GTO & SIT

Curso: Engenharia Electrica, 4 ano

Disciplina: Electronica de Potência
Nome: Kant Tomas Kandeja
Songo, 2014
INTRODUÇÃO;

TIRÍSTOR DE DESLIGAMENTO PELO

GATILHO
(GTO);

TRANSISTORES DE INDUÇÃO
ESTÁTICA (SIT);
Os dispositivos semicondutores de
potência em
geral são divididos em cinco tipos:
Díodos de Potência,
Tirístores : GTO,
Transístores de Junção Bipolares
(BJTs),
MOSFETs de Potência,
Transístores Bipolares de Porta
Isolada (IGBTs)
e Transístores de Indução
Estática (SIT).
O d desligamento pelo
GTO, u dos primeiros
semicondutores
é de potência
m dispositivos
totalmente
controláveis pelo gatilho. O GTO
tem sido usado em várias
aplicações de potência
O GTO possui uma estrutura de 4
camadas, típica dos componentes da
família dos tiristores. Sua
característica principal é sua
capacidade de entrar em condução e
bloquear atraves de comando
adequados no terminal de gate.
O mecanismo de disparo é
semelhante ao do SCR que é
diretamente polarizado, quando a
corrente de gate é injetada, circula
corrente entre gate e catodo.
• Numa aplicação
prática a operação
de desligamento
de um GTO
normalmente
exige a adição de
um circuito
snubber para
limitar a dv/dt
durante a
comutação para
proteger o
dispositivo.
Eliminação de componentes de comutação em
comutações forçadas, resultando em reduções de
custo, peso e volume;
Redução de ruídos acústicos e eletromagnéticos,
devido à eliminação de "estrangulamentos"de
comutação;
Desligamento mais rápido, permitindo maiores
freqüências de chaveamento;
Melhoria na eficiência dos conversores.
Um transístor
SIT (Static
Induction
Transístor) é um
dispositivo de
alta frequência
e alta potência.
• O SIT é um dispositivo
de
estrutura vertical com
multicanais curtos
que diminuem suas
limitações de área e é
adequado para
operações em alta
potência e altas
velocidades de
operação. Os
eléctrodos da porta
são introduzidos nas
camadas n do dreno e
da fonte.
O SIT opera normalmente ligado, isto é, em
estado de condução quando não está sendo
excitado pela porta. Uma tensão negativa na
porta mantém o dispositivo no estado de não
condução (desligado).

A característica de estar normalmente em

condução e a sua elevada queda de tensão no
estado de condução limita as suas aplicações
a conversões genéricas de potência.
Boa linearidade e baixo ruído.
Sem efeito de colapso secundário, e alta
confiabilidade.
Desempenho em baixas temperaturas a -19
℃ para funcionar correctamente.
Resistência de radiação 50 vezes maior do
que os transístores bipolares
OBRIGADO
PELA
ATENÇÃO
!!!