UNIVERSIDAD CATÓLICA SANTA MARÍA

FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERÍAS FÍSICAS Y FORMALES

PROGRAMA PROFESIONAL DE INGENIERIA MECÁNICA, MECÁNICA – ELECTRICA Y
MECATRÓNICA

Informe Nº 01

TEMA: DIODO SEMICONDUCTOR

ASIGNATURA: CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

DOCENTE: ING.

ALUMNO:
PAREJA VELARDE JOEL FRANSHUA

GRUPO: 03

DIA: VIERNES DE 8 A 10 AM

06-04-2017
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INFORME Nº 01: CARACTERÍSTICAS DEL DIODO

1. OBJETIVOS

 Analizar, comprender y entender como fluye la corriente a través de un circuito con

diodos y resistores.
 Comparar el voltaje, intensidad y resistencia de los diodos del silicio y germanio en los
circuitos a estudiar.
 Aprender a armar circuitos en el protoboard.

2. RESUMEN

Una vez en el laboratorio, con el multímetro se usó la función de prueba de diodos en

los diodos del silicio y germanio, cambiando los terminales para verificar si este es
polarizado y determinando demás propiedades.

Se armó el primer circuito con el diodo en polarización directa, con ayuda del
multímetro y la fuente se regulo el voltaje del circuito a 0.1 V. Se comenzó a medir el
voltaje en los diodos de silicio y germanio, aumentado en 0.1 V con la fuente llegando
hasta 0.9 V. Se midió los voltajes de silicio y germanio sucesivamente. Con el mismo
circuito se regulo el voltaje del circuito a 1 V aumentando de 1 V hasta 9 V, finalmente
se midió los voltajes de los diodos de silicio y germanio.

Se armó el segundo circuito, pero con el diodo en polarización inversa, con un resistor
de 1MΩ y el circuito regulado a 20 V. Se midió el voltaje (VR) del diodo de silicio y
germanio sucesivamente. Con las ecuaciones dadas se calculó la corriente de
saturación inversa.

En el último circuito se trabajó con dos diodos paralelos entre si conectados en serie a
dos resistores paralelos entre sí con un voltaje del circuito de 7 V. Se midió cada
intensidad y voltaje de los diodos y resistores.

Finalmente se calculó el voltaje VD con los datos dados y obtenidos anteriormente.

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3. EQUIPO Y MATERIALES:
Los materiales que procedimos a utilizar en nuestra primera práctica de circuitos
eléctricos son los siguientes:

Figura 01: Diodo: Silicio 1N4007 Figura 02: Resistores 1/4W: 1M Figura 03: Diodo: Silicio 1N4148

Figura 04: Diodo: Germanio 1N60 Figura 05: Resistor 1/4W: 1K Figura 06: Dispositivo de
Medida Múltiple (DMM)

Figura 07: Fuente de Figura08: Protoboard Figura 09: cables de conexión

corriente continúa
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4. PARTE PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL:

1. Seleccione tres diodos distintos. Las pruebas deben hacerse con los diodos sin energizar.

2. Active el botón con el símbolo de diodo/continuidad para diodo en su DMM.

3. Conecte los cables correspondientes en la salida del DMM.

4. Forward: Conecte el terminal positivo al ánodo y el negativo al cátodo. (0.7v)

5. Reverse: Conecte el terminal positivo al cátodo y el negativo al ánodo. (OL)

6. Si el diodo tiene un corto circuito, ambas lecturas (forward y reverse) serán 0V.

7. Si el diodo tiene un circuito abierto, ambas lecturas serán OL (open)

 Medición de los Diodos en:

 Escala de Diodos

TEST Si: 1N4007 Si: 1N4148 Ge: 1N60

DIRECTO 613 646 359
INVERSO OL OL OL

 Escala de Resistencia

TEST Si: 1N4007 Si: 1N4148 Ge: 1N60

DIRECTO 139.4 kΩ 122.5 kΩ 11.5 kΩ
INVERSO OL OL OL

Observaciones:

 Al medir el diodo haciendo contacto el lado común del tester con el lado p
y el puerto positivo con el lado n el multímetro no marca valor alguno,
pero al hacerlo al revés sí, lo que indica que el diodo tiene polaridad.
 Los diodos de Silicio ofrecen mayor resistencia que los diodos de
Germanio, amenos 10 veces mayor.

8. Armar el circuito de la Fig. 2. con un diodo LED, con una fuente de 5v y una resistencia de
1K. Observe y anote el voltaje y corriente en cada dispositivo.

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DIRECTA V (V) I(amp)
Led azul 2.70 2.28mA
Resistencia 1kΩ 2.28 2.28mA
Fuente 5

9. Invierte la posición del LED y repita lo solicitado en el punto anterior.

INVERSA V (V) I(amp)

Led azul 4.9 0.49 mA
Resistencia 1kΩ 0.01 0.49 mA
Fuente 5

10. Cambie el LED por otros de distinto color y repita el paso 1.

INVERSA V (V) I(amp)

Led azul 4.9 0 mA
Resistencia 1kΩ 0.0 0 mA
Fuente 5

DIRECTA V (V) I(amp)

Led azul 1.93 3.04mA
Resistencia 1kΩ 3.04 3.04mA
Fuente 5

11. Cambie la resistencia de 1K por el potenciómetro, varié su valor y observe lo sucedido.

Anote los valores solicitados en el punto 1 para cuatro valores distintos de resistencia
obtenidos con el potenciómetro.

Led 1.92 v 2.48 mA

Potenciómetro 3.02 v 2.48 mA

Led 1.84 v 2.43mA

Potenciómetro 3.14 v 2.43 mA

Led 1.94 v 2.53 mA

Potenciómetro 3.04 v 2.53 mA

Led 1.83 v 2.41 mA

Potenciómetro 3.18 v 2.41 mA

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5. CONCLUSIONES:

 Al medir con el multímetro los diodos en polarización inversa no se obtiene valor

alguno ya que trabajaría como circuito abierto, mientras que en polarización directa
como circuito cerrado.
 La proporcionalidad entre el voltaje y la intensidad en el diodo se asemeja a la parte
positiva de una función cuadrática o exponencial
 Al retroceder 0.2 – 0.3 V en caso del Diodo de Germanio y 0.5-0.6 V con el Silicio la
resistencia aumenta mucho y al parecer tiende al infinito por lo que no conducirá
corriente alguna como si el circuito estuviera abierto.
 Al superar la Tensión Umbral (diferentes en cada tipo de diodo) la intensidad o
corriente aumenta en mayores proporciones cada vez con una resistencia al paso de
corriente mínima, acercándose a ser un perfecto conductor.

6. CUESTIONARIO

1. Fundamentar como se forman los materiales tipo P y N.

 Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso
de dopado añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder
aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso negativos
o electrones).
 Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, añadiendo
un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de
portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).

2. Cuáles son las características que determinan la máxima condición de operación de un

diodo semiconductor.

 Es debido a que los diodos son componentes dopados, sus materiales de construcción
se conocen como materiales P y materiales N. Esto es porque tienen impurezas que
provocan que estén cargados negativa o positivamente.
 Cuando se polariza correctamente el diodo, las cargas positivas comienzan a entrar y a
hacer presión sobre el polo positivo o capa P. En el centro del diodo se combinan los
protones y los electrones, de esta manera se convierte en una región neutra, pero al
existir una sobredosis de cargas positivas, entonces las negativas se ven en la
obligación de pasar esta zona neutra y así comenzar a combinarse, con lo cual se
establece una corriente y de esta manera un equilibrio, donde el diodo esta
conduciendo.

3. Indicar en qué aplicaciones prácticas se usa estos diodos utilizados en la experiencia.

 Diodo de Silicio: Suelen tener un tamaño milimétrico y, alineados, constituyen

detectores multicanal que permiten obtener espectros en milisegundos. Son menos
sensibles que los fotomultiplicadores. Es un semiconductor de tipo P.

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Tu nombre

 Los diodos de germanio se fabrican de una manera similar a los diodos de silicio. Los
diodos de germanio también utilizan una unión pn y se implantan con las mismas
impurezas que los diodos de silicio. Sin embargo los diodos de germanio, tienen una
tensión de polarización directa de 0,3 voltios.

7. BIBLIOGRAFIA

 http://www.monografias.com/trabajos-pdf/diodos-aplicaciones/diodos-
aplicaciones.pdf
 https://es.wikipedia.org/wiki/Diodo
 http://www.ehowenespanol.com/caracteristicas-del-diodo-germanio-del-
diodo-silicio-lista_153695/