Tecnología de Células y Módulos

JESÚS PIÓN
j25david@hotmail.com
Universidad de Jaén, Tec. Sis, Energía Solar fotovoltaica
Profesor: Pablo García - Linares
Colombia, 2016

EJERCICIO 1

 Defina los conceptos de resistencia serie y resistencia paralelo (también llamada

resistencia Shunt) de una célula solar.

Resistencia en serie: La resistencia en serie es una de las características intrínsecas de la

celda solar y mecanismo de perdidas, esta obedece a una resistencia interna de las células
fotovoltaicas, en la cual se causan pérdidas Óhmicas en los electrodos producto de los
malos contactos entre estos y el cuerpo de la célula, por las capas conductoras o las
rejillas colectoras.

Resistencia en Paralelo: La resistencia paralelo o shunt es otra de las características

intrínsecas y de pérdidas de la celda solar, esta viene dada por imperfecciones de la
Unión p-n, de la estructura cristalina o interconexión deficiente entre los buses
recolectores, en las cuales se presentan dislocaciones, conllevando a los picos de difusión
en las fronteras de grano y fugas de corriente que tienden a circular a través del
dispositivo.

 Explique cómo se ve afectada la forma de la curva I-V de una célula solar en los siguientes
casos.

1. Cuando la resistencia paralelo es muy baja.

En la gráfica que se muestra a continuación, se muestra la respuesta del sistema I-V frente a
una resistencia Shunt baja.
 Al observar la gráfica, se puede observar la curva I-V frente a una resistencia Shunt muy
pequeña y en la cual se obtienen las siguientes conclusiones.

 La corriente de cortocircuito no se ve afectada

 La corriente de operación se ve afectada de manera significativa.
 La tensión de circuito abierto se ve afecta ligeramente.

De esto se puede concluir que el FF (factor de Forma), también se ve afectado, reducido.

2. Cuando la resistencia seria es alta.

Observando la gráfica del comportamiento I-V de una celular solar con una resistencia en
serie muy alta, podemos observar que:

 La corriente de cortocircuito de se ve afectada. (Se reduce).

 No se ve afectada la tensión de circuito abierto.
 La tensión de operación se ve afectada de manera significativa.

De esto se puede concluir que el FF (factor de Forma), también se ve afectado, reducido.

3. Cuando su resistencia seria es muy baja y su resistencia paralelo muy alta:

Este caso sería la combinación de los dos casos citados anteriormente, para lo cual se
concluye que la célula no es de buen calidad en cuanto a su proceso de fabricación, y los
parámetros voltaje de circuito abierto, corriente de cortocircuito, y la tensión de operación
no serán las ideales para el buen rendimiento de la célula, por tanto los valores ideales
serian resistencias seria bajas Rs=0; y resistencia paralelo Rsh=MΩ, con lo cual se
aseguraría una buena eficiencia de conversión.
 Defina las distintas componentes de la resistencia Serie de una célula solar y las distintas
causas que las puedan originar.

Resistencia de capas de semiconductor: Característica del propio material semiconductor que

tiendes a ofrecer cierta oposición al paso de la corriente, por lo que lo ideal es la producción de
células cada vez más delgadas pero sin sacrificar capacidad de absorción. En el emisor y en la
base de la célula tiende a haber una Rs, debido a la dirección en que fluyen los portadores e
impurezas en el material.

Resistencia de contactos metálicos en el semiconductor: Esta es producto de los malos

contactos entre metal y semiconductor lo cual representa resistencia, razón por la cual se dopa
en mayor proporción las zonas en donde radican los estos contactos.

Resistencias de mallas de metalización: Cuando la malla de metalización es muy fina origina

grandes caídas resistivas, sin embargos estas son contribuyentes a una mejor captación de la
radiación.

EJERCICIO 2

 Explique la estructura de las células HIT (Heterojunction with Intrisis Thin Layer).

Las Heterojunction with Intrisis Thin Layer o heterounión con capa delgada intrínseca,
fue una evolución de la inicial tecnología de Heterounion, en las primera
experimentaciones de heterounion se obtuvieron porcentajes de eficiencia alrededor de
12%, sin embargo, algunos parámetros como el Voc y el FF eran muy pobres frente a
otras tecnologías más convencionales.

Estructura de una Celula HIT, Fuente: Página oficial de Panasonic.

 Las HIT representaron un avance muy significativo, el cual se dio cuando
Sanyo-Panasonic, introduce una capa muy delgada de silicio amorfo hidrogenado
(a-Si-H) intrínseco entre la oblea y la capa de dopaje, tecnología que fue llamada HIT,
con la cual se consigue mejorar la pasivación (Inconveniente inicial) del dispositivo que
se interpreta como la disminución de la recombinación superficial, trayendo consigo
corrientes de saturación disminuidas y Voc mayores a los conseguidos anteriormente.

 Enuncie las principales ventajas sobre las células de silicio cristalino

convencionales

La tecnología HIT está caracterizada frente a las células de silicio cristalino

convencional por poseer una eficiencia muy alta a en elevadas temperaturas (a
diferencia de los módulos de silicio policristalino o monocristalino). Debido a esta
característica, tienen la capacidad de mayor entrega de energía, bajo las mismas
condiciones de potencia nominal, por otro lado tiene un menor espesor que conlleva a
un ahorro significativo de la materia prima de producción (Silicio), además, como su
proceso de producción es a temperaturas relativamente bajas (<300ºC) representa un
ahorro de energía.

 Busque y cite al menos 3 artículos relacionados con las células HIT. Describa
someramente el objetivo y los logros expuestos en el artículo.

Articulo 1: Bingyan REN. “Effect of H treatment on performance of HIT solar cells”,

Rare Metals, Volume 25, Issue 6, Supplement 1, October 2006.

En los últimos años, la evolución de la mejora de la producción energética por

células solares ha tomado gran fortaleza, siendo unos de los principales objetivos la
mejora de la eficiencia y el bajo costo de las mismas.

En este trabajo, se busca principalmente el mejoramiento de la eficiencia mediante

la optimización de la pasivación del dispositivo, para lograr esto se plantea realizar
un pretratamiento especial a base de H a nivel atómico en la capa que es depositada
entre nc-si: H / c-Si, mediante el control de los parámetros del procesos, y con lo
cual se espera que este pretratamiento de la superficie de c-Si contribuya a la
pasivación superficial del mismo. Este tratamiento es realizado por (PECVD),
(Deposito químico en fase de vapor, asistido por plasma de radiofrecuencia)

Luego de la experimentación se obtuvieron los siguientes resultados; El FF y la

eficiencia fueron mejorados por el aumento de potencia. Debido a que el
tratamiento de H no sólo limpia La superficie, sino que también pasiva los estados
superficiales por ataque químico.
 La pasivación de la interfaz por tratamiento de H por un tiempo de 5 min es
satisfactoria, Sin embargo, el tratamiento con H prolongado más de 5 min resulta
ser perjudicial para la interfaz, debido a que desgasta la superficie.

Artículo 2: Xin Wang, “Radial Junction Silicon Nanowire Photovoltaics With

Heterojunction With Intrinsic Thin Layer (HIT) Structure”, 07
September 2016.

En el trabajo descrito en este artículo se busca el aumento de la eficiencia,

proponiendo una estructura radial de nanohilos de silicio lo cuales son depositados
mediante sintetizacion de vapor-liquido en la capa de silicio amorfo hidrogenado, y
también se depositaron contactos de Oxido de Indio como antireflectante sobre la
capa tipo n, con el objetivo de aumentar la absorción de la luz.

Luego de la experimentación se obtuvieron los siguientes resultados; la capa

intrínseca de silicio amorfo hidrogenado mostro una mejor pasivación en la
superficie donde estaban los nanohilos, obteniendo excelentes resultados en los
parámetros Ics, Voc, FF, sin embargo la eficiencia total del dispositivo disminuyo
debido a que se registraron mayores corrientes de fuga y menos Voc.

Artículo 3: Vikrant Sharma, O.S. Sastr, “Degradation analysis of a-Si, (HIT)

hetro-junction intrinsic thin layer silicon and m-C-Si solar photovoltaic
technologies under outdoor conditions”, Volume 72, 1 August 2014.

El trabajo descrito en este artículo, está encaminado en un estudio inicial de la

degradación de 3 tipos de tecnología de producción de energía fotovoltaica, a-Si
(silicio amorfo de una sola unión), HIT (hetro-unión intrínseca de capa fina de
silicio) y mC-Si (silicio multicristalino), la confiabilidad de cualquier dispositivo es
uno de los aspectos más importantes de las grandes producciones, razón por la cual
se decide colocar a estas 3 tecnologías a la intemperie en un ambiente en la India,
por un tiempo de 28 meses.

Después de este tiempo establecido el 50% de los módulos m-C-Si mostraron

oxidación de los dedos de metalización de la rejilla delantera y de revestimiento
antirreflectante en múltiples lugares, estos defectos en tan corto tiempo fueron
encontrados en la inspección visual, sin embargo en los módulos de tecnología HIT
no se observó defectos visuales, salvo la suciedad propia entregada por el ambiente,
la degradación de la Pmax fue muy pareja en las 3 tecnologías, por otra parte el
autor recomienda que para obtener datos más fiables, en cuanto a los parámetros de
operación de cada tecnología deberían ser expuesto a un tiempo mínimo de 10 años.
EJERCICIO 4

 Explique los diferentes mecanismos de pérdidas a los que está sometido una célula
solar y relaciónelos con el gap del semiconductor y con el espectro de la luz que lo
ilumina.

Los mecanismos de perdida a los cuales está sometida una celular solar, están
directamente relacionados con el Gap del material (Energía de la banda prohibida/
energía de enlace), y con el espectro de la luz debido a la relación existente entra la
longitud de onda y la energía propia de los fotones pertenecientes a un determinado
sector del espectro esta, a continuación se enuncian los tipos de perdidas:

Perdidas por no absorción: Estas están representadas por los fotones con Eg (Energía
del fotón), menor a la Gap, la cual no es capaz de romper los enlaces del material
semiconductor, y los cuales atraviesan este sin ser absorbidos ni generar un par
electrón-hueco.

Perdidas por transmisión: Esta se dan debido a unos coeficientes propios de absorción
del material y la anchura finita de la célula, para la cual algunos fotones con energía
mayor o igual a la de Gap, pasan el material semiconductor sin ser absorbidos. En este
caso en particular, aquellos fotones los cuales posean una Eg ligeramente superior a la
Gap, aunque rompen el encale generando un par electro-hueco, el electrón no fue
liberado con la energía suficiente para ser llevado a la banda de conducción, por tanto
se recombina rápidamente.

Perdidas por reflexión: Esta se da cuando una parte de los fotones indiferentemente de
su energía se reflejan en la superficie del material debido a la diferencia de los índices
de refracción.

Ahora bien basado en el espectro de la luz, cada uno de estos pose longitudes de ondas
diferentes dependiendo de la zona referenciada, lo cual representa una energía
contenida en los fotones diferente, los fotones con mayor longitud de onda,
pertenecientes la luz infrarroja se posen energías que estan por debajo de 1,6 eV, entre
1,6eV a 3,1eV se encuentra el espectro de luz visible, y finalmente por encima 3,1 eV
la luz Ultravioleta.

Tomaremos como ejemplo el caso del Silicio; en este material aquéllos fotones que
incidan sobre él y posean energías por debajo de 1,12 eV
(Longitud de onda> 1100 nm ) no podrán romper enlaces causando pérdidas, por tanto
solo un pequeño porcentaje de la luz infrarroja tendrá la capacidad de romper el enlace.
 Explique la solución que encontraron los tecnólogos para reducir las pérdidas
producidas por la alta velocidad de recombinación superficial en una celular solar.

Luego de leer y analizar el documento de “Wu_3rd_Generation_PV”, en el cual se

realiza una revisión de las técnicas usada para la mejora de la eficiencia de las células
solares de tercera generación, y uno de los aspectos básicos a tratar fue le disminución
de las pérdidas causadas por la velocidad de recombinación superficial, se logra
determinar que una de las formas más sencillas y efectivas para la mitigación de las
pérdidas causadas por este fenómeno, es la “conversión del espectro policromático” de
las luz solar.

De esta forma que los fotones que posean una energía Eg, menor a la de la banda Gap,
esta sea elevada con el proceso llamado Up-conversión, y aquellos fotones que posean
un a Eg superior a la gap del material, ser reducidos a múltiples fotones de energía
inferior mediante el proceso llamado dwon-conversion, procesos que llevaran al
aumento de la energía recolectada de la célula solar. Esta propuesta representa la gran
ventaja que solo el espectro solar entrante a la célula es modificado, y que es muy
compatible con las tecnología ya existentes.

“Los fotones de energía inferior se convierten en un fotón de energía más alta a través
de dos sucesos de absorción subsiguientes. Este proceso se denomina absorción por
estado fundamental / absorción por estado excitado (GSA / ESA). En el otro caso, los
eventos de absorción ocurren entre iones separados donde un ion no radiativamente
transfiere su energía a su vecino. Este proceso se llama conversión de transferencia de
energía” - citado explícitamente del documento “Wu_3rd_Generation_PV”-

 Analice y comparte tres tipos de tecnología de la llamada tercera generación, que

hayan sido propuestos para superar la “Eficiencia límite de Schokley-Queisser”.

La tecnología de células solares de tercera generación, son aquellas que combinan “lo
mejor” por llamarlo así de los dos mundos, Primera y segunda generación, y en la cual
el objetivo principal es superar la eficiencia del límite de Schokley-Queisser. Entre
estas tecnologías de nueva generación tenemos;
Tecnología de tercera
Estructura/objetivo
generación.
Las células multi-unción, es una
tecnología en la cual se apilan capas
de diferentes células solares (Cada
una con su unión p-n) de materiales
Células Multifunción los cuales posen Gap diferentes, en
la cual se busca el aprovechamiento
máximo del espectro solar.
(Diferentes longitudes de
onda/diferentes energías d fotones.)
Esta tecnología consiste en la
estructura de una célula solar básica
en donde existe una banda de
Células de Banda
valencia, una banda de conducción,
intermedia.
pero además se añade una banda
intermedia, situada entre las dos
anteriores.
En esta tecnología, se busca
aprovechar al máximo la energía
que poseen los fotones, (Aquellos
que poseen un Eg>Gap del
Células de portadores material), y la cual tiene dos formas
calientes de aplicarse para contribuir la
disminución de las perdidas; la
cuales son por extracción de
portadores calientes o por le
generación de exitones múltiples.
Análisis de funcionamiento
Resulta ser una tecnología
muy interesante debido a que
los fotones de alta energía
son absorbidos por la unión
de gapband alta y los fotones
de menor energía se absorben
en el gap de banda más bajo.
Esto permite absorber una
gran parte del espectro solar
evitando las pérdidas,
buscando aumentar la
eficiencia.
Esta ingeniosa estructura
tecnológica, en la cual se
ubica una banda de gap
intermedio entra las bandas
de conducción y las de
valencia, consigue que
aquellos fotones que llegan al
material con baja Eg
(Energía<Gap del material),
y que no son capaces de
generan un par E-h, sean
capaces de hacer saltar un
electrón de la banda
intermedia a la de
conducción.
Esta tecnología, se basa en un
planteamiento de física
cuántica a niveles profundos,
en los cuales se busca
aprovechar la diferencia
energética existente entre la
del Foton incidente y la de la
Gap, que normalmente es
liberada en forma calorífica,
afectando la eficiencia del
dispositivo, sin embargo los
tiempo de estabilización
termina resultan ser
extremadamente pequeños
razón por los que los estudios
están centrados en esto.
 Investigación sobre dos de las técnicas de caracterización de cellas solares.

Medida del tiempo de vida por transitorios de foto-conductancia: la medición de la

calidad de las células de silicio es un factor de vital importancia para el control tanto de
los procesos de fabricación como de la optimización de la tecnología fotovoltaica en
particular. En esta técnica el factor relevante es el tiempo de vida de los portadores
fotogenerados, y el tiempo de recombinación tanto en el volumen de la célula como en
la capa superficial de la oblea.

En la actualidad la técnica de mayor extensión usada para la medición del tiempo de

vida de los portadores en las obleas de c-Si, se basa en la técnica de la
foto-conductancia, la cual es aplicada en muestras sin contactos (precursores del
dispositivo)

Principio de funcionamiento: Este está basado en el acoplo inductivo entre una bobina y
una muestra, en el cual se busca por medio de un puente de radio frecuencia la
detección del exceso de portadores que han sido generados por la incidencia de un rayo
de luz (Fenómeno de fotoconductancia). En síntesis el equipo (Medidor de
fotoconductancia Ej: WTC-120 de Sinton) realiza mediciones de la fotoconductancia a
la vez que realiza variaciones en los niveles de intensidad lumínica por medio de una
lámpara flash.

Para esta técnica de caracterización existen dos casos límites:

 Medición del estado

cuasi-estacionario o QSSPC; en
esta decae el haz de luz de forma
muy lenta, de tal forma que se
logre un equilibrio entre la
fotogeneración y el fenómeno de
recombinación de portadores, al
mismo tiempo en el que se varia
el nivel de iluminación.

 La medida transitoria PCD; esta

se caracteriza por que el flash de
luz emitido aquí es muy corto,
por tanto los portadores
productos de la fotogeneración se
recombinan ya sin Luz de la
muestra.
 Medida de las Características corriente-tensión: Los equipos usados para la
realización de esta medición, combinan una fuente de tensión enlazada con el sistema
de medición de intensidad “Corriente”, en este sistema se requiere obtener curvas
corriente-tensión en los cuatro cuadrantes, dato relevante para la caracterización de
células bajo factores de iluminación, las medidas realizadas pueden ser d dos formas, a
2 o 4 puntas.

 A 2 puntas son realizadas en pruebas pequeñas, debido a que la corriente de

circulación es pequeña, por tanto no representara perdidas por conducción en loc
cables.

 A 4 puntas, esta técnica es usada para células solares, y mediante esta se reducen
las pérdidas que serían ocasionadas por los cables conductores.

Las curvas de Tensión-corriente, son un factor importante en la caracterización de las

células voltaje, más exactamente Intensidad de corriente, estas curvas son generadas bajo
condiciones de oscuridad, y también bajo un nivel de iluminación a 1 Sol, del espectro AM
1,5, irradiancia 100 mw/cm2, y bajo condiciones de temperatura controlada, 25ºC.
 REFERENCIAS

 José Lº Balenzategui ,”Fundamentos de la conversión fotovoltaica” CIEMAT;

http://api.eoi.es/api_v1_dev.php/fedora/asset/eoi:45312/componente45310.pdf.

 F. Salgado, Guía completa de la energía solar fotovoltaica y termoeléctrica. [s.l.].

AMV Ediciones, 2008

 Autor Ventre, Jerry. Photovoltaic Systems Engineering. 2a ed. Philadelphia: Taylor &
Francis Group , 2004.

 A. Belen, “desarrollo de tecnologias de baja temperatura para la fabricación de células

solares de heterounion de silicio” Tesis Doctoral, 2015.

 https://www.testequipmentconnection.com/specs/HP%204142B%20TECHNICAL%20
DATA.PDF
 http://sintoninstruments.com/Sinton-Instruments-WCT-120.html

 R. a. Sinton and A. Cuevas, "Contactless determination of current-voltage

characteristics and minority-carrier lifetimes in semiconductors from quasi-steady-state
photoeonductanee date"Appl.

 I. Martin, "Silicon surface passivation by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposited
amorphous silicon carbide films," Universitat Politecnica de Catalunya, 2004.

 http://researchprojects.kth.se/index.php/kb_7905/pb_3420/pb.html

 http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pip.2788/full

 http://www.solar-era.net/joint-calls/

 www.ieeexplore.ieee.org/document/6895111

 https://www.researchgate.net/profile/Alexander_Slade/publication/267779112_27.6_Ef
ficient_Silicon_Concentrator_Solar_Cells_for_Mass_Production/links/559bbbe108ae7
f3eb4cecef5.pdf

 https://www.ise.fraunhofer.de/en/research-projects/historic
 U. K. Das, M. Z. Burrows, M. Lu. S. Bowden, and R. W. Brrkmire, "Surface
passivation and heterojumiction cells on Si (100) and (111) wafers using dc and rf
plasma deposited Si:H thin films,"

 K. v. Maydell, E. Conrad, and M. Schmidt, "Efficient silicon heterojunction solar cells

based onp- andn-type substrates processed at temperatures < 220°C," Prog.
Photovoltaics Jun. 2006.

 Y. Hamakawa, "New types of high efficiency solar cells based on a-Si,". 1983.

 K. Okuda, H. Okamoto, and Y. Hamakawa, "Amorphous Si Polycrystalline Si Stacked

Solar Cell Having More Than 12% Conversion Efficiency,"

 M. Taguchi, "Improvement of the conversion efficiency of polycrystalline silicon thin

film solar cell,"

 M. Taguchi, A. Yano, S. Tohoda, K. Matsuyama, Y. Nakamura, T. Nishiwaki, K.

Fujita, and E. Maruyama, "24.7% Record Efficiency HIT Solar Cell on Thin Silicon
Wafer,",

 Panasonic HIT(R) Solar Cell Achieves World's Highest Energy Conversion Efficiency
of 25.6% at Research Level," Headquarters News | Panasonic Global, 2014. [Online].
Available:
http://panasonic.co.jp'corp/news/official.data/data.dir/2014/04/enl40410-4/enl40410-4.
html.

 Bingyan REN. “Effect of H treatment on performance of HIT solar cells”, Rare

Metals, Volume 25, Issue 6, Supplement 1, October 2006.

 Xin Wang, “Radial Junction Silicon Nanowire Photovoltaics With Heterojunction

With Intrinsic Thin Layer (HIT) Structure”, 07 September 2016.

 Vikrant Sharma, O.S. Sastr, “Degradation analysis of a-Si, (HIT) hetro-junction

intrinsic thin layer silicon and m-C-Si solar photovoltaic technologies under outdoor
conditions”, Volume 72, 1 August 2014.

 https://pendientedemigracion.ucm.es/info/otri/cult_cient/infocientifica/descargas/concu
rso%20divulgacion%2008/la_celula_solar_mas_eficiente.pdf

 R. Vega, “Estudio comparativo de distintas tecnologias Fotovoltaicas”, Trabajo de

grado, Junio 2014.

 G. Mauricio, “Celdas Solares no Ideales, Una caracterización Electrónica”, Articulo,

departamento de física, Universidad Nacional de Colombia.