ESTRUCTURA DE UN ELEMENTO SEMICONDUTOR

En la parte de arriba de esta ilustración aparece el símbolo

general.utilizado para identificar un diodo semiconductor común y
abajo el.aspecto físico externo que presentan la mayoría de los
diodos de.silicio. Como se puede observar en ambas ilustraciones,
el ánodo“A” constituye la parte positiva y el cátodo “K” la negativa.
En un diodo real, el extremo correspondiente al cátodo se identifica
por.medio de una marca o anillo color plata impreso junto al
terminal.negativo de conexión al circuito eléctrico.

POLARIZACIÓN DEL DIODO

Diodo polarizado directamente

Los diodos semiconductores, al igual que ocurría con las antiguas válvulas termoiónicas, actúan de forma
similar al funcionamiento de una válvula hidráulica del tipo antirretorno.
 Válvula antirretorno. La flecha estampada en su cuerpo metálico.indica el único sentido en
que puede circular el fluido cuando se.conecta a un circuito hidráulico. Arriba la flecha azul
identificada.como “A” señala el sentido de circulación
permitido. Abajo la.flecha roja identificada como “B” muestra que si el fluido. hidráulico
una vez que ha pasado a la parte izquierda de la válvula.intenta ir hacia atrás por el mismo
camino, no podrá hacerlo porque.en ese sentido contrario al normal se encontrará bloqueada
la.entrada de la válvula.

Cuando se instala una válvula antirretorno en un circuito hidráulico, el fluido sólo puede circular en un
sentido, porque se bloquea en sentido inverso, ya que en ese caso su mecanismo interno se cierra
automáticamente. De forma similar, para que la corriente eléctrica pueda fluir a través de un diodo, es
necesario polarizarlo “directamente”. Para ello el polo negativo (–) de la batería o fuente de fuerza
electromotriz se conecta al cátodo “K” o parte negativa (N) del diodo, mientras que el polo positivo (+)
de la propia batería se conecta al ánodo “A” o parte positiva (P) del propio diodo.

En la parte superior de esta figura se representa el esquema de un.diodo energizado

en “polarización directa”. Como se puede.observar, el polo negativo (–) de la batería se
encuentra conectado.al cátodo “K” y el polo positivo (+) al ánodo “A” del diodo. Esta.conexión
permite que la corriente de electrones que suministra
la.batería o fuente de fuerza electromotriz pueda circular en el.sentido que indican las
flechas. En la parte de
abajo de la figura,.se muestra un símil hidráulico, que emplea una “válvula.antirretorno”
con el paso abierto para que el fluido hidráulico pueda.así circular. Se puede observar que el
fluido (representado por las.flechas de color rojo) atraviesa la válvula
circulando en el sentido.en el que la bola que sirve de compuerta a la válvula se abre. Así,.una
vez que la presión del propio fluido hidráulico vence la fuerza.que ejerce el muelle sobre la
bola, ésta cede y el líquido puede fluir.libremente. De forma similar en el circuito eléctrico de
un diodo.polarizado de forma directa, la corriente también puede fluir a.través de mismo
en un solo sentido.

Cuando polarizamos un diodo de forma directa, el polo positivo de la batería rechaza los huecos o
agujeros contenidos en la región "P" (ánodo del diodo), y los obliga a dirigirse al empalme "p-n". En esas
condiciones, la “zona de deplexión” se reduce por completo, por lo que los electrones en exceso en el
material negativo o cátodo adquieren la suficiente energía como para poder atravesar la barrera de
potencial existente en el empalme "p-n".

De esa forma los electrones penetran en la región "P" de la parte positiva del diodo para combinarse ahí
con los huecos o agujeros. Al mismo tiempo la atracción que ejerce el polo positivo de la batería sobre
los electrones (negativos) provoca que estos salten o se desplacen de hueco en hueco a través de esa
mitad del diodo y recorran toda la región semiconductora "P". Así, los electrones que cede la batería o
fuente de energía eléctrica a partir de su polo negativo (–), retornan a su polo positivo (+) después de
atravesar el diodo. De esa manera se restablece el equilibrio electrónico interno de la propia batería, el
cual se ve continuamente alterado durante todo el tiempo que se encuentre conectada al circuito
cediendo electrones a la región “N” del diodo.

En la ilustración “A” se puede ver un circuito electrónico formado por un diodo de silicio (1), una pila
o.batería (2), una lámpara LED en función de consumidor (3), un interruptor (4) y un
miliamperímetro (5)..Como todavía el circuito se encuentra abierto (no se ha accionado el interruptor), la
corriente eléctrica no.circula. En la ilustración "B" se ha accionado el interruptor y, de acuerdo con
polaridad de la batería, el.diodo se polariza de forma directa permitiendo el paso de la corriente a través
del circuito, por lo que la.lámpara LED se enciende y la aguja del miliamperímetro se mueve indicando
que la corriente eléctrica.está circulando. En la ilustración “C” se ha cambiado la conexión de la batería
en el circuito, por tanto.la polaridad también queda invertida. En esta ocasión, aunque el interruptor se
accione, se puede.observar que la lámpara LED no se enciende y la aguja del miliamperímetro no
muestra circulación de.corriente eléctrica alguna (se mantiene indicando “0” mA), pues al haberse
cambiado la polaridad de la.batería el diodo se polariza de forma inversa impidiendo que la corriente
eléctrica circule por el circuito..El efecto que se obtiene es el mismo que si no se hubiera accionado el
interruptor.

En resumen, el movimiento de los electrones desplazándose desde la parte negativa del diodo para
recombinarse con los huecos en la parte positiva después de atravesar el empalme "p-n" o barrera de
potencial, permite que la corriente electrónica fluya a través del mismo, siempre y cuando se encuentre
 polarizado directamente. Si bajo esas condiciones conectamos un miliamperímetro y un consumidor al
circuito del diodo, se podrá apreciar que el instrumento de medición registra la circulación de corriente
eléctrica.

Diodo polarizado inversamente

En la parte de arriba de esta figura se representa el esquema de.un diodo energizado en “polarización inversa”.
Como se puede.observar, el polo positivo de la batería se encuentra conectado al.cátodo “K” y el polo negativo al
ánodo “A”.

Esta conexión impide que la corriente de electrones que suministra.la batería u otra fuente de fuerza electromotriz
pueda circular en el.sentido que indican las flechas y atravesar el diodo, por lo que no..se puede completar el circuito
eléctrico.

En la parte de abajo de la ilustración se muestra el esquema

de.una “válvula hidráulica antirretorno” cerrada. Aquí se puede.observar que
el fluido hidráulico (representado por la flecha de.color rojo) no puede atravesar la válvula si intenta circular
en.sentido inverso, debido a la presión que ejerce el muelle sobre la.
bola y la propia presión que ejerce también el fluido hidráulico sobre ésta, lo que provoca el
cierre.completo de la abertura de entrada. De forma similar un diodo polarizado de forma inversa impide
que la.corriente eléctrica pueda fluir en sentido contrario, por lo que no puede atravesarlo, ni
completarse.tampoco la circulación de corriente a través del circuito.

DIODOS DE PUNTA DE CONTACTO O "DE SEÑAL"

Diodos de “de señal” para alta

frecuencia. Arriba.- De.germanio (Ge) de punta de
contacto. Abajo.- De silicio (Si).

A diferencia de los diodos semiconductores comunes de silicio (Si), que se fabrican empleando dos
cristales de diferente polaridad puestos en contacto uno con otro para formar una unión tipo “p-n”,
losdiodos de punta de contacto o “de señal” como los de germanio (Ge), por ejemplo, se construyen
utilizando un alambre de tungsteno* con una fina punta que hace presión sobre el cristal semiconductor
de germanio.

* El tungsteno es un elemento químico conocido también por el nombre de volframio o wolframio y

su.símbolo de identificación en la Tabla Periódica de los Elementos es: “W”. Este elemento en forma
de.fino alambre enrollado es el mismo que se emplea desde hace más de 100 años como filamento
de.alumbrado en las lámparas incandescentes para convertir la corriente eléctrica en luz.
El diodo de germanio (Ge) de la ilustración derecha
fue el primero que se utilizó ampliamente como
detector de radiofrecuencia en los circuitos
electrónicos de los receptores de radio a partir de
la primera mitad del siglo pasado. En la actualidad
este tipo de diodo ha sido sustituido casi por
completo por otros “de señal”, fabricados con
silicio, concebidos para trabajar también con
corrientes de altas frecuencias o radiofrecuencia.

Encerrado en un círculo rojo se puede ver un diodo “de

señal” utilizado.como detector de altas frecuencias en un radiorreceptor.

Esquema de la parte correspondiente al circuito de un receptor de radio de amplitud modulada

(A.M.),.que emplea un diodo de señal "D" en función de detector de las ondas de
radiofrecuencia "RF".portadoras de los sonidos. “T” es el transformador que acopla la etapa de
amplificación de las ondas de.radiofrecuencia con la etapa de detección y demodulación de esas ondas
en el radiorreceptor. El circuito.se compone, además, de dos capacitores “C” y una resistencia “R”. Una
vez que la onda de.radiofrecuencia ha sido detectada y demodulada por el diodo, la resultante es una
onda de.audiofrecuencia “AF” que contiene los sonidos (onda de la derecha), que se puede amplificar
y hacerse.audible por medio de uno o más altavoces.

MECANISMO DE FUNCIONAMIENTO DEL DIODO DE SILICIO (Si)

Como ya se explicó anteriormente, en el punto de juntura o unión “p-n” de un semiconductor diodo de

silicio se forma una “barrera de potencial” en la que los huecos de la parte positiva, por un lado, y los
electrones de la parte negativa, por el otro, alcanzan un punto de equilibrio, creándose alrededor de
dicha unión una “zona de deplexión” (conocida también como “zona de carga espacial”, “zona de
agotamiento” o “zona de vaciado”), que impide que la corriente eléctrica fluya a través del diodo así
formado.

Cuando un diodo no se encuentra energizado, en el punto de unión o juntura “p-n” los huecos y los
electrones se encuentran en estado de equilibrio. Por consiguiente, en ese punto los
denominados“niveles de fermi” se emparejan o igualan a ambos lados de la unión.

¿QUÉ ES EL NIVEL DE FERMI?

El “nivel de fermi” es un término empleado para describir la mayor concentración de niveles de

energía que, teóricamente, pueden alcanzar los electrones a una temperatura, también teórica,
de 0º K (cero grado Kelvin o “cero absoluto”). A dicha temperatura se supone que cesa
completamente todo el movimiento electrónico en los átomos que componen las moléculas de
un cuerpo cualquiera.

En un semiconductor diodo sin energizar, el “nivel de fermi” se opone a que los electrones libres
que se encuentran presentes en la parte negativa (N) puedan atravesar la barrera de potencial
formada en el punto de unión “p-n”, lo que les impide saltar a la parte positiva (P) hasta tanto no
reciban la suficiente carga energética que normalmente procede de una fuente de fuerza
electromotriz externa, como una batería, por ejemplo. Una vez que los electrones reciban la
 energía necesaria podrán superar el “nivel de fermi” y atravesar la barrera de potencial para
unirse a los huecos existentes en la parte positiva (P) del diodo.

Un símil entre lo que ocurre con un semiconductor diodo sin energizar y el nivel de fermi sería
algo así como tener sumergido en un mar cubierto de hielo un cuerpo cualquiera carente de la
suficiente energía como para poder ascender, romper la capa de hielo y salir a la superficie.

El nivel de fermi recibe ese nombre en honor al destacado físico italiano Enrico Fermi (Roma,
Italia, 1901 – Chicago, EE.UU., 1954).

Cuando la unión positiva-negativa “p-n” de un

semiconductor diodo se encuentra en equilibrio por no
encontrarse energizado, los “niveles de fermi” se igualan
o emparejan a ambos lados de la unión. Bajo esas
condiciones los electrones y los huecos alcanzan un
equilibrio próximo a ese punto y a su alrededor se crea
unazona de deplexión.

Para que se pueda establecer un flujo electrónico a través

del diodo, será necesario suministrarles energía a los
electrones que se encuentran debajo de la línea del “nivel
de fermi” para que se puedan mover hacia arriba y pasar a
la “banda de conducción” y unirse a los huecos.

POLARIZACIÓN DIRECTA DEL DIODO

Cuando un semiconductor diodo lo polarizamos de forma

directa conectándole una fuente de fuerza electromotriz o
suministro eléctrico (como una batería, por ejemplo), su
lado “P” se vuelve más positivo, lo que ocasiona que se
cree una diferencia en altura del “nivel de fermi” en la parte
negativa del diodo. Esto facilita que los electrones libres en
esa parte alcancen la “banda de conducción” y puedan
atravesar la unión o juntura “p-n” pasando a llenar los
“huecos” presentes al otro lado de la unión. De esa forma
los electrones alcanzarán la banda de conducción,
atravesarán la unión “p-n” y saltarán de un hueco a otro en
la parte positiva (P) hasta concluir finalmente su recorrido
en el polo positivo de la fuente de suministro eléctrico. La
situación que se produce se puede interpretar como:
electrones moviéndose en un sentido y huecos moviéndose
en sentido opuesto.

En la ilustración se puede apreciar que la dirección de conducción de los electrones se establece desde
la parte derecha o negativa del diodo hacia su parte izquierda o positiva. El movimiento que se observa
hacia arriba de los electrones para alcanzar la “banda de conducción”, viene dado por el incremento
de energía que les suministra la batería o fuente de energía electromotriz conectada al diodo.

Por tanto, en un diodo polarizado de forma directa, los electrones de la parte negativa (N) que han sido
elevados a la banda de conducción, así como los que se han difundido a través de la unión “p-n”, poseen
más energía que los huecos presentes en la parte positiva (P). De esa forma los electrones se combinan
sin esfuerzo con esos huecos, estableciéndose un flujo de corriente electrónica a través de la unión “p-
n”, en dirección al polo positivo de la batería.
 Movimiento de los electrones que se establece en
un.sentido y de los huecos en el sentido opuesto en un
diodo.semiconductor polarizado de forma directa. La
parte.señalada como (A) corresponde al ánodo
positivo (+) y la.parte (B) al cátodo negativo (–). Como
se puede apreciar,.el flujo de los electrones
se mueve del polo negativo al.polo positivo de la batería
(pila) conectada al circuito.

POLARIZACIÓN INVERSA DEL DIODO

Cuando el semiconductor diodo se polariza de forma

inversa, el lado positivo “P” de la unión “p-n” se vuelve
negativo (debido a estar conectado al polo negativo de la
batería). En esas condiciones el “nivel de
fermi”correspondiente a esa parte positiva crece en altura,
impidiendo así que los electrones se puedan mover a través
del cristal semiconductor. En la ilustración se pueden
observar unas flechas indicando la dirección
correspondiente al flujo electrónico tratando de acceder
aldiodo por su parte positiva sin lograrlo, pues al estar
polarizado de forma inversa la “zona de deplexión” se
amplía. Además, como se puede ver también, la diferencia
de altura del “nivel de fermi” en la parte positiva “P” del
diodo aumenta, mientras que en la parte
negativa “N”disminuye. Por tanto, bajo esas circunstancias
los electrones presentes en la parte negativa carecerán de
la suficiente energía para poder atravesar la unión “p-n”.

CARACTERÍSTICAS DE LOS DIODOS

La forma de funcionamiento de un diodo común de silicio se puede apreciar observando la curva

característica que se crea cuando se polariza, bien de forma directa, o bien de forma inversa. En ambos
casos la curva gráfica (representada en color verde en el siguiente gráfico) muestra la relación existente
entre la corriente y la tensión o voltaje que se aplicada a los terminales del diodo.

En este gráfico correspondiente a la curva

característica de un diodo de silicio, se puede
observar un eje horizontal “x” y otro
vertical “y”que se intersectan en el centro. En ese
punto el valor del voltaje y de la intensidad de la
corriente es igual a “0” volt. El eje
vertical “y” muestra hacia arriba su parte
positiva (+y) correspondiente al valor que puede
alcanzar la intensidad de la corriente (Id) que
atraviesa al diodo cuando se polariza directamente,
mientras que hacia abajo su parte negativa (-
y) muestra cuál será su comportamiento cuando se
polariza de forma inversa (Ii). El eje
horizontal “x” muestra hacia la derecha, en su
parte positiva (+x), el incremento del valor de la
tensión o voltaje que se aplicada al diodo en
polarización directa (Vd). Hacia la izquierda del
propio eje se encuentra la parte negativa (–x),
correspondiente al incremento también del valor de
la tensión o voltaje, pero en polarización
inversa (Vi).

Si a un diodo común de silicio le aplicamos una tensión o voltaje (Vd) para polarizarlo directamente,
partiendo de “0” volt (punto de intersección de los ejes de las coordenadas), se puede observar en el
gráfico que hasta tanto no se alcanzan los 0,7 volt sobre el eje “+x”, el valor de la corriente (Id) no indica
ninguna variación debido a la resistencia que, por debajo de ese voltaje, ofrece la “barrera de potencial”
al flujo de los electrones en el punto de unión "p-n". Sin embargo, a partir de los 0,7 volt un pequeño
incremento en el valor de la tensión, originará un enorme flujo de intensidad de corriente, tal como se
puede apreciar en el gráfico, representado por la curva de color verde (paralela al eje “+y”), en la parte
correspondiente a la “región de polarización directa” del diodo. (Como ya se mencionó anteriormente, a
diferencia del diodo de silicio (Si), un diodo de germanio (Ge) sólo requiere 0,3 volt de polarización directa
para que comience a conducir la corriente).

Ahora bien, si el diodo se polariza de forma inversa aplicándole una tensión o voltaje inverso a partir
de“0” volt y siguiendo el eje –x, vemos que aunque incrementemos el valor de esa tensión, la
corriente (Ii)no muestra variación alguna, excepto en un punto donde se produce una
pequeñísima “corriente de fuga” de unos pocos microamper. A partir de ese momento si continuamos
incrementando el valor de la tensión se llega al punto de “ruptura inversa”, (codo de la curva de color
verde), donde el aislamiento de la unión "p-n" se rompe originándose un flujo de corriente, de valor tan
alto, que destruye el diodo y lo hace inservible.

No obstante, existe un diodo de silicio, denominado “zener”, que, contrariamente a lo ya explicado,

emplea para su funcionamiento la polarización inversa. Debido a su construcción especial tiene la
propiedad de estabilizar la tensión o voltaje inverso cuando llega al punto de ruptura y alcanza la región
de avalancha (denominada también “región zener”). De esa forma el alto valor del flujo de corriente
que se origina a partir de ese punto lo aprovecha este diodo para reducir el valor de la tensión sin que
llegue a destruirse como ocurriría con otro diodo común. Por tanto, mientras otros tipos de diodos de
silicio o de germanio tienen que operar necesariamente por debajo de la tensión de ruptura inversa, el
diodo zener puede soportar esa tensión de operación. Debido a esa característica este diodo se emplea,
comúnmente, como regulador de tensión o voltaje en los circuitos electrónicos.

Otro diodo que funciona en polarización inversa es el denominado “varicap” o “varistor”, que se
emplea para sintonizar las emisiones de radio y de televisión en los radiorreceptores y los televisores
domésticos en sustitución del antiguo capacitor variable mecánico.

ENCAPSULADOS DIFERENTES DE LOS DIODOS

En dependencia de la tensión o voltaje que soportan, la intensidad de la corriente de trabajo, la

función específica que tendrán asignada dentro de un circuito electrónico y la potencia que disipan
en watt, los diodos se comercializan con diferentes tipos de encapsulados. Además, un diodo
específico puede tener tamaño y características de trabajo diferentes, así como diferente forma de
encapsulado.

En esta ilustración aparecen varios diodos de características y

usos. diferentes y con encapsulados también diferentes.

El tipo de encapsulado de estos diodos se identifica con

las.siguientes. siglas:

1.- DO35, 2.- DO-41, 3.- SOD-57, 4.- TO-3, 5.- TO-48, 6.- SOD-
23,7.- KBL, 8.- WOW. Además de estos ejemplos existen muchos.tipos
más de. encapsulados.

Muestra de dos diodos rectificadores de silicio de diferentes características y

encapsulados también diferentes, ambos comparados con un céntimo de
euro. El diodo de arriba, de menor tamaño, puede soportar
una corriente de1 ampere y trabajar con un voltaje de 1000 volt. A ese
diodo le corresponde un encapsulado DO-41. El diodo de abajo, de mayor
tamaño, puede soportar una corriente de 10 ampere y trabajar, igualmente,
con un voltaje de 1000 volt, pero a diferencia del
anterior a éste le corresponde un encapsuladoR-6.
 Existen también componentes miniaturizados para montar directamente
sobre circuitos impresos, denominados “SMD” (Surface Mount Device –
Dispositivo de montaje en superficie). Entre esos componentes podemos
encontrar, igualmentle, diodos de silicio como los que aparecen en la foto de
la izquierda identificados como D7 y D8. Nótese los pocos milímetros que
poseen tanto esos dos diodos como el resto de los componentes que le
acompañan [capacitores (C) y resistencias (R)].

RECTIFICACIÓN DE LA CORRIENTE ALTERNA (C.A.) EMPLEANDO SEMICONDUCTORES DIODOS

punto medio del enrollado sea siempre el polo negativo mientras el polo positivo cambia en sus extremos cada medio

No obstante, la mayoría de los circuitos eléctricos o electrónicos que funcionan con corriente directa (C.D.), emplean re
 Como se habrá podido apreciar, tanto en el primer medio ciclo, como en el siguiente, los signos de polaridad positiva (+
sufren variación alguna como ocurre con la corriente alterna a la entrada del circuito. En esa ilustración se puede ver ta

RECTIFICADOR CON FILTRO A LA SALIDA DE LA CORRIENTE DIRECTA

Si quisiéramos que un dispositivo rectificador de onda completa entregue una corriente directa lo más
lineal posible, podemos colocar un filtro compuesto por uno o dos capacitores electrolíticos polarizados,
como los (C1) y (C2) que aparecen en las ilustraciones de abajo, conectados a la salida del circuito de la
corriente directa (C.D.) ya rectificada.

A
Además de dichos capacitores se debe añadir al filtro una resistencia (R) (gráfico A), o una
inductancia(L) (gráfico B) conectada entre los dos capacitores. La función del filtro consiste en
compensar las variaciones o deformaciones residuales que puedan haber quedado remanentes en la
corriente rectificada. Para ello durante el medio ciclo negativo los capacitores se cargan y durante el
siguiente medio ciclo positivo se descargan para rellenar los espacios sin carga que se crean entre una
cresta y la otra, correspondientes a las medias ondas de la corriente rectificada.

Sin embargo, algunos equipos y dispositivos electrónicos (sobre todo los de sonido, por ejemplo),
requieren de una corriente directa rectificada lo más pura o lineal posible, por lo que para obtener ese
resultado será necesario colocar un transistor a continuación del filtro, en función de estabilizador (figura
C).
 C

En la foto de la izquierda se muestra un dispositivo

rectificador de onda completa empleado en un equipo que
funciona con 12 volt de corriente directa (C.D.),
conectándose a una toma doméstica de corriente alterna
(C.A.) de 220 volt. En la parte izquierda de este dispositivo
se puede observar un transformador encargado de
transformar o rebajar los 220 volt de entrada en 12 volt de
salida, también de corriente alterna. En el centro se puede
observar un puente rectificador (con encapsulado KBL), que
convierte los 12 volt de corriente alterna (C.A.) en 12 volt de
corriente directa (C.D.). A la derecha se observan los dos
capacitores electrolíticos y una de las resistencias que
hacen función de filtro. La otra resistencia también visible,
se emplea para reducir la tensión de trabajo del diodo LED (en la parte inferior de la foto) empleado
como testigo o luz piloto para indicar que el equipo se encuentra conectado al suministro de corriente
alterna de la red doméstica, incluso cuando éste no está en uso.

No siempre es necesario contar con un filtro para poder

utilizar una corriente alterna rectificada. Por ejemplo, en
esta foto podemos observar un puente rectificador formado
solamente por cuatro diodos independientes, que
suministran corriente directa (C.D.) a un pequeño motor
eléctrico acoplado al ventilador de un secador de pelo. Los
cables de color negro corresponden a la entrada de la
corriente alterna (C.A.) que alimenta al puente rectificador.
El polo positivo [con el signo (+) en color rojo] y el negativo
[con el signo (–) en color azul] indican la polaridad de salida
de la corriente directa ya rectificada por el puente. En este
caso los polos positivo y negativo se encuentran
conectados directamente en los bornes de entrada de
lacorriente directa (C.D.) al motor, situados ambos en su
tapa trasera. Como se puede observar, en este caso se ha
omitido el uso del filtro por no ser necesario para que el
motor funcione.

Diferentes dispositivos dotados de puentes de diodos de silicio en función de rectificadores de

corriente.alterna para convertirla en directa. A la izquierda aparece el cargador de un ordenador portátil,
que.también nos permite continuar trabajando con el mismo cuando las baterías se hayan agotado
siempre.que lo mantengamos conectado a la red de corriente alterna doméstica. En el centro se muestra
un.adaptador de corriente empleado para energizar un convertidor de señal de TDT (Televisión
Digital.Terrestre). A la derecha se puede observar un cargador de teléfono móvil.

Los rectificadores de onda completa tienen una amplia utilización en diferentes tipos de dispositivos
como son los adaptadores de corriente que emplean diferentes equipos electrónicos, así como en los
cargadores de batería que utilizan teléfonos móviles, cámaras fotográficas digitales, reproductores
mp3,ordenadores portátiles y muchos otros equipos electrodomésticos y electrónicos más, que
funcionan con corriente directa. De esa forma un puente rectificador permite que cualquier dispositivo o
 equipo de corriente directa (C.D.) se pueda conectar a la red de corriente alterna (C.A.) doméstica para
poderlo utilizarlo de esa forma o, de lo contrario, cargar sus baterías.

EL DIODO

Las propiedades de los materiales semiconductores se conocían en 1874, cuando se

observó la conducción en un sentido en cristales de sulfuro, 25 años más tarde se
empleó el rectificador de cristales de galena para la detección de ondas. Durante la
Segunda Guerra Mundial se desarrolló el primer dispositivo con las propiedades que
hoy conocemos, el diodo de Germanio.

POLARIZACIÓN CIRCUITO CARACTERÍSTICAS

El diodo conduce con una caída de tensión

DIRECTA
el ánodo se conecta al positivo de
la batería y el cátodo al negativo.
de 0,6 a 0,7V. El valor de la resistencia
interna seria muy bajo. Se comporta como
un interruptor cerrado

El diodo no conduce y toda la tensión de la

INVERSA pila cae sobre el. Puede existir una corriente
de fuga del orden de µA. El valor de la
el ánodo se conecta al negativo y resistencia interna sería muy alto Se
el cátodo al positivo de la batería comporta como un interruptor abierto.

SIMBOLOGÍA

Diodo rectificador Diodo Schottky Diodo Zener

Diodo varicap Diodo Pin Diodo túnel Diodo Led

Fotodiodo Puente rectificador

CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS

Como todos los componentes electrónicos, los diodos poseen propiedades que les
diferencia de los demás semiconductores. Es necesario conocer estas, pues los libros de
características y las necesidades de diseño así lo requieren. En estos apuntes
aparecerán las más importantes desde el punto de vista practico.
 Valores nominales de tensión:

VF = Tensión directa en los extremos del diodo en conducción.

VR = Tensión inversa en los extremos del diodo en polarización inversa.

VRSM = Tensión inversa de pico no repetitiva.

VRRM = Tensión inversa de pico repetitiva.

VRWM = Tensión inversa de cresta de funcionamiento.

.

Valores nominales de corriente:

IF = Corriente directa.

IR = Corriente inversa.

IFAV = Valor medio de la forma de onda de la corriente durante un periodo.

IFRMS = Corriente eficaz en estado de conducción. Es la máxima corriente eficaz que el

diodo es capaz de soportar.
.
IFSM = Corriente directa de pico (inicial) no repetitiva.

AV= Average(promedio) RMS= Root Mean Square (raíz de la media cuadrática)

Valores nominales de temperatura

Tstg = Indica los valores máximos y mínimos de la temperatura de almacenamiento.

Tj = Valor máximo de la temperatura que soporta la unión de los semiconductores.

Curva característica de un Diodo

DIODOS METAL-SEMICONDUCTOR

Los más antiguos son los de Germanio con punta de tungsteno o de oro. Su aplicación
más importante se encuentra en HF, VHF y UHF. También se utilizan como detectores
en los receptores de modulación de frecuencia. Por el tipo de unión que tiene posee
una capacidad muy baja, así como una resistencia interna en conducción que produce
una tensión máxima de 0,2 a 0,3v. El diodo Schottky son un tipo de diodo cuya
construcción se basa en la unión metal conductor con algunas diferencias respecto del
anterior. Fue desarrollado por la Hewlett-Packard en USA, a principios de la década de
los 70. La conexión se establece entre un metal y un material semiconductor con gran
concentración de impurezas, de forma que solo existirá un movimiento de electrones,
ya que son los únicos portadores mayoritarios en ambos materiales. Al igual que el de
germanio, y por la misma razón, la tensión de umbral cuando alcanza la conducción es
de 0,2 a 0,3v. Igualmente tienen una respuesta notable a altas frecuencias,
encontrando en este campo sus aplicaciones más frecuentes. Un inconveniente de esto
tipo de diodos se refiere a la poca intensidad que es capaz de soportar entre sus
extremos. El encapsulado de estos diodos es en forma de cilindro , de plástico o de
vidrio. De configuración axial. Sobre el cuerpo se marca el cátodo, mediante un anillo
serigrafiado.

DIODOS RECTIFICADORES

Su construcción está basada en la unión PN siendo su principal aplicación como

rectificadores. Este tipo de diodos (normalmente de silicio) soportan elevadas
temperaturas (hasta 200ºC en la unión), siendo su resistencia muy baja y la corriente
en tensión inversa muy pequeña. Gracias a esto se pueden construir diodos de
pequeñas dimensiones para potencias relativamente grandes, desbancando así a los
diodos termoiónicos desde hace tiempo. Sus aplicaciones van desde elemento
indispensable en fuentes de alimentación como en televisión, aparatos de rayos X y
microscopios electrónicos, donde deben rectificar tensiones altísimas. En fuentes de
alimentación se utilizan los diodos formando configuración en puente (con cuatro
diodos en sistemas monofásicos), o utilizando los puentes integrados que a tal efecto se
fabrican y que simplifican en gran medida el proceso de diseño de una placa de circuito
impreso. Los distintos encapsulados de estos diodos dependen del nivel de potencia
que tengan que disipar. Hasta 1w se emplean encapsulados de plástico. Por encima de
este valor el encapsulado es metálico y en potencias más elevadas es necesario que el
encapsulado tenga previsto una rosca para fijar este a un radiador y así ayudar al diodo
a disipar el calor producido por esas altas corrientes. Igual le pasa a los puentes de
diodos integrados.

DIODO RECTIFICADOR COMO ELEMENTO DE PROTECCIÓN

La desactivación de un relé provoca una corriente de descarga de la bobina en sentido

inverso que pone en peligro el elemento electrónico utilizado para su activación. Un
diodo polarizado inversamente cortocircuita dicha corriente y elimina el problema. El
inconveniente que presenta es que la descarga de la bobina es más lenta, así que la
frecuencia a la que puede ser activado el relé es más baja. Se le llama comúnmente
diodo volante.

DIODO RECTIFICADOR COMO ELEMENTO DE PROTECCIÓN DE UN DIODO LED

EN ALTERNA.

El diodo Led cuando se polariza en c.a. directamente conduce y la tensión cae sobre la
resistencia limitadora, sin embargo, cuando se polariza inversamente, toda la tensión
se encuentra en los extremos del diodo, lo que puede destruirlo.

DIODOS ZENER.

Se emplean para producir entre sus extremos una tensión constante e independiente
de la corriente que las atraviesa según sus especificaciones. Para conseguir esto se
aprovecha la propiedad que tiene la unión PN cuando se polariza inversamente al
llegar a la tensión de ruptura (tensión de Zener), pues, la intensidad inversa del diodo
sufre un aumento brusco. Para evitar la destrucción del diodo por la avalancha
producida por el aumento de la intensidad se le pone en serie una resistencia que
limita dicha corriente. Se producen desde 3,3v y con una potencia mínima de 250mW.
 Los encapsulados pueden ser de plástico o metálico según la potencia que tenga que
disipar.

Curva característica de un diodo Zener

DIODOS LED ( Light Emitting Diode)
Es un diodo que presenta un comportamiento parecido al de un diodo rectificador sin
embargo, su tensión de umbral, se encuentra entre 1,3 y 4v dependiendo del color del
diodo.

Color Tensión en directo

Infrarrojo 1,3v

Rojo 1,7v

Naranja 2,0v

Amarillo 2,5v

Verde 2,5v

Azul 4,0v

El conocimiento de esta tensión es fundamental para el diseño del circuito en el que

sea necesaria su presencia, pues, normalmente se le coloca en serie una resistencia que
limita la intensidad que circulará por el. Cuando se polariza directamente se comporta
como una lamparita que emite una luz cuyo color depende de los materiales con los
que se fabrica. Cuando se polariza inversamente no se enciende y además no deja
circular la corriente. La intensidad mínima para que un diodo Led emita luz visible es
de 4mA y, por precaución como máximo debe aplicarse 50mA. Para identificar los
terminales del diodo Led observaremos como el cátodo será el terminal más corto,
siendo el más largo el ánodo. Además en el encapsulado, normalmente de plástico, se
observa un chaflán en el lado en el que se encuentra el cátodo. Se utilizan como señal
visual y en el caso de los infrarrojos en los mandos a distancia. Se fabrican algunos
LEDs especiales:

 Led bicolor.- Están formados por dos diodos conectados en paralelo e inverso.
Se suele utilizar en la detección de polaridad.
  Led tricolor.- Formado por dos diodos Led (verde y rojo) montado con el cátodo
común. El terminal más corto es el ánodo rojo, el del centro, es el cátodo común
y el tercero es el ánodo verde.
 Display.- Es una combinación de diodos Led que permiten visualizar letras y
números. Se denominan comúnmente displays de 7 segmentos. Se fabrican en
dos configuraciones: ánodo común y cátodo común.

Estructura de un Led bicolor Estructura de un Led tricolor Display

Display de cátodo común Display de ánodo común Disposición de los pines en un display

FOTODIODO

Son dispositivos semiconductores construidos con una unión PN, sensible a la

incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se
polarizarán inversamente, con lo que producirán una cierta circulación de corriente
cuando sean excitados por la luz. Debido a su construcción se comportan como células
fotovoltaicas, es decir, en ausencia de tensión exterior, generan una tensión muy
pequeña con el positivo en el ánodo y el negativo en el cátodo. Tienen una velocidad de
respuesta a los cambios bruscos de luminosidad mayores a las células fotoeléctricas.
Actualmente, y en muchos circuitos estás últimas se están sustituyendo por ellos,
debido a la ventaja anteriormente citada.

DIODO DE CAPACIDAD VARIABLE (VARICAP)

Son diodos que basan su funcionamiento en el principio que hace que la anchura de la
barrera de potencial en una unión PN varia en función de la tensión inversa aplicada
entre sus extremos. Al aumentar dicha tensión, aumenta la anchura de esa barrera,
disminuyendo así la capacidad del diodo. De este modo se obtiene un condensador
variable controlado por tensión. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a
500pF. La tensión inversa mínima tiene que ser de 1v. La aplicación de estos diodos se
encuentra en la sintonía de TV, modulación de frecuencia en transmisiones de FM y
radio, sobre todo.

APLICACIONES TÍPICAS DE LOS DIODOS RECTIFICADORES

PRACTICA No 2
OBJETIVOS.- El alumno deberá:

 Obtener la señal en la salida y compararla con la señal en la entrada, así como, la función de
transferencia de los circuitos rectificadores de media y de onda completa.

 Obtener la señal de salida y compararla con la señal de entrada, así como, la función de transferencia
para circuitos recortadores de nivel.

 Obtener la señal de salida y compararla con la señal de entrada, así como, la función de transferencia
para circuitos sujetadores de nivel.

 Comprobar el funcionamiento y la tabla de verdad de las compuertas lógicas “OR” y “AND”.

 Contestar y entregar el cuestionario, hacer conclusiones y reportar los datos, graficas y mediciones
llevadas a cabo durante la realización de esta práctica.

MATERIAL REQUERIDO
11 Diodos de silicio 1N4004 o equivalentes.
2 Diodo led rojos.
5 Resistores de 1 K !, a 0.5 W.
2 Resistores de 22 K !, a 0.5 W.
2 Resistores de 470 ! a 0.5 W.
2 Condensadores de 1 f a 25 V.
Pinzas de punta, Pinzas de corte y Desarmador.
Cables: 6 caimán - caimán, 6 caimán - banana, 8 banana - banana, mínimo de 50cm de
longitud.
Tablilla de conexiones (protoboard).
4 cables coaxiales que tengan en un extremo terminación BNC y en el otro caimanes.
INTRODUCCIÓN TEÓRICA.
DIODOS RECTIFICADORES
La familia de diodos rectificadores está concebida especialmente para esta aplicación aunque
los de baja potencia también pueden ser empleados como diodos de señal o conmutación en
circuitos de CD o baja frecuencia y en aquellos de tipo digital que no requieran velocidad muy
elevada.
El encapsulado de estos diodos depende de la potencia que se requiera disipar, para los de
baja y media potencia se emplea el plástico hasta un límite de alrededor de 5W. Por encima
de este valor se hace necesario un encapsulado metálico y en potencias más altas deberá
estar la cápsula preparada para que pueda ser instalado el diodo sobre un radiador de calor,
por medio de un sistema de sujeción a tornillo.
Cualquier sistema rectificador de corrientes, tanto monofásicas como trifásicas o polifásicas,
se realiza empleando varios diodos según una forma de conexión denominada Puente; No
obstante, también se utiliza otro sistema con dos diodos, como alternativa del puente, en
algunos circuitos de alimentación monofásicos.
Debido al gran consumo a nivel mundial de diodos que más tarde son empleados en
montajes puente, los fabricantes decidieron, realizar ellos mismos esta conexión uniendo en
fábrica los cuatro diodos y cubriéndolos con un encapsulado común.
Esto dio lugar a la aparición de diversos modelos de puentes de diodos con diferentes
intensidades máximas de corriente y, por lo tanto, con disipaciones de potencia más o menos
elevadas, en la misma forma que los diodos simples.
En los tipos de mayor disipación, la cápsula del puente es metálica y está preparada para ser
montada sobre un radiador.
CIRCUITOS RECTIFICADORES
Los circuitos rectificadores son circuitos recortadores, pero debido a su importancia, se les
denomina así.
Estos circuitos tienen por objetivo lograr un nivel promedio de la señal de salida diferente de
cero, esta salida a su vez al ser pasada por un filtro se convierte en una señal muy similar a
una variable continua que si por último es regulada, se tendrá efectivamente una señal de CD.
Los circuitos rectificadores pueden ser positivos o negativos, de acuerdo a la porción de la
señal que aparezca a la salida.
CIRCUITOS RECTIFICADORES DE MEDIA ONDA
Estos circuitos tienen la particularidad de poder rectificar solo uno de los dos ciclos de una
onda senoidal, independientemente de que se trate de la parte positiva o negativa. En algunos
casos este tipo de configuración puede ser de gran utilidad, aunque no así para cuando el
propósito es rectificar y filtrar una señal seno para transformarla en una señal de CD, puesto
que tendremos una señal de frecuencia con una perte rectificada y otra no, provocando que la
cantidad de voltaje que se almacena en nuestro capacitor sea poca y decaiga con facilidad.
CIRCUITO RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA
Este tipo de circuito permite aprovechar al máximo la señal senoidal de entrada, puesto que
presenta en la carga un nivel de tensión de igual polaridad para ambos semiciclos, esto es,
salen dos semiciclos positivos o dos semiciclos negativos, lo cual se traduce en un nivel
promedio de la señal de valor mayor que el circuito rectificador de media onda.
Existen dos tipos de rectificadores de onda completa. Si la salida se toma a través del
secundario del transformador, entonces pueden ser :
Rectificador de onda completa con transformador con tap central.
Rectificador de onda completa tipo puente.
Analicemos cada uno de estos, pero antes determinemos los componentes que pueden
encontrarse en una configuración rectificada normal de baja potencia de salida.
La acometida eléctrica por reglamentación domiciliaria debe poseer tres terminales,
denominados fase, neutro y tierra.
La fase, llamado también vivo, es la parte energizada del servicio, el neutro es el camino de
retorno del circuito, y la tierra es el elemento de protección del circuito ante cargas
electrostáticas.
El fusible es un elemento de protección de sobrecorriente, el cual debe ser dimensionado para
operar en caso de cortocircuito o falla sostenida.
El transformador es un elemento de conversión de energía electromagnética estática, permite
realizar elevaciones o reducciones de voltaje, se denomina a V1 el voltaje primario y a V2 el
voltaje secundario, bajo condiciones ideales, llamamos a n1 el número de vueltas del
arrollamiento primario y a n2 el número de vueltas del arrollamiento secundario.
Se denominan a las anteriores relaciones de transformador, ideal, puesto que asumen que no
hay pérdidas de energía por procesos de caídas de tensión por los arrollamientos y se
desprecian efectos adicionales como corrientes en el núcleo magnético inducidas.
DESARROLLO EXPERIMENTAL
2.1.- Obtener la señal en la salida y compararla con la señal en la entrada, así como, la
función de transferencia de los circuitos rectificadores de media onda y de onda
completa.

 Armar los circuitos rectificadores de media onda y onda completa mostrados en la figura 2.1 Usando
el osciloscopio con base de tiempo interna, colocar el canal X y el canal Y como se indica, obtener,
medir y reportar las señales de entrada y salida en la figura 2.2 para ambos rectificadores, después de
observar las señales de entrada y salida con la base de tiempo interna, cambiar al modo XY para obtener
la función de transferencia en cada caso y reportarlas en la figura 2.3. Usar el transformador primero
para rectificar la señal de media onda y después cambiarlo para obtener la señal rectificada de onda
completa.

Figura 2.1 Circuitos rectificadores

a) Media onda b) Onda completa
Figura 2.2 Señales de entrada y salida para los rectificadores de media onda y onda
completa.

Señal de entrada a) Señal de salida para el rectificador

de media onda

Señal de entrada b) Señal de salida para el rectificador

de onda completa
Figura 2.3 Gráfica resultante Ve-Vs (Función de transferencia) para el rectificador de
media onda y onda completa

a) Media onda b) Onda completa

2.2.- Obtener la señal en la salida y compararla con la señal en la entrada, así como, la
función de transferencia para los circuitos recortadores de nivel.
2.2.1 Armar los circuitos recortadores de nivel mostrados en la figura 2.4. Usando el
osciloscopio con base de tiempo interna, colocar el canal X y el canal Y como se indica,
obtener, medir y reportar las señales de entrada y salida de los circuitos recortadores en la
figura 2.5, después de observar las señales de entrada y salida con la base de tiempo interna,
cambiar al modo XY para obtener la función de transferencia en cada caso y reportarlas en las
figuras 2.6
Figura 2.4 Circuitos recortadores de nivel
a) Recortador simple b) Recortador polarizado
Figura 2.5 Señales de entrada y salida de los circuitos recortadores de nivel.

Señal de entrada a) Salida del recortador simple

Señal de entrada b) Salida del recortador polarizado
Figura 2.6 Gráfica resultante Ve-Vs (Función de transferencia) para los circuitos
recortadores de nivel

a) Recortador simple b) Recortador polarizado

2.3.- Obtener la señal en la salida y compararla con la señal en la entrada, así como la función
de transferencia para circuitos sujetadores de nivel

 Armar los circuitos sujetadores de nivel mostrados en la figura 2.7. Usando el osciloscopio con base
de tiempo interna, obtener, medir y reportar las señales de entrada y salida en la figura 2.8, después de
observar las señales de entrada y salida con la base de tiempo interna, cambiar al modo XY para obtener
la función de transferencia en cada caso y reportarlas en la figura 2.9

Figura 2.7 Circuitos sujetadores de nivel.

a) Sujetador a cero b) Sujetador a nivel “E” negativo
Figura 2.8 Señales de entrada y salida de los circuitos sujetadores de nivel
(Señal roja de entrada. Señal azul de salida)

a) Sujetador a cero b) Sujetador a nivel “E” negativo

Figura 2.9 Gráfica resultante Ve-Vs (Función de transferencia) de los circuitos
sujetadores de nivel

a) Sujetador a cero b) Sujetador a nivel “E”

negativo
2.4.- Comprobar el funcionamiento y la tabla de verdad de las compuertas lógicas “OR” y
“AND”.
Armar las compuertas mostradas en la figura 2.10 y comprobar las tablas de verdad en cada
caso.
Figura 2.9.1 Compuertas lógicas “OR” y “AND”

Compuerta “OR” Compuerta “AND”

TABLA DE VERDAD DE LA COMPUERTA OR

A B DIODO LED
 Nivel cero (tierra) Nivel cero (tierra) Apagado

Nivel cero (tierra) Nivel alto (Vcc =10V) Encendido

Nivel alto (Vcc = 0V) Nivel cero (tierra) Encendido

Nivel alto (Vcc =10V) Nivel alto (Vcc =10V) Encendido

TABLA DE VERDAD DE LA COMPUERTA AND

A B DIODO LED

Nivel cero (tierra) Nivel cero (tierra) Apagado

Nivel cero (tierra) Nivel alto (Vcc =10V) Apagado

Nivel alto (Vcc =10V) Nivel cero (tierra) Apagado

Nivel alto (Vcc =10V) Nivel alto (Vcc =10V) Encendido

2.5.- Contestar y entregar el cuestionario, hacer conclusiones y reportar los datos, graficas y
mediciones llevadas a cabo durante la realización de esta practica.

 Para el circuito de la figura 2.1-a (rectificador de media onda), que voltaje pico se obtuvo en la RL.
Diga cuál es el periodo de la señal de salida.

Vp =11.5 V
T = 1/F = 1/60 = 0.01666 s

 Invierta el diodo del circuito anterior y dibuje de la forma de onda a la salida.

Señal de salida para el rectificador

de media onda, con el diodo invertido

 Para la rectificación de onda completa (figura 2.1-b), que voltaje pico se obtuvo en la carga. Diga cual
es el periodo de la señal a la salida.
Vp = 11.5 V
T = 1/F = 1/120 = 0.00833 s

 Dibuje el circuito rectificador de onda completa con un puente de diodos

 En el circuito rectificador de onda completa con un puente de diodos, numere los diodos y diga cuales
conducen para el ciclo negativo y cuales para el ciclo positivo.

Para el primer ciclo (negativo) conducen los diodos D2 y D4, y para el segundo ciclo (positivo),
conducen D1 y D3. Este criterio es tomado en base a el sentido de circulación de la corriente
convencional, esto es de + a -.

 Usando el mismo transformador que se uso en el circuito 2.1 y un puente de diodos para lograr la
rectificación de onda completa, ¿cual seria el voltaje pico de la señal en la carga y cual su periodo?
V en la carga = 11.5 V
Periodo = 0.00833 s

 Invierta el diodo en el circuito recortador simple de la figura 2.4 y diga ¿Cuál es la forma de onda a la
salida y como es la función de transferencia?

forma de onda en la resistencia Función de transferencia

 Para el circuito recortador polarizado de la figura 2.4, invierta la polaridad de la fuente y diga cómo es
la función de transferencia y dibuje la señal de salida en función de la señal de entrada

Señal de entrada Señal de salida

Función de transferencia

 Indique que sucede con el diodo del circuito recortador polarizado, de la figura 2.4, si el voltaje pico
de la señal de entrada, es menor a 1.6V, explique.

Como la caída de voltaje en un diodo de silicio es de aproximadamente .7 V, entonces si le

aplicamos un voltaje de fuente de 1.5 V, en la lectura del canal 2 (Y) tendremos -1.3 V para el
ciclo positivo y el diodo si conduce; para el segundo ciclo o ciclo negativo tendremos un voltaje
de 0 V porque el diodo no conducirá ya que no se ha rebasado sobre él el voltaje de umbral de
.7 V.

 En los circuitos sujetadores de nivel ¿Cómo debe ser la RC en comparación con el periodo de la señal
de entrada?

En los circuitos realizados en ésta práctica se utiliza una RC mayor al periodo de la señal, esto
es:
T = 1/F = 1/1000 = 0.001 s < RC = 22000 * 0.000001 = 0.022 s
En resumen, será necesario tener una constante de tiempo mayor a el periodo de nuestra
señal, para evitar que el capacitor se descargue y no tengamos señal en la salida.

 Dibuje la forma de onda de la señal de salida (canal 2), en el sujetador a cero, si el valor de la R se
hace de 10 .

Señal de entrada Señal de salida

 Invierta la fuente de 2 V, en el sujetador a nivel E negativo y dibuje la forma de onda de la señal a la

salida.

Señal de entrada Señal de salida

 Dibuje el circuito de un doblador de voltaje

 Dibuje el circuito de un triplicador de voltaje

 Dibuje el circuito de un cuadruplicador de voltaje

2.15 Dibuje los circuitos de las compuertas NOR y NAND con diodos rectificadores y sus
respectivas tablas de verdad.

A B Y

0 0 1

0 1 0

1 0 0

1 1 0

Compuerta NOR

A B Y

0 0 1

0 1 1
1 0 1

1 1 0

Compuerta NAND
CONCLUSIONES
Podemos observar que la importancia de los diodos rectificadores es muy grande, pues
permite tanto transformar una señal de corriente alterna en una de corriente directa, como
duplicar, triplicar, cuadriplicar, etc. voltajes y poder sujetar señales a un cierto valor de CD
requerido.
También es conveniente resaltar la importancia del conocimiento de la funciones de
transferencia para este tipo de dispositivos, pues permite reafirmar el conocimiento del
comportamiento del voltaje con respecto del tiempo en éstos componentes.
13
1. Estructura Atómica
Como sabemos existen materiales capaces de conducir la corriente eléctrica mejor que otros. Generalizando,
se dice que los materiales que presentan poca resistencia al paso de la corriente eléctrica son conductores.
Analógicamente, los que ofrecen mucha resistencia al paso de esta, son llamados aislantes. No existe el
aislante perfecto y prácticamente tampoco el conductor perfecto.
Existe un tercer grupo de materiales denominados semiconductores que, como su nombre lo indica, conducen
la corriente bajo ciertas condiciones.
Lo que diferencia a cada grupo es su estructura atómica. Los conductores son, generalmente, metales esto se
debe a que dichos poseen pocos átomos en sus últimas órbitas y, por lo tanto, tienen tendencia a perderlos
con facilidad. De esta forma, cuando varios átomos de un metal, se acercan los electrones de su última órbita
se desprenden y circulan desordenadamente entre una verdadera red de átomos. Este hecho (libertad de los
electrones) favorece en gran medida el paso de la corriente eléctrica.
Los aislantes, en cambio, están formados por átomos con muchos electrones en sus últimas órbitas (cinco a
ocho), por lo que, no tienen tendencia a perderlos fácilmente y a no establecer una corriente de electrones. De
ahí su alta resistencia.
También existe otro tercer tipo de materiales, que cambia en mayor o menor medida la característica de los
anteriores, los semiconductores. Su característica principal es la de conducir la corriente sólo bajo
determinadas circunstancias, y evitar el paso de ella en otras.
Es, precisamente, en este tipo de materiales en los que la electrónica de estado sólida está basada. La
estructura atómica de dichos materiales presenta una característica común: está formada por átomos
tetravalentes (es decir, con cuatro electrones en su última órbita), por lo que les es fácil ganar cuatro o perder
cuatro.
Semiconductores
Un semiconductor es un componente que no es directamente un conductor de corriente, pero tampoco es un
aislante. En un conductor la corriente es debida al movimiento de las cargas negativas (electrones). En los
semiconductores se producen corrientes producidas por el movimiento de electrones como de las cargas
positivas (huecos). Los semiconductores son aquellos elementos perteneciente al grupo IV de la Tabla
Periódica (Silicio, Germanio, etc. Generalmente a estos se le introducen átomos de otros elementos,
denominados impurezas, de forma que la corriente se deba primordialmente a los electrones o a los huecos,
dependiendo de la impureza introducida. Otra característica que los diferencia se refiere a su resistividad,
estando ésta comprendida entre la de los metales y la de los aislantes.
Disposición esquemática de los átomos de un semiconductor de silicio puro, No existen electrones ni huecos
libres
La disposición esquemática de los átomos para un semiconductor de silicio podemos observarla en la figura
de arriba, Las regiones sombreadas representan la carga positiva neta de los núcleos y los puntos negros son
los electrones, menos unidos a los mismos.
La fuerza que mantiene unidos a los átomos entre sí es el resultado del hecho de que los electrones de
conducción de cada uno de ellos, son compartidos por los cuatro átomos vecinos.
A temperaturas bajas la estructura normal es la que se muestra en la figura de arriba en la cual no se observa
ningún electrón ni hueco libre y por tanto el semiconductor se comporta como un aislante.
Estos cuatro electrones se encuentran formando uniones covalentes con otros átomos vecinos para así formal
un cristal, que es la forma que se los encuentra en la naturaleza. Si esta estructura se encuentra a
una temperatura muy baja o en el cero absoluto, el cristal tendrá tan poca energía que no hará posible la
conducción eléctrica. Al aumentar la temperatura (a temperatura ambiente por ejemplo) ciertos electrones
adquieren suficiente energía para romper el enlace del que forman parte y "saltar" al siguiente orbital. Esto
provoca la formación de un espacio vacío, que por carencia de electrones, posee carga positiva, a este
espacio se lo denomina hueco.
El aumento de temperatura rompe algunas uniones entre átomos liberándose un cierto número de electrones.
En cambio, a la temperatura ambiente (20-25 grados C.) algunas de las fuertes uniones entre los átomos se
rompen debido al calentamiento del semiconductor y como consecuencia de ello algunos de los electrones
pasan a ser libres. En la figura siguiente se representa esta situación. La ausencia del electrón que pertenecía
a la unión de dos átomos de silicio se representa por un círculo,
La forma en que los huecos contribuyen a la corriente, se detalla seguidamente Cuando un electrón puede
vencer la fuerza que le mantiene ligado al núcleo y por tanto abandona su posición, aparece un hueco, y le
resulta relativamente fácil al electrón del átomo vecino dejar su lugar para llenar este hueco.
Este electrón que deja su sitio para llenar un hueco, deja a su vez otro hueco en su posición inicial, De esta
manera el hueco contribuye a la corriente lo mismo que el electrón, con una trayectoria de sentido opuesto a
la de éste.
Niveles De Energía
Un cristal está formado por un conjunto de átomos muy próximos entre sí dispuestos espacialmente de forma
ordenada de acuerdo con un determinado patrón geométrico. La gran proximidad entre los átomos del cristal
hace que los electrones de su última capa sufran la interacción de los átomos vecinos.
El nivel energético de cada uno de estos electrones puede estar situado en la "banda de valencia" o en la
"banda de
conducción" del cristal. Un electrón que ocupe un nivel dentro de la banda de valencia está ligado a un átomo
del cristal y no puede moverse libremente por él mientras que si el nivel ocupado pertenece a la banda de
conducción, el electrón puede moverse libremente por todo el cristal, pudiendo
Formar parte de una corriente eléctrica.
Entre la banda de valencia y la de conducción existe una "banda prohibida", cuyos niveles no pueden ser
ocupados por ningún electrón del cristal. Según la magnitud de esta banda, los cristales pueden clasificarse
en aislantes, conductores y semiconductores.
Aislantes.
La magnitud de la banda prohibida es muy grande ( 6 eV ), de forma que todos los electrones del cristal se
encuentran en la banda de valencia incluso a altas temperaturas por lo que, al no existir portadores de carga
libres, la conductividad eléctrica del cristal es nula.
Un ejemplo es el diamante.
Conductores.
No existe banda prohibida, estando solapadas las bandas de valencia y conducción. Esto hace que siempre
haya electrones en la banda de conducción, por lo que su conductividad es muy elevada. Esta conductividad
disminuye lentamente al aumentar la temperatura, por efecto de las vibraciones de los átomos de la red
cristalina.
Un ejemplo son todos los metales.
Semiconductores.
La magnitud de la banda prohibida es pequeña ( 1 eV ), de forma que a bajas temperaturas son aislantes,
pero conforme aumenta la temperatura algunos electrones van alcanzando niveles de energía dentro de la
banda de conducción, aumentando la conductividad. Otra forma de aumentar la conductividad es añadiendo
impurezas que habiliten niveles de energía dentro de la banda prohibida.
El germanio y el silicio son semiconductores.
Aceptadores Y Donadores
Se denomina semiconductor puro aquél en que los átomos que lo constituyen son todos del mismo tipo (por
ejemplo de germanio), es decir no tiene ninguna clase de impureza.
Si a un semiconductor puro como el silicio o el germanio, se le añade una pequeña cantidad de átomos
distintos (por ejemplo arsénico, fósforo, etc). Se transforma en un semiconductor impuro.
A las impurezas se las clasifica en donadoras y aceptadoras.
Si a la estructura del semiconductor de silicio se le añade alguna impureza, como puede ser el arsénico (As),
que tiene cinco electrones externos ligados al núcleo con carga positiva +5, se obtiene la forma que se
muestra en la figura.
Ahora, bien para aumentar la conducción de cualquier semiconductor se recurre a un proceso denominado
"dopado" o "envenenamiento". El objeto del mencionado proceso es el del aumentar la cantidad de portadores
libres en el cristal provocando un aumento en la conductividad del mismo (recordar que la corriente es el flujo
de portadores)
El dopado del cristal es realizado con átomos trivalentes (con tres electrones en su última órbita) o
pentavalentes (con cinco). Esta elección no es resultado de un proceso azaroso sino que uno u otro tipo de
átomo aumentará a su vez la presencia de uno u otro tipo de portador. ¿Cómo es esto?: el silicio, como ya se
ha dicho, tiene cuatro electrones en su última órbita que se combinan a su vez con otros átomos para formar
un cristal. Al introducir un átomo penta o trivalente en dicho cristal, se provocará un aumento o un defecto de
electrones que hará aumentar la cantidad portadores.
Si se introduce un átomo pentavalente (P, Sb, As) en un cristal puro, cuatro de sus electrones se unirán a
cuatro electrones de los átomos de silicio vecinos, pero el quinto queda libre, sin formar parte de ninguna
unión, por lo que está débilmente ligado al átomo: Este electrón libre, requerirá muy poca energía para
"saltar" a la banda de conducción. La energía térmica del ambiente basta para provocar este salto. De esta
forma al agregar átomos pentavalentes agregamos electrones en la banda de conducción, es decir,
agregamos portadores.
Cabe mencionar que los mencionados átomos pentavalentes se ubican en un nivel de energía mucho más
cercano a la banda de conducción que la banda de valencia, denominado "nivel donador" este nivel se ubica a
una distancia, energéticamente hablando, de 0,05 electron-volt, mientras que la distancia entre las bandas de
un semiconductor es de 0,7 eV.
De la misma forma, podemos dopar al cristal con átomos trivalentes (como el boro, el Alumnio, el Galio, etc),
esto provocará un exceso de electrones en el cristal, ya tres de los cuatro electrones de la última órbita del
Silicio se combinan con los tres electrones del anterior átomo. Esto trae como consecuencia la generación de
un espacio sin electrones, que tendrá carga positiva, es decir, esto generará un hueco.
De esta forma podemos controlar de manera casi definida, a través del dopado, la cantidad de electrones o
huecos que existen en un cristal. A este tipo de cristal se le denomina extrínseco, ya que fue modificado por
elementos exteriores
Semiconductores Tipo P Y Tipo N
Cuatro de los cinco electrones del átomo de arsénico se unirán a los correspondientes electrones de los
cuatro átomos de silicio vecinos, y el quinto quedará inicialmente libre, sin una posible unión, y por tanto se
convertirá en un portador de corriente. A este tipo de impurezas que entregan electrones portadores
(negativos) se los denomina donadores o del tipo «n».
En un semiconductor con impurezas del tipo n, no sólo aumenta el número de electrones sino que también la
cantidad de huecos disminuye por debajo del que tenía el semiconductor puro.
La causa de esta disminución se debe a que una parte de los electrones libres llena algunos de los huecos
existentes.
Si al semiconductor puro de silicio se le añade algún tipo de impureza que tenga tres electrones externos, solo
podrá formar tres uniones completas con los átomos de silicio, y la unión incompleta dará lugar a un hueco.
Este tipo de impurezas proporcionan entonces portadores positivos, ya que crean huecos que pueden aceptar
electrones; por consiguiente son conocidos con el nombre de aceptores, o impurezas del tipo «p». Al contrario
de lo que sucedía antes en el tipo n en un semiconductor con impurezas de tipo p los portadores que
disminuyen son los electrones en comparación, con los que tenía el semiconductor puro.
A los semiconductores que contengan ya sea impurezas donadoras o aceptad se les llama respectivamente
de tipo n o p. En un semiconductor del tipo n, los electrones se denominan portadores mayoritarios y los
huecos portadores minontarios.
En un material de tipo p, los huecos son portadores mayoritarios, y los electrones portadores minoritarios.
Veamos ahora, qué ocurre si a un cristal extrínseco le conectamos una fuente externa de tensión. Al existir
mayor cantidad de portadores (no importa de qué tipo), circulará por el cristal una corriente mucho mayor que
en el no dopado. El valor de esta corriente dependerá de que tan contaminado esté el material.
Si el cristal es de tipo 'n' la corriente se deberá casi en su totalidad a los electrones en la banda de
conducción, aunque siempre existe una pequeña corriente producida por los huecos generados térmicamente.
Análogamente, si el cristal es del tipo 'p' la corriente estará regida por huecos mayormente, existiendo, sin
embargo, una pequeña corriente de electrones.
Polarización Directa E Inversa De La Unión P-N
El diodo de unión P-N es el dispositivo semiconductor más elemental. Consiste en el dopado de una barra de
cristal semiconductor en una parte con impurezas donadoras (tipo N) y en la otra con impurezas aceptadoras
(tipo P)De esta forma, en la parte P existe mucha mayor concentración de huecos que de electrones libres y
en la parte N ocurre lo contrario.
La conductividad del diodo es diferente según sea el sentido en que se aplique un campo eléctrico externo.
Existen dos posibilidades de aplicación de este campo: polarización inversa y polarización directa.
Polarización inversa. Consiste en aplicar a la parte N del diodo una tensión más positiva que a la parte P. De
esta forma, el campo eléctrico estará dirigido de la parte N a la parte P y los huecos tenderán a circular en ese
sentido
Mientras que los electrones tenderán a circular en sentido contrario. Esto significa que circularían huecos de la
parte N (donde son muy minoritarios) a la parte P (donde son mayoritarios), por lo que esta corriente se ve
contrarrestada por una corriente de difusión que tiende a llevar a los huecos de donde son mayoritarios (parte
P) hacia donde son minoritarios (Parte N). Por consiguiente, la corriente global de huecos es prácticamente
nula. Algo totalmente análogo ocurre con la corriente de electrones, la corriente de arrastre va en sentido
contrario a la de difusión, contrarrestándose ambas y produciendo una corriente total Prácticamente nula.
La corriente total es la suma de la de huecos más la de electrones y se denominan Corriente inversa de
saturación ( Is ). En la práctica, el valor de esta corriente es muy pequeño (del orden de nA en el Silicio) y
depende de la temperatura de forma que aumenta al aumentar Ésta.
Polarización directa.
Consiste en aplicar a la parte P del diodo una tensión más positiva que a la parte N. De esta forma, el campo
eléctrico estará dirigido de la parte P a la parte N. Esto significa que circularían huecos de la parte P (donde
son mayoritarios) a la parte N (donde son minoritarios) por lo que esta corriente tiene el mismo sentido que la
corriente de difusión. De esta forma, la corriente total de huecos es muy alta. Un proceso análogo ocurre para
la corriente de electrones. La corriente total es la suma de la de huecos y la de electrones y toma un valor
elevado a partir de un determinado valor de tensión (tensión umbral, V) que depende del tipo de
semiconductor (en el Silicio es aproximadamente de 0,7 V y en el Germanio de 0,2 V).
Puede considerarse que el diodo es el dispositivo binario más elemental, ya que permite el paso de corriente
en un sentido y lo rechaza en sentido contrario.
2. Rectificadores
Diodo De Unión Y Diodo Zener (Símbolo, Comportamiento Y Curva Característica)
El diodo semiconductor está constituido fundamentalmente por una unión P-N, añadiéndole un terminal de
conexión a cada uno de los contactos metálicos de sus extremos y una cápsula que aloja todo el conjunto,
dejando al exterior los terminales que corresponden al ánodo (zona P) y al cátodo (Zona N)
El diodo deja circular corriente a través suyo cuando se conecta el polo positivo de la batería al ánodo, y el
negativo al cátodo, y se opone al paso de la misma si se realiza la conexión opuesta.
Esta interesante propiedad puede utilizarse para realizar la conversión de corriente alterna en continua, a
este procedimiento se le denomina rectificación.
En efecto. si se aplica a este diodo una tensión alterna, únicamente se producirá circulación de corriente en
las ocasiones en que el ánodo sea más positivo que el cátodo, es decir, en las alternancias positivas,
quedando bloqueado en las ascendencias negativas, lo que impide el paso de la corriente por ser en estas
ocasiones el ánodo más negativo que el cátodo.
La corriente resultante será «pulsante», ya que sólo circulará en determinados momentos, pero mediante los
dispositivos y circuitos adecuados situados a continuación puede ser convertida en una corriente continua
constante, que es el que se emplea actualmente casi en exclusiva; presenta sobre el de vacío algunas
ventajas fundamentales:
- Es de tamaño mucho más reducido, lo que contribuye a la miniaturización de los circuitos. - La cantidad
de calor generado durante el funcionamiento es menor, ya que no necesita ningún calentamiento de filamento.
- Funciona con tensiones mucho más bajas, lo que posibilita su empleo en circuitos alimentados a pilas o
baterías.
Pueden ser utilizados en equipos que manejen grandes corrientes, aplicación que con diodos de vacío
resultaba prohibitiva en ocasiones por el gran tamaño de éstos. Existen diodos semiconductores de muy
pequeño tamaño para aplicaciones que no requieran conducciones de corrientes altas, tales como la
desmodulación en receptores de radio. Estos suelen estar encapsulados. en una caja cilíndrica de vidrio con
los terminales en los extremos, aunque también se utiliza para ellos el encapsulado con plástico.
Diodos zener
Los diodos estabilizadores de tensión se emplean, como su nombre indica, para producir una tensión entre
sus extremos constante y relativamente independiente de la corriente que los atraviesa.
Aprovechan, para su funcionamiento, una propiedad muy interesante que presenta la unión semiconductora
cuando se polariza inversamente por encima de un determinado nivel.
Normalmente un diodo que recibe una polarización inversa no permite el paso de la corriente o lo hace
dejando pasar una intensidad debilísima. Sin embargo, al alcanzar una determinada tensión, denominada
tensión zener se produce un aumento de la cantidad de corriente, de forma tal que esta diferencia de potencial
entre sus extremos se mantiene prácticamente constante, aunque se intente aumentar o disminuir a base de
variar la intensidad que lo atraviesa.
Existe una amplia gama de tipos clasificados por una serie de tensiones zener normalizadas y por
la potencia que son capaces de disipar, desde 250 mili vatios hasta decenas de vatios, con encapsulado
plástico o metálico.
Los parámetros que caracterizan a un diodo zener son:
- Tensión zener (Vz).
- Corriente mínima para alcanzar la Vz (Iz).
- Potencia máxima (P/tot).
Rectificador de media onda.
Todo circuito requiere para su funcionamiento de una FUENTE DE ALIMENTACIÓN eléctrica, este dispositivo
se compone a base de varias etapas que se ilustran en la siguiente figura.
En este tema analizaremos la segunda etapa que compone nuestra fuente de alimentación, iniciando don los
rectificadores de media onda.
Un circuito rectificador de forma sencilla se muestra en la figura . Donde la carga del rectificador es una
resistencia donde el secundario del transformador tiene un rectificador que alimenta a la resistencia que actúa
como carga.
El voltaje del secundario del transformador es una señal senoidal de amplitud Vmax, entonces la señal
en función del tiempo será E(t)= Vmax sen (t).
Si observamos la forma de onda de la corriente vemos que es periódica, Se puede observar que las
amplitudes de las armónicas se dan en forma decreciente de manera tal que podemos decir que sólo la
primera armónica tiene un peso considerable, tomando una aproximación de la corriente con dos
componentes.
Ahora bien, si colocamos el mismo circuito de la siguiente manera se aumenta la corriente, para que soporte
la corriente, (la corriente se divide, por el doble diodo).
Podemos así calcular los voltajes de salida de este por las siguientes formulas:
a. Vdc = (0.45) (voltajes eficaces del secundario)
b. Vdc = (0.318) (voltaje pico rectificado)

Este tipo de rectificador, tiene la particularidad de que el valor de la FRECUENCIA de salida, es igual al de la
señal de entrada.
El factor de rizo, es igual a 1.21 y el porcentaje es de 121%, es demasiado elevado por lo que tiene que
 emplearse eficaces circuitos de filtro (tercera etapa de la fuente).
Si colocamos un capacitor en paralelo con la resistencia tendremos un filtrado rudimentario de la tensión
suministrada a la carga. Si consideramos régimen permanente podemos analizar como se establece en el
tiempo la tensión sobre la carga y corriente sobre la resistencia y el capacitor para lo cual analicemos las
formas de onda de los mismos.
La tensión que entrega el generador de funciones es senoidal que en primera instancia irá cargando al
capacitor hasta el máximo nivel, luego la tensión en el generador empieza a decrecer pero el capacitor sigue
aumentando el nivel de tensión porque la corriente lo sigue alimentando, cuando la tensión en el capacitor es
superior en 0,7 Volt decimos que el diodo se polariza en inversa, porque se invierten las polaridades el cátodo
se hace positivo respecto del ánodo, interrumpiéndose la corriente sobre el diodo, que se dará en el instante
t1, luego el capacitor se comportará como fuente de tensión descargándose exponencialmente sobre la
resistencia, hasta que la tensión sobre el diodo vuelva a ser positivo el ánodo respecto del cátodo.
Rectificador de onda completa.
Tenemos dos tipos de configuraciones distintas que pueden ser Tipo puente o transformador con punto medio
(TAP central) tal como se observan en la figura siguiente:
Veremos el funcionamiento del circuito rectificador de onda completa con transformador con PUNTO MEDIO.
Como se puede apreciar en la figura, se puede considerar a este circuito como dos rectificadores de media
onda, donde la alimentación a la carga esta en contratase es decir que las tensiones sobre el secundario del
transformador están desfasadas 180 ° entre si, es decir durante el semiciclo positivo de VAC, se enciende el
diodo D1, donde la corriente se cerrará a través de la carga y en semiciclo negativo se pone en inversa D1
pero se pone en directa D2 manteniendo la corriente sobre la carga, tal como lo podemos ver en la figura Otro
detalle interesante es estudiar cual es la tensión que debe soportar los diodos cuando no están conduciendo,
por ejemplo cuando conduce D1 se puede ver que la tensión del punto A menos 0,7 Volt aparece sobre el
cátodo del diodo D2, debiendo soportar el máximo de la tensión VAB-0.7 en inversa.
Otra desventaja que presenta este tipo de rectificación es que por el secundario del transformador circula
corriente en un solo sentido y durante un semiciclo que deriva en la generación de corriente continua que
puede llevar a la saturación del núcleo pudiendo deformar la onda de tensión.
Podemos calcular el voltaje directo con las siguientes formulas:
VCD = (0.9) (1/2 DEL VOLTAJE EFICAZ SECUNDARIO)
VCD = (0.636) (VOLTAJE PICO RECTIFICADO)
El factor de rizo es 0.482 es decir, 48.2% en este tipo de dispositivo, la frecuencia del rizo de salida es el
doble de la señal de entrada.
Analicemos ahora el rectificador de onda completa tipo PUENTE.
Vemos que cuando la tensión VAB es positiva quedan polarizados en directa los diodos y D2 circulando la
corriente desde D1 pasando por la resistencia de carga y cerrándose por D2, en el próximo semiciclo se
cortan los diodos D1 y D2 pero se ponen en directa los diodos D3 y D4 estableciéndose una corriente que
sale de D3 pasa por la resistencia y se cierra a través de D4 circulando por la resistencia la corriente en una
sola dirección.
Si se coloca un capacitor en paralelo con la carga tendremos como resultado algo similar al rectificador de
media onda, con la salvedad que ahora la frecuencia de las ondas será el doble y una forma de aproximación
para la determinación del riple es tomando la relación entre el V y el valor Vdc de tensión continua para este
circuito tenemos las siguientes formulas:
Vcd = (0.9) ( V. Eficaz del secundario)
Vcd = (0.636) (voltaje pico rectificado)
El factor de rizo es igual a 0.482 o bien 48.2%
La frecuencia de rizo, es el doble de la entrada.
Porcentaje De Ondulación
Al conocer la magnitud en factor de rizo, que acompaña el valor promedio de tensión directa a la salida del
rectificador o filtro.
"entre menor rizo, mas pura será el valor obtenido de tensión directa"
3. Transistores
Transistor (símbolo, tipos, curva característica y funcionamiento)
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo n y una
capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al primero se le llama transistor npn, en tanto
que al segundo transistor pnp.
Para la polarización las terminales que se muestran en la figura 4.14 las terminales se indican mediante las
literales E para el emisor, C para el colector y B para la base. Se desarrollará una apreciación de la elección
de esta notación cuando se analice la operación básica del transistor. La abreviatura BJT, de transistor bipolar
de unión (del ingles, Bipolar Junction Transistor), suele aplicarse a este dispositivo de tres terminales. El
término bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyección hacia
el material polarizado de forma opuesta. Si sólo se utiliza un portador (electrón o hueco), entonces se
considera un dispositivo unipolar.
Características de los Transistores:
 El consumo de energía es relativamente baja.
 El tamaño de los transistores es relativamente mas pequeña que los tubos de vacío.
 El peso.
 Una vida larga útil (muchas horas de servicio).
 Puede permanecer mucho tiempo en deposito (almacenamiento).
 No necesita tiempo de calentamiento.
 Resistencia mecánica elevada.
 Los transistores pueden reproducir el fenómeno de la fotosensibilidad (fenómenos sensibles a la luz).
Se describirá la operación básica del transistor utilizando el transistor pnp de la figura 4.14a. la operación del
transistor npn es exactamente la misma que si intercambiaran la funciones que cumplen el electrón y el
hueco. En la figura 4.15 se dibujo de nuevo el transistor pnp sin la polarización base - colector. El espesor de
la región de agotamiento se redujo debido a al polarización aplicada, lo que da por resultado un flujo muy
considerable de portadores mayoritarios desde el material tipo p hacia el tipo n.
Ahora se eliminará la polarización base - colector del transistor pnp de la figura 4.14a, según se muestra en la
figura 4.16. En resumen:
Una unión p-n de un transistor tiene polarización inversa, mientras que la otra tiene polarización inversa
ambos potenciales de polarización se aplicaron a un transistor pnp, con el flujo resultante indicado de
portadores mayoritarios y minoritarios. Los espesores de las regiones de agotamiento, que indican con
claridad cuál unión tiene polarización directa y cuál polarización inversa. Habrá una gran difusión de
portadores mayoritarios a través de la unión p-n con polarización directa hacia el material tipo n. Así, la
pregunta sería si acaso estos portadores contribuirán de forma directa a la corriente de base IB o si pasarán
directamente al material tipo p. Debido a que material tipo n del centro es muy delgado y tiene baja
conductividad, un número muy pequeño de estos portadores tomará esta trayectoria de alta resistencia hacia
la terminal de la base.
La magnitud de la corriente de base casi siempre se encuentra en el orden de los microamperes, comparando
con miliamperes para las corrientes del emisor y del colector. La mayor cantidad de estos portadores
mayoritarios se difundirá a través de la unión con polarización inversa, hacia el material tipo p conectado a la
terminal del colector. La razón de esta relativa facilidad con la cual los portadores mayoritarios pueden
atravesar la unión con polarización inversa se comprenderá con facilidad si se considera que para el diodo
con polarización inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecerán como portadores con polarización
inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecerán como portadores minoritarios en el material tipo n.
En otras palabras, tuvo lugar una inyección de portadores minoritarios al material de la región de la base tipo
n. A la combinación de esto con el hecho de que todos los portadores minoritarios en la región de agotamiento
atravesará la unión con polarización inversa de un diodo puede atribuírsele el flujo.
Configuraciones
Configuración de Base Común
Para la configuración de base común con transistores pnp y npn. La terminología de la base común se deriva
del hecho de que la base es común tanto a la entrada como a la salida de la configuración. A su vez, por lo
regular la base es la terminal más cercana a, o que se encuentra en, el potencial de tierra. A lo largo de
este libro todas las direcciones de corriente harán referencia al flujo convencional (huecos) en lugar de hacerlo
respecto al flujo de electrones. Para el transistor la flecha en el símbolo gráfico define la dirección de la
corriente del emisor (flujo convencional) a través del dispositivo.
Para describir en su totalidad el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, como los amplificadores
de base común se requiere de dos conjuntos de características, uno para el punto de excitación o parámetros
de entrada y el otro para el lado de la salida. El conjunto de entrada para el amplificador de base común
relacionará la corriente de entrada (IE). el conjunto de características de la salida o colector tiene tres regiones
básicas de interés: la regiones activa, de corte y de saturación. La región activa es la que suele utilizarse para
los amplificadores lineales (sin distorsión). En particular:
En la región activa la unión base - colector se polariza inversamente, mientras que la unión emisor - base se
polariza directamente.
La región activa se define mediante los arreglos de polarización de la figura 4.17. En el extremo más bajo de
la región activa, la corriente del emisor (IE) es cero; esa es la verdadera corriente del colector, y se debe a la
corriente de saturación inversa ICO, como lo señala la figura 4.18.
La corriente ICO real es tan pequeña (microamperes) en magnitud si se compara con la escala vertical de IC =
0. Las condiciones del circuito que existen cuando IE = 0 para la configuración de base común se muestra en
la figura 4.19. La notación que con más frecuencia se utiliza para ICO en los datos y las hojas de
especificaciones es, como se indica en la figura 4.19, ICBO.
Debido a las mejoras en las técnicas de fabricación, el nivel de ICBO para los transistores de propósito
general (en especial los de silicio) en los rangos de potencia baja y mediana, por lo regular es tan bajo que
puede ignorarse su efecto. Sin embargo, para las unidades de mayor potencia ICBO, así como Is, para el
diodo (ambas corrientes de fuga inversas) son sensibles a la temperatura. A mayores temperaturas, el efecto
de ICBO puede convertirse en un factor importante debido a que aumenta muy rápidamente con la
temperatura.
En la región de corte, tanto la unión base - colector como la unión emisor - base de un transistor tienen
polarización inversa.
En la región de saturación, tanto la unión como la emisor - base están en polarización directa.
Configuración de Colector Común
La configuración de colector común se utiliza sobre todo para propósitos de acoplamiento de impedancia,
debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, contrariamente a alas de
las configuraciones de base común y de un emisor común.
La figura 4.21 muestra una configuración de circuito de colector común con la resistencia de carga conectada
del emisor a la tierra. Obsérvese que el colector se encuentra conectado a la tierra aunque el transistor esté
conectado de manera similar a la configuración del emisor común. Desde un punto de vista de diseño, no se
requiere de un conjunto de características de colector común para elegir los parámetros del circuito de la
figura 4.21. puede diseñarse utilizando las características de salida para la configuración de colector común
son la mismas que para la configuración de emisor común.
Polarización En Configuración Emisor Común
La configuración de transistor que se encuentra más a menudo aparece en la figura 4.20 para los transistores
pnp y npn. Se le denomina configuración de emisor común debido a que el emisor es común o hace referencia
a las terminales tanto de entrada como de salida (en este caso, es común tanto a la terminal de base como a
la de colector). Una vez más, se necesitan dos conjuntos de características para describir por completo el
comportamiento de la configuración de emisor común: uno para el circuito de entrada o base-emisor y otro
para el circuito de salida o colector-emisor.
En la región activa de un amplificador de base común la unión del colector-base se encuentra polarizada
inversamente, mientras que la unión base-emisor se encuentra polarizada directamente.
Para propósitos de amplificación lineal (la menor distorsión), el corte para la configuración de emisor común
se definirá mediante IC = ICEO.
4. Reguladores De Voltaje
Regulador de transistor con diodo zener.
Como los diodos zener presentan una zona de ruptura típica a una determinada tensión inversa ( Vz ) .- Si se
utiliza esta propiedad que corresponde a una fuente ideal de voltaje para entregar una tensión constante o
estabilizada a una carga que presenta como característica un consumo variable, para su funcionamiento.-
También este dispositivo debe resguardar las posibles fluctuaciones o variaciones de la tensión ondulatoria
residual de entrada.
Este circuito es el mas sencillo de los reguladores y es el de alimentación de potencia regulada, que esta
hecho a base de diodo zener, como se muestra en la figura de arriba.
Al analizar el circuito regulador de tensión con diodo zener (figura de arriba) , la tensión en la carga
permanece aproximadamente constante , igual a la tensión nominal del diodo zener Vz, aunque varíe la
tensión de entrada Vi o la corriente a través de la resistencia de carga RL, sobre un rango amplio.
Si Vz es constante , el valor de IL depende exclusivamente del valor de RL. Para el caso en que IT se
mantenga constante , si IL aumenta , Iz debe disminuir de modo que siempre se cumpla que IT = Iz x IL.
Por otro lado si IL disminuye , Iz debe aumentar , para el caso que todavía IT sea constante.- El caso más
desfavorable para el Zener sería cuando IL = 0 ya que IT = Iz y la potencia que debería disipar el zener sería
máxima.-Por otra parte si la corriente IL se aproxima o se iguala con IT , la corriente Iz se hace muy pequeña ,
pudiendo sacar al diodo zener de la tensión de ruptura o de regulación dejando de operar este.-
Para el caso anterior , las variaciones de la corriente zener Iz pueden ser tal que el diodo deje de operar , o
que circule excesiva corriente a través de el y se destruya.-
Para este efecto se determina una corriente Máxima ( I.Máx.) que mantiene la tensión zener sin destruir el
diodo , con la cual se puede calcular la potencia máxima.-
También se determina una corriente Mínima ( I. Mín ) para mantener la tensión zener.-
Resumiendo una fuente de tensión , estabilizadora puede ser afectada por la demanda de corriente ( 0 < IL <
I. Máx ) o por la variación de la tensión de entrada ( Vi . Mín. < Vi < Vi. Máx. ) , las que afectan la fuente de
forma extrema de dos formas :
1.- La fuente deja de regular.-
2.- Queman el diodo zener.-
Naturalmente que al especificar el tipo de fuente , se conoce la corriente de carga máxima, ( IL Máx ) , como
también se puede especificar la tensión de entrada Vi con su rango de variación.-
Esto nos permite determinar el valor de Rs , ( resistencia que asume las variaciones de tensión de entrada ) ,
de manera tal que cumpla con el criterio de :
1.- Mantener la regulación de tensión en el peor de los casos.-
2.- Especificar requisitos que debe cumplir el diodo zener .-
Por tanto la condición que debe cumplir el circuito para que exista regulación en las condiciones más críticas (
IL. Máx. ) ( Vi . Mín ) es que permita pasar una corriente total IT tal que mantenga el diodo zener regulando.-
Por otra parte , la condición que debe cumplir el circuito para que el diodo zener no se queme cuando se
tienen las condiciones críticas que afectan a este , IL =0 y Vi = Máx. , es que la corriente total IT sea menor o
igual a la corriente máxima que soporta el diodo ( Iz. Máx. ) .-
Regulador serie con transistor.
Análisis funcional.-
El más utilizado de los de los reguladores de tensión , es el regulador tipo serie.-
El transistor es la etapa de control y RL es la carga. El diodo zener alimentado a través de R y del transistor y
su corriente de base , suministra una tensión constante de referencia aplicada al base del transistor.-
Al aumentar la corriente consumida por la carga IL , por cualquier razón , la tensión VL sube e incrementa el
valor de VBE llevando el emisor a un potencial más positivo con respecto a base .
Por tanto la polaridad directa base – emisor se reduce y la corriente de colector disminuye, disminuyendo así
la corriente de carga IL.-
Se ve que a un aumento de la corriente IL , corresponde un efecto de control que disminuye el valor de IL..
Existe entonces un
efecto de compensación o de regulación.-
El circuito detector de error , en este regulador , actúa por la característica base – emisor del circuito, y el
mismo transistor hace las veces de amplificador.-
Este circuito dividido en bloques, presenta : "etapa de control " ;"etapa de muestreo" ; "detector de error" ; "
amplificador de error"
Una fuente de tensión regulada , utiliza normalmente un circuito automático de control, que detecta ,
prácticamente de un modo instantáneo las variaciones de tensión y las corrige automáticamente .-
En general un sistema de control requiere de las siguientes etapas :
1.- ETAPA DE REFERENCIA :
Para determinar si una magnitud ha variado se precisa de una referencia , que deberá ser lo más estable
posible .- ( batería , diodo zener.).-
2.- ETAPA DE MUESTREO :
Su misión es detectar las variaciones de tensión que se producen en la salida . ( divisor de tensión.- ).-
3.- ETAPA COMPARADORA:
Su finalidad es comparar , en todo momento , las tensiones de referencia con las de muestra , que
 pretendemos controlar.-
( amplificador operacional , amplificador diferencial.-).-
4.- ETAPA AMPLIFICADORA DE ERROR :
La tensión de error que no es más que la diferencia entre la muestra y la referencia , puede presentar un nivel
de tensión pequeño que no sea capas de accionar la etapa de control.-
En este caso se debe de amplificar.- ( amplificador transistorizado.- )
5.- ETAPA DE CONTROL :
Como su nombre lo indica controla las variaciones de tensión , contrarresta las variaciones producidas en la
salida .- ( transistor en zona lineal .- ).-
Asume las variaciones de tensión producidas por efecto de la carga o por efecto de la línea o red.-
Principio de funcionamiento :
Una fracción de la tensión de salida % Vo , es comparada con la tensión de referencia Vr.-si la tensión de
muestra Vm es igual a la tensión de referencia Vr la etapa de Control no actúa.-
Si la tensión de muestra Vm es menor que la tensión de referencia Vr , el elemento de control debe reducir su
caída de tensión en sus extremos.-
Si la tensión de muestra Vm es mayor que la tensión de referencia Vr , la caida de tensión en el elemento de
control ha de aumentar .-
El circuito de control , generalmente es un transistor con colector común o emisor común.-
El circuito de referencia de tensión requiere de una fuente constante actuando como tensión de referencia ,
que para este caso es un diodo zener.-
El amplificador , es un bloque que también lo realiza el mismo transistor y amplifica lo que se conoce como
tensión de error , donde dicha tensión controla la base del transistor y lo hace conducir más o menos .-
Para este caso el transistor de control , asume las variaciones de tensión que se pueden provocar por la
tensión de línea o por el consumo de corriente de la carga.-
La regulación lograda por este circuito es pobre y se puede incrementar aumentando la ganancia del
amplificador de error o realimentando el circuito.-
5. Circuitos Amplificadores
Redes de acoplamiento.
Cuando un sistema está compuesto por más de una etapa de transistores, es necesario conectar, o acoplar,
los transistores entre sí. Existen muchas formas comunes de lograr esta interpretación entre amplificadores.
En las siguientes secciones se analizan los acoplamientos directo, capacitivo, por transformador y óptico.
 Acoplamiento directo

Dos amplificadores están acoplar es directamente si la salida del primer amplificador se conecta en forma
directa a la entrada del segundo sin utilizar capacitores. La salida en ca de la primera etapa está superpuesta
con el nivel de cd estático de la segunda etapa. El nivel de cd de la salida de la etapa anterior se suma al nivel
de cd de polarización de la segunda etapa. Para compensar los cambios en los niveles de polarización, en
amplificador utiliza diferentes valores de fuentes de tensión de cd en lugar de una fuente de Vcc sencilla.
El acoplamiento directo se pueden utilizar de manera efectiva al acoplar en amplificador EC a uno ES. El
amplificador acoplado directamente tiene una buena respuesta en frecuencias pues no existen elementos de
almacenamiento en serie (es decir, sensibles a la frecuencia) que afecten la señal de salida en baja
frecuencia.
 Acoplamiento capacitivo

Constituye la forma más simple y efectiva de desacoplar los efectos del nivel de cd de la primera etapa
amplificador, de aquellos de la segunda etapa. En capacitor separa el componente de cd de la señal de ca.
Por tanto, la etapa anterior no afecta la polarización de la siguiente. Para asegurar que la señal no cambie de
manera significativa por la adición de un capacitor, es necesario que esté se comporte como cortocircuito para
todas las frecuencias a amplificar.
 Acoplamiento por transformador

Se puede utilizar un transformador para acoplar dos etapas del amplificador. Este tipo de acoplamiento se
utiliza a menudo cuando se amplifican señales de alta frecuencia. Los transformaciones son más costosos
que los capacitores, aunque sus ventajas pueden justificar el costo adicional. A través de una elección
adecuada de la razón de vueltas, se puede utilizar un transformador para aumentar ya sea la ganancia de
tensión o bien la de corriente fondo. Por ejemplo, encina etapa de salida de el amplificador vez potencia, en
transformador se utiliza para aumentar la ganancia de corriente. Existen otros beneficios asociados con el uso
de un transformador. Por ejemplo, el transformador se puede sintonizar para resonar de manera que se
convierta en un filtro pasa-banda (filtro que pasa las frecuencias deseadas y atenúa las frecuencias que
quedan fuera de la banda requerida).
 Acoplamiento óptico

Muchas aplicaciones requieren el acoplamiento óptico de circuitos electrónicos. Estas aplicaciones se pueden
clasificar como sigue:
- dispositivos sensibles a la luz y emisores de luz.
- detectores y emisores discretos para sistemas de fibra óptica.
- módulos interruptor/ reflector que detectan objetos que modifican la trayectoria de la luz.
- aisladores /acopladores que transmiten señales eléctricas sin conexiones eléctricas.
Leer más: http://www.monografias.com/trabajos11/semi/semi.shtml#ixzz47iuu4q38

¿Qué es un Semiconductor?

Como la misma palabra indica, no son buenos conductores, pero tampoco

son aislantes. Podemos definir los semiconductores como aquellos
materiales que se comportan como conductores, solo en determinadas
condiciones. Por eso se dice que están en un punto intermedio entre los
conductores y los aislantes.

Por ejemplo, hay materiales que a partir de una cierta temperatura son
conductores, pero por debajo, son aislantes.

En electrónica son muy importantes los semiconductores, ya que muchos

componentes se fabrican con ellos.

Cuando acabes de ver el tema, te recomendamos que hagas los ejercicios

sobre semiconductores de la parte de abajo para repasar y ver lo que has
aprendido.

Teoría de los Semiconductores

Para entender los principios físicos de los semiconductores tenemos que

conocer como están formados los átomos de los elementos.

En el núcleo del átomo se encuentran protones, con carga positiva y los

neutrones, solo con masa, no tienen carga eléctrica. Fuera del núcleo
y girando alrededor de él, en las llamadas órbitas, se encuentran
los electrones, con la misma carga que los protones pero negativa.
 Cualquier átomo tiene el mismo número de protones en su núcleo que
electrones girando en órbitas alrededor del núcleo. La carga positiva de los
protones se anula con la negativa de los electrones, por eso el átomo, en su
estado normal, tiene carga eléctrica nula.

Pero no todos los átomos son iguales. Cada elemento de la tabla periódica
tiene diferentes átomos, pero todos están formados por las mismas partículas:
protones, neutrones y electrones. Solo se diferencian en el número de ellas. El
número de protones o electrones determina el número atómico del elemento.

Recuerda: los materiales están formados por átomos.

Son los electrones, las partículas que realmente importan para estudiar la
conducción eléctrica. La corriente eléctrica es un movimiento de electrones. Si
somos capaces de mover los electrones de los átomos de un material,
conseguiremos generar corriente eléctrica por él. Esta material se convertirá
en conductor. Hay materiales que no podemos mover los electrones de sus
átomo nunca, serán los aislantes.

Los electrones que más fácil nos resultaría hacerles abandonar el átomo, son
los que se encuentran en la última capa u órbita del átomo. Ahora veremos por
qué.

Cada órbita o capa en la que giran los electrones esta situada en lo que se
llama una banda de energía. Los electrones que están girando un una banda,
tiene la misma energía que esa banda. Los electrones más cercanos al núcleo
están muy unidos a él y tienen poca energía. Los más externos son las que
tienen más energía, pero los que resulta más fácil hacerles abandonar el
átomo.

Para que un electrón de las capas más próximas al núcleo sea capaz de
abandonar el átomo, tendríamos que ir pasándolo de capa en capa hasta llegar
a la última capa. Es decir necesitaríamos ir suministrándole energía para pasar
de una capa a otra hasta llegar a la más externa (banda de valencia).
Inicialmente, tienen poca energía y pasarían a mucha energía al llegar a la
capa más externa. Esto sería muy difícil de hacer, por este motivo, estos
electrones no se usan para abandonar el átomo y provocar corriente eléctrica.

Solo se usan los electrones de la última capa, llamados electrones de

valencia. Estos son los que utilizaremos para hacerles abandonar el átomo,
que pasen a otro y provocar corriente eléctrica por el material.

Si te interesa la configuración electrónica de los átomos te recomendamos el

siguiente enlace para ampliar conocimientos: Configuración electrónica de los
elementos.

Pero ojo, estos electrones de la última capa, la más externa o de valencia,

todavía tenemos que lograr que abandonen esta capa para que dejen por
completo al átomo. Es como si tuvieran que saltar una última capa. Esta capa
la llamaremos de conducción. Sería esa capa de conducción, la que tendría que
saltar un electrón de la última capa para hacerle abandonar por completo el
átomo. OJO el salto sería suministrándole energía. Salto es igual a energía.
Hay materiales que esta capa de conducción, sería muy grande, les costaría
mucho abandonar el átomo, incluso estando en la última capa o banda. Estos
materiales son los aislantes. Si es muy fácil hacerles saltar esta capa (que
pasen de la de valencia a la de conducción), se llamaría conductor.

Podríamos resumir todo esto diciendo que los electrones dentro de un

átomo, se pueden encontrar en 3 tipos de bandas diferentes:

- Banda de conducción: Intervalo energético donde están aquellos

electrones que pueden moverse libremente. Están libres de la atracción del
atomo.

- Banda Prohibida: Energía que ha de adquirir un electrón de la banda de

valencia para poder moverse libremente por el material y pasar a la banda de
conducción.

- Banda de Valencia: Intervalo energético donde están los electrones de la

última órbita del átomo.

Aquí tienes una ilustración de como serían las bandas de un material si fuera
conductor, aislante o semiconductor.

En los aislantes un electrón de la capa de valencia no podríamos pasarlo a la

de conducción, es demasiado difícil o ancha. Si te fijas en los conductores no
hay capa prohibida, los electrones de valencia pasarían muy fácilmente a la de
conducción.

Los semiconductores tienen una dificultad intermedia para pasar los

electrones de valencia a la de conducción. En la mayoría de ellos es necesario
suministrarles energía en forma de calor para que pasen de la de valencia a la
de conducción. Es decir, convertirles en materiales conductores.

Un semiconductor se caracteriza por tener una banda prohibida,

entre la de conducción y la de valencia, pero no muy ancha.

También tenemos que decir que cuando arrancamos un electrón al átomo,

este se desequilibra, pasando a tener carga positiva (un protón más que
electrones tenía). Esto es lo que se conoce como ionización, ya que lo
convertimos en un ión positivo o catión.

Si por el contrario, el átomo no tiene su última capa llena y, por cualquier

circunstancia le llega un electrón nuevo a esta capa, quedará cargado
negativamente (un electrón más que protones tenía). Se convierte en un Ion
negativo o anión.

El carbono, el silicio, el germanio y el estaño tienen en su última capa 4

electrones, se les llama tetravalente, por que pueden ceder 1,2,3 o 4
electrones.

Lógicamente un material está formado por millones de átomos, unidos

mediante enlaces. Todos los semiconductores son materiales que tienen su
átomos unidos por enlaces covalentes. (pincha en el enlace subrayado si
quieres saber más). Comparten los electrones de su última capa de 2 en 2.
Uno de estos electrones compartidos entre dos átomo por medio el enlace
covalente, será el que tengamos que arrancar.
 Pero....¿Qué pasa entonces cuando el electrón abandona el átomo?. Pues
que dejará lo que se llama un hueco.

Producción de pares electrón-hueco

Cuando un electrón se marcha del átomo rompe el enlace covalente de pares

de electrones y dejará un hueco vacío (fíjate en la imagen de arriba en el
silicio). Este hueco puede ser ocupado, más bien lo ocupará, otro electrón que
hubiera abandonado otro átomo cercano a él. Así que se van generando
huecos y estos huecos se van rellanando por otros electrones de otros átomos.
Así es como pasa la corriente por los semiconductores, pares electrón-hueco.

Se dice que en la conducción de los semiconductores interviene el par

electrón-hueco.

Los dos materiales que más se usan para fabricar semiconductores son
el Germanio y el Silicio. Ahora bien, purificar un material al cien por cien,
requiere procesos muy costosos, lo que hace que los materiales que se usan
contengan muchas impurezas. Por la cantidad de impurezas que posean, se
pueden clasificar en intrínsecos y extrínsecos.

Semiconductores Intrínsecos

Son los que prácticamente carecen de impurezas; un átomo de impureza por

cada 10 elevado a 11, átomos del semiconductor.

Estos semiconductores, que se pueden considerar casi puros, la conducción

se realiza por pares electrón-hueco, producido por generación térmica, de
modo que cuanto mayor es el calor, mayor es la cantidad de portadores de
carga libre generados (electrones-huecos) y menor su resistividad, siendo esta
a temperatura ambiente (27ºC) de:

- Germanio = 60 ohmios por centímetro.

 - Silicio = 150.000 ohmios por centímetro.

El Germanio tiene un ancho de banda prohibida de 0,72 eV (electrón voltios)

y el Silicio de 1,12 eV.

Los semiconductores intrínsecos se usan como elementos sensibles a la

temperatura, por ejemplo una termoresistencia (PTC o NTC).

Semiconductores Extrínsecos

Son los que poseen un átomo de impureza por cada 10 elevado a 7 átomos
de semiconductor. Además estos átomos de impurezas, más numerosos que
en los intrínsecos, suelen tener 3 o 5 electrones de valencia, con el fin de que
les sobre o les falte un electrón para completar los enlaces covalentes con los
átomos del material semiconductor (recuerda son 4 electrones en el enlace
covalente).

Al tener portadores independientes de la generación térmica, la resistividad

de estos es menor que la de los intrínsecos. Este tipo de semiconductores no
se suelen usar para conducción por calor, para eso están los intrínsecos.

- Germanio = 4 ohmios por centímetro.

- Silicio = 150 ohmios por centímetro.

La conductividad de este tipo de semiconductores, será mayor cuanto mayor

sea el número de portadores libres y, por tanto aumentará con el número de
impurezas.

Como dijimos anteriormente, los átomos de impurezas suelen tener 3 o 5

electrones de valencia, lo que permite subdividir a estos semiconductores
extrínsecos en dos tipos diferentes: Tipo N y Tipo P. Tipo N con impurezas
con 5 electrones de valencia. Tipo P con impurezas de 3 electrones de valencia.

Como ves los del tipo N tienen impurezas donadoras de electrones por que
proporcionan electrones. En la formación de enlaces covalentes les sobra un
electrón.

Los del tipo P tienen impurezas aceptadores de electrones por que

proporcionan huecos. En la formación de enlaces covalentes, al tener solo 3
electrones que pueden formar enlace, el enlace se queda con un hueco. Como
los huecos atraen a los electrones, se pueden considerar con carga positiva.

Las impurezas en los del tipo N pueden ser átomos de arsénico, antimonio,
fosforo, etc.

Las impurezas en los del tipo P pueden ser átomos de aluminio, boro, galio,
etc.

Tanto en uno como en otro, los portadores son las impurezas. En un caso los
portadores son electrones (tipo N) y en otro los huecos (tipo P).

La mayoría de los componentes electrónicos que se usan en electrónica:

diodos, transistores, etc, se construyen uniendo semiconductores del tipo P con
los del tipo N. La unión PN la puedes ver explicada en el siguiente
enlace: Union PN.