicas.

Al estudiar las estructuras cristalinas de los materiales semiconductores se puede

comprender el movimiento de las cargas eléctricas en los átomos y moléculas de los
elementos y compuestos semiconductores, y como pueden llegar a comportarse como
conductores o aislantes afectando su composición atómica y molecular y en sí, su
estructura cristalina.

En este trabajo se estudian las estructuras cristalinas de los semiconductores con el fin de
poder comprender su comportamiento frente al flujo de cargas eléctricas y las
propiedades que hacen de estos compuestos elementos indispensables para aplicaciones
en electrónica.
 SÓLIDOS CRISTALINOS Y AMORFOS

En la naturaleza existen materiales en los cuales

cuales sus átomos, moléculas o iones están
distribuidos de una forma determinada y especifica.

Substancialmente, los sólidos tienen sus átomos, moléculas o iones repartidos de formas
tales, que pueden formar distribuciones ordenadas entre sus partículas o contener
c
uniones de partículas sin ninguna forma determinada.
Esta situación plantea una división característica en la forma en que los sólidos tienen
distribuidos sus partículas, por lo tanto se tienen:

Sólidos Cristalinos: Son el tipo de sólidos en los cuales sus átomos, moléculas o iones
ocupan posiciones especificas y tienen una estructura ordenada de forma precisa y
regular.
Esta estructura la poseen algunos semiconductores, entre ellos el silicio y el germanio.

RA 1. Distribución de partículas en un sólido cristalino.

FIGURA
Sólidos Amorfos: Son los sólidos que carecen de un ordenamiento bien definido y de una
disposición atómica, molecular o iónica repetida. Entre estos sólidos encontramos al
vidrio, el cual no tiene un ordenamiento preciso en sus partículas componentes. Algunos
vidrios calcogénidos (de azufre, selenio y telurio) son semiconductores amorfos.

FIGURA 2. Distribución de partículas en un sólido amorfo.

 ESTRUCTURAS CRISTALINAS

En los sólidos cristalinos los átomos, moléculas o iones están distribuidos de forma
periódica y tridimensional, conformando cristales mediante la repetición infinita de
unidades estructurales idénticas.

Una unidad estructural o celda unidad: es el menor número de átomos que pueden
representar a una estructura cristalina determinada y que se repite en un número que
tiende al infinito para conformar un sólido cristalino. Estudiando solo la celda unidad
puede estudiarse toda la estructura, ya que en si esta es la repetición de la unidad
estructural.

FIGURA 3. Celda unitaria y Puntos de red. Cada punto de red representa a

las partículas que conforman el sólido ya sea un átomo, molécula o ion.

Los puntos de red representan los átomos, moléculas o iones que conforman al sólido.
En muchos cristales este punto en realidad no contiene una partícula sino varios átomos
iones o moléculas distribuidos de forma idéntica alrededor de cada punto.
Los átomos, iones o moléculas se unen mediante enlaces para formar una de siete
estructuras cristalinas posibles, las cuales son:

CUBICA TETRAGONAL ORTORÓMBICO

ROMBOÉDRICO MONOCLÍNICO TRICLÍNICO

HEXAGONAL
Cada sistema cristalino tiene unas características propias que lo hacen diferente de los
demás. Estas diferencias radican en las distancias de sus lados o vértices y los ángulos
entre ellos, en la siguiente tabla se presentan las características de cada sistema.

ESTRUCTURA EJES ANGULOS ENTRE EJES

CUBICA a=b=c Todos los ángulos de 90°

TETRAGONAL a=b≠c Todos los ángulos de 90°

ORTORÓMBICO a≠b≠c Todos los ángulos de 90°

Dos ángulos de 90°
HEXAGONAL a=b≠c
Un ángulo de 120°
Todos los ángulos son
ROMBOÉDRICO a=b=c
iguales y ninguno es de 90°
Dos ángulos de 90°
MONOCLÍNICO a≠b≠c
Un ángulo β distinto a 90°
Todos los ángulos son
TRICLÍNICO a≠b≠c distintos y ninguno es de
90°
TABLA 1. Características estructuras cristalinas.

Las estructuras cristalinas se forman por la unión de varias partículas, estas uniones son
las fuerzas que mantienen la estabilidad de un cristal y se denominan enlaces, los cuales
pueden ser iónicos, covalentes, de hidrogeno, metálicos, fuerzas de Van der Waals, o una
combinación de todos ellos.

En los elementos como el silicio y el germanio los electrones están compartidos entre los
átomos, lo que se conoce como un enlace covalente. La formación de este tipo de enlaces
en estos elementos posibilita el comportamiento semiconductor por medio del dopaje o
adición de impurezas a los elementos.
 ENLACES Y DOPADO PARA LA FORMACIÓN DE MATERIALES TIPO N Y TIPO P EN
SEMICONDUCTORES

En los elementos semiconductores los átomos están ligados entre sí por medio de enlaces
covalentes, en este tipo de enlaces los átomos comparten electrones con otros elementos
con el fin de lograr llenar su capa mas externa.
Aprovechando la formación de este tipo de enlaces en los elementos como el germanio y
el silicio, y que además estos son tetravalentes (tienen cuatro electrones en su capa de
valencia), se puede lograr el comportamiento como semiconductores de estos al ser
combinados con átomos de otros elementos que pueden ser trivalentes (tres electrones
de valencia) o pentavalentes (cinco electrones de valencia).

Cuando a un átomo de silicio o germanio se le agregan elementos trivalentes o

pentavalentes, se dice que se le han añadido impurezas o que esta dopado, y se
denomina semiconductor extrínseco, y lógicamente estas impurezas remplazan al átomo
del material semiconductor en la estructura cristalina.

Semiconductor tipo N

Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo un

cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de
carga libres (en este caso negativas o electrones).

Cuando el material dopante es añadido, éste aporta sus electrones más débilmente
vinculados a los átomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es también
conocido como material donante ya que da algunos de sus electrones.
El propósito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el
material. Para ayudar a entender cómo se produce el dopaje tipo n se va a considerara el
caso del silicio. Los átomos del silicio tienen una valencia atómica de cuatro, por lo que se
forma un enlace covalente con cada uno de los átomos de silicio adyacentes. Si un átomo
pentavalente con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo VA de la tabla
periódica (ej. fósforo (P), arsénico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en
el lugar de un átomo de silicio, entonces ese átomo tendrá cuatro enlaces covalentes y un
electrón no enlazado. Este electrón extra da como resultado la formación de "electrones
libres", el número de electrones en el material supera ampliamente el número de huecos,
en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores
minoritarios. A causa de que los átomos con cinco electrones de valencia tienen un
electrón extra que "dar", son llamados átomos donadores. Nótese que cada electrón libre
en el semiconductor nunca está lejos de un ion dopante positivo inmóvil, y el material
dopado tipo N generalmente tiene una carga eléctrica neta final de cero.

FIGURA 5. Material tipo N.

Semiconductor tipo P

Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, añadiendo un

cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de
carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando el material dopante es añadido, éste libera los electrones más débilmente
vinculados de los átomos del semiconductor. Este agente dopante es también conocido
como material aceptor y los átomos del semiconductor que han perdido un electrón son
conocidos como huecos.
El propósito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio,
un átomo trivalente (típicamente del grupo IIIA de la tabla periódica) de los átomos
vecinos se le une completando así sus cuatro enlaces. Así los dopantes crean los "huecos".
Cada hueco está asociado con un ion cercano cargado negativamente, por lo que el
semiconductor se mantiene eléctricamente neutro en general. No obstante, cuando cada
hueco se ha desplazado por la red, un protón del átomo situado en la posición del hueco
se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado por un electrón. Por esta razón un hueco se
comporta como una cierta carga positiva. Cuando un número suficiente de aceptores son
añadidos, los huecos superan ampliamente la excitación térmica de los electrones. Así, los
huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores
minoritarios en los materiales tipo P.

FIGURA 6. Material tipo P.

 REDES DE BRAVAIS

Anteriormente se definieron siete sistemas cristalinos en función de los parámetros de las

celdas unitarias, que son la longitud de los lados de cada celda y los ángulos que forman
entre cada lado. Pero para definir completamente una estructura cristalina elemental de
un sólido, además de definir la forma geométrica de la red, es necesario establecer las
posiciones en la celda de los átomos o moléculas que forman el sólido cristalino.
Las posiciones de los átomos pueden estar en diferentes partes de la celda unidad, y por
lo tanto pueden presentarse las siguientes alternativas:

• Celda primitiva o simple en la que los puntos reticulares son sólo los vértices del
paralelepípedo.

• Celda centrada en las caras, que tiene puntos reticulares en las caras, además de
en los vértices. Si sólo tienen puntos reticulares en las bases, se designan con las
letras A, B o C según sean las caras que tienen los dos puntos reticulares.

• Celda centrada en el cuerpo que tiene un punto reticular en el centro de la celda,

además de los vértices.

• Primitiva con ejes iguales y ángulos iguales ó hexagonal doblemente centrada en el

cuerpo, además de los vértices.

Las disposiciones de los puntos de red pueden formar 14 configuraciones básicas con los 7
sistemas cristalinos, denominadas redes de Bravais.
A continuación se muestran las 14 disposiciones posibles de las redes de Bravais.
TRICLINICO

MONOCLINICO
SIMPLE CENTRADA EN LAS BASES

ORTORROMBICO
SIMPLE CENTRADA EN LAS BASES CENTR. EN EL CUERPO CENTR. EN LAS CARAS

TETRAGONAL
SIMPLE CENTRADA EN EL CUERPO
ROMBOÉDRICO

HEXAGONAL

CÚBICO
SIMPLE CENTRADA EN EL CUERPO CENTRADO EN LAS CARAS

Los semiconductores como el silicio y el germanio tienen una estructura cristalina cúbica
centrada en las caras, pero con una disposición especial ya que se forma de dos
estructuras cúbicas centradas en las caras, estando una de éstas desplazada, con respecto
a la otra, a lo largo de la diagonal del cubo en una distancia igual a la cuarta parte de su
longitud, la cual se denomina estructura de diamante.

FIGURA 7. Estructura de diamante del silicio y germanio

 COMPORTAMIENTO ELÉCTRICO EN CRISTALES SEMICONDUCTORES

Banda prohibida: La conductividad intrínseca y la concentración de portadores intrínsecos

se ven contraladas en gran medida por ‫ܧ‬௚ /‫ܭ‬஻ ܶ, Cuando esta razón es grande la
concentración y la conductividad serán bajas. La anchura de banda prohibida ‫ܧ‬௚ = ħw௚ ,
energía debida ala absorción óptica. Por las vibraciones de red es posible crearse un fono
con frecuencia Ω, la energía del fonón será menor que ‫ܧ‬௚ .
Entonces ħw = ‫ܧ‬௚ + ħΩ.
Ecuaciones de movimiento: la ecuación de movimiento para un electrón en la banda de
energía para un paquete de ondas esta asociado con el vector de onda K, la frecuencia
asociada con una función de onda para la energía Є es ‫ = ݓ‬Є/ħ, entonces la velocidad de
ௗЄ
grupo viene dada por ‫ݒ‬௚ = ħିଵ ,(1) donde Є(K) se conoce como relación de dispersión.
ௗ۹

El trabajo realizado sobre el electrón en un campo eléctrico E en un intervalo de tiempo

ௗЄ
ߜЄ = −݁ࡱ‫ݒ‬௚ ߜ‫ݐ‬, ߜЄ = ߜࡷ = ħ‫ݒ‬௚ ߜࡷ(2). Comparando las ecuaciones 1 y 2, obtenemos
ௗ۹
ࢋࡱ
la relación para electrones libres: ߜࡷ = −( ħ )ߜ‫;ݐ‬
ௗࡷ
Donde el término ħ ௗ௧ es la fuerza ejercida sobre un electrón, entonces
ௗࡷ ି௘
ħ = ࢜ × ࡮, fuerza de Lorentz sobre el electrón.
ௗ௧ ௖

݀ࡷ −݁
= ଶ ࢺЄ × ࡮
݀‫ݐ‬ ħ ܿ
La anterior ecuación implica que ele electrón se mueve sobre una superficie de energía
constante. El movimiento en el espacio K ocurre sobre un plano normal a la dirección de
B y se define la órbita mediante la intersección de ese plano con la superficie de energía
constante.
HUECOS: Los huecos actúan en presencia de campos E y B como si tuvieran carga positiva,
esto viene dado por cinco razones:

1. ࡷ௛ୀ −ࡷ௘ , El vector de onda total de los electrones en una banda llena es cero.
Sabemos que una red fundamental tiene simetría bajo la operación r→-r(simetría
de inversión), si el orbital esta lleno los pares K, -K se anulan. Si un electrón se
pierde de un orbital el vector de onda total del orbital será –Ke, y se le atribuye al
hueco. El hueco es una descripción alternativa de una banda con un electrón
perdido podemos decir o que le hueco tiene un vector de onda –Ke o que la banda
con un electrón perdido tiene un vector de onda total de –Ke.

2. Є௛ (‫ = ) ࢎܭ‬−Є௘ (‫ ) ࢋܭ‬suponemos nula la energía de la banda de valencia en la parte

superior de la misma. Cuanto más bajo se encuentre el electrón perdido en la
banda mayor será la energía del sistema. La energía del hueco tiene signo opuesto
a la energía del electrón perdido, porque se necesita mas trabajo para eliminar un
electrón de un orbital bajo que de un orbital alto. Є௘ (‫ = ) ࢋܭ‬Є௘ (−‫= ) ࢋܭ‬
−Є௛ (‫ = ) ࢋܭ‬−Є௛ (‫) ࢎܭ‬.

3. ࢜௛ = ࢜௘ , la velocidad del hueco es igual a la del electrón perdido: ߘЄ௛ (ࡷ௛ ) =

ߘЄ௘ (ࡷ௘ ), por lo tanto ࢜௛ = ࢜௘ .

ௗమ Є
4. ݉௛ = −݉௘ , La masa efectiva es proporcional al la curva ௗࡷమ
y en el caso de la

banda de los huecos tiene signo diferente a la de un electrón en la banda de

valencia. La energía que corresponde a los electrones libres s viene dada por
ħమ
Є=( )ࡷଶ . Si la banda de energía prohibida es pequeña en comparación con la
ଶ௠

energía λ del electrón libre en el límite la curvatura se refuerza en un factor λ/Є௚ .

Consideramos ahora potenciales U positivos para un electrón en la banda de

 ħమ
conducción, para el electrón Є(ࡷ) = Є௖ + (ଶ௠ )ࡷ૛ , y para los huecos Є(ࡷ) =
೐
మ
Є௩ − (ଶ௠ )ࡷ૛ , un electrón dentro de un potencial periódico se ve acelerado
ħ
೓

respecto a la red dentro de un campo aplicado E o B como si la mas efectiva del

electrón fuese igual a una masa efectiva que ahora definiremos: Si derivamos
ௗ௩೒ ଵ ௗమ Є ௗࡷ ࡲ ௗ௩೒ ଵ ௗమ Є
= sabemos que = , la anterior ecuación queda =ቀ ቁ ࡲ,
ௗ௧ ħ ௗ௧ௗࡷ ௗ௧ ħ ௗ௧ ħమ ௗࡷమ

despejando F de la ecuación y comparándola con la segunda ley de Newton

ିଵ
ௗమ Є
tenemos que el factor ħଶ ቀ ቁ representaría la masa. Definimos masa efectiva
ௗࡷమ

ଵ ଵ ௗమ Є
como ݉∗ , = మ ቀ ቁ .
௠∗ ħ ௗࡷమ

ௗࡷࢎ ଵ
5. ħ = ݁ ቀࡱ + ࢜௛ × ࡮ቁ, esta ecuación se deriva de la ecuación de movimiento
ௗ௧ ௖
ௗࡷࢋ ଵ
ħ ௗ௧
= −݁ ቀࡱ + ௖ ࢜௘ × ࡮ቁ, que se aplica a un electrón cuando sustituimos ࡷࢎ

por −ࡷࢋ y ࢜௛ por ࢜௘ . La ecuación del movimiento de un hueco es la de una

partícula con carga positiva, la carga positiva esta de acuerdo o es consistente con
la corriente eléctrica transportada por la banda de valencia.

Conductividad por impurezas: las impurezas o imperfecciones influyen drásticamente en

las propiedades eléctricas de un semiconductor, la adición de boro al silicio un una
proporción de un átomo de boro por cada 10ହ átomos de silicio aumenta la conductividad
en un factor de 10ଷ , la adición de impurezas se conoce como dopado.
Los elementos como el silicio y el germanio cristalizan en la estructura del diamante, cada
átomo forma cuatro enlaces covalentes con sus vecinos, correspondiente a la valencia
cuatro. Si en la red se sustituye en lugar de un átomo normal un átomo de impureza de
valencia cinco como P, As, Sb existirá un electro de valencia que queda libre.
 ௘
Estados dadores: El electrón se mueve en el potencial de Coulomb ఌ௥
del ion de

impureza, donde ε es la constante dieléctrica del cristal covalente. Este tratamiento es

válido para orbitas que sean grandes en comparación con la distancia entre átomos y para
movimientos lentos estas condiciones se satisfacen muy bien en el Si y el Ge mediante el
electrón dador P, As, Sb.
La energía de ionización de la impureza dadora está determinada por
௘ర௠ ଵଷ.଺ ௠೐ ఌħమ ଴.ହଷఌ
Єௗ = ଶఌమħ೐మ = ቀ ቁ ሾܸ݁ ሿ, el radio de Bohr del dador es ܽௗ = ௠ = ೘೐ ൣ‫ܣ‬ሶ൧.
ఌమ ௠ ೐ ௘మ
೘

௠೐ ௠೐ ଵ ௠೓ ଵ
Donde el factor esta definido por = మഊ ; y para los huecos = మഊ ;
௠ ௠ ቂቀ ቁିଵቃ ௠ ቂቀ ቁାଵቃ
ೆ ೆ

Constante dieléctrica:
Si 11.7
Ge 15.8

Energía de ionización de dadores en ܸ݉݁.

P As Sb
SI 45 49 39
Ge 12 12.7 9.6
La conducción se da haciendo saltar el electrón de dador en dador.

Estados aceptores: un hueco puede estar ligado a una impureza trivalente en Si, Ge. Las
impurezas trivalentes como el B, Al, Ga, In, aceptan electrones provenientes de la banda
de valencia, cuando un aceptor se ioniza se libera un hueco; para la energía de ionización
se hace el mismo tratamiento anterior (modelo de Bohr para el átomo de hidrogeno).
Energía de ionización de aceptores en ܸ݉݁
B Al Ga In
Si 45 57 65 16
Ge 10.4 10.2 10.8 11.2