III.

Características de transferencia del NMOS

Figura Nº. Representa el circuito estudiado con el NMOS IRF840.

𝑽𝑮𝑺 (V) 0 2 3 3.5 3.7 3.8 4 4.5 5

V 0 0 0 2.493 1.435 8.392 11.98 11.98 11.98

V V V mV V V V V V

𝑰𝑫 0 0 0 3.553 1.435 8.393 11.98 11.98 11.98

mA mA mA mA mA mA mA mA mA

Tabla Nº. Obtenidos con el circuito con MOSFET de enriquecimiento INRF840

ID vs VGS
14

12
Corriente de drenaje (mA)

10

0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
Voltaje VGS (V)

Gráfica Nº . Curva de transferencia del circuito estudiado.

Los datos obtenidos de la hoja de datos de la hoja correspondientes del NMOSFET IRF840:

𝑉𝑇 = 4.0 𝑉

𝑉𝐺𝑆 = 10 𝑉

𝐼𝐷 = 4.8 𝐴
𝐼𝐷
𝑘=
(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )2
4.8 𝐴
𝑘=
(5.2)2

𝑘 = 0.1479 𝐴/𝑉 2

Los datos característicos obtenidos correspondientes del NMOSFET IRF840:

𝑉𝑇 = 3.7 𝑉

𝑉𝐺𝑆 = 4.0 𝑉

𝐼𝐷 = 12 𝑚𝐴
𝐼𝐷
𝑘=
(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )2
12 𝑚𝐴
𝑘=
(0.3)2

𝑘 = 0.133 𝐴/𝑉 2
IV. Características del JFET

Figura Nº. Análisis del circuito con el dispositivo JFET

𝑽𝑫𝑫 (V) 0 1 2 3 4 5 6 7

V 0 0.24 1.71 2.22 2.60 2.74 2.74 2.74

(V)

𝑽𝑫𝑫 − 𝑽 (V) 0 0.76 0.29 0.78 1.40 2.26 3.26 4.26

𝑰𝑫 (mA) 0 0.24 1.71 2.22 2.60 2.74 2.74 2.74

Tabla Nº. Tabla de datos obtenidos del circuito con JFET.

Malla de Entrada

𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆

𝑉𝐺 − 𝑉𝑆 = 0

Malla de Salida

−𝑉𝐷𝐷 + 𝑉𝐷𝑆 + 𝑉𝑆 = 0

𝑉𝐷𝐷 + 𝑉𝑆 = 𝑉𝐷𝑆
 ID vs VDS

2.5
Corriente de drenaje (mA)

1.5

0.5

0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
Voltaje VDS (mV)

Gráfica Nº. Comportamiento de la ID VS VDS

Conclusión

En este laboratorio logramos analizar los tipos de transistores por efecto de campo, podemos mencionarlos como el
JFET, MOSFET tipo N. Se puede especificar que dentro de los tipos de MOSFET existen tanto los de canal N o canal
P. Para iniciar la experimentación fue necesario conocer los valores característicos del fabricante para cada dispositivo.
El siguiente punto consistió en estudiar el comportamiento de MOSFET de enriquecimiento tipo N, al obtener los
valores pudimos presentar la curva de transferencia. Pudimos reconocer que las características de transferencia del
MOSFET no está definida por la ecuación Schockley, sino por una ecuación lineal controlada por el voltaje de la
compuerta a la fuente, el voltaje umbral y a constante k definida por el fabricante. La gráfica obtenida tiene un
comportamiento exponencial, en donde se encuentran vinculadas la corriente de drenaje y voltaje de compuerta-
fuente.

Un JFET en realidad puede ser utilizado como un resistor controlado por voltaje. Se logró determinar una corriente
máxima y mínima, en donde cada una dependía cuando el voltaje de la compuerta-fuente tiene un valor de cero y la
compuerta está en el voltaje umbral, respectivamente.

Pudimos analizar el comportamiento de cada uno de los dispositivos, las curvas de transferencia, la gráfica de salida,
donde se ven su operación. En el caso de la JFET es un dispositivo que al lograr el voltaje de corte se estrangula la
corriente, pero para el MOSFET en su funcionamiento es todo lo contrario al llegar al voltaje umbral se enciende el
canal y comienza a aumentar la corriente de manera exponencial.