INTEGRANTES:

CRUZ RODRIGUEZ ANGELO RAUL 1423225605

PISCONTE RUIZ CARLOS AUGUSTO 1423225471

SEMANA 3 TEMA:

. LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS RESPUESTA

EN FRECUENCIA DEL AMPLIFICADOR EN BASE COMÚN
3. LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS RESPUESTA EN
FRECUENCIA DEL AMPLIFICADOR EN BASE COMÚN

I. INTRODUCCIÓN:

En esta parte hablaremos un poco del tema a tratar para que observe lo que se
desarrollara más adelante de manera más detallada. La terminología relativa a base
común se desprende del hecho de que la base es común a los lados de entrada y salida
de la configuración. Además, la base es usualmente la terminal más cercana o en un
potencial de tierra como se muestra en la figura 1 con transistores pnp y npn. Esta figura
indica además los sentidos de la corriente convencional (Flujo de Huecos).

De la figura 1, se puede observar que en cada caso IE = IC + IB. También se nota que la
polarización aplicada (fuentes de voltaje) es de modo que se establezca la corriente en la
dirección indicada para cada rama. Es decir, compárese la dirección de IE con la
polaridad o VEE para cada configuración y la dirección de IC con la polaridad de VCC.
Para describir por completo el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, se
requiere de dos conjuntos de características, uno para los parámetros de entrada o punto
de manejo y el otro para el lado de salida. El conjunto de entrada para el amplificador de
base común, como se muestra en la figura 2, relacionará una corriente de entrada (IE)
con un voltaje de entrada (VBE) para varios niveles de voltaje de salida (VCB). Como se
observa en la figura #12, lo que se tiene es la curva equivalente a la zona directa de un
diodo, especialmente cuando la salida está polarizada muy inversamente, (VCB > 10V). El
conjunto de salida relacionará una corriente de salida (IC) con un voltaje de salida VCB
para diversos niveles de corriente de entrada (IE). Esto es, corresponde a la zona inversa
del diodo y por tanto, corresponde a una corriente básicamente constante sin importar el
valor del voltaje inverso. Esto quiere decir, serán líneas rectas a lo largo del Eje que
partirá de un valor aproximado a –0,6V. Para un transistor de Silicio.
OBJETIVOS:  Conocer cómo trabaja el transistor en configuración base común.
 Las relaciones entre la base con el emisor y el colector.
 Observar como son distintos los parámetros de entrada y de salida.
 Saber las diferencias entre sus tres regiones operativas.
 Averiguar cómo hallar la ganancia para este tipo de configuración.
 Aprender las distintas aplicaciones que posee esta configuración.
III. MARCO TEÓRICO: La señal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el
colector. La base se conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de
salida. En esta configuración se tiene ganancia sólo de tensión. La impedancia de entrada
es baja y la ganancia de corriente algo menor que uno, debido a que parte de la corriente
de emisor sale por la base. Si añadimos una resistencia de emisor, que puede ser la
propia impedancia de salida de la fuente de señal, un análisis similar al realizado en el
caso de emisor común, da como resultado que la ganancia aproximada es:

𝐆𝐕 = 𝐑𝐂 𝐑𝐄

La base común se suele utilizar para adaptar fuentes de señal de baja impedancia de
salida como, por ejemplo, micrófonos dinámicos.

Configuración base común La base es común a la entrada (emisor – base) y a la

salida (colector – base)
Para describir el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, se requiere de dos
conjuntos de características:  Parámetros de Entrada Se relaciona la corriente de
entrada (IE) con el voltaje de entrada (VBE) para varios niveles de voltaje de salida (VCB).
Una vez que el transistor esta “encendido” se supondrá que el VBE es: VBE= 0.7V

Parámetros de Salida Se relaciona la corriente de salida (IC) con el voltaje de salida

(VCB) para varios niveles de corriente de entrada (IE).
Ahora pasaremos a explicar cada una de ellas.

 Región Activa La unión base-colector se polariza inversamente, mientras que la unión

base-emisor se polariza directamente. Esta es la región más importante si lo que se
desea es utilizar el transistor como amplificador.

La corriente de emisor, que es la corriente de entrada, está formada por la suma de la

corriente de base y la de colector:

IE = IC + IB

En una primera aproximación se puede decir que:

IC ≈ IE

Región de Corte

Tanto la unión base-colector como la unión base-emisor de un transistor tienen

polarización inversa. Un transistor está en corte cuando:

(IC = IE = 0A)

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de

alimentación del circuito. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base
= 0A (IB =0A)

 Región de Saturación Tanto la unión base-colector como la unión base-emisor de un

transistor tienen polarización directa. Un transistor está saturado cuando:

(IC = IE = Máxima)

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es 0V.

Ganancia de Corriente 𝜶 (alfa)

La ganancia de corriente se encuentra dividiendo la corriente de salida (IC) entre la de

entrada (IE)

La ganancia de corriente en un transistor es inferior a la unidad, debido a que la corriente

de emisor siempre es algo mayor que la corriente del colector.

Por lo tanto, siempre es menor que 1, en valores entre 0.90 y 0.998.

Ganancia de Voltaje Según se ha visto el transistor de BC no puede producir una

verdadera ganancia de corriente, pero si proporciona ganancias de voltaje

𝛼 = 𝐼𝐶 𝐼𝐸 𝐺𝑉 = 𝑅𝐶 𝑅
CUESTIONARIO
1. ¿A qué se le llama parámetros de entrada y salida en la configuración en base común?
Explique detalladamente

Parámetros de Entrada

Se relaciona la corriente de entrada (IE) con el voltaje de entrada (VBE) para varios
niveles de voltaje de salida (VCB). Una vez que el transistor esta “encendido” se
supondrá que el VBE es: VBE= 0.7V

Parámetros de Salida
Se relaciona la corriente de salida (IC) con el voltaje de salida (VCB) para varios niveles
de corriente de entrada (IE).

2. Una vez armado el circuito y simularlo observe los resultados ¿son iguales o similares?
Si no lo son explique el porqué de esta diferencia si se trata del mismo circuito.
Similares, se trata del mismo circuito pero sucede un cambio diferente por el ambiente de
trabajo y la manipulación de los materiales.

3. ¿Qué diferencia al transistor en base común con el trabajado en el laboratorio anterior

(emisor común)?
Posee una ganancia de voltaje alta, desfasaje 0°, impedancia de entrada baja y de salida
baja

OBSERVACIONES
Observamos que en la simulación el voltaje de salida tiene un desfasaje de 0°.

CONCLUSIONES
En este laboratorio hemos aprendido las características de un amplificador BJT de base
común y sus diferencias al momento de trabarlo en laboratorio.

BIBLIOGRAFIA
https://es.slideshare.net/iscped/trabajo-3-mayo
http://www4.tecnun.es/asignaturas/circelectron/Archivos/Tema_V_IV.pdf
http://www.iuma.ulpgc.es/~lopez/Circuitos%20analogicos/apuntes3.pdf