UNIVERSIDAD DE EL SALVADOR

ESCUELA DE INGENIERÍA ELÉCTRICA

IEL-115
LABORATORIO INTRODUCCIÓN A SENSORES DE LUZ
INTRODUCCIÓN
En este laboratorio el estudiante diseñará y construirá varios circuitos de detección de luz usando
LDR´s (Light Dependent Resistor) y fototransistores.
LDR
Las LDR son sensores resistivos de bajo costo, adecuados para aplicaciones de detección de luz. En
esta primera aproximación a esta tecnología se presentarán aplicaciones para diseño de interfaces
con circuitos digitales que requieren un nivel alto o un nivel bajo, dependiendo de la intensidad de
la luz. La fig. 1 muestra un símbolo para el LDR y la fig. 2 muestra la hoja de datos de un
dispositivo comercial.

Fig. 1. Símbolo LDR

Fig. 2. Especificaciones técnicas de un LDR comercial

© 2018, José Ramos López pág. 1
Entre las características generales de los LDR, se pueden mencionar:
• Semiconductor de alta resistividad tal como el CdS (sulfuro de cadmio)
• Luz  Más portadores móviles  menor resistencia
• No muy exactos, pero altamente sensibles
• Resistencia en la oscuridad en el orden de 106 ohm
• Resistencia en niveles altos de iluminación en el orden de 102 ohm.
• La sensibilidad espectral puede ser ajustada de UV, pasando por la luz visible, hasta
infrarrojo.
Aplicación de LDR en puente de Wheatstone
En la fig. 3. se muestra un puente de Wheatstone, en el cual uno de los elementos es una LDR.
Obviamente el símbolo usado para el LDR es diferente al mostrado en la fig. 1.

Fig. 3. Una aplicación simple del LDR.

Ejemplo 1.
Si se tiene una fotocelda con las especificaciones siguientes
Rluz = 500 ohm
Roscuridad = 10 kohm
¿Cuál(es) valor(es) de la resistencia R es (son) adecuado(s), a efectos de producir variaciones
positivas y negativas de Vout? Por favor tomar en cuenta que más de un valor puede ser adecuado.

 500 ohm

 1k

 5k

 100 k

© 2018, José Ramos López pág. 2

En la siguiente aplicación (por favor ver fig. 4), utilizaremos el puente de Wheatstone junto a un
amplificador operacional en lazo abierto (es decir, sin retroalimentación negativa) usado como
comparador. En este caso los valores de las resistencias del puente han sido seleccionadas para el
LDR con las características ya presentadas.

Fig. 4. Circuito de puente de Wheatstone con comparador. R3 es la LDR del ejemplo1.

El operacional utilizado en la fig. 4 es del tipo rail-to-rail (LMC6484). Este operacional garantiza el
funcionamiento con una sola fuente de hasta 3.0 V. El nivel de alimentación aplicado en la fig. 4, es
muy popular con algunas familias de microcontroladores. En nuestro caso, lo más cerca que
podemos llegar es alimentar al LM324 con 5 V, de manera que obtendríamos niveles altos de 3.5V,
y niveles bajos de 0V (aproximadamente).

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FOTODIODO (FOTOTRANSISTOR)

Fig. 5. Símbolo y modelo físico simplificado de fotodiodo.

Fig. 6. Sensibilidad típica de un diodo de Si

El principio de funcionamiento de un fotodiodo es similar al de una fotocelda:
• Los fotones generan una corriente Iph
• Propiedades características

© 2018, José Ramos López pág. 4

Acondicionamiento de señal de fotodiodo usando amplificador de transimpedancia

Fig. 7. Amplificador de fotodiodo

Cabe recordar que el humilde resistor es el convertidor de corriente-a-tensión más simple. La fig. 7
muestra la forma correcta de convertir la corriente a tensión; mientras se mantiene la entrada
estrictamente a tierra. La entrada inversora es una tierra virtual; esto es afortunado, puesto que un
diodo fotovoltaico puede generar apenas unas pocas décimas de voltio. Este circuito particular
tiene una salida de 1 voltio por microamperio de corriente de entrada. Con operacionales de
tecnología BJT tales como el 741 o el 324, se debería usar una resistencia de compensación entre la
entrada no-inversora y tierra.
Ejemplo 2
Dadas
• Sensibilidad espectral: Rspec = 0.5 A/W
• Área sensible A = 1 mm2
• Rango de intensidad luminosa 0 < P < 1 W/m2
• Rango de entrada ADC 0 < Uo < 1V
Determinar valor requerido de Rf
Iph,max = Pmax * A * Rspec = 0.5 uA -> RF= 1V(0.5 uA) = 2 M
Fototransistor
Por supuesto que esta configuración de transresistencia también se puede usar para dispositivos que
suministran la corriente desde alguna tensión positiva de entrada, tal como VCC. Los tubos
fotomultiplicadores y fototransistores (ambos son dispositivos que suministran corriente desde una
fuente de alimentación positiva cuando se exponen a la luz) a menudo son usados de esta manera
(por favor ver la fig. 8). El valor mostrado de resistencia de retroalimentación en la fig. 8, no
necesariamente es adecuado para nuestra aplicación.
El anexo 1 muestra las especificaciones de algunos fototransistores disponibles en la EIE (L14G1,
L14G2 y L14G3).

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Los requerimientos de polarización del fototransistor pueden complicar el diseño con un solo
alimentador. Adicionalmente, es preferible usar un amplificador de precisión, de modo que para
estas aplicaciones se debe asumir que se cuenta con alimentación bipolar.

Fig. 8. Amplificador de fototransistor

TRABAJO DE PRELABORATORIO
1. Verificar el funcionamiento de los circuitos presentados
2. Rediseñar los circuitos con LDR para Vin = 5V
3. Rediseñar el circuito de la fig. 8 de acuerdo a los requerimientos del ejemplo2.
TRABAJO DE LABORATORIO
1. Construir VREF = + 5V
2. Rediseñar el circuito de la fig. 2, usando el LM324 y la LDR existente en el laboratorio.
3. Rediseñar el circuito de la fig. 8 usando el LF356 y el fototransistor asignado. Se debe usar
doble alimentación (+15 V y -15V). La magnitud de la tensión de salida debe variar entre 0
y 1 V; cuando la intensidad de luz varía entre 0 y 1 W/m2.

REFERENCIAS
[1] EDX EE40LX. Electronic Interfaces. Berkeley 2015
[2] Measurement Science by TU Delft OpenCourseWare.
https://ocw.tudelft.nl/courses/measurement-science/
[3] Horowitz et al. The art of electronics, 2nd edition. Cambridge University Press,
1989.
[4] GE Optoelectronics, 2nd edition. General Electric 1982.

© 2018, José Ramos López pág. 6

ANEXO 1. ESPECIFICACIONES TÉCNICAS DE FOTOTRANSISTORES GE14G1-3

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© 2018, José Ramos López pág. 8