República Bolivariana de Venezuela

Ministerio del Poder Popular Para La Educación

La Universidad del Zulia
Facultad de Ingeniería Eléctrica
Catedra: Materiales para la Ingeniería Eléctrica
Prof.: Miguel Valbuena

Materiales Para
La Ingeniería
Eléctrica

Bachilleres:
Aymara Santana
CI: 26.906.779
Carlos García
CI: 24.605.425

1. METALES
a) DEFINICION DE LOS METALES

Los metales son los elementos químicos capaces de conducir

la electricidad y el calor, que exhiben un brillo característico y que,
con la excepción del mercurio, resultan sólidos a temperatura
normal. El concepto se utiliza para nombrar a elementos puros o
a aleaciones con características metálicas. Entre las diferencias con
los no metales, puede mencionarse que los metales disponen de
baja energía de ionización y baja electronegatividad. Los metales
son tenaces (pueden recibir fuerzas bruscas sin
romperse), dúctiles (es posible moldearlos en hilos o
alambres), maleables (se convierten en láminas al ser comprimidos)
y cuentan con una buena resistencia mecánica (resisten esfuerzos
de tracción, flexión, torsión y comprensión sin deformarse).

b) ESTRUCTURA ATOMICA DE LOS METALES

Se le llama estructura de los metales a la disposición ordenada y
geométrica, en el espacio, de los constituyentes de la materia en estado
sólido (átomos, moléculas y grupos de moléculas). La estructura está
ligada íntimamente con el comportamiento de un metal, por lo que es
conveniente efectuar un estudio elemental de la misma.
Se pueden clasificar en dos tipos:

 Cristalinos
Sus átomos, moléculas o iones siguen una ordenación repetida
(regular cuya posición es especifica).
Las partículas se sitúan ocupando los nudos o puntos angulares de
una red espacial geométrica tridimensional

Figura 1. Estructura sólida cristalina

 Estos son metales cuyos átomos están unidos por enlaces iónicos;
debe tener un ordenamiento cristalino de largo. Este se puede
representar en una red cristalina la cual también se le puede llamar
celosía o retícula espacial.

 Amorfos
Sus átomos, moléculas o iones no tienen un orden de largo alcance,
pero pueden presentar ordenación de corto alcance.
Entre ellos están los polímeros, cerámicos vítreos cuyo enlace es
covalente.

Figura 2. Estructura sólida amorfa

c) LOCALIZACIÓN EN LA TABLA PERIÓDICA DE LOS METALES:

Corresponde a los elementos situados a la izquierda y centro de

la Tabla Periódica (Grupos 1 (excepto hidrógeno) al 12, y en los
siguientes se sigue una línea quebrada que, aproximadamente, pasa
por encima de Aluminio (Grupo 13), Germanio (Grupo 14), Antimonio
(Grupo 15) y Polonio (Grupo 16) de forma que al descender aumenta
en estos grupos el carácter metálico).
d) ENLASES ATOMICOS EN LOS METALES:

Es el enlace que se da entre elementos de electronegatividades

bajas y muy parecidas, en estos casos ninguno de los átomos tiene
más posibilidades que el otro de perder o ganar los electrones. La
forma de cumplir la regla de octeto es mediante la compartición de
electrones entre muchos átomos. Se crea una nube de electrones
que es compartida por todos los núcleos de los átomos que ceden
electrones al conjunto.
Este tipo de enlace se produce entre elementos poco
electronegativos (metales).
Los electrones que se comparten se encuentran des localizados
entre los átomos que los comparten.
La unión se mantiene por La fuerza de atracción entre las cargas
positivas de los núcleos y las cargas negativas de la nube de
electrones.

Propiedades

 Temperaturas de fusión y ebullición muy elevadas. Son

sólidos a temperatura ambiente (excepto el mercurio que es
líquido).

 Buenos conductores de la electricidad (nube de electrones

des localizada) y del calor (facilidad de movimiento de
electrones y de vibración de los restos atómicos positivos).

 Son dúctiles (facilidad de formar hilos) y maleables (facilidad

de formar láminas) al aplicar presión. Esto no ocurre en los
sólidos iónicos ni en los sólidos covalentes dado que al aplicar
presión en estos casos, la estructura cristalina se rompe.

 Son en general duros (resistentes al rayado).

 La mayoría se oxida con facilidad.

2. CONDUCTIVIDAD ELECTRICA EN LOS METALES

a) APLICACIÓN A LA TEORÍA DE BANDAS DE VALENCIA EN LA
CONDUCCIÓN ELÉCTRICA EN METALES.

La teoría de bandas procede de la aplicación de la teoría de orbitales

moleculares al enlace metálico. En lugar de considerar los orbitales
atómicos (OA) de los átomos considero los orbitales moleculares
(OM) extendidos por toda la red, no se consideran los orbitales
individualmente sino todos juntos. El conjunto de orbitales
moleculares forma una banda de energía.
La banda ocupada por electrones de mayor energía es la banda de
valencia, está llena y por debajo hay bandas totalmente ocupadas.
La última banda totalmente ocupada. La banda vacía de menor
energía es la banda de conducción, por encima solo hay bandas
totalmente vacías. La primera banda vacía (o parcialmente llena). La
conductividad se produce cuando los electrones de la banda de
valencia saltan hasta la banda de conducción donde se mueven
libremente.

•Conductores. La banda está semillena o las bandas de valencia y

conducción se solapan.
 b) FACTORES DE LOS CUALES DEPENDE LA CONDUCTIVIDAD
EN LOS METALES

La conductividad eléctrica es la medida de cuán bien los materiales

conducen la electricidad. Todos los materiales físicos tienen la
capacidad para conducir la electricidad, y los que tienen medidas de
conductividad superiores se llaman conductores eléctricos. Sobre todo
los mejores conductores eléctricos son los metales, en los que las
estructuras atómicas estrechamente vinculadas permiten el libre
movimiento de electrones (o cargas de electricidad). Este factor
particular de la conductividad eléctrica no es constante en la naturaleza,
y varía dentro de los diferentes conductores debido a factores
intrínsecos y extrínsecos. Sin embargo, hay algunos factores
generalizados, así, que comúnmente afectan a la conductividad de los
conductores de una manera significativa.

 Temperatura
La variación en la temperatura de un material conductor eléctrico puede
cambiar su conductividad. Esta variación se produce debido a la
excitación térmica de los átomos dentro de materiales conductores, que
es directamente proporcional a la temperatura en aumento. Esto
significa que el aumento de la temperatura de un conductor eléctrico
puede interferir con la conductividad. Este efecto se observa por lo
general en diferentes dispositivos eléctricos y líneas de transmisión, y
por esta razón, los dispositivos electrónicos sensibles suelen ir
acompañados de mecanismos que mantienen la temperatura del
conductor a un nivel constante de enfriamiento.
 Las impurezas
Las impurezas se refieren a la presencia de partículas de no conductor
elementos dentro de conductores eléctricos, lo que resulta en la
disminución de la conductividad de estos materiales aislantes. Estas
sustancias son aislantes, ya sea presentes debido a la contaminación
natural, o debido a defectos de fabricación. Estas impurezas impiden el
flujo de corriente dentro de los conductores, lo que disminuye
significativamente los niveles de conductividad.
  Los campos electromagnéticos
Los campos electromagnéticos están presentes por todas partes en el
medio ambiente circundante, y tienen sus impactos sobre las
propiedades de conducción eléctrica de los conductores. Su presencia
con intensidades fuertes y polaridades opuestas (alineaciones) a
menudo provoca un cambio en el ritmo normal del flujo de corriente en
conductores eléctricos. Este efecto también se conoce como la
magneto resistencia, ya que contribuye en mayor o menor resistencia
dentro de conductores eléctricos a través de campos magnéticos
intensos en el ambiente circundante. Aunque conductores eléctricos
también crean campos electromagnéticos al conducir la corriente, estos
campos tienen sus componentes eléctricos y magnéticos alineados
perpendiculares entre sí, por lo que son menos de un problema de flujo
de corriente. Por otro lado, los campos electromagnéticos externos son
independientes, y tienen el potencial para interrumpir el flujo de
corriente a través de estos conductores.
 Frecuencia
La frecuencia de una corriente eléctrica es el número de ciclos
oscilatorios se completa en un segundo, y se mide en hertz (Hz). Este
factor, cuando el aumento por encima de un cierto límite superior, hace
que la corriente eléctrica fluya alrededor de un conductor en lugar de
correr a través del conductor. Esto se llama el efecto de la piel, y por lo
general ocurre cuando la frecuencia de los aumentos de la corriente
eléctrica por encima de 3 GHz (o 3000000000 ciclos por segundo),
causando la reducción en las propiedades de conducción eléctrica del
material. Este efecto sólo es observable en las operaciones llevadas a
cabo con AC (corriente alterna), desde DC (corriente continua) tiene
una frecuencia absoluta de 0 Hz y no oscila cuando fluir.

c) CÁLCULOS Y RELACIÓN ENTRE CONDUCTIVIDAD Y

RESISTIVIDAD ELÉCTRICA

La resistividad es la resistencia eléctrica específica de un

determinado material. Se designa por la letra griega rho minúscula
(ρ) y se mide en ohm•metro (Ω•m)
S
ρ=R
l
En donde R es la resistencia en ohm, S la sección transversal en m²
y l la longitud en m. Su valor describe el comportamiento de un
material frente al paso de corriente eléctrica: un valor alto de
 resistividad indica que el material es mal conductor mientras que un
valor bajo indica que es un buen conductor.

La conductividad eléctrica es la medida de la capacidad de

un material o sustancia para dejar pasar la corriente eléctrica a
través de él.1 La conductividad depende de la estructura atómica y
molecular del material. Los metales son buenos conductores porque
tienen una estructura con muchos electrones con vínculos débiles, y
esto permite su movimiento. La conductividad también depende de
otros factores físicos del propio material, y de la temperatura.

La conductividad eléctrica es la inversa de la resistividad; por tanto

1
ρ=
α
Y su unidad es el S/m (siemens por metro) o Ω−1·m−1. Usualmente,
la magnitud de la conductividad (σ) es la proporcionalidad entre E y
la densidad de corriente de conducción J. E= ρ J

d) EFECTOS DE LA TEMPERATURA EN LA CONDUCTIVIDAD

ELÉCTRICA DE LOS METALES

La conductividad eléctrica que tienen los metales depende de la

resistencia con la que se oponen los mismos átomos cuando
pasan los electrones: a mayor resistencia, menos será la
conductividad con la que cuente el metal. La energía que se
consume para conseguir sobrepasar esta resistencia se desvanece
en forma de calor, siguiendo el famoso efecto de Joule, que nos
dice que el paso de una corriente eléctrica por un conductor
produce un incremento de la temperatura de este, con lo cual la
resistencia crece, pues entonces es mayor la vibración que
experimentan los átomos y, por lo tanto, mayor es también la
dificultad con la que se encuentran los electrones en su tránsito.
Por otro lado, cuando baja la temperatura, la resistencia del paso
de las corrientes eléctrica se ve igualmente disminuida. De hecho,
cuando se habla de temperaturas extremadamente bajas, las
cuales rondan el cero absoluto (en torno a 4 K), algunos tipos de
metales, como puede ser por ejemplo el titanio, mercurio, plomo o
el cinc entre otros, prácticamente pierden en su totalidad, la
resistencia a que pase la corriente eléctrica, llegando entonces a
convertirse en lo que se conoce como unos superconductores.

3. SEMICONDUCTORES
a) DEFINICIÓN DE SEMICONDUCTOR:

Los semiconductores son los cuerpos que permiten el paso de la

corriente con mucha dificultad. Estos materiales tienen una estructura
cristalina cúbica y los más utilizados son el germanio y el silicio (los
átomos de estos elementos forman un enlace covalente, con lo cual no
se dispone de ningún electrón libre, que es el que puede llevar la
corriente eléctrica).

Como su mismo nombre indica, un semiconductor es un material que se

encuentra entre dos extremos de conductividad eléctrica: la situación de
aislante y la de conducción. Hay diversos factores que hacen que un
semiconductor se comporte como aislante o conductor, como por
ejemplo el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le
incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. En otras
palabras, los semiconductores tienen una capacidad de conducción
eléctrica que es inferior a la que posee un conductor metálico pero
también es superior a la que tiene un elemento aislante.

b) TIPOS DE SEMICONDUCTORES:

 Semiconductor intrínseco: Es un semiconductor puro.

A temperatura ambiente se comporta como un aislante porque solo
tiene unos pocos electrones libres y huecos debidos a la energía
térmica.
En un semiconductor intrínseco también hay flujos de electrones y
huecos, aunque la corriente total resultante sea cero. Esto se debe a
que por acción de la energía térmica se producen los electrones libres
y los huecos por pares, por lo tanto hay tantos electrones libres como
huecos con lo que la corriente total es cero.
La tensión aplicada en la figura forzará a los electrones libres a circular
hacia la derecha (del terminal negativo de la pila al positivo) y a los
huecos hacia la izquierda.

 Semiconductor extrínseco: Son los semiconductores que están

dopados, esto es que tienen impurezas. Hay 2 tipos dependiendo
de qué tipo de impurezas tengan:
  semiconductor tipo N: Se llama material tipo N al que
posee átomos de impurezas que permiten la aparición de
electrones sin huecos asociados a los mismos
semiconductores. Los átomos de este tipo se llaman
donantes ya que “donan” o entregan electrones. Suelen ser
de valencia cinco, como el arsénico y el fosforo. De esta
forma, no se ha desbalanceado la neutralidad eléctrica, ya
que el átomo introducido al semiconductor es neutro, pero
posee un electrón no ligado, a diferencia de los átomos
que conforman la estructura original, por lo que la energía
necesaria para separarlo del átomo será menor que la que
necesitaba para romper una ligadura en el cristal de silicio
(o del semiconductor original).

 Semiconductor tipo P: Se llama así al material que tiene

átomos de impurezas que permiten la formación de huecos
sin que aparezcan electrones asociados a los mismos,
como ocurre al romperse una ligadura. Los átomos de este
tipo se llaman aceptadores, ya que “aceptan” o toman un
electrón. Suelen ser de valencia tres, como el aluminio,
indio o el galio. Nuevamente, el átomo introducido es
neutro, por lo que no modificara la neutralidad eléctrica del
cristal, pero debido a que solo tiene tres electrones en su
última capa de valencia, aparecerá una ligadura rota, que
tendera a tomar electrones, por lo que los primeros serán
los portadores mayoritarios y los segundos los minoritarios.
Al igual que en el material tipo N, la cantidad de portadores
mayoritarios será función directa de la cantidad de átomos
de impurezas introducidos.

c) ESTRUCTURA ATÓMICA DE LOS SEMICONDUCTORES:

Estructura atómica del silicio: mostramos la estructura atómica del

silicio en su estado puro ya que es el elemento principal en los
semiconductores y es a su vez la base para la creación de dicho
material (semiconductor).
Aquí podemos observar la estructura del silicio tiene forma cubica en
su distribución de átomos
Ahora si podemos ver la estructura atómica de los semiconductores
como se enlazan los átomos de distintos materiales que forman al
material, en la siguiente imagen podemos apreciar la estructura
atómica que forma la unión del silicio y aluminio.

Es un semiconductor extrínseco dopado con aluminio, tipo P

mayoritariamente con carga positiva o huecos.
En la siguiente imagen podemos observar a la estructura atómica de
un semiconductor de silicio y antimonio de tipo N.

Es un semiconductor extrínseco dopado con antimonio, tipo N

mayoritariamente con carga negativa por aumento de electrones en
otras palabras ausencia de huecos en su estructura.
d) UBICACIÓN EN LA TABLA PERIÓDICA DE LOS
SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS:

Los semiconductores intrínsecos están ubicados el grupo 14 en como

lo son el silicio y germanio elementos puros generalmente son usados
como base para la creación de semiconductores extrínsecos.

Los elementos sombreados en rojo que muestra la tabla periódica son

los semiconductores.

e) ENLACES ATÓMICOS EN LOS SEMICONDUCTORES:

Semiconductor tipo n5 con un solo enlace de tres electrones

Si dopamos al cristal de silicio con un átomo del grupo del nitrógeno

que lo vamos a identificar como un dopaje tipo N5 donde es N, porque
es un dopaje que permite la aparición de electrones adicionales
asociados al dopaje y 5, porque el átomo dopante donante es del
grupo del nitrógeno donde tienen todos a 5 electrones de valencia.

Semiconductor tipo n6 con solo dos enlaces de tres electrones.

Si dopamos al cristal de silicio con un átomo del grupo del Oxígeno que
lo vamos a identificar como un dopaje tipo N6 donde es N, porque es
un dopaje que permite la aparición de electrones adicionales asociados
al dopaje y 6, porque el átomo dopante donante es del grupo del
oxígeno donde tienen todos a 6 electrones de valencia.

Semiconductor tipo n7 con tres enlaces de tres electrones.

Si dopamos al cristal de silicio con un átomo del grupo del Flúor que lo
vamos a identificar como un dopaje tipo N7 donde es N, porque es un
dopaje que permite la aparición de electrones adicionales asociados al
dopaje y 7, porque el átomo dopante donante es del grupo del flúor
donde tienen todos a 7 electrones de valencia.
Semiconductor tipo p3 con un solo enlace de un electrón
 Si dopamos al cristal de silicio con un átomo del grupo del Boro que lo
vamos a identificar como un dopaje tipo P3 donde es P, porque es un
dopaje que permite la aparición de hueco-partículas adicionales
asociadas al dopaje y 3, porque el átomo dopante donante de huecos
es del grupo del Boro donde solo tienen todos a 3 electrones de
valencia.

f) CONDUCTIVIDAD ELÉCTRICA EN LOS SEMICONDUCTORES:

La conductividad eléctrica, que es la capacidad de conducir la corriente

eléctrica cuando se aplica una diferencia de potencial, es una de las
propiedades físicas más importantes. Ciertos metales, como el cobre,
la plata y el aluminio son excelentes conductores. Por otro lado, ciertos
aislantes como el diamante o el vidrio son muy malos conductores. A
temperaturas muy bajas, los semiconductores puros se comportan
como aislantes. Sometidos a altas temperaturas, mezclados con
impurezas o en presencia de luz, la conductividad de los
semiconductores puede aumentar de forma espectacular y llegar a
alcanzar niveles cercanos a los de los metales. Las propiedades de los
semiconductores se estudian en la física del estado sólido.

Electrones de conducción y huecos

Entre los semiconductores comunes se encuentran elementos

químicos y compuestos, como el silicio, el germanio, el selenio, el
arseniuro de galio, el seleniuro de zinc y el telurio de plomo. El
incremento de la conductividad provocado por los cambios de
temperatura, la luz o las impurezas se debe al aumento del número de
electrones conductores que transportan la corriente eléctrica. En un
semiconductor característico o puro como el silicio, los electrones de
valencia (o electrones exteriores) de un átomo están emparejados y
son compartidos por otros átomos para formar un enlace covalente que
mantiene al cristal unido.
Estos electrones de valencia no están libres para transportar corriente
eléctrica. Para producir electrones de conducción, se utiliza la luz o la
 temperatura, que excita los electrones de valencia y provoca su
liberación de los enlaces, de manera que pueden transmitir la corriente.
Las deficiencias o huecos que quedan contribuyen al flujo de la
electricidad (se dice que estos huecos transportan carga positiva). Éste
es el origen físico del incremento de la conductividad eléctrica de los
semiconductores a causa de la temperatura

g) APLICACIÓN A LA TEORÍA DE BANDAS DE VALENCIA EN LA

CONDUCCIÓN ELÉCTRICA DE METALES

La banda de valencia (BV):

Está ocupada por los electrones de valencia de los átomos, es decir,

aquellos electrones que se encuentran en la última capa o nivel
energético de los átomos. Los electrones de valencia son los que
forman los enlaces entre los átomos, pero no intervienen en la
conducción eléctrica.

La banda de conducción (BC):

Está ocupada por los electrones libres, es decir, aquellos que se han
desligado de sus átomos y pueden moverse fácilmente. Estos
electrones son los responsables de conducir la corriente eléctrica.
En consecuencia, para que un material sea buen conductor de la
corriente eléctrica debe haber poca o ninguna separación entre la BC y
la BV (que pueden llegar a solaparse), de manera que los electrones
puedan saltar entre las bandas. Cuando la separación entre bandas
sea mayor, el material se comportará como un aislante.
h) APLICACIÓN DE LOS SEMICONDUCTORES :
Son usados en la elaboración de diodos transistores y termistores
principalmente.

Diodos:
Al unir un semiconductor N con otro P se produce un fenómeno de
difusión de cargas en la zona de contacto, que crea una barrera de
potencial que impide a los demás electrones de la zona N saturar los
restantes huecos positivos de la zona. Si unimos un generador como se
indica en la figura los electrones libres de la zona N son repelidos por el
polo negativo y los huecos de la zona P por el polo positivo, hacia la
región de transición, que atraviesan. La corriente pasa. No ocurriría esto si
la conexión se hubiera hecho con la polaridad invertida. El dispositivo es
un “diodo semiconductor” y actúa como rectificador de corriente.

Transistores:
Un transistor está constituida por dos zonas: Dos N separadas por una P
(transistor NPN), esta disposición proporciona al conjunto unas
propiedades particulares, en especial amplificadoras. Dos P separadas por
una N (transistor PNP), permiten actuar sobre la intensidad de la corriente
electrónica que pasa entre dos cristales semiconductores del mismo tipo,
por medio de un electrodo metálico aislado por una delgada capa de
óxido. Un transmisor se emplea, sobre todo, como amplificador y también
en ordenadores, como interruptor rápido de la corriente.

Termistores:
Se llama así a los semiconductores que son sensibles a los cambios de
temperatura, o mejor, a aquellos en que las variaciones tienen, frente a la
composición, un gran valor. Los materiales más usados son óxidos de
Cobalto (CoO), de Hierro (FeO), de Magnesio (MgO), Manganeso (MnO),
Níquel (NiO) y Titanio (TiO). Se utilizan en forma de bola, disco o varilla,
indicando con esto la forma en que se separa el material base del
termistor.