PROPIEDADES DE LOS SEMICONDUCTORES

TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR BJT

Es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy

cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de
controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se
debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de
entrada bastante baja.

Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose
como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de
portadores de carga.

Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.

Colector, de extensión mucho mayor.

JFET

Los transistores de efecto de campo (FET) son dispositivos de tres terminales: FUENTE
(Source), DRENAJE (Drain) y PUERTA (Gate) que trabajan controlando la corriente entre
drenaje y fuente a través del campo eléctrico establecido mediante la tensión aplicada al
terminal de puerta.
El terminal de puerta, que funciona como terminal de control, no maneja virtualmente
corriente, salvo alguna corriente de fuga.
Hay dos variedades fundamentales de FET:
• el transistor de efecto de campo de juntura (JFET)
• el transistor de efecto de campo de compuerta aislada (IGFET), o más comúnmente
transistor de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor (MOSFET). Ambos
están disponible en dos clases (canal N y canal P).

JFET

es básicamente una barra semiconductora (tipo N o P), con contactos óhmicos en sus
extremos identificados como drenaje (D) y fuente (S), que forma un canal en el medio de
la difusión (P o N) de puerta (G). La tensión aplicada a la puerta controla la conducción
entre el drenaje y la fuente al modular el ancho del canal.
MOS

Una estructura MOS básica está formada por cuatro capas: una de conductor (metal), una
de aislante (dióxido de silicio, SiO2), una de semiconductor (silicio tipo P o N) y una
segunda capa de conductor (metal). Ambas capas de metal funcionan como electrodos
donde se conecta la alimentación, en este caso una tensión referida a masa.

MOSFET

En forma análoga puede fabricarse un transistor MOS de canal P sobre un sustrato N (P-
MOS). Estos transistores que no tienen el canal preformado funcionan en modo de
enriquecimiento (normalmente cortados).

Es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor

más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales,
aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro tiempo.
Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en
transistores MOSFET.

El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S, Source), drenador

(D, Drain), puerta (G, Gate) y sustrato (B, Bulk). Sin embargo, el sustrato generalmente
está conectado internamente al terminal de fuente y por este motivo se pueden encontrar
dispositivos MOSFET de tres terminales.
 EL TIRISTOR (UNION PNPN)

Es una familia de componentes electrónicos constituido por

elementos semiconductores que utiliza realimentación interna para producir una
conmutación. Los materiales de los que se compone son de tipo semiconductor, es decir,
dependiendo de la temperatura a la que se encuentren pueden funcionar como aislantes o
como conductores. Son dispositivos unidireccionales (SCR) o bidireccionales (Triac) o
(DIAC). Se emplea generalmente para el control de potencia eléctrica.

Para los SCR el dispositivo consta de un ánodo y un cátodo, donde las uniones son de
tipo P-N-P-N entre los mismos. Por tanto se puede modelar como 2 transistores típicos P-
N-P y N-P-N, por eso se dice también que el tiristor funciona con tensión realimentada. Se
crean así 3 uniones (denominadas J1, J2, J3 respectivamente), el terminal de puerta está
a la unión J2 (unión NP).

Algunas fuentes definen como sinónimos al tiristor y al rectificador controlado de silicio

(SCR); Aunque en realidad la forma correcta es clasificar al SCR como un tipo de tiristor, a
la par que los dispositivos DIAC y TRIAC.