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NPN PNP
Construcción
• Dispositivo semiconductor de tres capas: dos de material tipo n y una tipo p,
llamado transistor npn; o dos de material tipo p y una de tipo n, llamado
transistor pnp.
• Las capas exteriores se denominan colector y emisor, la capa intermedia se
denomina base.
• La capa del emisor está muy dopada, la base ligeramente dopada y el
colector está un poco dopado.
• Los grosores de las capas son como se muestran en las figuras:
Construcción
• La relación entre el grosor total y la capa central es de 0.150/0.001 =
150:1
• El dopado de la capa emparedada es considerablemente menor que
el de las capas externas (10:1 o menor)
• Esto reduce la conductividad al limitar el número de portadores libres.
• El término bipolar refleja el hecho de que huecos y electrones
participan en el proceso de inyección hacia el material opuestamente
polarizado.
Operación del BJT.
• Se analizará el funcionamiento de un transistor pnp.
• La unión p-n de un transistor se polariza en inversa, mientras que la
otra se polariza en directa:
I E IC I B
• Además, la corriente del colector consta de 2 componentes:
Región activa.
• La unión base-emisor se polariza en directa y la unión colector-base se
polariza en inversa.
• A medida que la corriente del emisor se incrementa la corriente del
colector aumenta en una magnitud igual.
• La primera aproximación de la relación entre IE e IC en la región activa es:
IC I E
Base Común
Región de corte.
• Las uniones base-emisor y colector-base se polarizan en inversa.
• La corriente del colector, así como la del emisor, es 0A.
Región de saturación.
• Es la región de las características a la izquierda de cuando VCB = 0.
• Al incrementarse VCB hacia 0V hay un incremento exponencial en la
corriente del colector.
• Las uniones base-emisor y colector-base se polarizan en directa.
Base Común
• En los parámetros de entrada, para valores fijos de voltaje en
el colector VCB, a medida que se incrementa el VBE la corriente
del emisor incrementa de forma muy parecida a las
características del diodo.
• Como una aproximación, el cambio producido por VCB puede
ser ignorado.
• Por lo tanto podemos asumir que una vez que el transistor se
“enciende” supondremos el voltaje base-emisor como 0.7V.
Base Común
Ejemplo
• A partir de las gráficas de los parámetros de salida:
a) Determine la corriente del colector si IE = 3mA y VCB = 10V.
b) Determine la corriente del colector si IE permanece en 3mA y VCB
se reduce a 2V.
c) Con las caraterísticas de los parámetros de entrada y de salida
determine VBE si IC = 4mA y VCB = 20V.
d) Repita c) utilizando las características de los parámetros de
salida y el modelo simplificado.
Alfa (α)
• En modo de cd de operación los niveles de IC e IE originados por los
portadores mayoritarios están relacionados por una cantidad llamada
alfa:
IC
cd
IE
• De manera práctica alfa va de 0.9 a 0.998.
• Como la definición de alfa es válida para los portadores mayoritarios,
podemos escribir la ecuación de IC como:
I C I E I CBO
• El alfa de ca se define como factor de amplificación en cortocircuito
en base común, y se define como sigue:
IC
ca
I E V CB cons tan te
CONFIGURACIÓN EN
EMISOR COMÚN
Emisor Común
Emisor Común
• Los dos conjuntos de características (de entrada o de base-emisor y
de salida o de colector-emisor) para describir plenamente el
comportamiento de la configuración de emisor común se muestran a
continuación:
Emisor Común
Emisor Común
• Aun cuando la configuración cambia, las relaciones previamente obtenidas
se conservan, es decir:
I E I B IC I C I E I CBO
• Características de la configuración en emisor común:
I B I CBO
I C I E I CBO ( I C I B ) I CBO IC
1 1
Emisor Común
• Para futuras referencias, a la IC definida por la condición IB = 0, se le asignará
la notación indicada por la siguiente ecuación:
I CBO
IC I CEO
I B 0 A
1
Por lo tanto, IC = ICEO define la región de
corte para la configuración de emisor
común.
El voltaje VBE al estar polarizado en directa,
de la misma manera que para el transistor
en base común, se deduce que su valor es
aproximado VBE = 0.7V, para cualquier nivel
de corriente de base.
Ejemplo
• Empleando las características de la configuración de
emisor común
a) Determine IC en IB = 30μA y VCE = 10V.
b) Determine IC en VBE = 0.7V y VCE = 15V.
Beta (β)
IC
cd
IB
IC IC IC IC
IB IE
IB IE
• Escribiendo la ecuación que relaciona las tres corrientes:
I E I B IC
• Sustituyendo y dividiendo por IC:
IC IC 1 1
IC 1
• Multiplicando por αβ:
(1 )
(1 )
Relación entre Beta (β) y Alfa (α)
(1 )
(1 )
• Otra relación de interés se puede obtener recordando que:
I CBO
I CEO
1
• Y, utilizando la siguiente equivalencia:
1 ( 1) 1
1
(1 ) (1 )
1
Relación entre Beta (β) y Alfa (α)
• Finalmente sustituyendo:
I CEO ( 1) I CBO
• Como se observa, beta es un parámetro particularmente importante porque
crea un vínculo directo entre los parámetros del circuito para una
configuración de emisor común, es decir:
I C I B
• Y como ya se ha definido:
I E I C I B I E I B I B I E I B ( 1)
CONFIGURACIÓN EN
COLECTOR COMÚN
Colector Común
• Se utiliza principalmente para acoplamiento de impedancias, ya que
tiene una alta impedancia de entrada y una baja de salida, lo
contrario de las configuraciones anteriores.
Colector Común
PC max VCE I C
• En cualquier punto sobre la gráfica el producto de VCE por IC debe
ser 300mW.
• Si se selecciona que IC tenga un valor máximo de 50mA y se
sustituye en la relación anterior se obtiene que
300mW
VCE 6V
50mA
• Si ahora se selecciona que VCE tenga un valor máximo de 20V, el
valor de IC queda como
300mW
IC 15mA
20V
Límites de operación
• Si ahora se elige un nivel de IC medio, tal como 25mA, resolviendo
para VCE resulta
300mW
VCE 12V
25mA
• Si no se cuenta con las curvas características, sólo hay que
asegurarse que IC, VCE y su producto caigan dentro del siguiente
rango.
I CEO I C I C max
VCEsat VCE VCE max
VCE I C PC max
• Para las características de base común la curva de potencia máxima
se define por:
PC max VCB I C
Ejercicios configuración base común
1. Utilizando las características de los parámetros de entrada determine VBE
con IE = 5mA y VCB = 1, 10, 20V. ¿es razonable suponer que VCB tiene sólo
un efecto leve en la relación entre VBE e IE?
2. Con las características de los parámetros de salida determine la corriente
en el colector si IE = 4.5mA y VCB = 4V.
3. Repita el anterior pero con IE = 4.5mA y VCB = 16V.
4. ¿Cómo han afectado los cambios en VCB el nivel resultante de IC?
5. En base a los resultados anteriores, ¿cómo se relacionan IE e IC?
6. Utilizando las características de entrada y salida, determine IC si VCB = 10V
y VBE = 800mV.
7. Determine VBE si IC = 5mA y VCB = 10V.
8. Repita el inciso anterior utilizando las características de los modelos
aproximados para la unión base-emisor.
9. Compare las soluciones de los 2 incisos anteriores, ¿se puede ignorar la
diferencia si se presentan niveles de voltaje de más de algunos volts?
Ejercicios configuración emisor común
10. Dada αcd de 0.998, determine IC si IE = 4mA.
11. Determine αcd si IE = 28mA e IB = 20μA.
12. Encuentre IE si IB = 40μA y αcd = 0.98.
13. Defina ICBO e ICEO. ¿En qué son diferentes, cómo están relacionadas, son
de magnitud parecida?
Unión base-emisor:
VCC I B RB VBE 0
VCC VBE
I B
RB
Unión colector-emisor:
I C I B
VCC I C RC VCE 0
VCE VCC I C RC
Ejemplo
• Determine: IBQ e ICQ, VCEQ, VB, VC, VBC.
Configuración de polarización de emisor
• Esta polarización contiene un resistor emisor para mejorar la estabilidad del
nivel en relación con la de la configuración de polarización fija.
Unión base-emisor:
VCC I B RB VBE I E RE 0
I E ( 1) I B
VCC VBE
I B
RB ( 1) RE
Unión colector-emisor:
I C RC VCE I E RE VCC 0
I E I C
VCE VCC I C ( RC RE )
Ejemplo
• Determine IB, IC, VCE, VC, VE, VB, VBC.
Configuración de polarización por divisor
de voltaje
• Este circuito de polarización es independiente de la β del transistor, dado que
este valor puede ser alterado por la temperatura.
Unión base-emisor:
RTh R1 || R2
R2VCC
VTh
R1 R2
Configuración de polarización por divisor
de voltaje
VTh I B RTh VBE I E RE 0
I E ( 1) I B
VTh VBE
I B
RTh ( 1) RE
Unión colector-emisor:
I C RC VCE I E RE VCC 0
I E I C
VCE VCC I C ( RC RE )
Ejemplo
• Determinar VCE e IC para la siguiente red:
Configuración de polarización con
retroalimentación de voltaje
• La sensibilidad del circuito ante cambios de la β del transistor o a variaciones
de temperatura es menor que la de los circuitos de polarización anteriores.
Unión base-emisor:
VCC I 'C RC I B RB VBE I E RE 0
I 'C I C I E
I C I B
VCC VBE
I B
RB ( RC RE )
Unión colector-emisor:
I C RC VCE I E RE VCC 0
I E I C
VCE VCC I C ( RC RE )
Ejemplo
• Determinar VCE e IC para la siguiente red:
Configuración en emisor-seguidor
• En esta configuración la salida se toma de la terminal del emisor como se
muestra en la figura siguiente.
Unión base-emisor:
I B RB VBE I E RE VEE 0
I E ( 1) I B
VEE VBE
I B
RB ( 1) RE
Unión colector-emisor:
VCE I E RE VEE 0
VCE VEE I E RE
Configuración en emisor-seguidor
• Ejemplo: Determinar VCE e IE para la siguiente red:
Configuración en base común
• En esta configuración se utilizan dos fuentes y la base es la terminal común
entre la terminal del emisor de entrada y la terminal de colector de salida.
VEE VBE IC I E
I E
RE
VCB VCC I E RC
Configuración en base común
IC I E
VCE VEE VCC I E ( RC RE )
Configuración en base común
• Ejemplo: Determinar IB e IE y los voltajes VCE y VCB para la siguiente red:
Otras configuraciones
• Ejemplo: Determinar IB e IC y los voltajes VCE, VB, VC, VE y VBC para la siguiente
red.
Otras configuraciones
• Ejemplo: Determinar IB e IC y los voltajes VCE, VB, VC, VE y VBC para la siguiente
red.
Otras configuraciones
• Ejemplo: Determinar IB e IC y los voltajes VCE, VB, VC, VE y VBC para la siguiente
red.
Resumen
Emisor o colector común:
• Obtener una expresión para la corriente de base (corriente de
entrada).
• Obtener la corriente de colector o emisor (corriente de salida) a partir
de la corriente de base.
• Obtener voltaje de salida: colector-emisor.
Base común:
• Obtener una expresión para la corriente del emisor (corriente de
entrada).
• Obtener la corriente del colector (corriente de salida).
• Obtener voltaje de colector-emisor y el de base-colector.
Saturación en polarización fija
• Saturación se aplica a cualquier sistema donde los niveles alcanzan los
valores máximos.
• Para el transistor que opera en la región de saturación la corriente es el nivel
máximo para el diseño particular (Si se cambia el diseño, el nivel de
saturación puede cambiar también).
VCE 0
RCE 0
IC I Csat
VCC
I C I Csat
RC
Análisis por recta de carga
VCE VCC I C RC
VCE I C 0
VCC
VCC
IC V 0
I Csat
CE
RC
Análisis por recta de carga
• Con la recta de carga y el punto Q definido en la gráfica,
determine los valores de VCC, RB y RC para la
configuración dada.
Análisis por recta de carga
a) Trace la recta de carga para la red de la figura de la izquierda en las características del transistor
que aparece en la gráfica de la derecha.
b) Para un punto Q en la intersección de la recta de carga con una corriente de base de 20μA,
determine los valores de IC y VCE.
c) Determine la beta de cd en este punto.
d) Con este valor de beta, determine el valor de RB.
Resumen
Emisor o colector común:
• Obtener una expresión para la corriente de base (corriente de
entrada).
• Obtener la corriente de colector o emisor (corriente de salida) a partir
de la corriente de base.
• Obtener voltaje de salida: colector-emisor.
Base común:
• Obtener una expresión para la corriente del emisor (corriente de
entrada).
• Obtener la corriente del colector (corriente de salida).
• Obtener voltaje de colector-emisor y el de base-colector.
Resumen
Emisor o colector común:
• Obtener una expresión para la corriente de base (corriente de
entrada).
• Obtener la corriente de colector o emisor (corriente de salida) a partir
de la corriente de base.
• Obtener voltaje de salida: colector-emisor.
Base común:
• Obtener una expresión para la corriente del emisor (corriente de
entrada).
• Obtener la corriente del colector (corriente de salida).
• Obtener voltaje de colector-emisor y el de base-colector.
ANÁLISIS EN EL
DOMINIO DE CA
Introducción
• El transistor es un dispositivo amplificador (la señal de salida es
mayor que la de entrada).
• El factor que permite que la potencia de salida de ca sea mayor que
la potencia de entrada de ca es la potencia de cd aplicada, la cual
contribuye a la potencia de salida total aún cuando una parte de esta
se disipe en el dispositivo y en las resistencias.
• La eficiencia de conversión se define como:
Po ( ca )
Pi ( cd )
• Donde
• Po(ca) es la potencia de ca suministrada a la carga
• Pi(cd) es la potencia de cd suministrada.
Introducción
• El teorema de superposición es aplicable al análisis y diseño de los
componentes de cd y ca de una red BJT, lo que permite separar el
análisis de las respuestas de cd y ca.
• Se puede realizar un análisis completo de cd y a partir de éste
realizar el análisis completo de ca.
• El análisis de cd determinará uno de los componentes del análisis de
ca.
Modelo del BJT
• Modelo: combinación de elementos de un circuito, apropiadamente
seleccionados, que simulan de forma aproximada el comportamiento
real de un dispositivo semiconductor en condiciones específicas de
operación.
• Una vez determinado el circuito equivalente de ca, el símbolo
esquemático del dispositivo puede ser reemplazado por este circuito
equivalente y los métodos básicos de análisis de circuitos aplicados
para determinar las cantidades deseadas de la red.
• Como sólo interesa la respuesta de ca, las fuentes de cd pueden ser
reemplazadas por un equivalente de 0V (los niveles de cd fueron
importantes para determinar el punto Q de operación correcta).
• Los capacitores de acoplamiento se eligieron con una baja reactancia
por lo que pueden ser reemplazados por una ruta de baja resistencia
o un cortocircuito.
Modelo del BJT
V0
rD VT / I D 26mV / I D re 26mV / I E
Vi Vbe
Zi
Ib Ib
Vbe ( 1) I b re
Zi ( 1)re re
Ib Ib
rD VT / I D 26mV / I D re 26mV / I E
Modelo re de la configuración de
Representación de la impedancia transistor en emisor común
de salida del transistor BJT. incluido el efecto de ro.
Modelo re del BJT
Configuración de emisor común
Z i RB || re
Vi
Z i re R Ib AV
Vo ( R || r )
C o
B 10 re re Vi re
Zo se define para Vi=0 Vo ( I b )( RC || ro ) RC
AV
Z o RC || ro re
Vi ro 10 R C
Z o RC r Vo ( RC || ro )
o 10 RC
re
Polarización fija en ca
• Relación de fase. El signo negativo de Av en la ecuación resultante
revela un desfasamiento de 180° entre las señales de entrada y
salida.
• Es el resultado de que βIb establezca una corriente a través de RC la
cual producirá un voltaje a través de RC, lo opuesto al definido por Vo.
Polarización fija en ca
• Para la siguiente red, determinar: re , Z i , Z o (ro ), AV (ro )
• Calcule Zo y Av para ro = 50kohms.
POLARIZACIÓN POR
DIVISOR DE VOLTAJE
PARA CA
Polarización por divisor de voltaje para ca
Vi
Z i R'|| re Ib Vo ( R || r )
re AV C o
Z i re R '10 r Vi re
e
Vo ( I b )( RC || ro )
RC
AV
Z o RC || ro Vi re
Vo ( RC || ro ) ro 10 R C
Z o RC r
o 10 RC re
Polarización por divisor de voltaje para ca
• Para la siguiente red, determinar: re , Z i , Z o (ro ), AV (ro )
• Calcule Zi, Zo y Av para ro = 50kohms.
POLARIZACIÓN EN
EMISOR COMÚN PARA
CA
Polarización en emisor común para ca
Vi re I b ( 1) I b RE Z i RB || Z b Vo I o RC I b RC
V
Z b i re ( 1) RE Z o RC V
Ib Vo i RC
Zb
Z b (re RE ) RE R re
E
Polarización en emisor común para ca
Vo R RC
AV C
Vi Zb re RE
RC • Desfasamiento de 180° entre las señales de
AV
RE entrada y salida.
Polarización en emisor común para ca
• Para la siguiente red, sin CE, determinar: re , Z i , Z o , AV
• Repita el análisis con CE conectado.
POLARIZACIÓN EN
EMISOR SEGUIDOR
PARA CA
Polarización en emisor seguidor para ca
• AV 1
• El voltaje del emisor está en fase con el
voltaje de entrada Vi (de ahí el nombre de
seguidor).
• Como el colector se conecta a tierra para
el análisis de ca, en realidad es una
configuración de colector común.
• Se utiliza para propósitos de igualación
de frecuencia.
• Alta impedancia de entrada y baja
impedancia de salida.
• Efecto resultante similar al obtenido con
un transformador (la carga se iguala a la
impedancia de la fuente para una máxima
transferencia de potencia a través del
sistema).
Polarización en emisor seguidor para ca
Vi
Zb re ( 1) RE Z i RB || Z b
Ib
Polarización en emisor seguidor para ca
Vi
I e ( 1) I b ( 1)
Zb
( 1)Vi
Ie
re ( 1) RE
Vi
Ie
re RE
REVi
Vo
re RE
Z o RE || re re
Vo RE
AV 1
Vi re RE
Polarización en emisor seguidor para ca
• Para la siguiente red determinar: re , Z i , Z o , AV
POLARIZACIÓN EN
BASE COMÚN PARA CA
Polarización en base común para ca
• Ai 1
• Impedancia de entrada baja e impedancia de salida y ganancia de
corriente menor a 1.
• La ganancia de voltaje resultante puede ser bastante grande.
• Se omite el efecto de ro.
Polarización en base común para ca
Z i RE || re Vo I o RC I e RC Ie Ii
Vi I o I e I i
Z o RC Vo RC
re Io
Vi Ai 1
Ie Vo RC RC Ii
re AV
Vi re re
Polarización en base común para ca
• Para la siguiente red determinar: re , Z i , Z o , Av , Ai
OTRAS
CONFIGURACIONES
Otras configuraciones
Otras configuraciones
GANANCIA DE
CORRIENTE
Ganancia de corriente
Vi
Ii Vo
Zi Io RL Vo Z i Zi
Ai Ai Av L
Vo Ii V Vi RL RL
Io i
Zi
RL
• Para cada configuración de transistor, la ganancia de corriente se
puede determinar directamente a partir de la ganancia de voltaje, la
carga definida y la impedancia de entrada.
AMPLIFICADORES BJT SIN CARGA
AMPLIFICADORES BJT SIN CARGA
EFECTO DE RL Y RS
Efecto de RL y RS
Ganancia sin carga Ganancia con carga Ganancia del sistema
Efecto de RL y RS
R'L ro || RC || RL RC || RL Vo ( R || RL )
AVL C
Vo I b R'L I b ( RC || RL ) Vi re
Vi Z i RB || re
Ib
re Z o RC || ro
Vi
Vo ( RC || RL )
re
Efecto de RL y RS
Z iVs Vo Vo Vi
Vi Av s
Z i Rs Vs Vi Vs
Vi Zi Zi
Av s Av L
Vs Z i Rs Z i Rs
Vo ( RC || RL )
AVL
Vi re
Efecto de RL y RS
• Si al circuito se le conecta una carga de 4.7kohms y se considera una
resistencia de la fuente de 0.3kohms determine Z i , Z o , AV L , AVs
Efecto de RL y RS
• Polarización por medio
del divisor de voltaje con
Rs y R L
Vo ( RC || RL )
AVL
Vi re
Z i R1 || R2 || re
Z o RC || ro
Efecto de RL y RS
• Configuración en emisor
seguidor con Rs y RL
Vo RE || RL
AVL
Vi RE || RL re
Z i RB || Z b
Z b ( RE || RL )
Z o re
Efecto de RL y RS
• La ganancia de voltaje con carga de un amplificador siempre es
menor que la ganancia sin carga.
• La ganancia obtenida con una resistencia de la fuente siempre será
menor que la obtenida con carga o sin carga.
• Para la misma configuración AvNL>AvL> Avs.
• Para un diseño particular, cuanto mayor sea el nivel de RL, mayor
será el nivel de la ganancia de ca.
• Para un amplificador particular, cuanto menor sea la resistencia
interna de la fuente de señal, mayor será la ganancia total.
AMPLIFICADORES BJT CON EL EFECTO DE RS Y RL
AMPLIFICADORES BJT CON EL EFECTO DE RS Y RL
AMPLIFICADORES BJT CON EL EFECTO DE RS Y RL
EFECTO DE LOS
CAPACITORES
Capacitor de acoplo
1
• A mayor frecuencia, menor reactancia. XC
2fC
• A frecuencias muy altas, la reactancia es aproximadamente 0 -> corto
circuito.
• A frecuencias muy bajas la reactancia tiene valores muy grandes ->
circuito abierto.
• Un capacitor de acoplamiento busca no alterar la señal de alterna y
no dejar pasar las componentes de corriente directa.
• La capacitancia de acoplamiento para un circuito de ca depende de
la resistencia de carga.
X C 0.1RL
Capacitor de acoplo
Ejemplo.
• Calcular el valor del capacitor de acoplamiento para un amplificador
de audio (frecuencias de 20Hz a 20KHz) con una resistencia de
carga de 2kohms.
X C 0.1(2000) 200
1
XC
2fC
1 1
C 39.78F
2fX C 2 (20 Hz )(200)
Capacitor de desacoplo
• Elimina los efectos de una señal de alterna porque la aterriza a tierra.
• Para calcular su valor se ocupa la misma relación:
X C 0.1RL
SISTEMAS EN
CASCADA
Amplificadores BJT acoplados por RC
Z i1 R1 || R2 || re
Z i 2 R1 || R2 || re RL1
Z o 2 RC
( R || RL ) RC Vo RL
AV1 C AV2 NL AvT AvT NL
re re Vi Z o RL
( RC || Z i 2 ) AVT NL Av1 Av 2 NL
AV1 Vo Vi AvT
re
Amplificadores BJT acoplados por RC
• Calcule la ganancia de voltaje sin carga y el voltaje de salida del
circuito de la figura.
• Calcule la ganancia total y el voltaje de salida si se aplica una carga
de 4.7kΩ a la segunda etapa, compare con los resultados anteriores.
• Calcule la impedancia de entrada de la primera etapa y la impedancia
de salida de la segunda etapa.
Configuración Cascode
• Impedancia de entrada relativamente alta y baja ganancia de voltaje para la
primera etapa.
• La etapa de emisor común proporciona una impedancia mayor que la de
base común.
• Con una ganancia de voltaje de 1 la capacitancia de entrada se mantiene
bastante baja lo que asegura una buena respuesta en alta frecuencia.
• La etapa de base común proporciona una gran ganancia de voltaje para dar
un buen nivel de impedancia de entrada.
Configuración Cascode
• La carga en el transistor Q1 es la
impedancia de entrada al transistor Q2
en configuración de base común.
RC r
AV1 e 1
re re
RC
AV2
re
AVT Av1 Av2
Configuración Cascode
• Calcule la ganancia de voltaje sin carga.
Configuración Darlington
• El transistor compuesto actúa como una sola unidad con una
ganancia de corriente que es el producto de las ganancias de
corriente de los transistores individuales.
D 2 1
I E D I B
VCC VBE
I B
RB D RE
Unión colector-emisor:
VE I E RE
VB VE VBE
I E I C
Configuración Darlington
• Calcule los voltajes y corrientes de polarización en cd.