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FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA
MODULACIÓN EN AMPLITUD
TESIS PREVIA A LA OBTENCIÓN DEL TÍTULO DE

INGENIERO EN ELECTRÓNICA Y TELECOMUNICACIONES
ARNALDO OMAR MONTALVO GALÁRRAGA

i
AGRADECIMIENTO:
Mi agradecimiento más profundo

va para todas las personas que
influyeron en el diseño, la
construcción, pruebas y otras
etapas de este trabajo, a quienes
para evitar omitir en un
agradecimiento singularizado, he
preferido incluirlas en una
generalización, que estimo sabrán
comprender.
DEDICATORIA:
Este trabajo, lo dedico a mi madre,

mis hijos y hermanos a quienes
debo mi mayor respeto y
consideración.
Certifico que este trabajo
ha sido realizado en su
totalidad por el Sr.
Arnaldo Ornar
Montalvo Galárraga.
Ing. TarquHoT>ancñe¿ Almeida

Director De Tesis.
Quito, Diciembre de 1998

INTRODUCCIÓN i
FIMDAMENTOS TEÓRICOS
CAPITULO 1 DE LA MODULACIÓN AM
1.1 DESARROLLO MATEMÁTICO 1

1.1.1 SERIES DE FOURJER 1
1.1.2 TRANSFORMADA DE FOURIER 3
1.2 CONVERSIÓN DE FRECUENCIAS 6
ANÁLISIS DE DIFERENTES
FORMAS DE
CAPITULO 2: MODULACIÓN AM
2.1 MODULACIÓN AM (DE DOBLE BANDA

LATERAL CON PORTADORA 20
2.2 MODULACIÓN AM DE DOBLE BANDA
LATERAL (CON PORTADORA SUPRIMIDA).
APLICACIONES- 24
2.3 MODULACIÓN AM DE BANDA LATERAL
ÚNICA. APLICACIONES 29
2.4 MODULACIÓN AM EN CUADRATURA
APLICACIONES 33
2.5 MODULACIÓN AMPARA INFORMACIÓN
BINARIA (ASK) 39
TÉCNICAS DE MODULACIÓN
CAPITULO 3 EN AMPLITUD
3.1 MULTIPLICACIÓN ANÁLOGA 43

3.2 MODULACIÓN DE CONMUTACIÓN
(CHOPPER) 47
3.3 MODULACIÓN CON DISPOSITIVOS NO
LINEALES 50
3.4 MODULACIÓN DE ALTO NIVEL 52
DISEÑO Y CONSTRUCCIÓN
CAPITULO 4 DEL EQUEPO DIDÁCTICO
4.1 DISEÑO DEL OSCILADOR LOCAL A 1500 IcHz 59

4.1.1 DISEÑO DEL OSCILADOR A CRISTAL .
DE 12 MHz Y DEL DIVISOR DE FRE-
CUENCIA O CONTADOR MÓDULO 8 62
4.1.2 DISEÑO DE RED DE ATENUACIÓN 63
4.1.3 DISEÑO DE FILTRO 65
4.1.4 DISEÑO DE RED DE ACOPLAMIENTO
DE IMPEDANCIA 1 67
4.1.5' DISEÑO DE RED DE ACOPLAMIENTO
DE IMPEDANCIA 2 70
4.1.6 DISEÑO DE RED DEFASADORA DE 90
GRADOS 74
4.1.7 DISEÑO DE RED ACOPLADURA DE
IMPEDANCIA 3 75
4.2 DISEÑO DE CIRCUITO DE AUDIO 79
4.2.1 DISEÑO DE LOS OSCILADORES DE
400HzYlkHz 81
4.2.2 CIRCUITOS DEFASADORES DE 90
GRADOS PARA 400 Hz Y IkHz ' 82
4.2.3 CIRCUITO DE CONTROL PARA SE-
LECCIÓN DE FRECUENCIA DE SALIDA 83
4.2.4 CIRCUITO PARA ACOPLAMIENTO DE
IMPEDANCIAS 85
4.3 DISEÑO DE CIRCUITO MODULADOR AM DE
DOBLE BANDA LATERAL CON PORTADORA 87
4.3.1 DISEÑO DE MULTIPLICADOR DE
MODULANTE POR m 87
4.3.2 DISEÑO DE MULTIPLICADOR DE
CUATRO CUADRANTES 88
4.3.3 DISEÑO DE CIRCUITO SUMADOR 90
4.4 DISEÑO DEL CIRCUITO MODULADOR AM
DE DOBLE BANDA LATERAL CON
PORTADORA SUPRIMIDA 93
4.4.1 DISEÑO DEL DEFASADOR DE 180
GRADOS 94
4.4.2 DISEÑO DE ACOPLADOR DE
LWDPEDANCIA 94
4.4.3 DISEÑO DE CIRCUITO MODULADOR
AM CON ÍNDICE DE MODULACIÓN DE
UNO 95
4.5 DISEÑO DEL CIRCUITO PARA MODULACIÓN
AMDE BANDA LATERAL ÚNICA
(MÉTODO DE CUADRATURA) 98
4.5.1 DISEÑO DEL MULTIPLICADOR DE
CUATRO CUADRANTE 99
4.6 DISEÑO DEL CIRCUITO MODULADOR AM DE
BANDA LATERAL ÚNICA
(MÉTODO DE WEAVER) • 101
4.6.1 DISEÑO DE OSCILADOR DE 3300 Hz
PARA GENERAR LA FRECUENCIA
DE LA PORTADORA Acl .cos(Wcl .t) 103
4.6.2 DISEÑO DE CIRCUITO ACOPLADOR DE
IMPEDANCIA 104
4.6.3 DISEÑO DE CIRCUITO DEFASADOR
DE 90 GRADOS A LA PORTADORA
Acl.cos(Wcl.t) 105
4.6.4 DISEÑO DE CIRCUITOS MODULADO-
RES AM 106
4.6.5 DISEÑO DE FILTROS PASABAJOS 107
4.6.6 CIRCUITO SUMADOR 110
4.6.7 DISEÑO DE CIRCUITO MODULADOR
AM 110
RESULTADOS EXPERIMEN-
TALES, CONCLUSIONES Y
CAPITULO 5: RECOMENDACIONES
5.1 MODULACIÓN AM 112

5.2 MODULACIÓN DE DOBLE BANDA LATERAL 114
SPN PORTADORA
ÚNICA. MÉTODO DE DEFASAJE 116
ÚNICA. MÉTODO DE WEAVER 118
5.5 CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
GENERALES 120
ANEXOS
ANEXO 1 HOJAS DE DATOS DEL FABRICANTE
ANEXO 2 GUÍA DE DISEÑO DE FILTROS
ANEXO 3 GUÍA DEL USUARIO
ANEXO 4 PRÁCTICAS SUGERIDAS
BIBLIOGRAFÍA
INTRODUCCIÓN.
En el ámbito de las telecomunicaciones, cobra especial interés la

transmisión de información a larga distancia, disponiéndose como una
alternativa para la resolución de este problema, la traslación del espectro de
frecuencia de la banda básica a una frecuencia superior, técnica que es
conocida con el nombre de modulación. En la modulación, se emplean
comunmente dos términos que caracterizan a los elementos involucrados en
el proceso y son: la señal portadora y la información también llamada señal
modulante, usándose justamente a la señal portadora como una señal
intermediaria para transportar la información desde la fuente hasta el
destino.
Una forma para clasificar a la modulación, emplea al tipo de

información que se quiere transmitir como el parámetro definitorio.
Siguiendo este lineamiento, la modulación podrá ser de tipo analógica, si
la señal modulante es una señal de tipo analógico, ó digital, si la señal
modulante es primeramente digitalizada y posteriormente modulada.
-^
Por otro lado puede clasificarse a la modulación tomando en cuenta

el tipo de señal portadora que se utilizará para realizar la modulación.
Atendiendo a esto, la modulación podrá ser una modulación de onda
continua, si la señal portadora es una sinusoide o modulación de pulsos,
si la portadora es un tren de pulsos.
Tomando en cuenta a la clasificación de la modulación considerando

el tipo de portadora, existe una subdivisión que cataloga a la modulación en
una forma más difundida, y que hace referencia al tipo de alteración que
con el que la señal portadora podrá incorporar a la información que será
transportada. En esta subdivisión se considera al elemento de la señal
portadora que variará en forma proporcional con la señal modulante, estos
elementos pueden ser la amplitud, la frecuencia o la fase de la señal
portadora, lo que da origen a las modulaciones en amplitud, frecuencia o
fase respectivamente.
La modulación en amplitud, es el tipo de modulación más antiguo y

más fácil de construir, por lo que tiene un uso muy difundido dentro de las
telecomunicaciones, especialmente en radiodifusión comercial y en
transmisiones de onda media, por esto su estudio y comprensión son de
importancia, razón que impulsó al diseño y construcción de un equipo
didáctico que facilite el aprendizaje de ésta técnica de modulación.
CAPITULO 1
J1ÍMDAMENTOS/TEÓRICOS DE
LA MODULACIÓN AM
1.1. DESARROLLO MATEMÁTICO
1.2. CONVERSIÓN DE FRECUENCIA
rs
CAPITULO 1: FUNDAMENTOS TEÓRICOS DE LA
MODULACIÓN AM.
1. L Desarrollo Matemático.
La modulación en amplitud consiste básicamente en multiplicar las

señales temporales involucradas en el proceso. Para entender adecuadamente el
efecto de multiplicar dos señales temporales se usan herramientas matemáticas
como las series de Fourier y la transformada de Fourier, con las que se visualiza
el efecto que causa la modulación A.M. en el espectro de frecuencia.
L L L Series de Fourier
Utilizando las series de Fourier, una función periódica definida dentro de

un intervalo finito puede ser caracterizada por un conjunto de funciones
ortogonales acompañadas de coeficientes especiales que se denominan
coeficientes de Fourier. El cálculo de los coeficientes de Fourier depende
-i
directamente de la función que se vaya a caracterizar.
Para expresar matemáticamente lo dicho anteriormente se hará la
expansión de una función f(x) definida dentro de un intervalo [-m,+m] que será:
fft) - ao + ^¿^.cosiW-f¿^senwí 1.1

/7=~CO
donde: ao, an, bn representan los Coeficientes de Fourier.

Para realizar el cálculo de los Coeficientes de Fourier (ao, an? bn) se
deben utilizar las siguientes expresiones:
1.2
m
' 'l
7 ?^, nn
an = — \x.dx 1.3
m _m m
, ~m
/ r .... nn , _ ,
n = — jfxj.sen x.ax 1.4
donde: n elemento de los enteros.
En forma resumida pueden agruparse todos los coeficientes de Fourier,

expresando la ñmción f(x) de la siguiente manera:
jmr
1.5
An = A* SÍ *
donde: A* = Coeficiente complejo conjugado.
es un coeficiente complejo y los coeficientes que van desde -o> hasta -

m son coeficientes conjugados a los que van desde +m hasta +co. Para calcular
los coeficientes An, se utiliza la expresión siguiente:
-jn/r
An= f(x)e 1.6
La utilidad de la expansión en Serie de Fourier radica en la información

que dicha expansión proporciona respecto al contenido armónico de la señal;
pues la señal periódica a evaluar se expresa como un sumatorio de señales que
revelan el contenido armónico de la señal original.
Por otro lado una herramienta importante que facilita el estudio de la
modulación en amplitud es la transformada de Fourier la cual permite trasladar
una señal definida en el dominio del tiempo al dominio de la frecuencia.
1.1.2. Transformada de Fourier.
Como ya se mencionó, la transformada de Fourier de una señal temporal

x(t) realiza la traslación del dominio del tiempo o dominio temporal al dominio
de la frecuencia, esta traslación se hace usando la expresión matemática
siguiente:
+00
F[x(t)] = X(w) = 1.7
donde: x(t) representa la señal definida en el dominio del tiempo

X(w) — señal definida en el dominio de la frecuencia
F[x(t))] = transformada de Fourier de la señal x(t)
Puede notarse que la expresión usada para realizar el cálculo de la
transformada de Fourier de una señal, es la misma que la utilizada para el
cálculo de los coeficientes de Fourier mencionada en el punto anterior. Una
diferencia importante entre la expansión en series de Fourier y el uso de la
transformada de Fourier radica en que la transformada de Fourier puede ser
calculada tanto para señales periódicas como para señales aperiódicas siendo la
restricción para estas últimas el que tengan un límite finito en su tendencias de -
oo y -feo.
Adicionalmente la transformada de Fourier puede dar como resultado
una señal continua dentro del dominio de la frecuencia, a diferencia de la
expansión en series de Fourier que da como información una señal de pulsos en
los múltiplos de la frecuencia fundamental de la señal temporal que se
caracterizó.
Otra característica de la transformada de Fourier es la reversibilidad,
pues a partir de una señal dada en el dominio de la frecuencia puede volverse al
dominio del tiempo usando la transformada inversa de Fourier. Por lo tanto una
señal F(w) definida en el dominio de la frecuencia, tendrá una representación
temporal f(t) que se calculará a través de la siguiente expresión:
/ -r™
F-l[X(-w)] = xft) = —. f X(w).ejm.dw 1.8
A continuación se presentan algunas propiedades importantes de la

transformada de Fourier, para las cuales se ha considerado que la transformada
de Fourier de las señales x(t) y z(t) son X(w) y Z(w) respectivamente, y los
coeficientes a, b, fo, wc, n son constantes.
Propiedad de linealidacL
F[a.x(t) - b.z(t)] = a.X(w) - b.Zfw) 1.9
Propiedad de retardo en el tiempo.
1.10
Propiedad de cambio de escala.
1 w
—-
jal X(-)
a U1
Propiedad de traslación de frecuencia.
1.12
Propiedad de dualidad.
1.13
Propiedad de diferenciación.
1-14
Propiedad de integración.
F[]x(t).dt] = —.X(w) 1.15
Propiedad de convolución.
7 1.16
donde: xft)*zft)= j z(r).x(t-r).dr
Una vez presentada una introducción de la expansión en series de

Fourier asi como la transformada de Fourier, se pasará a aplicar estos conceptos
en la teoría matemática de la modulación en amplitud1.
1.2. Conversión de Frecuencias.
De acuerdo a lo establecido en la introducción una modulación en

amplitud es una opción dentro de las formas de modulación posibles, la
expresión matemática característica de este tipo de modulación es la siguiente:
1 Las ecuaciones 1.9 a 1.16 son tomadas del libro Sistemas de Comunicación de Bruce Carlson.
1.17
donde; f (t) -> señal modulante (información)

g(t) —> señal portadora de radiofrecuencia
Vcc —> constante.
En esta última expresión se puede verificar que la modulación en

amplitud no es más que una multiplicación de la señal modulante y la señal
portadora.
Una facilidad que ofrece esta última formulación matemática es la de
establecer si la modulación es de tipo analógico o de tipo digital, lo que
dependerá de la forma matemática de la señal f (t) (señal modulante).
En el caso de una modulación de tipo analógico la señal modulante f (t)
es una onda continua no discretizada, mientras que en una modulación digital la
señal modulante es una señal discretizada en tiempo y magnitud.
En la modulación AM de tipo analógico, la portadora de radiofrecuencia
(g(t)) es una onda continua de tipo sinusoidal, lo que convierte a la ecuación
1.17 en:
1.18
donde; AC es la amplitud de la señal portadora (g(t))

wc es la frecuencia de la señal portadora (g(t))
Adicionalmente se va a suponer que la señal modulante f (t) es una señal
de tipo sinusoidal; quedando entonces la ecuación 1.18:
/'(O
— .COS(MW)].COS(MW) 1.19
y ce
donde: Vra es la amplitud de la señal modulante (f (t))

wm es la frecuencia de la señal modulante (f (t))
El cociente m = Vm/Vcc se define como el índice de modulación, el cual

representa el grado de cambio que sufre la señal portadora desde su estado
normal sin modular. Haciendo reemplazos adicionales se tiene:
1-20
donde: m = índice de modulación.

f(t) = eos wm.t
Vcc-1
En este punto cabe aclarar que la representación matemática obtenida

con la expresión 1.20, es válida únicamente para modulaciones con índice de
modulación menor o igual a 1 y se la conoce como ecuación normalizada
AM.
A continuación se considera un gráfico que representa la forma temporal
de la señal SAMÍÍ) para un índice mayor que la unidad y para un índice menor
que la unidad.
2
1
O A AÁ
V vv
-1
-2
Figura 1.1 Figura 1.2

Gráfico temporal de modulación AM Gráfico temporal de modulación AM
con índice menor que 1. con índice mayor que 1.
Tanto en la figura 1.1 como en la figura 1.2 se aprecia que la variación de

amplitud de la señal de alta frecuencia (portadora) corresponde a una
envolvente de frecuencia inferior, dicha envolvente es la información ya
incorporada a la portadora. Este conjunto de señales (portadora e información)
se transmiten por el canal de transmisión hacia el destino.
La forma temporal representada en la figura 1.1 corresponde a una
modulación de un índice menor que la unidad, mientras que en la figura 12 se
representa un índice mayor que uno, notándose como diferencia entre los dos
casos la sobremodulación o inversión de fase que distorsiona a la envolvente de
la figura 1.2. Tomando como base la ecuación 1.20, para evitar la distorsión de
envolvente y lograr que el índice de modulación sea menor que la unidad, la
señal de información | f(t) (módulo de f(t)) debe ser mayor o igual a cero y
menor que V^ es decir: O < Vm < V^. En el caso de que Vcc = 1, m = Vm/Vcc
quedará: O < m = Vm < 1.
En recepción se busca recuperar la señal de baja frecuencia
(información) para lo cual se realiza la detección de la envolvente, es decir se
desecha la portadora de alta frecuencia conservándose únicamente la
información.
Aprovechando la representación temporal realizada en las figuras 1.1 y
1.2, puede conocerse el índice de modulación a partir de las magnitudes A y B
representadas, mediante las expresiones siguientes:
A - B
m = • para m < 1 1.21
A + B
m = I + — para m>l 1.22

A
donde: A = Diferencia entre Crestas Máximas.

B = Diferencia entre Crestas Mínimas.
,Es importante destacar que cuando se presenta una modulación con un

índice mayor que uno, la única forma de realizar la medición de dicho índice es
la ecuación 1.22, pues la ecuación normalizada AM (ecuación 1.20) y la
ecuación 1.21 no son factibles de usar sino para índices menores que la unidad.
Hasta este punto se ha hablado únicamente de la modulación de tipo
simétrico donde la señal modulante es un tono sinusoidal puro de baja
frecuencia, evaluándose el índice de modulación solo para este caso.
En la práctica es difícil tener solamente modulación de tipo simétrico,
siendo común la modulación en amplitud no simétrica la cual se gráfica en la
figura 1.3 y donde la determinación del índice de modulación se hace
considerando las crestas positivas y negativas presentes en la modulación.
10
Figura 1.3.
Gráfico temporal de modulación AM de tipo asimétrico
donde. = amplitud de la portadora sin modular.

Emax — E®
Modulación de cresta positiva = m+ = 1.23
Emin — E O
Modulación de cresta negativa = m - - 1.24
En el caso de la modulación simétrica, se cumple que m = m" y ésta

representa la modulación AM de variación sinusoidal que se discutió
anteriormente.
La modulación en amplitud de tipo no simétrico es la modulación más
frecuente de encontrar, pues los armónicos contenidos en las frecuencias de las
ondas de voz (información que se transmite) provocan distorsiones que hacen
diferir a la modulación de cresta positiva y de cresta negativa, teniéndose por lo
general que el índice de modulación de las crestas negativas excede al de las
crestas positivas.
12
Con las expresiones 1.17, 1.18, 1.19 y 1.20 puede verse que en el
dominio temporal, la modulación en amplitud es la multiplicación de la señal
modulante y la portadora; esto tiene un efecto importante en el espectro de
frecuencia de la señal modulante; ya que este se traslada a una zona de
frecuencia superior determinado por el valor de la frecuencia portadora.
El análisis matemático de lo que se ha expresado se hace mediante la
Transformada de Fourier, que como se estableció anteriormente es la
herramienta matemática con la que se puede pasar de una función definida en el
dominio del tiempo al dominio de la frecuencia.
Utilizando la ecuación normalizada AM, para una modulación de tono
con señal portadora de tipo cosenoidal, y con Vcc = 1 se tiene:
1.25
1.26
1-27
donde: k = A¡.
El producto de funciones cosenoidales puede ser expresado de la

siguiente forma:
= 0.5.[cos(wc •*" Wm^ ^ cosfwc - ~wm)t] 1-28

Utilizando esta última ecuación e introduciéndola en la ecuación 1.27, la
señal SAMÍO quedará como:
777
—.[cos(wc + wm)t +cos(wc-wm)tj 1.29
Paralelamente a este análisis puede hacerse un análisis de la

transformada de Fourier de la función de Dirac2, llegándose a determinar;
8(t).ejm.dt = ejw'° = 1 1.30
Al obtener la transformada de Fourier de una señal de Dirac desplazada

en el tiempo se tiene:
F[5(t-to)] = \S(t-to).ejwt.¿t
F[8(t - to)] = J 8(r).
F[S(t-tQ)] = e-J™* 1.31
donde: 5(t) = Función de Dirac en el tiempo.
13
Recordando la propiedad de dualidad de la transformada de Fourier se
puede establecer que:
Si X(w) = F/xf/jy entonces F[X(t)] = 2^. 1 .32
De estas dos últimas ecuaciones, se puede deducir lo siguiente:
1.33
Si por otro lado se piensa que una señal de tipo cosenoidal puede ser
expresada mediante la formulación de Euler, se tiene:
1.34
Entonces la transformada de Fourier de una señal cosenoidal será:
1-35
— 1.36
" La función de Dirac es definida como O en T e R-{0} y 1 en i =0
14
15
Quedando finalmente:
1.37
Para el caso de una modulación de tono de tipo AM, la cual se

encontraba expresada en la ecuación 1.27, la transformada de Fourier de dicha
señal será;
Si se obtiene la transformada de Fourier de la expresión matemática

obtenida en la ecuación 1.29 para la señal
1.39
-- 0. 5. k.m.
Aplicando el resultado de la ecuación 1.37 en la ecuación 1.39 se tiene:
JJ 4- 0.5.k.
1-40
15
Realizando el arreglo de términos de la última ecuación resulta
finalmente:
1.41
S(w + wc+ Wm)] + k.m.
Esta última ecuación representa la traslación al dominio de la frecuencia

de una señal cosenoidal modulada en amplitud por un tono de baja frecuencia;
del resultado obtenido en el dominio de la frecuencia puede notarse claramente
la traslación que sufre el espectro de banda básica de la modulante cosenoidal.
Este mismo análisis de Fourier, el cual en el procedimiento anterior se ha
establecido para una modulación de tono puede hacerse para señales de
cualquier tipo tomándose como herramienta de cálculo la transformada de
Fourier. Cabe aclarar que al usar una señal cualesquiera como modulante, la
transformada de Fourier resultante no será siempre un par de pulsos, sino en
forma general una función continua en el dominio de la frecuencia.
Para esclarecer todo lo que se ha escrito y desarrollado
matemáticamente, es necesario visualizar gráficamente tanto el tono modulante
en banda básica como la señal resultante de la modulación. Entonces en el
dominio de la frecuencia se tiene:
-Wm O +Wm
Espectro en banda básica
16
-wc-wm -wc -wc+wm O Wc
Gráfico en el dominio de la frecuencia de una modulación AM de tono

Figura 1.4.
Como se dijo anteriormente lo que se ha descrito para un tono cosenoidal

puede hacerse extensivo para cualquier tipo de señal cuyo espectro de banda
básica estuviera determinado. Si la señal modulante tiene un espectro continuo
en banda básica al modularla en amplitud se verá desplazada en frecuencia,
conservando la misma forma espectral que tenia en banda básica. Observando
esto gráficamente;
-wm O +wm
-wc-wm -"\ Wc-Wm W c Wc+Wn
Gráfico en el dominio de la frecuencia de una modulación AM

Figura 1.5.
17
Cabe indicar que las frecuencias negativas obtenidas con la transformada
de Fourier físicamente no existen.
Como conclusión de lo que se ha establecido en el desarrollo matemático
puede decirse que en la modulación AM se realiza una manipulación de una
onda continua de radiofrecuencia (llamada portadora) a través de la
multiplicación con la señal modulante (información), lo cual provoca una
traslación del espectro de frecuencias de banda básica a una zona de
frecuencias superior determinado por la frecuencia de la portadora.
13
CAPITULO 2
ANÁLISIS DE DIFERENTES
FORMAS DE MODULACIÓN AM.
2.1. MODULACIÓN DE DOBLE BANDA

LATERAL. APLICACIONES
2.2. MODULACIÓN DE DOBLE BANDA
LATERAL CON PORTADORA SUPRIMIDA.
APLICACIONES
2.3. MODULACIÓN DE BANDA LATERAL
ÚNICA. APLICACIONES
2.4. MODULACIÓN EN CUADRATURA.
APLICACIONES
2.5. MODULACIÓN AM PARA INFORMACIÓN
BINARIA. APLICACIONES
CAPITULO!. ANÁLISIS DE DIFERENTES
FORMAS DE MODULACIÓN AM.
Del análisis matemático realizado en el capítulo anterior, se desprende
que la modulación AM provoca una traslación del espectro de frecuencias de
banda básica a una zona de frecuencia definida por la onda portadora.
Esta característica es común para todos los tipos de modulación AM
existentes. La diferencia entre ellas radica en la forma de consecución de la
modulación y los esfuerzos realizados para ahorrar espectro o potencia. Las
formas de modulación que van a ser descritas en las siguientes líneas son :
Modulación AM de doble banda lateral con portadora
Modulación AM de doble banda lateral con portadora suprimida
Modulación AM de banda lateral única
Modulación AM en cuadratura
Modulación AM para información binaria (ASK)
19
2.1. Modulación AM (de doble banda lateral con portadora).
Por lo general, al hablar de una modulación AM3 implícitamente se está
hablando de una modulación de doble banda lateral con portadora, aunque ésta
sea realmente una de las posibles formas de modulación en amplitud.
En el análisis de la modulación de tono del capítulo 1 se puede notar que
en banda básica realmente no existe una parte del espectro que tenga
frecuencias negativas, por lo que el ancho de banda real de la señal se limita
desde O hasta wm? mientras que luego de la modulación se puede apreciar que el
ancho de banda de la señal resultante es el doble que en banda básica.
Adicionalmente se puede notar que existe la presencia de la señal
portadora dentro del espectro, por tanto aún cuando no exista presencia de la
señal de información si existirá presencia de señal portadora.
A partir de la ecuación que define a la modulación AM, se puede
construir un diagrama de bloques de un modulador, el cual sería de la siguiente
manera:
2.1
20
f(t) modulante Multiplicador mf(t) Multiplicador de
(m) dos cuadrantes
Portadora (Ac coswct)
Figura 2.1: Diagrama de bloques de Modulador AM (de doble banda lateral con
portadora)
Como puede verse en el diagrama de la figura 2.15 la señal modulante f(t)
es multiplicada inicialmente por un valor m con lo que se obtendría la
componente mf(t) y luego multiplicada (usando un multiplicador de dos
cuadrantes) por la portadora AC coswct para tener: AC coswctmf(t). Finalmente
se suma este resultado con la señal portadora y se obtiene algebraicamente la
señal:
SAM (t)= AC coswct.mf(t) + . AC coswct
21
En lo que respecta a la potencia promedio requerida para realizar este
tipo de modulación AM, el análisis matemático en base a la ecuación 1.29 que
es la que representa a este tipo de modulación y considerando una resistencia de
carga unitaria se tiene:
1 TI
— J (?..25.£~'.W.cos~Y>i'c~l~ wm)t.dt+ 2.2
Ti o
•• 0.25.k" .m" •cos"
Puede notarse que dentro de la expresión 2,25 no se ha incluido el
producto de las señales eos (wct).cos (wmt) ya que al integrarse, este producto
se hace cero pues son funciones ortogonales.
Entonces se tiene que la potencia contenida dentro de una señal AM
puede expresarse como:
22
~f^~J 2.3
En la ecuación 2.3 se hace un reemplazo de: Pp = O.Sk2 (donde k = AC) lo
que significa la potencia de la señal portadora, entonces se tiene;
2
p =p n+OLj 2.4
Lo que se ha expresado cualitativamente en cuanto a la transmisión de
portadora aún en ausencia de información., se muestra también
cuantitativamente mediante la ecuación 2.4.
El uso de la modulación AM es conveniente cuando se desee lograr un
desplazamiento en las componentes de frecuencia de una señal, lo que puede
ser deseable en casos donde las frecuencias componentes de la señal
compliquen el diseño de filtros, o en el caso de transmitir mediante las ondas
electromagnéticas, comunicación oral a través del espacio con el fin de cubrir
distancias grandes.
La modulación AM (de doble banda lateral con portadora) es el método
de modulación AM más usado dentro de la radiodifusión comercial
(broadcasting) y en transmisiones de voz punto a punto, debido principalmente
23
a los bajos costos requeridos para el dispositivo receptor que con esta forma de
modulación resulta muy simple y barato. Posteriormente al comparar este tipo
de modulación con otros se logrará establecer sus beneficios y desventajas.
2.2. Modulación AM de doble banda lateral (con portadora suprimida).
Aplicaciones.
Este tipo de modulación se caracteriza porque presenta una diferencia
con lo que se conoce como modulación AM, dicha diferencia radica en que en
la modulación de doble banda lateral ya no se transmite la portadora.
Matemáticamente una modulación de tono (f(t) = coswmt) de doble
banda lateral podría expresarse mediante la ecuación siguiente:
SDBL(Í) = Ac. cos(wet).f(t) 2.5
A partir de esta expresión matemática el diagrama de bloques de un
modulador de doble banda lateral, podría expresarse de la siguiente manera:
24
f(t) Multiplicador de
cuatro cuadrantes
Portadora (Ac coswct)
Figura 2.2: Diagrama de bloques de Modulador AM DBL sin portadora
Como puede verse en el diagrama de la figura 2.2, la señal modulante f(t)
es multiplicada (usando un multiplicador de cuatro cuadrantes) por la portadora
Ac cosWct para tener: AC coswctf(t)
Comparando los diagramas de bloques tanto para la modulación AM
como para la de doble banda lateral, aparentemente presenta más sencillez este
último, pero en realidad es lo contrario pues la dificultad para realizar un
multiplicador de cuatro cuadrantes es mucho mayor que uno de dos cuadrantes.
Obteniendo la transformada de Fourier de la ecuación 2.55 se llega a:
25
2.6
AcJt[8(\V - K', + >(, J + 8(\V +
Espectraknente este tipo de modulación se vería de la siguiente manera:
-wm O +wra
-Wc O Wc-Wm Wc Wc+Wn
Figura 2.3: Diagrama espectral de Modulación AM DBL sin portadora
De lo que puede verse, en la modulación de doble banda lateral toda la
potencia se está canalizando únicamente para la información, es decir no existe
ningún gasto de potencia en la portadora, esto puede verse mejor con la
siguiente ecuación, en la que se considera una resistencia de carga normalizada
unitaria:
26
PSDBLft) " ^
2.7
ít r2 T o
I 0.5.k".CQS"
T2 O
De esta última expresión (donde k = AC) resulta:
,2 7,2
PSDBLÍt) = 0.5 + 0.5
2 2
k2
PSDBL = ^V 2.8
Comparando las expresiones 2.3 y 2.8 puede verse que el gasto de
potencia es mayor en la modulación AM que en la modulación AM de doble
banda lateral sin portadora, justamente por el gasto de potencia implícito para la
transmisión de portadora.
En lo que respecta a la forma temporal de este tipo de modulación, esta
es exactamente igual a la mostrada en la figura 1.2 del capítulo 1; por lo que
viene a representar una sobremodulación o una inversión de fase en lo que
27
respecta a la envolvente. En cuanto tiene que ver con el ancho de banda, tanto
la modulación AM cuanto este tipo de modulación presentan el mismo consumo
del espectro, que es de dos veces el ancho de banda básico.
Las aplicaciones más importantes de este tipo de modulación se dan en
instrumentación análoga y en multiplexión de señales de voz, debido al ahorro
en cuanto a la potencia, A pesar del mencionado ahorro en cuanto a la potencia
que se transmite, la preferencia comercial de la modulación AM sobre la de
doble banda lateral sin portadora radica en que el dispositivo demodulador de
AM es menos complicado y ello abarátalos costos de los receptores.
En el caso de la modulación de doble banda lateral sin portadora es
necesario disponer de un detector sincrónico como demodulador puesto que
debe conocerse la fase y la frecuencia conectas para obtener la señal modulante
de forma adecuada.
Dentro de la modulación de doble banda lateral sin portadora, se utiliza
un sistema de portadora piloto con el cual se envía un tono senoidal cuya
frecuencia y fase está relacionada con la señal portadora. Este tono senoidal se
envía fuera de la banda de la señal modulada y con él se ayuda al circuito
demodulador para detectar la información correctamente.
28
2.3. Modulación AM de banda lateral única. Aplicaciones.
La modulación AM de banda lateral única se la consigue realizando la
modulación de doble banda lateral y filtrando una de las bandas de información.,
sea esta la banda lateral inferior o la banda lateral superior. Ésto puede hacerse
gracias a que en cada una de las bandas la información está contenida
totalmente. Viendo gráficamente este tipo de modulación se tendría:
-wm O wm -wc-wm-wc -wc+wm O wc-w.
banda lateral
izquierda eliminada por filtrado.
Figura 2.4: Diagrama espectral de Modulación AM de Banda Lateral Única
Esquematizando en un diagrama de bloques la forma como podría
obtenerse una señal de banda lateral única a través de un método de filtraje, se
tiene:
29
f(t) Multiplicador de Futro >BLU
cuatro cuadrantes
Portadora
Figura 2.5: Diagrama de bloques de Modulador AM de Banda Lateral Única
por método de filtrado.
De la figura 2.5 puede verse que la señal modulante f(t) y la portadora
Ac. cos(wct) se mezclan en el multiplicador de cuatro cuadrantes obteniéndose
una señal de doble banda lateral sin portadora, siendo necesaria la presencia de
un filtro que elimine una de las bandas laterales sea esta la superior o la inferior.
La modulación de banda lateral única es aplicable

i solamente en el caso
de que las componentes de baja frecuencia de la información sean despreciables
o nulas, de tal manera que puedan ser eliminadas por el filtro. Este hecho limita
un poco las aplicaciones disponibles, pero ayuda a reducir el consumo de ancho
de banda en las transmisiones, tomando en cuenta el consumo del espectro al
realizar ya sea una modulación de tipo AM o de doble banda lateral.
30
Las aplicaciones más frecuentes de este tipo de modulación se producen
en la transmisión telefónica analógica, en donde se utiliza multiplexación en
frecuencia (FDM) para transmitir varios canales de voz simultáneamente
asignándoles diferentes frecuencias y para ello se limita la banda de frecuencia
(0.3 - 3.4 kHz) del canal telefónico, esto se aprovecha porque las componentes
espectrales de baja frecuencia son pequeñas, además se la usa en las
transmisiones realizadas por radioaficionados y transmisones de voz punto a
punto. Otras aplicaciones comunes de este tipo de modulación se dan en
comunicaciones militares, de marina y aviación; donde las frecuencias de
operación pueden variar en varias octavas.
En este tipo de modulación la potencia que se gasta en la transmisión es
la mitad que en el caso de la modulación de doble banda lateral y se expresa
mediante:
PSDBL
PSBLU =
31
Como puede verse el ahorro en cuanto a la potencia de transmisión es
mayor, pero el circuito necesario para la demodulación es aún más complicado.
En lo que respecta a la modulación de banda lateral única se ha
establecido que al existir componentes de baja frecuencia apreciables dentro de
una señal de información, este tipo de modulación no resulta conveniente.
Para solucionar este problema, existe una variante en cuanto a este tipo
de modulación y que se conoce con el nombre de modulación de banda lateral
vestigial con la cual se transmiten una banda lateral (sea la superior o la inferior)
y una parte de la banda que no se transmite. Esto permite economizar en cuanto
al espectro disponible y adicionalmente lograr una buena transmisión de la
información. Especialmente esta modulación se vería como:
O Wm -Wc-Wm-Wc -Wc-i-Wm O Wc-Wm W
Figura 2.6: Diagrama espectral de la Modulación de Banda Lateral Vestigial
Este tipo de modulación de banda lateral vestigial es utilizada
básicamente en comunicaciones punto a punto, comunicaciones militares,
32
facsímil, transmisión de información visual (TV) y en algunos sistemas de
banda ciudadana. En cuanto a la potencia de transmisión de este tipo de
modulación, resulta algo mayor que la potencia de transmisión de una
modulación de banda lateral única.
Cabe mencionar que tanto la modulación de banda lateral vestigial como
la modulación de banda lateral única requieren de receptores más complicados
en comparación a los requeridos en modulación AM; tanto en la modulación de
banda lateral única como en la de banda lateral vestigial puede agregarse
portadora de modo que se tenga una modulación con gran portadora y ello
facilita a que el receptor contenga solamente un detector de envolvente, que es
sencillo y mucho menos costoso; pero para esto es necesario incluir una
cantidad de portadora de más potencia que en el caso de la modulación AM.
2.4. Modulación AM en Cuadratura. Aplicaciones.
Este método es también conocido como el método de defasaje y
mediante este se puede conseguir una modulación AM de banda lateral única.
Para ello es necesario partir de la forma matemática de este tipo de modulación
y debe recordarse que realmente solo se tienen frecuencias positivas, aunque
33
como resultado de aplicar una Transformada de Fourier a una señal definida en
el tiempo se tengan frecuencias tanto positivas como negativas.
A cualquier señal temporal f(t) que tiene la propiedad particular de tener
una densidad espectral de una sola banda lateral se la conoce como una función
analítica. Entonces el problema se reduce a encontrar la forma de hacer que
toda señal definida en el tiempo pueda ser transformada en una señal analítica,
para luego aplicar los principios básicos de la modulación y obtener una señal
de banda lateral única.
La forma de hacer esto es haciendo que la señal temporal h(t) pase a
través de un desplazador de fase de -90°, de tal manera que todas las
componentes de fase positivas de h(t) sean desplazadas en -90° y las
componentes negativas +90°, esto hace que la función sea siempre una función
impar, con lo que la Transformada de Fourier de la señal h'(t) (h(t) desplazada
90°) quedaría:
Si H(w) = F[h(t)] entonces: H'(w) = -jH(w) para \v>0
2.10
paraw<0
34
Si se multiplica a la señal h'(t) por +j? su transformada también se
multiplicará por+j ? entonces jH(w) quedará:
jH'(w) = H(\v) paraw>0
2.11
-H(w) paraw<0
Entonces para formar una señal analítica f(t) a partir de una señal
cualesquiera h(t)? deberá hacerse la suma de h(t) y jh'(t), de modo que la
Transformada resultante quede:
F(w) = 2.H(w) paraw>0

2.12
O para w < O
Una vez que ya se ha establecido la formación de una señal analítica,
debe precederse a aplicar los conceptos básicos de la modulación y que
35
corresponde a una traslación en el espectro. Para ello es necesario recordar una
de las propiedades de la Transformada de Fourier que dice:
Si F(w) = F[f(t)] entonces:
2.13
Entonces para obtener una señal de banda lateral única, basta con sacar
la transformada de Fourier de la parte real de la multiplicación de una señal
analítica con una exponencial. Esto se expresa matemáticamente mediante:
f(t)=h(t)+j.h'(t)
SBLuft) = 2.14
A partir de esta expresión, y haciendo las consideraciones matemáticas
se llega a:
SBLU ft) = h(t). cos(Vc t) + h'ft). sm(Wct) (39) 2.15
36
A este proceso de realizar los desplazamientos de fase de 90° a las
componentes de frecuencia de la señal h(t), se ie conoce como sacar la
transformada de Hilbert de h(t).
Si se compara las dos formas de obtener una señal de banda lateral única,
entre el método del fíltraje y este método de la transformada de Hilbert, se
puede apreciar que para que este último sea efectivo, es necesario que la señal
h(t) y la portadora sean completamente sinusoidales., lo cual es difícil de lograr
en la práctica. Adicionalmente debe lograrse que la red de defasaje de 90°
funcione correctamente para cualquier función f(t) lo cual limita el ancho de
banda del sistema obtenido. Por lo general se lo emplea en la generación de
señales de banda lateral única para baja frecuencia y digital.
El diagrama de bloques de la generación de señales de banda lateral
única mediante el método del defasaje, se presenta a continuación:
37
f(t) Multiplicador de Sumador H, S'BLU
cuatro cuadrantes
Portadora
Multiplicador de cuatro cuadrantes
Figura 2.7: Diagrama de bloques de un Modulador usando el Método del
defasaje.
Como puede verse en el diagrama de bloques, existen dos
multiplicadores de cuatro cuadrantes los cuales se mezclan con señales f(t) y
f (t) (f(t) defasada 90°) respectivamente. Adicionalmente las portadoras (en la
formulación matemática representadas por g(t)) utilizadas para la combinación
corresponden a una portadora sin defasar (g(t)) y una portadora defasada de su
estado original en 90° (g'(f)). Posteriormente se realiza la suma de la
combinación de estas señales con lo que se obtiene la señal de banda lateral
única.
38
2.5. Modulación AMpara información binaria (ASK).
La característica nueva de este tipo de modulación AM es la forma
temporal de la señal de información, en el caso de la modulación analógica
tanto la portadora como la modulante son señales temporales continuas; en el
caso de la modulación ASK la información tiene un formato digital y por lo
tanto está cuantizada tanto en duración como en amplitud, pero la portadora
sigue siendo una onda continua de radiofrecuencia.
Al igual que en el caso de la modulación AM5 la forma matemática para
expresar este tipo de modulación es:
os(wct) 2.16
donde: b(t) es la información binaria y m el índice de modulación.
Similar a una modulación AM, con la modulación ASK se consigue una
traslación del espectro de banda básica a una zona de mayor frecuencia
(determinada por la frecuencia de la portadora) y al igual que en la modulación
analógica, existen diferentes formas de modulación ASK tales como: doble
banda lateral, banda lateral única, etc.
Algo necesario de notar es que, por lo general la señal de información
b(t) es una señal NRZ (no retorno a cero), y por lo tanto sus valores de amplitud
39
fluctúan entre valores positivos y valores negativos; pero puede darse el caso de
que la información sea una señal con retorno a cero (valores de amplitud entre
cero y una magnitud positiva) y en ese caso, el tipo de modulación descrita se
conoce como una modulación OOK (On Off Keying). Las formas temporales
de estos dos tipos de modulación se presentan a continuación;
V V
-V
a) Señal con Modulación ASK. b) Señal con Modulación OOK.
Figura 2.8: a) Forma temporal de Modulación ASK.
b) Forma temporal de Modulación OOK
De lo que puede verse para la señal OOK, se nota que es, una
»
modulación de encendido y apagado, y puede establecerse un análisis en base a
la relación señal a ruido (S/N)5 para comparar los dos tipos de modulaciones.
Dentro de la modulación AM, existe un formato análogo a la modulación de
tipo OOK, y que es la modulación ICW, en la cual se transmite una onda de alta
frecuencia pura generándose el Código Morse; adicionalmente existen varias
aplicaciones de este tipo de modulación AM, en transmisión satelitaL,
radiotelegrafía y teletipo.
40
CAPITULO 3
TÉCNICAS DE MODULACIÓN
AM.
3.1 MULTIPLICACIÓN ANÁLOGA

3.2 MODULACIÓN DE CONMUTACIÓN
3.3 MODULACIÓN CON DISPOSITIVOS NO
LINEALES
3.4 MODULACIÓN DE ALTO NIVEL
CAPITULO 3. TÉCNICAS DE MODULACIÓN
EN AMPLITUD.
Para realizar dispositivos con los cuales se pueda conseguir una

modulación en amplitud de cualquier tipo es necesario tomar en cuenta las
expresiones matemáticas que definen a cada tipo de modulación que se desee
implementar, a fin de usar un método conveniente y conseguir el resultado
deseado.
En lo que tiene que ver con los moduladores de alto y de bajo nivel, la
diferencia principal entre uno y otro tipo radica en el lugar donde se realiza el
mezclado de la portadora y el audio, para ello es necesario revisar el siguiente
esquema;
Oscilador Amortiguador Multiplicadores

de frecuencia
// //
Amplificadores Excitador Amplificador de
de voltaje RF Potencia RF
Amplificadores Excitador de Amplificador

de AF AF de potencia AF
Figura 3,1: Diagrama de bloques de Modulación AM en bajo nivel
41
En el diagrama de la figura 3.1, se aprecia un esquema de bloques de
modulación AM de bajo nivel, en donde se puede notar que la mezcla de la
señal portadora con la modulante se realiza en las etapas anteriores al último
Amplificador de Potencia de RF.
A continuación se presenta un diagrama de bloques de Modulación
AMde alto nivel:
fAmortiguador Multiplicadores
de frecuencia
// //
// I //
Amplificadores Amplificador de
de voltaje RF Potencia RF
Amplificadores Excitador de Amplificador

de AF AF de potencia AF
Figura 3.2: Diagrama de bloques de Modulación AM de alto nivel.
En el diagrama de bloques de la figura 3.2 puede apreciarse que en la

Modulación AM de alto nivel, las mezcla (modulación) de las señales
42
portadora y modulante se realiza en la última etapa que es el Amplificador de
Potencia de RF, justo antes del acoplamiento a la antena transmisora.
Como conclusión de los diagramas de la figuras 3.1 y 3.2 se puede
decir que en el caso de una modulación de bajo.nivel, la mezcla de la señal de
audio con la señal de radiofrecuencia puede hacerse en cualesquiera de las
etapas anteriores a la salida que es la alimentación al elemento radiador; es
decir será necesario incluir amplificadores lineales de potencia antes de
realizar la alimentación a la antena. Para el caso de una modulación de alto
nivel, el gráfico indica que la modulación se realiza en la etapa de salida del
amplificador de potencia de radiofrecuencia, razón por la cual no es necesario
disponer de ninguna etapa previa de amplificación lineal de potencia. Esta
disminución de etapas lineales de amplificación reduce los costos
involucrados para la generación de señales AM, característica que hace que la
modulación de alto nivel sea la más utilizada en la generación de señales AM
para radiodifusión comercial.
En lo que respecta a la forma de conseguir una señal modulada en AM,
esto puede hacerse electrónicamente a partir de diferentes formas:
*»
- Con multiplicación análoga.
- Con dispositivos no lineales.
- Con dispositivos de conmutación.
3.1. Multiplicación Análoga,
De los fundamentos matemáticos que se han establecido para la

modulación AM, se puede ver que es necesario disponer de un dispositivo
multiplicador de señales y que dependiendo del tipo de modulación AM que
43
se desee implementar, deberá ser un multiplicador de dos ó de cuatro
cuadrantes.
Con un multiplicador de dos cuadrantes, se consigue realizar el
producto de dos señales, en donde una de estas señales necesariamente debe
ser de tipo positivo. Esto quiere decir que únicamente sería posible realizar
una modulación de tipo AM con un índice de modulación menor al 100 %.
Con un multiplicador de cuatro cuadrantes, es factible realizar la
multiplicación de señales sean ambas de tipo positivo o de tipo negativo; y a
partir de este tipo de multiplicador es factible realizar cualquier tipo de
modulación AM.
Un diagrama de bloques que representaría adecuadamente una
multiplicación análoga, se presenta a continuación;
ei + e2
Figura 3.3: Diagrama de bloques de un Multiplicador Análogo.
Donde: ei = Señal Modulante

Q2 = Señal Portadora
K, = Constante.
44
De lo que se puede obsewar en el último diagrama de bloques, la
salida e3 es igual a:
63 = Ks-(e~i "*" 2.ej.e2 ~ e?) 3.1
Para la salida €4, se tiene:
64 = Ks-(e~¡ - 2.e 1-62 + e~?) 3.2
Como la salida (CQ) del sistema representado en el diagrama de bloques

es igual a e3 - 64, entonces eo será:
eoft) = -f.Ks-eiftJ.eift) 3.3
Los elementos de salida cuadrática representados dentro del diagrama

de bloques como bloques A y B5 están definidos a través de las siguientes
expresiones:
\Ks.ei2 _ .
ea=\4
O $iet<0
Donde, e¡ = Señal de entrada a elementos de salida cuadrática de la figura 3.3.

ea = Señal de salida de elementos de salida cuadrática de la figura 3.3.
Para mostrar que este multiplicador análogo es capaz de generar una

señal AM, se tiene que ei = A.[l + m.f(t)] y e2 — AC.COS (wct), entonces la
salida eo(t) será:
45
eoft) = 4.KS.AC-A-[1 + m.f(t)J.cos(wct) 3.5
donde: e} = Señal modulante con A y m constantes y f(t) señal temporal

modulante.
$2= Señal portadora con AC amplitud de portadora y wc frecuencia de
portadora en radianes por segundo.
De la ecuación 3,5 se nota que en la salida eo(t), se obtiene la

multiplicación de la señal de información (modulante) con la señal portadora
lo cual constituye la forma matemática de una modulación de amplitud.
Observando la ecuación 3.4, se puede notar que la existencia de salida
en los elementos de ley cuadrática de la figura 3.3, está supeditada a que la
señal de entrada a ellos sea mayor que cero. Entonces el elemento de ley
cuadrática cuya entrada es ei - e2, presentará la peor condición. Evaluando la
resta de los módulos de ei y 62 se tiene:
A.(l - m) - Ac ^ O 3.6
*>
De la ecuación 3.6, se llega a determinar que:
TW < 7 - — 3.7
A
Esta última ecuación indica que con los elementos de ley cuadrada
representados en la figura 3.3 y especificados dentro de la ecuación 3.4, el
índice de modulación (m), será necesariamente menor que uno según lo
obtenido en la ecuación 3.7, que es una condición para que uno de los
46
elementos de ley cuadrática pueda funcionar. Por lo tanto con el diagrama de
bloques de la figura 3.3 únicamente se podrá generar señal AM doble banda
lateral con presencia de portadora.
3.2. Modulación de Conmutación (chopper).
Este tipo de modulación se realiza muestreando la señal de

información a la frecuencia de la señal portadora y la señal resultante se la
hace pasar por un filtro sintonizado a la frecuencia de la portadora. El
esquema de este tipo de modulador se presenta a continuación:
R
filtro pasa- vo(t)

banda
g(t) = Ac.coswct
•i
Figura 3,4: Diagrama de bloques de un Modulador de Conmutación
donde: f(t) = Señal modulante

va(t) = Señal resultante de la conmutación de f(t) con el Switch
controlado por la señal portadora AC cos(wct).
En el circuito básico que se muestra en la figura anterior se puede ver

que el switch es controlado por la señal portadora Ac.cos(wct) y permanece
abierto mientras A>cos(wct) > O y está cerrado cuando Ac.cos(wct) < 0. Para
47
demostrar que con este circuito se puede realizar una modulación AM, debe
indicarse que la señal va(t) es igual a:
va(t) = f(t).S(t) 3.8
Para facilitar el análisis, se considerará en adelante que la amplitud de

la señal portadora (Ac) es de valor unitario,. Entonces, la función S(t) que es
la función de conmutación del switch controlado por la portadora g(t) será:
, 1 si cosfwct) - O
•Sft) = l c/ 3.9
O si cosfwcV ( O
Esta señal S(t) puede ser expandida en series de Fourier de la siguiente

forma:
1 2 ?
— + —.cos(wct)- — 'Ws(3wcO+.. 3.10
2 n 3n
Aplicando el resultado de la ecuación 3.10 en la ecuación 3.8, se

obtiene la señal va(t) igual a:
3.11
n
Entonces con el filtro centrado en la frecuencia portadora, y si se

considera que el filtro no provoca atenuaciones, se tiene que la salida viene
expresada por:
3.12
K
Si se observa el espectro de frecuencias de este tipo de modulador de

conmutación ecuación 3.11, antes del filtro pasabanda, se llega a la
conclusión de que la frecuencia de la señal modulante debe ser menor que la
mitad de la frecuencia de la portadora.
-wm O wm wc-wm wc wc+wm 3wc-wm 3wc 3wc+w,
Figura 3.5: Espectro de frecuencias de un Modulador de Conmutación.
donde, wm = frecuencia de la señal modulante g(t) en radianes.

wc = frecuencia de la señal portadora en radianes.
Entonces para que no exista sobreposición entre los espectros, debe

cumplirse que:
Wc - Wm > Wm
wc + w m < 3w c -w m
De donde resulta que: wc > 2 wm
Adicionalmente puede decirse que al no existir restricciones para la señal f(t),

el índice de modulación puede variar a gusto pudiendo obtenerse modulación
AM y modulaciones de doble banda lateral o banda lateral única.
49
3.3 Modulación con Dispositivos no lineales.
Un diagrama de bloques que represente un modulador de dispositivo

no lineal, se presenta a continuación:
Ks(ei+e2)2
Figura 3.6: Diagrama de bloques de un Modulador de Dispositivo no lineal
donde: t\ A(l+m.f(t)) = Señal modulante, A y m son constantes y f(t) es la

señal temporal.
e2 = Ac.cos(Wct) = Señal portadora, AC amplitud de portadora y wc
frecuencia de la portadora en radianes por segundo.
Una de las limitaciones de este tipo de modulador es que la no

linealidad no debe ser mayor ni menor al segundo grado. Esto se demuestra a
continuación suponiendo que la no linealidad es de tercer grado, que la
entrada al elemento que introduce la no linealidad será e¡ y que la salida del
mismo seráeo:
50
Si llamamos a la modulante e^t) y a la portadora e2(t) y considerando
que el filtro pasabanda está centrado a la frecuencia de la portadora, entonces
solamente los términos que estén multiplicados por e2(t) pasarían por el filtro,
entonces los términos que formarían a la señal S(t) serían:
S(t) = üi-e.2 ^ 2a2C¡e2 ^ 3ase~¡e2 3.14
El último término de la ecuación 3.14, indica es una distorsión al

espectro deseado puesto que incluye la multiplicación de la señal portadora
por el cuadrado de la modulante; esta distorsión no es posible de eliminar con
un filtro.
Otra limitación de este tipo de dispositivo es que la frecuencia de la
portadora debe ser mayor a tres veces la frecuencia de la modulante. Para
demostrar esto, se va a suponer que la no linealidad escogida será la correcta
y que será de segundo grado. Entonces:
= as -r ai.ei + a2.er 3.15
Introduciendo en la ecuación 3.15 el valor de ei = (Q\+QI), se tiene:
eo = ao + a\.(e\ e2) + a2.(ei2 +e22 +2.e\eí] 3.16
Debe recordarse que e¡ representa a la señal modulante (A(H-mf(t)) y

que Q2 representa a la señal portadora (Ac.cos(wct))3 de acuerdo a esto, la
señal a2.ei2 espectralmente tendrá una frecuencia 2wm y debería evitarse que
esta frecuencia se superponga con la frecuencia más baja resultante de la
51
modulación, que es wc - wm. El gráfico espectral de la ecuación 3.16 es el
•siguiente:
-wm O wm 2wm w,-wm wc wc+wm 3wc-wm 3wc 3w,+wn
Figura 3.7: Espectro de frecuencias de un Modulador de Conmutación.
Del gráfico de la figura 3.75 se puede apreciar que para evitar el cruce
de espectros, debe cumplirse lo siguiente:
>2
Wc >
3.17
La ecuación 3.17 ratifica lo dicho anteriormente en lo tocante a la

característica que debe cumplir la frecuencia de la señal portadora respecto a
la señal modulante.
3.4. Modulación de Alto Nivel
Para realizar transmisiones de señal a grandes distancias, será

necesario incrementar el nivel de potencia del transmisor. Por esto los
transmisores de tipo comercial, regulannente emplean modulación AM de
alto nivel, que puede simplifícadamente ser descrita con el siguiente
diagrama de bloques:
Amplificador de
Modulante Audio.
Modulador.
Amplificador de
Portadora Portadora.
Figura 3.8: Diagrama de Bloques de modulación de alto nivel.
En el diagrama de bloques de la figura 3.8, se aprecia que antes del

modulador existen etapas amplificadoras de portadora y audio, debido a la
demanda de potencia del modulador que es quien alimenta directamente a
la antena. Considerando tubos electrónicos, la distinción entre modulación
de alto nivel y bajo nivel puede expresarse como sigue:
Modulación de Alto . Nivel se realiza básicamente en tubos

modulados en placa cuya salida alimenta directamente a la antena.
Modulación de Bajo Nivel en las cuales las etapas moduladas son
moduladas sea en grilla o en placa pero cuya salida de portadora modulada
alimenta a un amplificador lineal. La etapa de amplificación lineal
amplifica a la portadora modulada sin distorsionarla en ninguna forma y
alimenta posteriormente a la antena.
53
Modulación en Grilla en la cual el amplificador final es modulado en
grilla.
Modulación de Placa.
La modulación de placa por transformador es uno de los métodos

más populares dentro de la modulación AM. Un diagrama que ilustra un
circuito de este tipo está en la figura 3.9:
Moduíated
o/npfifier
fí-f a-c
¡flput
2,000-volt de
Figura 3.9: Circuito para Modulación de Placa.
En este diagrama la etapa del amplificador a triodo de RF está siendo

modulada por la adición de un voltaje de audio frecuencia en serie con el
voltaje de la fuente de alimentación del amplificador de RF. La potencia de
salida del amplificador de RF variará con cualesquiera de los voltajes de
audio frecuencia desarrollados en el secundario del transformador de
modulación. La etapa de amplificación de RF es polarizada en GRTT.T.A-
LEAK clase C por una amplitud constante de RF que está siendo aplicada a
la grilla del amplificador de RF desde un oscilador, un buffer o doblador.
La etapa del tubo modulador es un triodo en clase A, usándose en los
transmisores un tubo en clase AB o B para desarrollar una alta potencia de
54
audio necesaria para producir la modulación deseada y reducir las
armónicas de orden par.
Modulación de Placa en Tetrodos y Pentodos.
Algunas veces se vuelve más ventajoso el uso de tetrodos y pentodos

antes que el uso de triodos como amplificadores modulados de RF. Los
triodos deben ser neutralizados mientras que los tetrodos y pentodos no
requieren neutralización bajo los 30 MHz. Los tetrodos y pentodos tienen
además sensitividad de altas potencias requiriendo menos manejo de
potencia de RF y menos polarización de voltaje.
Cuando un voltaje modulado es aplicado al circuito de placa de un
tetrodo o un pentodo y un voltaje constante es aplicado a la pantalla grilla.,
una modulación de ciento por ciento se puede obtener pero con una
distorsión excesiva, debido a que la corriente de placa es relativamente
independiente del voltaje de placa. Si se desea obtener altos índices de
modulación sin distorsión, es necesario modular tanto los circuitos de placa
como los circuitos de pantalla grilla. Esto puede hacerse de varias formas.
Una de ellas es tener un bobinado secundario y terciario produciendo
un alto voltaje de audio frecuencia para el circuito de placa y un bajo
voltaje de modulante para el circuito de pantalla de grilla tal como se
muestra en la figura 3.10. Para esto se requiere que tanto el voltaje de placa
y de pantalla estén en fase.
Modulofed
atnplift'sr
Hlgh High
Figura 3.10: Circuito para Modulación con Pantalla de Grilla.
Otra forma de hacerlo es mediante la alimentación de un voltaje

modulante a la pantalla de grilla a través de un resistor conectado entre la
placa y secundario del transformador de modulación tal como se muestra
en la figura 3.11. Si el resistor es erróneamente conectado al terminal de la
fuente de alimentación del transformador ninguna audiofrecuencia será
alimentada a la pantalla de grilla.
Figura 3.11
56
Al ubicar una alta ínductancia, bobina de choque con baja resistencia
en serie con el terminal alimentado a la fuente de la pantalla de grilla se
provocará una modulación propia en el voltaje de pantalla de grilla. Esto se
ve en la figura 3.12. Incrementar el potencial positivo en la placa provoca
el incremento en la corriente de placa y el decremento en la comente de la
pantalla de grilla. Esto provoca que el campo magnético del choque
induzca un voltaje más positivo en la pantalla, así la pantalla y la placa
aumentan de potencial al mismo tiempo.
Self-mcduíofing
screen gríd chote
Figura 3.12
57
CAPITULO 4
DISEÑO Y CONSTRUCCIÓN DEL
4.1 DISEÑO DEL OSCILADOR LOCAL A

1500 kHz
4.2 DISEÑO DE CIRCUITO DE AUDIO
4.3 DISEÑO DE CIRCUITO MODULADOR
AM DE DOBLE BANDA LATERAL CON
PORTADORA
4.4 DISEÑO DEL CIRCUITO MODULADOR
AM DE DOBLE BANDA LATERAL CON
PORTADORA SUPRIMIDA
4.5 DISEÑO DE CIRCUITO PARA
MODULACIÓN AM DE BANDA
LATERAL ÚNICA (MÉTODO DE
CUADRATURA)
4.6 DISEÑO DEL CIRCUITO MODULADOR
AM DE BANDA LATERAL ÚNICA
(MÉTODO DE WEAVER)
CAPITULO 4. DISEÑO Y CONSTRUCCIÓN DEL
EQUIPO DIDÁCTICO.
Para poder efectuar la modulación en amplitud en cualquiera de sus

formas posibles, es necesario disponer de todos los elementos requeridos.
Por esto, se ha debido diseñar y construir los osciladores de 400 Hz y 1000
Hz que servirán como frecuencias modulantes que permitan operar el
equipo, así como el oscilador de 1500 kHz que servirá como frecuencia
portadora, además de todos los módulos necesarios para cada tipo de
modulación. De acuerdo a esto, los circuitos construidos como parte de este
trabajo son los siguientes:
• Circuito de Audio: Que contiene las frecuencias de 400 y 1000 Hz

incluyendo salidas defasadas en 90°.
• Circuito de Portadora: Que contiene la frecuencia de 1500 kHz con

incluyendo salidas defasadas en 90°.
• Circuito de Modulación AM: Que efectúa Modulación AM usando

como entradas las salidas de los circuitos de Audio y Portadora.
• Circuito de Modulación AM de Doble Banda Lateral sin portadora:

Que efectúa la modulación que su nombre indica y usa como entradas
las salidas de los circuitos de Audio y Portadora.
• Circuito de Modulación AM de Banda Lateral Única (Método de
Cuadratura): Que realiza la modulación que su nombre indica y que
usa como entradas las salidas de los circuitos de Audio y Portadora y
requiere adicionalmente de los defasamientos de 90°.
• Circuito de Modulación AM de Banda Lateral Única (Método de

Weaver): Que realiza modulación AM de Banda Lateral Única y que
usa como entradas las salidas de los circuitos de Audio y Portadora.
El diseño y la construcción del equipo se ha basado principalmente

en las características de uso del mismo, razón por la cual se han realizado
diseños que correspondan a los diagramas de bloques presentados en los
capítulos precedentes.
Adicionalmente para el diseño de las etapas requeridas por el equipo,
se ha procurado la utilización de circuitos integrados disponibles en el
mercado local.
A continuación se describe el diseño de cada una de las etapas
utilizadas para el funcionamiento del equipo.
T
4.1. Diseño del Oscilador Local a 1500 kHz
Tomando en cuenta lo mencionado en la introducción, esta etapa que

genera la frecuencia portadora, será utilizada en todas las variantes de
modulación AM que se diseñen y construyan. Debido a que los métodos de
generación de modulación AM de Banda Lateral Única requieren la
disposición de la señal portadora de frecuencia 1500 kHz con
defasamientos de 0° y 90°, se ha decidido incluir dentro de la construcción
del Circuito de Portadora la generación de la señal no defasada así como la
señal defasada en 90°.
Entonces es necesario tomar en cuenta que el Circuito de Portadora,
deberá disponer de salidas que permitan el acoplamiento con los diferentes
circuitos moduladores, y de acuerdo a los datos recomendados por los
fabricantes de los circuitos integrados LM1496 utilizados en los circuitos
moduladores y que se describirán a continuación, así como ios
requerimientos propios de este trabajo, se definen las siguientes
especificaciones para el Circuito de Portadora:
Vsalida<500mVpi c o
frecuencia = 1500 kHz

Defasamientos de 0° y 90° disponibles
Forma de Onda = Sinusoidal.
En base a esto, un diagrama de bloques que explique las etapas

necesarias para la construcción del Circuito de Portadora se presenta en la
fieura 4.1.
60
c. o
o =:
O :=
-3
o
o 9- ~3 £
13 -3 —
o
-3
— Ü
o a
•j
13
oc
.2
o —
_M ~
i O
Figura 4.1: Diagrama de bloques de Circuito de Portadora de 1500 kHz.
61
Tomando como base el diagrama de bloques de la figura 4.1, se va
describir, las consideraciones de diseño tomadas en cuenta para cada uno
de los componentes del mismo.
4.1.1, Diseño del Oscilador a Cristal de 12 MHzy del Divisor de

Frecuencia o Contador Módulo 8.
Debido a la dificultad para encontrar en el mercado un oscilador de

1.5 MHz, se utilizó un oscilador a cristal de onda cuadrada de 12 MHz al
cual se lo hizo pasar por un contador de módulo 8, que divide la frecuencia
de 12 MHz en 85 lo que resulta en la frecuencia deseada de 1500 kHz. Esto
se representa esquemáticamente con el siguiente diagrama de bloques:
Oscilador 12 MHz Contador módulo 8 f = 1.5 MHz
Figura 4.2: Diagrama de bloques de circuito usado para obtención de

portadora a 1.5 MHz.
El oscilador de cristal es alimentado con una fuente de + 5 Voltios y

O Voltios (tierra), permitiendo disponer de una salida de onda cuadrada con
valores entre O y 5 voltios a la frecuencia de 12 MHz. Esta salida del
oscilador de cristal de 12 MHz alimenta a la entrada de reloj del contador
módulo 8. Para la construcción del contador módulo 8 se utiliza un circuito
integrado 74LS197 que según los datos proporcionados por el fabricante y
adjuntos en el anexo N° 1 a este trabajo, es un contador binario módulo 16.
Para utilizar el circuito 74LS197 como contador módulo 8, se utiliza la
entrada de Clk (reloj 2) ubicada en el pin 6, obteniéndose la salida de
62
frecuencia dividida en 8 en QD ubicada en el pin 12. El diagrama circuital
que representa tanto el oscilador a cristal como el contador módulo 8 se
presenta a continuación:
U1
_ 4 5 _
Z 10 9 —
- 3 2 ^
~ 11 12 -
«OSALIDA f = l . 5 MBz
?-$?* 'CI..K1
íM >CLK2
- 13 LOAD
CLR
74197
OSCILADORA CRISTAL
DE 12 MHz
Figura 4.3: Circuito de Oscilador a 12 MHz y Contador módulo 8.
4.1.2. Diseño de Red de Atenuación.
Continuando con la siguiente etapa dentro de lo presentado en el

diagrama de bloques de la figura 4.1? se tiene la red de atenuación, que lo
que hace es reducir el nivel de la señal cuadrada obtenida en el pin 12 el
circuito 74LS197 antes de su ingreso al filtro. Si no se redujese el nivel de
la señal que ingresa al filtro, al final sería más complicado tratar de obtener
un nivel menor a 500 mVpico, que es lo requerido según las
especificaciones.
Para el diseño de esta etapa, debe tomarse en cuenta la impedancia
equivalente que reflejará el filtro. Dado que el filtro es una red
63
multiresonante, la impedancia que éste teóricamente presentará a las etapas
precedentes será infinita, característica inferida por la condición de
resonancia. De acuerdo con esto, se ha escogido como red de atenuación
una red divisora de tensión que es como sigue:
R1 R2
v2 7H'S/'S/'1
51 100 °v3
Red Acopladura
\3
Futro
de Impedaucia
> 120
<
Zinl Zin2
Figura 4.4: Red de Atenuación.
Como puede verse en la figura 4.4, la impedancia de entrada que

presente la Red Acopladura de Impedancia 1 será impedancia de carga para
el filtro, mientras que la impedancia de entrada del filtro constituirá carga
para la red de atenuación formada por las resistencias* RI, RS y R2. Como se
dijo anteriormente, la impedancia de entrada que presenta el filtro por estar
en resonancia, será teóricamente infinita; quedando entonces como
impedancia de carga a la red de atenuación la impedancia de entrada de la
red acopladora de impedancia. Para evitar que la señal se distorsione en el
filtro se escoge que la impedancia de entrada mínima (Zin2) de la red de
acoplamiento de impedancia sea 10 kQ; entonces el voltaje de entrada al
filtro, podría calcularse mediante la expresión siguiente:
64
Rl Zini
V3- V2.-
Z//72
R3 + /?2 + Z&22
Donde v2 = 5 Voltios (señal cuadrada)

R i = 5 1 íí
R3 = 120 Q
v3 = Señal de entrada al filtro (ver figura 4.1)
Con estos valores el voltaje de entrada al filtro es v2 = 3.46 Voltios.
4.1.3. Diseño de Filtro.
Para el diseño del filtro de onda cuadrada a onda sinusoidal, se

utiliza una red de bobinas y condensadores que es una red multiresonante,
formada por los elementos LI, C 1? L2 y C2. La figura 4.5 describe la red
utilizada:
L1
v3 v4
INDUCTOR
cr
12 ) o
C1 3 C2
o
1.5 NF I PF
Figura 4.5: Circuito utilizado como filtro de señal cuadrada.
65
Donde, v3 = Señal de entrada al filtro.
v4 = Señal de salida del filtro,
La impedancia de entrada que presenta esta red multiresonante se

define con la siguiente expresión
J...¿\ L2-W\L\L2C2)
1 - w2 (LiCi + L2C2 - LiCi) + w '
Donde, Ci = 1.5 nF
L2 = 16.56 uH
C2 - 680 pF
Con estos valores remplazados en la ecuación de Z, se obtiene Z = co

que es la condición que define la resonancia de dicha red, aunque en la
práctica el valor de impedancia no sea infinito sino un valor mucho mayor
aZüa.
Como se establece en el diagrama de la figura 4.1, posterior a la
obtención de la señal sinusoidal es necesario construir una red que permita
el acoplamiento de impedancias, pues la impedancia de entrada presentada
por los circuitos moduladores (LM1496) es una impedancia baja (menor a
1 kíí), que afecta directamente al voltaje de entrada al filtro. Por esto se
utilizan etapas de acoplamiento con transistores en configuración de emisor
común, con impedancias de entrada altas.
66
4.1.4. Diseño de Red de Acoplamiento de Impedancia 1.
Para el diseño de esta red, se ha tomado en cuenta la característica

anterior establecida en el punto 4.1.2 y que se aprecia en la figura 4.4 , en
donde se establece que Zin2 debe ser mayor que 10 kfi. Entonces, se
establece como condición de diseño que la impedancia de entrada que
presente esta etapa sea Zin >10 kO.
+ 12V
R4 R5
43K 120
C3 01 2N1973
o
V4
0.47 UF
<, R6 R7
<, 100 K
< 1K
' R8
1.5K
n ,
-5V
Figura 4.6: Circuito usado para acoplamiento
En este circuito., se ha tomado como consideración de diseño la

impedancia de entrada de la etapa (Z^) como un mínimo de 30 kilohmios,
para evitar que se cargue al circuito que filtra la señal sinusoidal. Entonces;
67
H, = RB // (p+1) (re+RE) > 30 kQ
Para que la condición anterior se cumpla, por lo menos debe cumplirse que:
(P+l)(r e +R E )>30kí}
Para el transistor 2N1973; 3 = 90, teniéndose:
(re+RE) > 329 Q
Se escoge como valor de (re+RE) = 2.5
Para no tener cortes con la señal de entrada, se escoge un voltaje de

emisor mayor que la señal de entrada, entonces:
VE > 2 (4 V) => VE > 8 V
Se escoge un voltaje de emisor VE = 9 V, con lo que se calcula la

corriente de emisor la cual será:
El voltaje de base (VB) será igual a: VB = VE + 0.6 V = 9.6 V
La corriente de base (la) se calculará como:

IB = IE/P = 3.6 mA/90 - 38.5
La corriente que circulará por R^ se dimensiona igual a 2.5 veces la

corriente de base IB, con lo que R¿ resulta igual a:
Re = Vs/(2.5 IB) = 9.6 V/(2.5 *38.5 jiA) = 99 kQ
Se escoge R¿ = 100 kfi. Para calcular R4, se tendrá:
l.l*2.5*38.5/¿4
Se escoge R 4 = 43 kfí
Con estos valores escogidos en el diseño, se va a realizar la

comprobación de la impedancia de entrada obtenida:
R4 + R6
Donde, VB = Voltaje en la base

R¿ y R4 = Resistencias de la figura 4.6.
Reemplazando los valores resulta que el voltaje en la base VB será

igual a 11.89 Voltios. Entonces el voltaje en el emisor (VE) será 0.6 Voltios
menor por lo que quedará: VE = 11.29 Voltios. Con este voltaje de emisor
la corriente de emisor resultante será:
69
VE U29V ÍM á
= 4.52 mA
Ri + Rs 2.5 Afí
Donde, R7 y Rg = Resistencias de la figura 4.6.
Una vez calculado la corriente de emisor (IE) se procede a calcular la

resistencia re que será igual a:
25 mV 25 mV
re = = = 5.54Q
IE 4.52 mA
Recordando la expresión de la impedancia de entrada de la etapa de

la figura 4.63 se tiene:
Zin = R B //(p+l)(r e +R E )
Donde, RB = R4.R6.(R4+R6)"1 = 3007° &
(3 = 90
Con estos valore resulta Z^ = 26566 Q.
4.1.5. Diseño de Red de Acoplamiento de Impedancia 2.
La siguiente etapa, se utiliza para acoplar la impedancia de la señal

sin defasar con la impedancia de los circuitos moduladores que serán
70
alimentados con la señal del circuito de Portadora. El circuito utilizado se
+ 12 V
R9
C4 82 k
02
2N2222
0.47 UF
>R12
C?
'SALIDA
R11 R13 CAPACITOR
100 K 470
-5 V
Figura 4.7: Circuito usado para acoplamiento
En este caso, se evitará cargar al circuito precedente y por eso se

considera que la impedancia de entrada sea mayor a 30 kQ :
Zin = R B //(P+l)(r e +R E )>30kn
(p4-l)(r e +R E )>30kQ
Para el transistor ECG123 A, (3 = 200, teniéndose:
(r e +R E )> 149.25 Q
71
Se escoge como valor de (re+RE) = 1.5 kQ

VE > 2 (4 Vpico) => VE > 8 V

corriente de emisor, la cual será:
IE = 9 V / 1 . 5 k O = 6mA
El voltaje de base (VB) será igual a: VB = VE + 0.6 V = 9.6 V
La corriente de base (IB) se calculará como:
IB = IE/P = 6 mA/ 200- 30 ]tiA
La corriente que circulará por RH, se dimensiona igual a 3 veces la

corriente de base IB, con lo que RH resulta igual a:
RH = Vs/(3 IB) = 9.6 V/(3 *30 îA) = 106
Se escoge Rn = 100 kfi. Para calcular R9, se tendrá:
197-9 óF-C-SF")
V j
1.1*3*3 0/¿4
72
Se escoge R 9 = 82 kfi


R9 y RH = Resistencias de la figura 4.7.

menor por lo que quedará; VE = 8,74 Voltios. Con este voltaje de emisor la
comente de emisor resultante será:
VE 8.74 V < n ^ .
IE = = = 5.95 mA
1.47
Donde, R12 y RU - Resistencias de la figura 4.7.
Una vez calculado la comente de emisor (IE) se procede a calcular la

25mV 25mV A^^

re = •= = 4.20 Q
IE 5.95 mA
73
la figura 4. 7, se tiene:
• Z ^ = R B //(P+l)(r e +R E )
"1
Donde, RB = R 9 .Rn.(R9+Rn)" = 45055 Q
re = 4.20 íí
- 1.47
Con estos valores resulta Z-m = 39109 fí.
4. 1. 6. Diseño de Red Def asador a de 90°.
Continuando con los bloques existentes en el diagrama 4.1, es

necesario disponer un defasamiento de 90° para los circuitos moduladores
de banda lateral única que necesitan una entrada de portadora sin defasar y
una defasada 90 grados. Para lograr un defasamiento £Íe 90 grados se utiliza
un circuito RC como el que se muestra en la figura 4.8;
R1Ü
C7
° v6
220 PF
Figura 4.8: Circuito Defasador de 90°.
74
Donde, Rio = '4:5kQ
C7 = 220 pF
Se han escogido esos valores porque la impedancia que presenta el

capacitor C7 es Xc? = .'-481 Q y el valor de la resistencia deberá ser menor
que ese valor para que no reduzca el nivel de tensión en Xc?.
4.1.7. Diseño de Red Acopladura de Impedancia 3.
Al igual que la etapa no defasada, esta última etapa descrita en la

sección 4.1.6 debe ser acoplada en impedancia a los circuitos moduladores
de la misma forma que la etapa que no sufre defasamiento, es así que el
circuito utilizado para el acoplamiento es:
+ 12V
) R15
^ 82 k
Ir Q2
h* 2N2222
) R17
> 1k C?
v6 O 1 ( HM0^SALIDA DEFASADA 90°

3 l CAPACITO
<> R14 ^ R16
<>> 100K x> 470
>
j
o (
*
-5V
Figura 4,9: Circuito usado para acoplamiento
75
En este circuito, se ha tomado como consideración de diseño la
impedancia de entrada de la etapa (Zjn) como un mínimo de 30 kilohmios.
Entonces;
in = RB // (p+1) (re+RE) > 30
(P+l)(r e +R E )>30kfi
Para el transistor ECG123A, (3 - 200, teniéndose:
(re+RE) > 149.25 n

Se escoge como valor de (re+R£) = 1.5

VE > 2 (4 Vpico) => VE > 8 V

comente de emisor, la cual será:
= 9 V/1.5kn =
El voltaje de base (VB) será igual a: VB = VE + 0.6 V - 9.6 V
76
La comente de base (le) se calculará como;
IB = lE/ = 6 mA/200 = 30
La corriente que circulará por Ri4, se dimensiona igual a 3 veces la

corriente de base IB, con lo que RH resulta igual a:
RH = VB/(S IB) = 9.6 V/(3 *30 nA) = 106 kQ
Se escoge RH =100 kíl Para calcular Ri5, se tendrá:
127-9 6V-(-
' ^
1.1*3*30/^4
Se escoge R 15 = 82


Ri4 y RIS = Resistencias de la figura 4.9.

menor por lo que quedará: VE = 8.74 Voltios. Con este voltaje de emisor la
comente de emisor resultante será:
77
VE 8.74 V _
IE = = = D.9!) mA
R\6+R\7 1.47
Donde, R^ y RIV = Resistencias de la figura 4.9.
Una vez calculado la corriente de emisor (IE) se procede a calcular la

25mV 25mV
re = = 4.20 Q
IE 5.95 mA

la figura 4.9, se tiene:
Zin = RB//(P+l)(r e +R E )
Donde, RB = Ri4 JRi5 .(Ri4+Ri5)~l = 45055 Q
R E =1.47kíí
Con estos valores resulta Z-m = 39109 fi.
Con todo esto, el Circuito de Portadora que finalmente incluye todas las
etapas que han sido descritas queda:
78
4.2. Diseño de Circuito de Audio.
Como se dijo en la introducción del capítulo 4, además del Circuito

de Portadora es necesario diseñar el circuito de audio, para obtener señales
de baja frecuencia definidas con valores de 400 Hz y 1 kHz necesarias para
probar las etapas construidas en los circuitos moduladores, al igual que en
el Circuito de Portadora. En la figura 4.10 se presenta un diagrama de
bloques que especifica todas las partes que se han incluido dentro del
circuito de audio.
En vista de que el circuito modulador de Banda Lateral Única,
método en cuadratura requiere la presencia de la señal modulante (señales
de 400 y 1000 Hz) tanto defasada en 90° como sin defasar, se ha preferido
incluir dentro del Circuito de Audio las etapas que defasen las frecuencias
de 400 y 1000 Hz.
Las especificaciones definidas por el fabricante de los moduladores
LM1496 sugieren que la señal modulante tenga menos de 500 mVp¡co a su
ingreso al modulador. Entonces, los requerimientos para el Circuito de
Audio serán:
**
Vsalida < 500 mVpico

Frecuencias = 400 Hz y 1000 Hz
Defasaje = 0° y 90° en las dos frecuencias.
Con estos datos, se ha procedido a diseñar cada etapa mostrada en

los bloques de la figura 4.10.
79
SALIDA EXTERNA
o
•tí
CL
O
U
•tí
O
•tí
ENTRADA EXTERNA
o
-o
Figura 4.10: Diagrama de Bloques de Circuito de Audio

4.2.1 Diseño de los osciladores de 400 Hzy 1 kHz.
Para el diseño de los osciladores de 400 Hz y 1 kHz se ha utilizado el

circuito integrado ICL 8038 que es un generador de señal cuadrada,
sinusoidal y triangular con la siguiente configuración recomendada por el
fabricante:
+12V
+12V
+5V
Figura 4.11: Diagrama de Circuito ICL 8038 como oscilador
La información correspondiente a este circuito se presenta en el

anexo 1 y de acuerdo a esto, la frecuencia a obtener puede ser determinada
mediante:
Entonces los valores resultantes para 400 Hz y 1 kHz son los

indicados en la tabla 4.1:
81
Frecuencia (Hz) R (Ohmios) C (Faradios)
400 2k 0.39 u
1000 115k 3.3 n
Tabla 4.1; Valores de R y C para generar las frecuencias de 400 fiz y 1 kHz
4.2.2. Circuitos Defasador es de 90°para 400 Hz y 1
Considerando el diagrama de bloques de la figura 4.10, a

continuación debe detallarse el diseño de las redes de defasamiento de 90
grados de las frecuencias de 400 y 1000 Hz. Se han incluido estos
defasadores en el Circuito de Audio, y se ha utilizado para esto al
amplificador operacional LM324, cuyas características se presentan en el
anexo 1, en la configuración de integrador, tal como se muestra a
continuación;
ENTRADA
SALIDA DEFASADA 90°
Figura 4.12; Circuito defasador de 90° para 400 Hz.
82
Dependiendo de la frecuencia los valores de la resistencia R7 y el
Capacitor Cy variarán, de acuerdo a como se puede apreciar en la siguiente
tabla:
Frrecuencia (Hz) R7 (ohmios) C7 (Faradios)

400 100 k 4.7 n
1000 15 k 20 n
Tabla 4.2: Valores de R7 y C7 para Defasadores de 90° a 400 y 1000 Hz
4,2.3. Circuito de control para selección de frecuencia de salida.
Continuando con el diagrama de bloques de la figura 4.10, se tiene el

circuito de control de selección de la frecuencia de salida, para esto, se ha
dispuesto de un circuito formado por Multiplexores Analógicos, y un Dip
Switch que alimentarán a amplificadores seguidores LM310, que son los
encargados de acoplar la impedancia alta de salida de los multiplexores y la
impedancia baja de los moduladores.
El circuito de selección de frecuencia mediante Multiplexores y Dip
Switch y el acoplamiento para la salida se presenta en la figura 4.13:
83
SALIDA DE f = 400 Hz ó 1 kHz DEFASADA 90°
"-. ^
ENTRADA. f = 400 Hz DEFASADA 90°

<—\
ENTRADAL f = l kHz DEFASADA 90°

<—
—x••* U?
12 14
ENTRADA 1 — 400H¿ 13 yo x
M 15 ^^ SALIDA DE f=400Hzó 1 kHz
<—•"v. \
Y
YO 4 _
1
Yl ¿
<~">
—^ ' _. 5
ZO
ENTRA!)A f- 1 kHz Z1
6
+ 5V 11 INH
f 10 A
| _ 9 B
C
R20 i R21
4053
4.7 M / 3.3 M
!
< —>ENTRADA DE OSCILADOR EXTERNO
u?
_ 12 13 _
ó
KO >J
Ó
Ij
,-,14
T-J— XD X
\ \ =15 XI •a
X2 Y
\W SpsA SW SPST --; 11 X3
_L -k 1 SALIDA DE OSCILADOR EXTERNO
YO
I J 5 Y1
-=r 1 2
1 4 Y2
6 Y3
- 10 INH
— 9 A
B
4052
UVA
1 ^^>c2
7404
•n
Figura 4.13; Circuito de Control de Selección de frecuencia de salida
En el circuito de la figura anterior, se observa que mediante los Dip

Switches se puede escoger la frecuencia de salida y su salida defasada 90°
entre los valores de 400 Hz y 1000 Hz de acuerdo a la siguiente tabla:
SI S2 SALIDA
0 0 E.xte.rna
0 1 Externa
1 0 400 Hz
1 1 1000 Hz
Tabla 4.3.
Las características de los circuitos integrados 4052, 4053 utilizados

para el control de la selección de las frecuencias se encuentran en el anexo
1.
4.2.4. Circuito para Acoplamiento de Impedancias.
Finalmente la última etapa del Circuito de Audio corresponde al

circuito de acoplamiento de impedancias para la salida no defasada y para
la salida defasada en 90°. Para esto, se ha utilizado el circuito integrado
LM310, que presenta características adecuadas a las frecuencias con las
que se está trabajando (400 y 1000 Hz). El circuito recomendado por el
fabricante cuyas características se presentan en el anexo 1, se presenta en la
figura 4.14:
u?
ENTRADA
LM310M
SALIDA
- 5V
Figura 4.14: Circuito usado para Acoplamiento de Impedancias.

Este circuito representado en la figura 4.14 permite realizar el
acoplamiento de impedancias entre la salida de los Multiplexores
Analógicos y la entrada de los Moduladores LM1496 que es menor a 1 kfl
Finalmente el Circuito de Audio que incluye todas las etapas antes
descritas se puede observar en el siguiente diagrama.
86
4.3. Diseño de Circuito Modulador AM de,Doble Banda Lateral con
Portadora.
JPara el diseñóle este Circuito^ se ha utilizada e]L.diagrama ,de bloques

presentado en eLCapítulo 2 que^,hace-referencia .a_ este tipo..de. modulación.
Recordando dicho •diagrama dq bíoquqs se tipne: la. figura 4.-15.:
-Multiplicador de AM
(m)
Portadora (A^ cpswct)
Figura 4.15: Diagrama de bloques d? Modulador Al\ (de .doble banda lateral
; ;COTipQrta4ora).
:. CornO; puede /versq en el dmgrama de bloques, QS necesario ,realizar

unaL.multiplicacion.de la -señal modulante - por un valoi; m (índice de
modulacióri)A:luego;debe precederse a la-multiplic.acipn de la señaL«^btenida
con la portadora y finalmente, debe, agregarse : portadora. Todo este proceso
representado en bloques en la figura 4. 15, ,se ya-a describií: a coníÍH.aación:
4.3.1. ;";--• Diseñp de Multiplicador deôdiil^nte.for nt

Para efectuar la multiplicación de la señal modulante por el valor m,
se ha utilizado un amplificador de ganancia variable y para que m pueda ser
variable, se ha utilizado un potenciómetro que permita variar la ganancia,
tal como se muestra en la siguiente figura:
+12V
SALIDA (mf(t))
ENTRADA
Figura 4.16: Circuito Modificador del índice de Modulación.
La ganancia que se obtiene con el circuito de la figura anterior viene

dado por la relación de - Ri/Ri, que al ser RI variable es también variable.
4.3.2. Diseño de Multiplicador de Cuatro Cuadrantes.
Del diagrama de bloques de la figura 4.15, se desprende que es

necesario utilizar un circuito multiplicador para luego combinar la señal
modulante y la portadora de alta frecuencia, la señal temporal que debe
obtenerse obliga a que el multiplicador sea un multiplicador de cuatro
cuadrantes, porque las señales que ingresan al multiplicador pueden ser
positivas o negativas. Este multiplicador se realiza con el circuito integrado
LM1496 el cual puede efectuar esta función con el ajuste adecuado de
potenciómetros. Los diagramas indicados por el fabricante para la
utilización del circuito LM1496 como modulador AM se encuentran en el
anexo 1 al presente documento.
Tomando como base el circuito modulador especificado en el anexo
1, el circuito multiplicador que se utilizó fue:
 SALIDA 1
<O SALIDA 2
-M2VO-J
ENTRADA DE
MODULANTE
ENTRADA DE
PORTADORA
Figura 4.17: Circuito Modulador AM.

4.3.3 Diseño de Circuito Sumador.
Una vez realizada la multiplicación entre portadora y modulante, y

siguiendo paso; a paso lo estipulado en el diagrama de bloques de la figura
4.15, es necesario agregar portadora a la multiplicación de portadora y
modulante. Para esto se utiliza un circuito integrado LM318 con
características descritas en el anexo 1 en la configuración de sumador, el
diseño de esta etapa se presenta a continuación:
+12V
SALIDA
ENTRADA vi
ENTRADA DE PORTADORA 20 k
Figura 4,18: Circuito Sumador
En el circuito sumador, la entrada de la resistencia Rj se conecta al

circuito multiplicador de cuatro cuadrantes (LM1496) y la resistencia R2 se
conecta a la entrada de la portadora. La ganancia que tienen cada una de
estas señales es: - R{/Rs para el caso de la mezcla de portadora y modulante
y - Ra/Rs para el caso de la señal portadora.
Como se puede ver la consecución del modulador AM de doble
banda lateral con portadora, siguiendo la expresión matemática que la
define: SAM(Í) = Ac.cos(wc.t).(l+m.f(t)), introduce la presencia de varias
etapas siendo la más importante la multiplicación de las señales portadora y
modulante, que obliga a la utilización de un multiplicador de cuatro
90
cuadrantes, pues las señales portadora y modulante pueden variar en el
tiempo tanto en valor positivo como negativo. Esto es posible conseguir en
forma relativamente fácil a través del circuito integrado LM1496 por las
características propias de dicho elemento, ya que la consecución de los.
mismos resultados con elementos discretos es. muy complicada. El
diagrama completo del circuito finalmente implementado se presenta a
continuación:
Adicionalmente, se ha construido un circuito que permite mostrar las
bondades del circuito integrado LM1496. En este circuito se puede obtener
una variación del índice de modulación desde 0% y llegar hasta el 200%,
sin necesidad de agregar ningún tipo de etapas, suplementarias. El circuito
que se implemento, se encuentra descrito a continuación en la figura 4.19;
91
O SALIDA 1
 SALIDA 2
+ 12VO-I
ENTRADA DE
MODULANTE
.ENTRADA DE
PORTADORA
Figura 4.19: Circuito modulador AM que permite obtener índice de

modulación desde 0% hasta 200%.
92
MODULANTE
PORTADORA L5MBz
SALIDA
0.1 UF 100 k R15 20k
Tltle
MODULADOR AM DBL CON PORTADORA

Slze Document Number
Á
4.4. Diseño del Circuito Modulador AM de Doble Banda Lateral con
Portadora Suprimida,
Para el diseño del Circuito Modulador AM de Doble Banda Lateral

con Portadora Suprimida, se ha partido del diagrama de bloques siguiente:
Acoplador Modulador AM
de
impedancia
Portadora
Defasador
Ha 1 80°
-f(t)
Figura 4.20: Diagrama de bloques de Modulador AM DBL sin portadora.
Donde f(í) = Señal modulante.

AC eos (wc.t) = Señal portadora.
Como se puede apreciar en el diagrama de bloques de la figura 4.20,

existe la presencia de un defasador de 180°, dos moduladores AM con
93
índice de modulación de uno (m=l), y un sumador. A continuación, se va a
describir el diseño de cada uno de estos componentes.
4.4.1. Diseño delDefasador de 180°.
El defasador de 180°, es necesario diseñarlo a la frecuencia de la

modulante que corresponde a la señal f(t) de la figura 4.20. Para esto, se ha
utilizado un circuito integrado LF355 cuyas características constan en el
anexo 1, como amplificador de ganancia unitaria que permita el defasaje
requerido tal como se indica en la figura 4.21:
U?
R3 LF355
SALIDA
R1
20 k ^y
!0k
-5V
R2
10 k
Figura 4.21: Circuito. Defasador de 180° para la modulante.
En este circuito las resistencias de 10 kQ (R¡ y RI) dan la ganancia al

circuito que en este caso es uno (1) a través de la expresión -R2/Ri; y que
permiten obtener el defasamiento de 180° requerido.
4.4.2. Diseño de Acoplador de Impedancias,
Para acoplar la señal modulante con las dos etapas de modulación

AM se ha utilizado un acoplador de impedancias para que no se cargue a la
94
entrada de la etapa del defasador de 180°. Entonces el circuito utilizado
medíante el circuito integrado LM310 es:
ENTRADA
Figura 4.22: Circuito Acoplador de Impedancias.
El circuito utilizado corresponde a la recomendación hecha por el

fabricante de este circuito para acoplar impedancias y que se adjunta en el
anexo 1.
4.4. 3 Diseño de Circuito Modulador AM con índice de modulación

de uno.
Continuando con el diagrama de bloques de la figura 4.20, las

siguientes etapas a describir corresponden a los moduladores AM con
índice de modulación m = 1, que se han diseñado utilizando el circuito
integrado LM1496 el cual ya ha sido mencionado en las etapas anteriores y
cuyas hojas de información se encuentran en el anexo 1 al presente
documento. En base a esto, el circuito utilizado para realizar la Modulación
AM con índice de modulación m — 1, es el mismo para las dos etapas y se
95
<O SALIDA 1
 SALIDA 2
ENTRADA DE
MODULANTE
ENTECADA DE
PORTADORA
Figura 4.23; Circuito Modulador AM con índice de Modulación igual a

uno.
4.4.4. Diseño de Circuito Sumador.
Finalmente; las señales obtenidas como resultado de la aplicación a

los dos moduladores, debe ser sumada para que se anule la presencia de la
96
portadora. Por esto es necesario utilizar un circuito sumador que se ha
construido utilizado un circuito integrado LF357 cuyo diseño se presenta a
continuación:
- 12 V
R3
100 K U?
R1 LF357
ENTRADA 1 -=-^^N, c? SALIDA
47 k
CAPNP
R2 R4
ENTRADA 2 _-\ 15k
o
+ 12V
47 k
Figura 4.24; Circuito Sumador.
Las especificaciones del fabricante en cuánto al circuito integrado

LF357 se presentan en el anexo 1 al presente documento.
La ganancia del circuito de la figura 4.24, se calculará mediante las
expresiones: - Rs/Ri y - Rs/Ri que para este caso corresponderá al mismo
valor considerando que las resistencias RI y R2 son igü'ales y será de valor
igual a 2.12.
El circuito finalmente implementado para: la consecución de
Modulación AM de DBL sin portadora se presenta a continuación:
97
4.5. Diseño de Circuito para¿ Modulación AJW de Banda Lateral Única
(método de cuadâtuta, ó defasajg)
Para disecar el circuito que se ya a utilizar para construir según el

Método de Cuadratura que permite obtener modulación AM de Banda
Lateral Única, s,e parte del siguiente diagrama de bloques:
Multiplicador de Sumador 'BLU
cuatro cuadrantes
Portadora
-.90'
MultipjiQador.de.cuatro cuadrantes
Figura..4.25; D.iagramajde.b¡oques;de un Modulador, AM.de.Banda Lateral

' ~ '-" "' " - " "' ''*'• •"••"- •'-- "-'' .:>--^^:J^' " V - - ^- ir: •'. , ,;:
. •Uxiica
.rCvi
usando
,.!.-.,;' •.,-•
e! Método, del defasaje.
'• ' '\' • . ' ' • •- V *"-'*' •"• ~" -•
t l
Del diagramaí..de -b.lo,ques de la.-figura 4.25 se .observa que para

obtener JaÎsíodulación AM de Banda .Lateral .Única, es necesario, disponer
délas señales.modulante y portadora ambas con defasajes de 0° y 90°. La
"* • .!•,..' . : i . . ' : • : , • ^ L I ' * "' " I ' • * " ' ' " • • ' ' - , ' ' ' • ' . • ' ' - ' " ' ' 'C ,' - ' ( -
obtención de estas señales,.êstá ya^Qxplicadoên las secciones 4.1 y 4.2

"' "" •""' '-' - ' - ' ' ^ • • ' * • ' ' : -;¿S • J .'•„''•;7-'"5*,, ' ;
precedentes.. A continuación,, se va, describir entonces el diseño de los

*— - ' -• ••• - • ' > • ' - ' < ?-. • : -'„-•, V Y.' >¡r .-:\-:í.o:;.'.:., ;l ,';;-.;J^
circuitos
"
utilizados,
-* 1 • •
corao,multiplicadores de cuatro cuadrantes.
• • - - ;:i • ' - • - - • - . ' . r , , . ' - - • • - - " - - ^-
4.5.1. Diseño del Multiplicador de Cuatro Cuadrantes.
Los dos multiplicadores de cuatro cuadrantes (Moduladores ,AM con

índice de modulación de 200%), son iguales y utilizan el circuito integrado
LM1496. Las características técnicas de este circuito se encuentran
especificadas en el anexo 1 a este documento. La topología que responde a
las recomendaciones hechas por el fabricante y es:
<O SALIDA 1
<O SALIDA 2
4-12VO- 1
ENTRADA DE
MODULANTE
ENTRADA-DE
PORTADORA
Figura 4.26: Circuito Modulador Balanceado.
99
Como ya se dijo anteriormente, los dos moduladores balanceados son
iguales y sus salidas alimentan al circuito sumador en el que se obtiene
finalmente la señal de Banda Lateral Única.
4.5.2. Diseño de Circuito Sumador.
El circuito sumador utilizado para combinar las señales resultantes

de los multiplicadores de cuatro cuadrantes es el LF357 en la configuración
que se indica en la siguiente figura:
-12V
R3
100k
R1
ENTRADA 1 r- c? SALIDA
CAPNP
R4
ENTRADA2 15 K
ó '
12V
39k
Figura 4.2:7; Circuito Sumador.
La ganancia de este circuito se calcula con los valores de - R]/R3 y

- R2/R3 para las dos salidas de los multiplicadores de cuatro cuadrantes
conectadas a Rt y R2. Como se puede ver en el diagrama de la figura 4.27,
las resistencias RI y R2'son iguales razón por la que las dos ganancias son
iguales y de valor 2.56.
Finalmente el circuito que agrupa a todas las etapas componentes del
sistema descritas anteriormente es:
100
4.6. Diseño del Circuito Modulador • AM de Banda Lateral Única
(método de Weaver).
-V
Para el diseño de este método nuevo también conocido como método

de Weaver, se ha partido del siguiente diagrama de bloques:
p
'-I.
<
•rí
Figura 4,28. Diagrama de Bloques de Modulador AM de Banda Lateral

Única usando el método Weáver
101
Con este método de Weaver descrito en la figura 4.28, se espera
generar Modulación AM de Banda Lateral Única y como se puede ver, la
señal modulante f(t), es modulada primeramente utilizando una portadora
Acj.cos (Wd-t) de frecuencia menor a la frecuencia de la portadora Ac2.cos
(wC2-t) de 1500 kHz. Para el diseño se ha escogido a la frecuencia de la
portadora Aci.cos (wci.t) como 3.3 kHz. Especialmente el resultado de esta
modulación previa se apreciaría de la siguiente manera:
3.3kHz-f(t) 3.3kHz 3.3kHz+f(t)
Figura 4.29: Gráfico espectral de modulación AM con f(t) y Ácueos (wci.t)
Una vez que se ha realizado esta modulación previa utilizando la

portadora ACJ.COS (wci.t), se realiza un filtrado de la señal resultante usando
filtros pasabajos, por lo que la señal resultante en forma espectral será:
. banda lateral eliminada con el filtro pasabajos.
3.3kHz-f(t) 3.3kHz 3.3kHz+f(t)
Figura 4.30: Gráfico espectral luego del uso de filtro pasabajos.
Luego de haber realizado este filtrado en la señal AM, se procede a

modularla con la frecuencia de la portadora de alta frecuencia, que se la ha
llamado Ac2.cos(wC2-t) y que para éste caso es de 1500 kHz.
Especialmente se obtendrá:
102
1496.7 kHz-f(t) 1496.7 kHz 1500 kHz 1503.3 kHz 1503.3 kHz+f(t)
Figura 4.31: Gráfico espectral de Modulación AM.
Una vez realizada la modulación AM? se realiza la sumatoria de los

resultados de los dos moduladores, consiguiéndose la eliminación de una
de las bandas por el defasaje de 90 grados existente durante todo el
proceso.
4.6.1. Diseño de Oscilador de 3300 Hz para generar la frecuencia de la

portadora ÁCi. eos (wci-t).
Como puede notarse en el diagrama de bloques de la figura 4.28, la

realización de este tipo de modulación exige la presencia de una portadora
Aci.cos(wci.t) de valor diferente a la portadora de alta frecuencia
Ac2.cos(wc2.t) y que para el diseño se ha escogido de 3300 Hz. Por esto se
ha utilizado un circuito integrado ICL 8038, capaz de generar señal
cuadrada, sinusoidal y triangular. Las características de este circuito se
presentan en el anexo 1 y de acuerdo a estos, la frecuencia generada se
puede fijar a través de la siguiente expresión:
f=0.3/(R.C)
Esta última expresión es válida considerando el circuito de la figura

4.32:
103
SALIDA DEL OSCILADOR
-K12V
•HZV
+5V
Figura 4.32: Circuito utilizado para generar la frecuencia portadora Aci.cos

(wci.t).
De acuerdo a esto se escoge RI = R2 = R = 147 kQ y se obtiene C=

680 pF
4.6.2. Diseño de Circuito Acoplador de Impedancias.
Para acoplar la señal portadora Ácueos (v> t) con las etapas de

modulación AM previas, se ha utilizado un acopfador de impedancias.
Entonces el circuito utilizado mediante el circuito integrado LM310 es:
12 V
ENTRADA u?
R22
'•* LM310M
100 K
<^> SALIDA
-5V
Figura 4.33: Circuito Acoplador de Impedancias.
104
El circuito utilizado corresponde a la recomendación hecha por el
fabricante de este circuito para acoplar impedancias y que se adjunta en el
anexo 1.
4.6.3. Diseño de Circuito Defasador de 90° a la portador a Ácueos (wci.t).
Como se ve en el diagrama de bloques de la figura 4.28, es necesario

realizar el defasamiento de 90° de la señal portadora Ácueos (wci.t) cuya
frecuencia es de 3300 Hz. Para esto se ha utilizado un circuito integrador
construido a partir del circuito integrado LM301 como se muestra en la
figura 4.34:
R5
R1 •SALIDA
2 ^X
ENTOADA- ^^^^
4.7 k L-
^
> Co
>R2 _,_ C1
0.01 UF ¿
TOO k
Ih1
Figura 4.34: Circuito Defasador de 90°.
Este circuito ha sido construido siguiendo las recomendaciones del

fabricante, que se encuentran en el anexo 1 a este trabajo.
105
4.6.4. Diseño de Circuitos Moduladores AM.
Los moduladores AM de la modulación previa en donde se mezclan

la portadora de frecuencia 3300 Hz y la señal modulante f(t), son realizados
utilizando el circuito integrado LM1496 en la configuración sugerida por el
fabricante. El circuito utilizado es el mismo para las dos etapas y es el
siguiente:
-O SALIDA i
<Z> SALIDA 2
ENTRADA DE
MODULANTE
ENTRADA DE
PORTADORA
Figura 4.35: Circuito Modulador AM utilizado para modulación previa.
106
4.6.5. Diseño de Filtros Pasaba/os.
Continuando con el diagrama de bloques de la figura 4.28, se debe

presentar el diseño de los filtros pasabajos necesarios. Para esto, se han
definido las siguientes características:
Atenuación de -3dB en f = 3.3 kHz,

Atenuación d e 3 0 d B e n f = 3 . 7 kHz.
De acuerdo a estos datos, se realiza el cálculo del factor de

escarpamiento (As), que es:
- 3700 Hz
As = = = 1.121
3300 Hz
Utilizando el factor de escarpamiento y la atenuación de 30 dB, se

escoge dentro de las curvas normalizadas presentes en el anexo 2, un filtro
que proporcione estas características. Se escoge un filtro Chebyshev de
orden 8 y 0.5 dB de rizo, que proporciona una atenuación mayor a 30 dB en
1.121 radianes. Entonces el filtro a diseñarse deberá contener 4 etapas
bipolares y su estructura quedará de la forma siguiente:
107
SALIDA
12V
-M2V
ENTRADA
Figura 4.36 Circuito de Filtro Pasabajos.
108
Los valores de las resistencias y capacitores se calcularán utilizando
las expresiones siguientes:
FSF = 2./T./ - 3dB = 2jr.3300 = 20734.51 rad
normalizada
y
Z.FSF
Los valores de Cnormaíizada para un filtro Chebyshev de orden 8 y 0.5

dB de rizo son tomados de las tablas que se presentan en el anexo 2 a este
trabajo.
Para la construcción del circuito, se escoge un valor de Z = 10 kQ.
Con esto, los valores de las capacitancias serán;
Valor Teórico Valor Real

Ci 22.5 nF 22 np
C,' 26.54 nF 22 nF
C," 39.73 nF 47 nF
C 1 Mt 0.11 uF 0.1 uF
Valor Teórico Valor Real

C2 12.28 nF 10 nF
C2' 2.56 nF 2nF
C2" 826.6 pF 820 pF
C2TM 212.6 pF 220 pF
Tabla 4.5
109
Para la construcción del filtro se ha empleado el amplificador
operacional LF353 cuyas características se presentan en el anexo 1.
Finalmente el circuito del filtro pasabajos queda con los valores
establecidos en la figura 4.36.
4.6.6. Circuito Sumador.
La última etapa que necesita ser descrita corresponde al circuito

sumador, que es realizado utilizando el amplificador operacional LF357, en
la siguiente configuración:
-12 V
/ R3 (
>m
/ 100 k U?
R1 í *• ín LF357
ENTRADA 1 -• x^ \ - J 2 H^ c? SALIDA
^^ 6 ^— \ ~^—^
39 ki
3
"^
I M CAPNP
R2 / R4 ^ -L
ENTRADA 2 / 15 ft
o [3
•^/N/*
+ 12V
Figura4.38~: Circuito Sumador.
La ganancia de esta etapa se calcula con las expresiones:

R3/R|.
4.6.7. Diseño de Circuito Modulador AM.
Los moduladores AM que se emplean para mezclar la señal

resultante de los filtros pasabajos con la portadora Ac2.cos(wc2.t): son
no
realizados utilizando el circuito integrado LM1496 en la configuración
sugerida por el fabricante y descrita en el anexo 1. El circuito utilizado es el
siguiente;
•<!> SALIDA 1
<O SALIDA 2
ENTRADA DE
MODULANTE
ENTRADA DE
PORTADORA
Figura 4.37: Circuito Modulador AM.

Finalmente el conjunto que agrupa a todas las etapas antes descritas
se puede observar en el siguiente diagrama:
ni
CAPITULO 5
RESULTADOS
EXPERIMENTALES,
CONCLUSIONES*i Y
RECOMENDACIONES
O 1499 1500 1501
Figura S.l.b: Gráfico espectral teórico de modulación AM con frecuencia
modulante de 1 kHz.
Los gráficos de las figuras 5.1.a, y S.l.b, son realizados considerando

que los tonos de prueba (wm) utilizados para la modulación, son tonos de
400 Hz y 1000 Hz, y la frecuencia de la portadora (wc) es de 1500 kHz.
Además los valores expresados en las figuras antes mencionadas están en
kHz.
Los resultados experimentales obtenidos son obtenidos en el
analizador de espectros marca Anritzu, modelo MS70010F, y para la
modulación AM se encuentran en las figuras 5.2.a, 5.2.b, 5.2.c y 5.2.d.
De acuerdo a los resultados experimentales obtenidos para la
modulación AM, se pueden realizar los siguientes comentarios
1. En las figuras 5.2.a y 5.2.c, el analizador de espectros indica en dM la

diferencia entre la frecuencia de la portadora y el pico de la banda
lateral superior que corresponde a 400 Hz y 1000 Hz respectivamente.
Este valor coincide plenamente con lo plasmado en las figuras 5.1.a y
S.l.b. y se puede notar en las figuras 5.2,a y 5.2.c la presencia de la
señal portadora y de las dos bandas laterales.
113
F: 1 . S M H z SP: I k H z / R L : - 34 d B m 10dB/ 1-
U
Ufl
R B W : 1 0 0 Hz@ V B W : 3 0 0 Hz@ SWP:600mS/@ ATT:10dB@
Figura 5.2.a : Diagrama Espectral de Modulación AM de DBL con portadora

usando tono modulante de 400 Hz.
F: 1.5MHz SP: RL:- 34 dBm 10dB/ 1-
RBW:100 VBW:30O Hz@ SWP:600mS/@ ATT:10dB@
Figura 5.2.b : Diagrama Espectral de Modulación AM de DBL con portadora

F: 1.5MHz SP: I k H z / RL:- 34 dBm lOdB/ 1-
4
Ifi
RBW:100 Hzd VBW:300 SWP:600mS/@ ATT:10dB@
Figura 5.2,c : Diagrama Espectral de Modulación AM de DBL con portadora

usando tono modulante de 1 kHz.
QJJfíJ
UOO 1QQ
: P'S'S
© S P O T : 11 O O T ' M9H
-T /3POT ujgp =dS

8P8 + : WP
2. En las figuras 5.2,b y 5.2.d, el analizador de espectros especifica en dM
la diferencia de frecuencia entre los dos picos de las bandas laterales,
que corresponde a 800 Hz y 2000 Hz respectivamente. Estos valores
corresponden a los anchos de banda de las figuras 5.1.a y 5.1.b, con lo
que los resultados experimentales coinciden plenamente con la
expectativa teórica.
5.2. Modulación de Doble Banda Lateral sin portadora,
La forma espectral teórica a esperarse como resultado de la

Modulación AM de Doble Banda Lateral (DBL) sin portadora es la
representada en las figuras 5,3.a y 5.3.b:
O 1499.6 1500 1500.4
Figura 5.3.a: Gráfico espectral teórico de modulación DBL sin portadora

con frecuencia modulante de 400 Hz.
O 1499 1500 1501

Figura 5.3.b: Gráfico espectral teórico de modulación DBL sin portadora
con frecuencia modulante de 1 kHz.
114
La forma espectral obtenida con el circuito implementado en la
práctica puede apreciarse en las figuras 5.4.a, 5.4.b3 5.4.c y 5.4.d.
Comparando los resultados obtenidos con la expectativa teórica de

las figuras 5.3.a y 5.3.b, se podría decir lo siguiente:
1. En las figuras 5.4.a, 5.4.b, 5.4.c y 5.4.d, se puede apreciar que aunque la
diferencia entre las bandas laterales y la portadora es grande (17.3 dB y
15 dB) si existe presencia de portadora, que según las figuras 5.3.a y
5.3.b5 debería ser cero. Las razones de esta diferencia pueden ser la falta
de sintonía de los moduladores y que el defasaje logrado no sea
exactamente el requerido para generar este tipo de modulación, por lo
que no se puede obtener el resultado ideal.
2. Adicionalmente, puede comentarse que tanto con el tono modulante de

400 Hz como con el tono de 1 kHz, la diferencia entre las bandas
laterales y la portadora es la misma que se puede apreciar en las figuras
5.4.a y 5.4.c, que en la impresión recogida por el analizador de espectros
corresponde al parámetro dM= 17.3 dB y 15 dB. Evaluando este valor
en términos de potencia, se podría decir que las bandas laterales tienen
aproximadamente 31.5 veces la potencia de la portadora.
3. En las figuras 5.4.a y 5.4.c5 se puede apreciar en el parámetro dM la

diferencia de frecuencia entre la portadora y la modulante de 400 Hz y
1000 Hz respectivamente, notándose que esto corresponde a lo esperado
según las figuras 5.3.a y 5.3.b.
115
F: l . S M H z SP: I k H z / RL 34 d B m 10dB/ 1-
R B W : 100 Hz@ V B W : 3 0 0 Hz@ SWP:600mS/@ ATT:10dB@
Figura 5.4.a : Diagrama Espectral de Modulación AM de DBL sin portadora

F: 1 . 5MHz SP 1 k H z / RL 34 d B m 10dB/ 1-
RBW:100 Hz@ VBW:300 Hz@ SWP:600mS/@ ATT:10dB@
Figura 5.4.b : Diagrama Espectral de Modulación AM de DBL sin portadora

F: 1.5MHz SP: I k H z / RL : - 34 d B m 10dB/ 1-
RBW:10O Hz@ VBW: ATT:10dB@
Figura 5.4.c : Diagrama Espectral de Modulación AM de DBL sin portadora

F: l . S M H z SP: IkHz/ RL 34 d B m IQdB/ 1-
Figura 5.4.d : Diagrama Espectral de Modulación AM de DBL sin portadora

5.3. Modulación AM de Banda Lateral Única. Método de Defasaje.
Especialmente, se esperaría que el resultado teórico de la

modulación AM de Banda Lateral Única (BLU) sea:
O 1499.6 1500 1500.4

Figura 5.5.a: Gráfico espectral teórico de modulación BLU (método en
cuadratura) con frecuencia modulante de 400 Hz.
O 1499 1500 1501

Figura 5.5.b: Gráfico espectral teórico de modulación BLU (método en
cuadratura) con frecuencia modulante de 1 kHz.
Los gráficos realizados en las figuras 5.5.a y 5.5.b3 toman en

consideración unidades en kHz.
Los resultados obtenidos con el circuito implementado en la práctica,

para realizar modulación de banda lateral única con el método de defasaje
pueden apreciarse en las figuras 5.6.a, 5.6.b? 5.6.c5 5.6.d.
Tomado en cuenta los resultados experimentales y comparándolos

con los resultados esperados según las figuras 5.5.a y 5.5.b, se pueden
obtener las siguientes conclusiones:
116
1. En las figuras 5.6.b y 5.6.d, se puede apreciar que existe diferencia entre
la banda lateral inferior y la banda lateral superior de las pruebas
realizadas con los tonos de 400 Hz y 1000 Hz5 y que se reflejan en el
parámetro dM igual a 6.5 dB y 6 dB respectivamente, datos que señalan
que la potencia de la banda lateral inferior es 4 veces mayor que la
potencia de la banda lateral superior. Según se muestra en las figuras
5.5.a y 5.5.b, la banda lateral superior no debería aparecer como parte
del espectro resultante. Las razones de esta diferencia pueden ser la falta
de sintonía de los moduladores y que el defasaje logrado no sea
exactamente el requerido para generar este tipo de modulación, por lo
que no se puede obtener el resultado ideal.
2. En las figuras 5.6,a y 5.6,c3 se puede apreciar en el parámetro dM la

diferencia de frecuencia entre la portadora y la modulante que
corresponde a 400 Hz y 1000 Hz respectivamente, notándose que esto
corresponde a lo esperado según las figuras 5.5.a y 5.5.b.
117
F: l.SMHz SP: IkHz/ RL dBm 10dB/ 1-
nr
A
33L
Figura 5.6.a : Diagrama Espectral de Modulación AM de BLU método en

cuadratura usando tono modulante de 400 Hz.
dM:+ O.82kHz - ó.5dB
F: l . S M H z SP: IkHz/ RL: 10dB/ 1-
RBW:100 Hz@ V B W : 3 0 0 Hz@ SWP:600mS/@ ATT:10dB@
Figura 5.6.b : Diagrama Espectral de Modulación AM de BLU método en

cuadratura usando tono modulante de 400 Hz.
dM:+ O.9ókHz - 8 . 5dB
F: 1 . 5 M H z SP: IkHz/ RL 32 d B m 10dB/ 1-
Figura 5.6.c : Diagrama Espectral de Modulación AM de BLU método en

cuadratura usando tono modulante de 1 kHz.
F: Í.5MHz SP: I k H z / RL :2 d B m lOdB/ 1-
i 11
m
4 J
RBW : 100 Hz@ VBW :300 SWP:ÓOOmS/@ ATT:10dB@
Figura 5.6.d : Diagrama Espectral de Modulación AM de BLU método en

cuadratura usando tono modulante de 1 kHz.
5.4. Modulación AM de Banda Lateral Única (BLU). Método de
Weaver.
El diagrama espectral esperado en forma teórica, se podría definir

como:
O 1496.7 1497.1 1500 1502.9 1503.3
Figura 5.7.a: Gráfico espectral teórico de modulación BLU (método de

Weaver) con frecuencia modulante de 400 Hz.
O 1496.7 1497.7 1500 1502.3 1503.3
Figura 5.7.a: Gráfico espectral teórico de modulación BLU (método de

Weaver) con frecuencia modulante de IkHz.
Los gráficos realizados en las figuras 5.7.a y 5.7.b, toman en

consideración unidades en kHz.
Los resultados obtenidos con el circuito implementado en la práctica,

para realizar modulación de banda lateral única con el método de Weaver,
pueden apreciarse en las figuras 5.8.a, 5.8.b5 5.8.c, y 5.8.d.
118
Tomado en cuenta los resultados experimentales y comparándolos
con los resultados esperados según las figuras 5.7.a y 5.7.b, se pueden
obtener las siguientes conclusiones:
1. En las figuras 5.8.b y 5.8.d, se puede apreciar que existe diferencia entre
la banda lateral inferior y la banda lateral superior que incluyen la señal
modulante,. De las pruebas realizadas con los tonos de 400 Hz y 1000
Hz, y que se reflejan en el parámetro dM; se tienen diferencias de 19.7
dB y 7 dB respectivamente, datos que señalan que la potencia de la
banda lateral inferior es por lo menos 5 veces mayor que la potencia de
la banda lateral superior. Según se muestra en las figuras 5.7.a y 5.7.b,
la banda lateral superior no debería aparecer como parte del espectro
resultante. Las razones de esta diferencia pueden ser la falta de sintonía
de los moduladores y que el defasaje logrado no sea exactamente el
requerido, (cosa que es más notoria en la modulación con el tono de 1
kHz) para generar este tipo de modulación, por lo que no se puede
obtener el resultado ideal.
2. En las figuras 5.8.a y 5.8.c, se puede apreciar que al comparar los

valores de frecuencia del parámetro dM con los esperados según las
figuras 5.7.a y 5.7.b, existen diferencias. En el caso de la figura 5.7.as la
diferencia de frecuencia debería ser: 1500 kHz - 1497.1 kHz = 2.9 kHz
y en el caso de la figura 5.7.b se tendría; 1500 kHz - 1497.7 kHz = 2.3
kHz, valores que en las figuras 5.8.ay5.8.cse aprecian como: 3.02 kHz
y 2.42 kHz respectivamente. Esto da como resultado una diferencia de
120 Hz? que pueden ser atribuidos a una inexactitud del oscilador que
genera la frecuencia de modulación wci que debería ser de 3.3 kHz, por
119
F: l . S M H z SP IkHz/ RL 20 d B m 10dB/ 1-
Figura 5.8.a : Diagrama Espectral de Modulación AM de BLU método de

Weaver usando tono modulante de 400 Hz.
F: 1.5MHz SP: I k H z / RL 20 dBm 10dB/ 1-
ti
-fi-
~TT
/I
\r
w
RBW:100 Hzd VBW:300 Hz@ SWP:600mS/@ ATT:10dB@
Figura 5.8.b : Diagrama Espectral de Modulación AM de BLU método de

Weaver usando tono modulante de 400 Hz.
F: l - 5 M H z SP IkHz/ RL 20 dBm 10dB/ 1-
/í\ _L ¿a-
V V
RBW:300 H z VBW: S W P : 66mS/@ ATT:10dB@
Figura 5.8.c ; Diagrama Espectral de Modulación AM de BLU método de

Weaver usando tono modulante de 1
F: 1 . 5 M H z SP: IkHz/ RL: 20 d B m 10dB/ 1-
RBW:300 Hz VBW: lkHz@ S W P : 66mS/@ ATT:10dB@
Figura 5.8.d : Diagrama Espectral de Modulación AM de BLU método de

Weaver usando tono modulante de 1 kHz.
lo que existe diferencia entre los datos reales obtenidos y la expectativa
teórica.
5.5. Conclusiones y Recomendaciones Generales.
Los objetivos planteados inicialmente dentro del temario de tesis,

han sido cubiertos con el estudio de las herramientas matemáticas que
permiten la comprensión de la modulación en amplitud, así como el
desarrollo teórico de las expresiones matemáticas que definen a la
modulación en amplitud, sus variantes, las comparaciones entre ellas. Con
la construcción del equipo didáctico, se han implementado las diferentes
formas de modulación en amplitud propuestas antes del inicio de este
trabajo, así como los elementos necesarios para la realización de cada una
de ellas, notándose de acuerdo con los resultados exhibidos en las
secciones anteriores de éste capítulo, que se han satisfecho las expectativas
teóricas.
Con respecto a la construcción del equipo, puede decirse que en este

tema de tesis de corte práctico, existieron dificuítades exógenas que
impidieron la pronta culminación del mismo. Estas dificultades empezaron
en la consecución en el mercado local de los elementos requeridos, la
disponibilidad de los equipos de prueba necesarios para realizar la
comprobación de los resultados y la falta de experiencia del autor en la
construcción de equipos de este tipo.
Las partes más álgidas dentro de la construcción del equipo

constituyeron la realización del método de Weaver para generar
modulación en amplitud de banda lateral única, el filtro para conseguir que
120
la señal cuadrada de la portadora se convierta en sinusoidal y el
acoplamiento de la señal portadora a las etapas moduladoras. El método de
Weaver generó problemas básicamente por la cantidad de etapas y
elementos involucrados, el filtro de la señal portadora por la dificultad para
conseguir en el mercado local elementos pasivos como bobinas y
condensadores de buena calidad y de tipo variable y las redes de
acoplamiento por su incidencia al interactuar con el filtro.
A través del método de Weaver se puede generar Modulación AM de

Banda Lateral Única con mayor facilidad que con los métodos tradicionales
de filtrado y cuadratura. Comparándolo con el método de cuadratura, este
método es relativamente más largo, pero evita la necesidad de disponer un
defasador que actúe eficazmente en todas las frecuencias que se desee
incluir como modulantes y al compararlo con el método de filtrado evita la
necesidad de tener filtros con pendientes de trabajo muy pronunciadas, a
medida que la diferencia de frecuencia, entre la portadora y la modulante
crece.
Con el diseño y construcción de este trabajo, ,se dispondrá en el

Laboratorio de Comunicación Análoga de circuitos útiles para poder
apreciar en el dominio del tiempo y en el dominio de la frecuencia, la
forma de una señal modulada en amplitud, cosa que anteriormente no se
disponía, especialmente en los métodos de generación de modulación en
amplitud de banda lateral única. Además es relativamente complicado
encontrar para este tipo de modulación en amplitud su representación
temporal característica, que permita una identificación rápida.
121
Para evitar complicaciones en el funcionamiento del equipo, se
recomienda utilizar los diferentes circuitos moduladores conjuntamente con
el circuito generador de portadora y el circuito generador de tonos de
prueba, construidos como parte del trabajos aunque el equipo permite la
introducción de señales externas.
Para el uso del equipo al interior del Laboratorio de Comunicación

Análoga, se sugiere tomar en cuenta las recomendaciones realizadas en la
Guía del Usuario y en el conjunto de prácticas sugeridas que forman parte
de este trabajo.
En la eventualidad de que el equipo construido presentare fallas, se

aconseja que su reparación y mantenimiento se efectúe en base a los planos
de cada circuito y a un estudio profundo de los mismos.
122
ANEXOS Y BIBLIOGRAFÍA
*"&:*¡&.
s8*£iSSf¿
3 Precisión Waveform r"''"ABSqL
- Generator/Voltage Suppiy'V
Controlled Oscillator iPower D
S*£;lnput,VoU
R-.ijj Input Cu
GENERAL DESCRIPTiON FEATURES .. - • - • • * - ;*-: r fe. >A Outpul S
IT rr.' 50718 Wavolocn Goncinlor h r monolithic ínlo- • Low Frequency Drill Wllíi Temptrature . V: vi- _.-,.-..:
Str»M« «
— 250ppm/°C - i •• . ; { . .' * .j:, j -
.!
/ v-í- r f í i M i r^pibln el producing Ugíi ACcutflcy sino.
. i«j «MI, iiwir^v nnwtüotli nud pul&o wiYiMtxms wilh n • Simultaneóos Slno/Square, 'nnd TrlanQle Wave •ibsoluli.rn
-ininum el m;^r^l componcnls. Tho (rotjuoncy (cí repetí- . Outputs \' ' NOTE .1:
•bn ri.io) L-ít) Lo uoltcl''-.) n>.íocnally Irom .001H: lo IIKKÜ • Low ülstottíon^— 1% (Slnc Wave Oulput)-
• mn :i0(linz uamj e - " " ' ír*"-.lor-í or capacilof», antl • Hl(]h Llnearlty — 0,1% (Trlangle Wave.Outpul) L-VELECT
'irqj.-ii.) mcKJul.ilun u-i- í.-ir—png rnn bo occonV 'Jn-il • Wlüu Üperollng Frtquency Rango -r 0.0011-lz lo .Olherwis
Mlh - i c-xlcmal vullago. 1i-o ICLSOJu ¡3 abrteatcti wi:h 300kHi ' - ' .. •'.' ,• -
3t.-i--od nvono'lt-ic lochnclogy, usJng Schotl^y oarriot • Variable Duty Cycle — 2% to 98%
í-'Tn Bf^fl uvi h^nfoi^lr^s nuil Iho outpyl IR ilnWe o-vor n • Hlgli Level Outputt— TTL to-28V BYM
>,K¡-) '«IMP d loTpcíJl-jtü nnd aupply Vadallcns Itwnn • Ensy to U s o —- J u » t A Handlul oí External
:tjv cus may IMJ inl-xlaccd vfi'Ji [iluiso lockod loop c*cuil/y Componenla Requlrtd ,- • -, . .; ; - /•
• VSUPP
•i IT.IUCO lemporatme dnll lo loss Ihan 250ppm/*C.
ORDERiNG INFORMATION '

rAnr Nunorn STABIUTY TEMP. RANGE • PACKAGE 'SUf'PL
. O^-Í^TJÍÍ 2Wp|ím/'C l,o O'O lo i 70'C CERDIP

. CLftjj^-.-í: 130pfxP/'C rrJ U'C lo * 7U'C CERD1P •
' KX60DAACJÜ llt>,v^/'C tjv x c-'c lo 1 7u'í; CEÍ1D1P FREOUE
KlKi.'OiJUJD* -íiVü lo * ÍL"-"t" CtHDIP
fCieosuA^ju1 2¡iOppTi/'C rr-^ -65 C lo -r l2r.-C CERDIP
icienp-o - - DICE"
1^, PAM n-im! o; •! f.-'l p<e<«*>^3 « t*-iJ«»-J

U-rx/Mir Uni'í g-mr^n eod al 75'C o^Jí lew UICG
¿I/AT
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QUTPUT
i III !; IIH» WAVt í—

ACJUIT LL ni
ífHt WAVí p-
OUT Lt-
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CAPACITOR
TI ÍOIMRE W*V(
-M OUT
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/NOTES
Figure 1: Functlonal Dlagram ' Figure 2; Pin Coníiguratlon '
(Outllne dwg JD) - •
302600-002
by cl*»d»fu»tk>n ano *J« nol losled. ••J. NolK/J
ijC ICL8030
rABSOLUTE MAXÍMUM RATINGS '
Storage Temporature Rangc °C to +150-C .'';''
•••\£
n;.^,^"|lS
Füwor Dissipal W1'

npul Vollngo 1
'
o V'
7 50mW Opemling Temperalu o Ran ge: '.. :.;•"
B038AM, 0038 BM.... .„• -55 °C to +125'C:rH;;:?^ - ' • ' - • ':::%
Inpul Ojrronl ( 25mA 8038AC. 8038 BC, 80 38CC ..".. 0°C lo +70°C :",M>
Oulput Sink Ci 25rnA Lead Temperalure (S olderm g, tO&e•C\ ' 3nnBc . '-.;'
T • • .-.i" '.'-'
1 ^"IB Waíe
SUCI»*1 *t>OV« IfK s« îled ur«dw Awoirt» Mfcxlmufn R«ln>gi f ay cauía pormorxHM DAfnaoe lo lh« dsvlca Iheso re tires* rnür>gi onry, and Iiinclional
rxr*o |fid-(
•flecl d ívico 10 iaU^t)-.
MOTE ): Do'i'r c f»mrt p»c^«Q« «t l?,5oiVy/*C lor amLnA*nl twnpiHal uios above 100'C. "'1J1 .
Ula spo cftcalioni
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ELECTRIC/^L CHARACTERISTiCS (VSL PPLY " J;10V or +20V, T A - 25°C i RL ™ TestlCircuit Unless —;
-0.001H2 to Othorwíso Spocíied) ' • ; • : ' ' :•' • ..-i.
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8038CC ' fl036BC(BM) . 8038AC(AM) ' '•'
SYMDOL QENERAL CHARACTERISTICS UNIT
lilornal MIN TYP MAX MIN TYP MAX MIN TYP MAX
l Vsur-PiY
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6»Pt>V VotlJoa Op^r.lK>g R.ê
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n- c !,-.^ ÍCTíTfi f'i-r^wvr^ oí FM |IH>-J! 10 10 10 kHi ',
i-At-tfi TM fUno^ÍJ' 35 1 351 • ',. ' 35:1 ; •:\
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OUTPUT C M A H A C T E R I S T I C S •' ' •' '^
¿xV 'r;;w¿:^([vB.^ • 1 1 1 V
VI»T 5<^.lKYi Vo-Uo* t'SlNK-2«^J 0.2 0.5 0.2 0.4 0.2 - ; 0.4 V
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Ón •* P. '.i! ccnriocled bol--.yí)n p-na 1 1 and 12, Ir^-ig.1") Duty Cjcle sel al 50%. (Use RA end flg.) 4. '. r • . . . . ' ,. ^b- "'jív
íi ! 'TUfíi 3. pin» 7 *nd 8 cnnneílod, Vsypf L ^ - MOV. SPO Typcfil Curvt-a Io( T.C. VS VsuppLY- ' , ' " ' ' ' ' ' i'r-U
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l u (pene/ n.TigT, ] ! . • [•'•'¡iin'ii^' [.in-j't ni Ihn «qunio
.-. . • •• •[•<•! !• • ' i }i> v.' rh riict»i np"-nl on ts (j-joianloed.
•*«ei-p FM Pnng» ]' o i-iluj c-l iiuuiniuin Iroquency lo i ICI flOlfi 1
— -j «W
...,. ,.uf.| íriHjijrincy vilvch can t-íi ublaincd by applying a
• r . . p ô''2'jo lo pn 8 Por cofiecl ppcralion, Uio sv/eop
/c'lr 10 íoeu'd t>e 'tsilh-n líie rango 10 11 U 7 ' "T ' a0H
uv
C¡/3 VSUPPLY 4 2V) < VSWÍ.EP '• VSUPPLY
=c^f f" I"5""
I M Unenrlty. Thn f-ff.-nninqn dovinlion fiom Uio besl-Iit
•' ,1 ¡ti' l)pn nn HiM C-MI'-O! vnlinijn v.-i'íuí; oulpul lioquoncy rr"M?H
Figuro 3: Test Circuit
O-.ilpul Aniplllude. llio pcak lo-poak signal ampliludo
?;-p • i"ti'| ni Iho r"jlp;.'ls
Snlinnilón Voll.igc. II i C'ilp-i! vj'infjn nt Iho collcclof oí
O-.T v.!-"n II'.--, Kinv.u i n Urn-il en. 11 is inoasurod lor a
«. i\l oí pin''
niií* .inr) Tnll Tlmps. Tho linio rr-í¡<ii"'-l Ini Iho f-qumo W.T/n
•- •'[ •.! \'j chantjo (rom 10 0 ñ lo P'J1"^ ci ' U"D lo 10%. oí m
l ii't! v.Tlijn
Trlanglc Wcivelorm Llnearlty. Tlio jiîcpulago üovialkm
ircm iho t-.Q^!-/ii stfp.ighl Nnn on Iho ns¡ng nnd laümg iriangio
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T o t T l Harmonio DisloiHon. Th" lol^l l'nnnonic disloi'ion
TI i'-i «'no wnvd culuii!
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
MEAIU1E
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TEUPffUTUnt'C
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viofm *i l 1 n O
Porlormance oí the Squnie-VVave Outpui
t-fwm »l l'n ti
1 !•" e i i . í O'-»-
Performance o( Trlaiigle-Wava Oulput '
[1
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M(i l«Wj UHi 10.HHOO.KiUH! •" "'I '« .

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Circuit p t f f o r n i i D c t oí Sln*-Wnvo Oulpul
Ti'
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o 10HI IKHIí IttlJ JOHl 100*Kl1MHl

ÍREOUKHCY
A« |,pí*i ¥alltp^ l.svn t)«ii

chofocleriíallon ni'd mo nol (pslod.' if i' 1 ' '¡ ' • • - . -.'íc" .
O
co
u
Squ.iío-W»v« Duty Cyclo —50*-. Square-Wavo Duty Cyclo — 80%
Figure 4: Phase Rclatlonshlp o! Waveforms
DETAILED DESCRIPTION controls Iho rising porlion oí Iho Uiangle and sint-wave and
(See figure 1) the 1 slíilo oí ího square-wave.
Thn inngniludo oí the Uianglo-wavelorm is siíl at 1/3
An oxloinal capacitof C is chmgüü nnd dischargod by lwo VSUPPL'IÍ Ihorolore ího rising porlion o! Ihe tmmgle Is,
cuitonl &QUICCS. Cuironl BUUÍCO * 2 is swilched on and olí
liy n (lip flnp. whiln cimonl r.ourcn P \, on conlinuously. c xv c y.1/3 x VSUPPLY x RA 5
Assummy iho! Iho llip-llüp is m r\,lio such Ihal cu'ft>n,t ti i -F¡AXC
I VsxVsuPPLY 3
í.uurco ' 2 ¡s n|!, and Iho copacllor Is chorgod wilh a cunünl
Tho Inliing portion oí Ihe trianglo and sine-wava and tlie O
I, Ihe vcllago acioss Iho capacitor tices linanrily wilh Unió.
stale oí tho square-wavo is:
\Vhen this volíago toachos ihe ¡evel o[ compaialot # 1 (sol
ni 2/3 oí Iho supply vollngo), Ihe ¡hp llop is iriggeiod,
rhfcivgos Ríalos, mid loloasori cutronl BOUICO * 2. This CxV c x t / a VSUPFLY
currenl sourco noímally carr-es a cutianl 21, Ihus Iho I
£ vsuPPLY i VSUPPLY 2RA-Rs
' capacite* 13 tí schnigcd wilh a net-cutfpnt I and tho vollage
across rt d'cps hnnnrly wilh lime. Wnon ¡1 has (eached the 5 nB 5 , nA
I ' leve! oí corr.patalor *2 (sol al 1/3 o! tho supply voltage),
t(>o Uto llin-lk^p r« Uiygoíod inlo its original slalo and Uie
cyclo aínda figam . Thus a 50% duty óyele is achieved whon RA " RB- - '
FcHf Vrñve'orms a'o (padi'j oblaínable Irom ihis basic II Iho duly-cycle is to be variad over n small nnge aboul
gonoiíi'm cirt uil Wilh Iho cu'-onl FO-JICQS sol ni I and 21 50% only, thg conneclion shown in Figure 51- is süghtiy
irsrcí !"•::>'.• tho el migo and tlinchnnjo l:mes nra oqunl moio convonionl, II no adjustmenl oí iho duly cycle is
riius n Mi'ir g'n v.,iv»'Dim r, cio.it id ncrcr.s Iho capní:Ítor dc.suod, termináis A and 5 can be shorled tníiether, as
and Itvj |!if>l!op pioducos o sijunio-wavc Uolh v.-avalornir. shown ¡n Firjuie Ge. Tfiir> connoction. hnv/ovor, causes an
\ aro If'l lo bu'lof slnrns and aie availabip al pi'is 3 find í) inhomnlty Inrri^f vanalion oí tho duty-cyclo, Irocuoncy, etc.
','.' "i '.,vc sf-fiaríiln liming íosislors, tho íioquoiicy is givon
Ih" >nt ni-; n1 T| '• • • i í ü ' * ' i t niM'C.T. •' i'l. 1.
» -|(":l"<j n\n- f\» [ O i g o ViÜll t w j folOIIUll tr-y'.'"'
Thc-'o'uro. w:ih Ihn l\vo cunnnls sol al valuos d.llo/onl Iitni.
I nnd ?1, ñn n l ¿-/Mimftncnl r-nv/loflíi npppiis al U-iiiiu-nl 3
nnd p'il '.n'i v,ilh n d ily cy'o l'om loss (han 1 % lo g'ODlor I,-fia
ll'.-in ?''!"- -•••'" n- rMítlo ni icrrr.'ini U -RAC 14
llio M- o ,-,nvn u. f il iiy li-iji-iy ihc liiaiig
i>!p n (i.; i i. uini rio {siiio-C'iti.'oMPí). This nolworK
f ' j . i i r. rlt cicrî'iit l-iüipodaiKO as Iho polantial oí or.
:'io ln:ri[]'£' inov»*-, l Iho Ivfu OAlipmos.
0.3
• — ^ (lor Figure 5a)
WAVF.FOHM TIMING nc • y •
7hi -^n— -.''Vil all \va-/"lo'ms con bo ndjijstcd wilh tho II a single liming rosislor is usod (Figure 5^ only), the
f <!-"r-.il II:I'TÍJ í'-r.i'itors. TV/O possiblo v.ays lo accomplish Itoquoncy is . i;
m
' ! If i'"*; n*C' slvwn in Figuro 5. Uosl rc-sulls are oblaineti by . . . " 0.15
.i.rpmt] DIO !:ir.ing rosislois ÜA and RG E^parals (a). RA
""RC". • :
i¿i
Í-7S
AH l/[i<t It.ivt t-»-p/i jufttanlood b/ chaiaclwualori and ore r>ol

.
.
C>c • — í
Figure 5: Posslble ConnecMons íor the External Tirning Resistors

U..I V 'y B ' - ] ! I/10 V j . - i !••
•e- / . i. ni PÜ - oí al i' ha l.r-.i rpr lip}!iciu:y nm d'ToniJonl t»'i r.LJpí'ly SELECTING RA, R0 and C
1-1,
o.i'fi lM;)ut|I' rjno oí Ihü vollntj'.'s am ' ' '
.vi ¡ i c1' 'h'i lf>.T "'k- ip fcr any given output íroquency, thefo -s a wide rangn oí
i- r.!. líio ¡'il-'ij'ii'u i • iií U'l. Thi3 i1; 'Juo lo u 10 Inct lh;il bcl!i
Í1C conibitialions that will \vork, howevor ccrlain conslraints
í!'-
-n ,
1 :*- %,.c
:i
t i-i nlb fií;J rif.-''.hi)!'í( ¡i?u (,'ii'vJl. hno.v (uncdops oí ilm
' i','..',- '."i.i.j! p'.j HMJS ihf?ii !>(!• rls cnncol. arr. placed upon tho megnilude oí tho el prging curren! íor
oplimum perloirnance. Al Ihe lov/ ond. cu rents oí loss Ihan
k- rí' i «--'i' -MI .-o í - d i'¡- ].„" n-r..i:ii."i '/nort-ivu dn-l'-rlion Iho 0?kU fusislor
lH'i.,'-»"n [ •" t i nnd 12 ií b^-sl nin-J-! vniiablr Wilh ll»-; 1/iAn/o undosirablo bocause ciicuit lenkarjes v/illconlribute
,i'',]<-,j lint' u sfjfíion oí IPSS ÍM.VI 1"- i1: arhf'vnblo. lo r.-iinilicant crrors al high temperatuíos. At highor currents
f"!¡ r.-n lh''¡ oven (uMhCf, l.'.i) pi l"ii| oinoi'-ü t.,m ho con- (I ;• ííinA), transistor betas and satura ion vollacjos v/ill
r. '.ifl fi-. slnjViM in frjn'o 0. 'i--1, ii.í-lKjufiili'jn n'lov/s n ci-iiliibuto ¡ncroasíiiply largor orrürs. Oplrnum potíormance
l.¡ -T i,1 It-r:--.''! o! r-ir-o .'.n." lístoil-in cióse1 lu 0.5"ó. v.'hl. llK/reíoro, be obtainod with charging curíenls cf 10//A
Tv., .- ,
n
tp imA. lí p;ns 7 nnd 8 are shortcd togollior, Iha rnagnitude
".' oí llio charging curront 'Jue lo RA can bi calculaled íroni:
R! x(V" -V) 1
•c/jo *rm RA - RB | K _LJ _í x _:
•j 0*1" n vnafl rango »
" n dury
i "e ih-. i't"1 Ux¡
1 V
1
,V~-j (R] 4 Fl^) R/\A
A similar calculation holds íor RB- .

The capacilor valuó should be choson al (he upper end
• •'
oí its possiblo jango. • '•

Ctí,y.. fir.iir.6f, r.
r i t
i¡ ity c,:k. !ir't;v o'C.
u"
i '
WAVEFOHM OUT LEVEL CONTROL AND.
lí'fj. uno I l ~ j.inc"
POWER SUPPLIES . • • ; - ;
Li ICUOW 2
— AA 7ho wpvolorm generalor can bo operaterí eilher írom a
singlo power-supply (10 lo 30 Volls) or a dual pov/er-supply
L ('.5 lo M5 Volts). With a singlo powor-fupply Iho average
leváis oí tho trianglo and sine-\vave aro di exactly one-halí
u n _c-í Iho supply volloge, while tho squaie-wave altérnales
IC 1 3
— 1A; j ¡bolwoen V 4 " and ground. A split pow-ít supply has'the
L" that all wavelorms inove symmtíliically about
:c ioc*n^
- 100*11 grourid, : • -, .' I
1W •? ¡ 7hn squaro-wave output Is not commillod. A load resistor
l-jte 5a)
can Un connecled lo s difieren! power-supply, as long as
— -o
—fd (F.j 5c ooty). 1'ni
Ihe applied vollage rernains within tho bnakdown capability
\k
oí Ihe waveíorm gonoralor (30V). In thii v/ay, the square-
Figure 6; Connectlon lo Achleve vsave output can be made TIL compatible (load resistor
Mínimum S l n e - W a v o Dlstortlon connecled lo + 5 Volls) while the wavelc'rm generator Itself
is poweiod from a niuch higher voltago. •
5-77
guaranleed afi<J oie nol

8o ICPv8030
Q
«J
U
(»>)
ÍWEtP
VOLTACE
•J1TL -/La
~-°W
^ nú
.1.
Figuro 7: Connccüons for Froquency Modubllon (n) and Sv/eep (fa)
FREQUENCY MODULATION AND Fot Uiiycí f-M dü'/inlion-í oí lor ic-quoncy üwnepirig, Iho
innf! -i(Uu:g yicjnai is íipfjlifJ hütv.'"-m Iho t nif.ifive supply
SWEtlPING vun.i-iu and pm li (I igu'o /!•)- In Uva \voy I!u •jniiie bias lor
[l.r, Ji,*.j- cu- y oí U".' W.l.olüftn (H'n'" > f ">l'.u 1;; •) .< f'TI U"1 turtonl sijurros is ciiwlüd by Iho modula :my rignnl. and
Hjf- ¡'O'i r l it'T OC vollrtcjn al lerminni t1 l'iv. nsui-1 J 'rom a ver/ Iñigo (e.g. 1000:1) Fwe'ip range is c. ca'íod {( - O at
^:L v ' i n/ fiM-'Mi'^ Hus vo'lat;", lifKv-i; • '-' 'li'il.i'-''" is
I * - i ' tf>.i,| í c: r.in.Vi'iivm'i.:-is ('i g • '•: " ] n . - - n \ - i - ; ilinij
VM\.J"P * ^)- ^í-"0 ^l'-'11)0 lôn, bov/ovcr, Ui rc-gulalo Iho
Kupply vullatj'i; in ihis coi.ligutnlion II iu chari ID cunonlis no
í~:- '. iji'-i - i- I -i ipi'V 'í íiiir- nr 'o ¡»ii Ó. n".""1, pfcv jii-u OC
¡ ; * j .-. !C a * apnr-(?i ns '.i-jA-n m I'riuro 7a An
longt-t o iunclion oí Ihc- supply vallago ( /..»! Ihe Inyger
th'í'slifilds slill oro) 'and Unís tlrj liüqui •ncy. becomos
• .' ¡r r (. ' . - 1 'i i^-'/.r^n f -i-; 7 .ind B ii r>"l r-MCi's^nty. bul drpiTul.'iit on Iho supply volla-jo. Tho pol- uilinl on Pin 8
m'iv tto swfpl üo\vn (rom V by (1/3 Vj_
• e - . r f.-vl M COÍH ofloü loqolh'M). lo aijoul (lí APPLICATIONS
] '.r- <; -ID ivnvc oulpul hai n r^lativ'jiy tiigh oulput Willi a dual supply volteo Ihc oxlornal rnpacilnr on Pin
!i"I -il i'-.C'j [U.fl Typ). TÍ-"» ciiru-t oí Figure B prcvidüa •10 cnn bo shorlod lo ground lo hall Ihe ICLC03B oscülation.
^ > l-;i" Mriij. qn-n n-i1 ainpliU¡.Ji? iidjusltnonl. A simpla op amp
Iftiit A-f c:i";'Í alro lio usod
FiyuíQ E) shows a FE7 s-.viich, diod^ AHDe-.J v/ilh an input
slioho sninnl loaílowlho oulpul lo nlways slul on Iho same
Tu obtnm n 1000.1 Sweop Ranno on ll.o IGL003B Ihe

vo^-ati" ív;fu--s t'/ipiiinl insislors HA and Rg rnusl dacrease
In ncaiiy znio. Ibis toquiros lliat Ihe higl rsl voHage on
contiol Tin n ox.cood Ihci voltago al Iba lop c 1 HA anti RB ^y
n íuv/ buiuiíod rnlllivolls.
' 1 lie Oíai'l n( Figuro 10 ur.hinvos !his by using a diode lo
lovvor llia ollecl-ve supply vollagí.- on Hit 1C1803B. The
larga ípsislnr on pin 5 helps [oduf.1 duly ^yclc varialions
v/ilh swoop. . •
Figure 6: Slne Wave Outpul Buffer Amplíflers
5-78
Í(-M An t,r-cii v\!u'!'i tren g-jamnleed by chara clan: alón ana O'o nol losled
ICL3030
- .-••,' •.-
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II .'11."
Figure: 9: Strobe-Tone Burst Generator
i . ,, r,i c (•'!•• .• .T i •• • .
• • • -.iwl:i.. ; - ; i. -i
i - < «s c i i:- .' ' • ! ' •' <
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i
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) ! OISlOflTlON
í r ' f - ¡ j fi jit dti f i ' V O

Figure 11: Linear Voltago Controlled Oscillator
ií i- j -i1 ti l • - : 'jgo • i
t i - . '-•p:in A n'"inn ' i
Iho l-urnnl/ o( inpul swoüp voMnge venus outpul ¡rc- vollage wül, not ox.cfiod Ihe capabilílie > oí Ihe^^pha
M1 '"'.'y • ;in i'n pioniíranlly improvi."] by usui;; nn op anip nsi íloloclor. l[ o smaller VCO signal ¡s mûired, a simp
r -!-'i A n ín r>i¡u/a 1 1. rósiRlivo vollogo divider ¡s connecled belvobn pin 9 oí I
wavDÍorm genoralor and the VCO-inpul oí Ihe pílas
USE IN PHASE-LOCKED LOOPS doleclor. • '
!!-. liujh Iiotj'jpnuy stnhiMy niokn-, Iho ICLfiOlB an ¡dp^l Socond, Iho DC oulpul. level oí [he nrnpliíier musí
l'u'l'J'ng tilo'k (oí a phaso locKud loop as shown in FigutQ mado compatible to the DC level roquiíed ;il [he FM ínput
12 In [M:S íifjpl-calion Iho remaining lunclional hkick-s, Iho Iho waveíorm genoralor (pin 8', . O.BV'*"). Ths simplo
I.'-T- 7 íj''!'j;lor nnd Iho ampliícjr, can bo inrmed by o
solulion here is lo provide 0 vollago dividir lo V4 (R-j,
ÍC's (o.g MC4344, NE56Í. MAP800. as shown) il Ihe ampliíier has a lowor output level, or
ground ¡I its level ¡s higher.1 The divider car be made parí
l/i nifjfr lo maich Ihesc buildmg blocks lo oar.h olhor. two thti low-pass líder. • ' •
s'-'i'-- M- J$l ho loVnn. Fi/sl. two dtllüícnt supply vollagcs are
i - r ? - i T'f'J U'o squore WPVO oulpul is relurnud lo Iho supply ' This'applicotion nol only provides lor a íree-runn
ul lí'n fhnnií doloclor. 'Ihis cesuras thal llio VCO inpul íroquoncy wilh very low tomperature drill, bul ií also has
5-79
1^:0 A a 'i!'r;dl valii«t hav^ baen giiíuftnl»«l by oivl aio nol toalot]..
8 1CL8038
O
o For lurthet íníormalion, see Intersil Applicalion Nole
A013. "Evcrylhing You Always V/anted to Know Abou! The
Flg'Jrc 12; Waveíorm Generalor Ur.ed ns Slahlo VCO In a Phase-Locked Loop
>
I -1
I í£"l Ol¿^ I I
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L- T i ó.
J «.í\ 1 4 -r t ..>-;
I " -^x
1
Figure 13: Detaüed Schomatlc
6-31)
i i - ' n An i)i"-*í vB'jfji hi/o Dnf>n o.mnn eod ar»l B(O rio! I
1CL8069
¡CL8033 } Lov; Voltngt
Por lullici it,l..iHMi«'.. i,i,u lr.luii.il /-i i.i-Mlon í^
3 unique íoatuio oí piuducini) a l.n-jú ivLüni, — AO13. "Evur/lhinj Con M.-,^ VMniuJ to K" ;.v Abo.it.
'U signa! wim a ¡roquancy .riúrtucal tu mal &i iho mpui.
GENERAL DESCR
The IC1 'JC-":0 12 a 1 ¿'J
''Vc'-.u. II u^ns I I . -i t.
^"t ;iat,.!ity and lo-.', n
~T oiít-f I,
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X r R f c-utnCT. .
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Figure 12: W a v e f o r m Gctierator Used as Stablo VCO In n Phase-Lockcd Loop
' ,ri' r! !
- ..:.... rl .. o..-
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FlQiiru 13: ncl.ilhitl Schcm.illc

Absoluto Máximum Ratings
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Eleclrical Characteristics o* - ?rc uni« D(r™- w^. ~ "" circu¡l)

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Typrcal Application and Test Cirpuit
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Mol. !: LM]59fi '.1'«g wo"i in («• i^^j-itu.»! c -'75 \r. fl.H. N

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jmh-.nl l.pnu.r,lur, rf«M 'S'C I.V 1 '% ot<"T iiv» <O a~ Irirsit'.lurTí lo < IITC
Non !: Vo'l»». -wii«l tMi«»- p-. f, 1 K\ Hl 'J. J.|. 8^. Sfl. 3-1. J-fl
•'•••^M
• •• *fS
'•íUi
Typlcal Applications iconiinu
f ••'m a* C rfwuM b* ctKM*n

Absoluto Máximum Ratings
National Operational Amplfflers/Buflers 170V
?0-..f Diiiiwtio" (Noli 1] 500 mW

Semiconductor 0,llct.ntiJ Input Cufr.nl (Mot. 21 t ] Q mA
1npwl Voltuj. (Not. 3) ¿I5V
LM118/LM218/LM318 Operational Amplifiers QutrxJl Sfwil'CTfcuit Dut«|ion lnd«f!nii»
Opt"l|nfl r*mo«iicuf» Riño»
General Description ' LM1IB -55'Cta
. «'i»tn*l I(WIU«><;Y com
Tt* UMHB wt'« •'« pi*cinoo h«)h w»*d op-n- 'tx oot-fium pw loim»nc« LM218
n miv tu wfc
t¡on«l .mpliliwi°>i'0"-íf 'o' • POl'C.nom iMiuinnq | LM31B 0JCtot-70*C
For imwuivj woliciiiont. [««([«««id cooip<m
wid* b.ndwidth «f>d hloh il«w m«. Th«y f«nur. ¡ ulion will boait lh< sltw rile to oveí 15QV/JJ1 Stou(f- Temp«->tu(* Rirv^ 5°C lo '150*C
».f»Ctot oí !•" ¡PCI»»*» m 1B««1 O*-« 9«r»rit pur- t •íxl íitnoii dtwbl* tti» b*íxlwidih. Ovnicomp**»*- Lrid r-rniD«rJtUf- ISaldrrmq, 10 wc 300'C
poM ri«-ie*« wiihoui v»cri!lcir>g DC c*rloim«nco. lian c*n bn liwd with tt>« nmnlilier IfM gríiler
I
Features : Furttiec. » tingl* c«P*citiX CJm tx sddmi lo nduct
ttx ait «!tt!>n<] IKIH lo um)»f I u».
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• Gu»f»fiie«d5QV/uni«writ« ( Tht high ip«wl wid luí «nliog lima o( rti«* op Eléctrica! Characteristics won*}
• Mn"i>umbi«iojirwHol750nA •npi miV« th»m uwhil m A/D conv«ii«rt, oicil-
lilot% «Clrr» Illttn. t«(ipk »od ílo'd ci'OJitv W
• Oi»rti»i liom MpolWt oí ±5V to ±2QV LM11B/LM31B UM31B s
gîíittí pufpf«* imotitMrv Tí)*» tt«yic« ••• «ty PARAMETER CONDITIONS . UNIT
• Int^píl.lreoiJ^cy Comp-nwtton lo wply nxl ol(« »o wd»f of m«fiiiud« b«ti»T MIN TYP MAX MIN TYP MAX
• Intuí! «*d outpol »r«flo*d píoHKted j AC p*dOtni»oc« th«n índuinv >I»nd«n1i «ich » InputOílwi Vo)t»o» T A - TS'C 2 * 4 10 mV
• PincompJiibU^mo»"*'»'Pur'MrM ^ *T1D1. - f ih. UM709. - ;
InixjlOUnt Cuífml TA - 35*c
Th« LM218 'n y«ntjc«( to th« LM118 WCWM ttut a 50 ' 30 200 nA
Th» LM11B ««i" t>" \fitwrntl witY 9»'n lr*qu«"cr . tti« LM218 h*i ¡ti p«(ofiii»oc» vscit^wJ w*' « Itinut Bi« Cutt»n(
CWT,pîi«i¡ofi.7híi«»mIdwiWY«mpiil¡«¡ti»PpIÍ- -
TA - 35"c 120 250 150 500 nA
-56°C io-*35°C i»np«"TU'1 t.»"tt».Th» LM318 ii
c-lkxi lirx» no ««Wíi^ compooît* »" rwoiuKy , Inpul RfS!SI>f>C« TA - 25°C 1 3
•^ H>«:ir»d Irotn 0°C lo ^70"C, 0.5 3 . MS
i™- «»f«ioo. Ho*«-f. wnllV. moit kitMMllV ,
Suuplv Cu-.nt TA - 75'C 5 B mA
5 10
l»q(S;qnj| Voltio. Gim TA -25*C.V S -- ílSV
Schematlc and Connection Dlagrams
V O U T -i10V. H L > 2 V n 50 700 25 200 WmV
3r* ajrf TA - 75"C.VS • ílSV'. A ¥ - 1 50 70 50 70 Vi*»
SmiHSiqn^l Bandwídth TA--7S-C.-Vs.115V 15 15 MHí
'"pulDIIiíI Volt»g»
6 J5 mV
'"P-ilQIUtt Cutieni
100 300 nA
l°out Bui Cuii-nt 500 750 nA
SjpolvCurftnt T A - 125'C *.5 1
-
L*^SÍqnj[ Vollí99G*tn vs - íisv. V O U T - íiov
R\_>?W 25 70 WmV
^'WlVoh^ SW-M, VS-USV.HL -7i<n V
=12 113 -I? 113
'"WVoHíqeR,,,,,. V j - ÍlSV íU5 til 5 V
^-non Mode Hfifciton RMIO 80 100 70 100 dü

J^^lt^r HfKcnon Rilio 70 SO 65 80 dB
ItH .1 150*C. tf- LM31B .. U(TC. **A «-• LM31B.. IHfC. Fo. ow"Hr-<I'i •'•""«
IM.W CM r « k ^ « ' rt hml p-i i ifurntJ F.,itl«ic. oí l60"CfW. |u"CI<in lo «nhi.nl. oí *5"C.'W. lupetittn
. IDfrCíW. |ur«:t.O" lo -n|j'«nt.
"** J: Ih- >n „ „ .K, _j h
II lili t HÍM-. -í
^
1 1SV. tA< «jûu mi»n>um 'rmut volt»^. ¡i «ouil !o ih* «upr
. iSV < V s < iMV ,-vl -56'C< r^^ '135'C.ILM I lal.-T tj'C I L M 2 I B I . .
H mu.t"b» bvpiít—<)w.'hO luF uiíe ex^titoti.
m
Typical Performance Characteristics LMIIS.LM;IB Typical Performance Characteristics LMUB.LMZH icomín
Typtcal Performance Characterisílcs
s LJ.. '_\_'
m
Typical Periormance Characteristics

National Operational Amplifiers/Buffer
Semiconductor
LM124/LM224/LM324, LM124A/LM224A/LM324A, LM2902
Low Power Quad Operational Amplifiers
General Description Advantages
Tfw LM1?4 w,iíi comiill of loor mdfosndent. hiî • Elrmmitei r»ed Iw dujl luppluí
9*m. miBrn«Hy Ireaurncy eornD*rn>Ird ootitlion»! jrtv
• Foui ml*fn«lly comp*fiul«i op *m(n in i lin
plif'en v,tiieh wíts druTord ipícifically lo OCHIJK Irom
j ungí» pQvv«( mctíly ovir i wití* '*ng« ot vtiltiqat.
Opíriiion luirn ipJii oo^rr iiippliei u «lío oaitibie .vid • Aí[o«vi difcily leming nei* GND »nd V O U T "
ih« low DO*VÍ( Mipo'y airt«ni Orni n iixt«D«(itt<nl ni ih* 97.1 lo GNO
• Comp»I¡W* «flth ill lo*mi of Impc
Ap0'tJlmn mn irx:lint« ir»niduc«f impiiíítri. de 9*m

b'ocî *nd ill lh« con»mt>on«l op. imp circuili wli'Ch Features
r>ow c»n t>« mai« ímly ¡itipfírrtml»d in t'nql* powft
• Inttrnrily friqutncy COOloroiJttd I(V unity q*(n
lupoty lyiitmt. Fin t«*mpl*. thc LMI2< líins c»o b*
• L*.9<ocvdl*9f ijtin 100
i (uruty cjiín] , 1
flíiily pfovitffl Ine lequired inleríjct ílnciroîu withoul
iwuiiing lh« «ddifoml 115 Vnc ptnw*r mpptiM. • Wid* po-ror iMopíy rwtgt:
Singí, «ocJy 3 Voc lo 30
wdutJ aioolm 11 5 V o c IO 115
• V«ÍY low mpp'v ewrmt dc«n [BOCINA] - eiwnlii
Unique Characteristics ¡iH(«p«tKtc"i (W IURD'V voJtufí (1 mW/op itnp
'5VOCJ
• In ih« liniíf ruede lh« input coínmixi-mpdí »r>li»9e
• Lo* iniKH t*«in? r.itftnl <5 n
ring» includ-ii grtujnd *nd Ih» outlMl valittí nn <lso
1 1 itm orí i tur t como- •«.itníl
iwmrj ío qround. evtn ttíDUg'i op^ntcd lium ixily i
i'ngír IHJ-^TI «jpplv voll*j« • Low mpoi Dltwt -olli-jí Jm
»od olS*l cutfiwl 5n
• fh« unnv 9»in crrji! Irsqoenev K lemp*inu'c • Inpul comincjo-mod* vd!»9e rnigr incltxtn yo
• DifínfíniuJ ínput «oll«q« '*"9e «}iul lo rt>« po
uipot bin cutrenl íi nptfilJn O V oc lo V* - 1.5
Connection Díagram . Schematlc Diagram l

LM124yLM224/LM324, "
LM124A/LM224A/LM324A, LM2902
Absoluto Máximum Raíings
Electrical Characleristícs iv* - T sov D C .N D t
LM1H» LHJZí* LMIHA LMIl*flMZl< 1.M5I4 LM1W3

f-*tMMeren CO^DIIIÜNI unirs
MI" ÍYf M*X MIN ivr MAX UIN [Vf MAX UIN IY? MA» MIN íff WAH MIW tYr M»X
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lr.i»IO'lut Cur-r-n "lN M-P 3Q » 75 LICO uto ti I7CO "*OC
10 2OO 10 JíM 10 300 10 ID 10 &>-D<y"c

Or II
l>-CUld<'LCu">Fl[ IIMI'I '• 'INI t JO 100 10 I(Q «0 200 ÍO 300 10 1*O *o soo iv* ce
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O.M.f.iHJ InUíl v' v' V* Vf v' V* vcx:
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I-XI 11 i píinini jtimit tojra. up.<jnnfl m • ilill uíur*(«*i! Ih« LM274/LM234A »nj LM1Í4ÍLM 134 A cjn O* Ovilxl baM on • •ISO'Cfinxiium |if=1-in nmtWilui.. Ih*dui*n[nHi 'i Ini wm o( ill
*TxiJ(lmi- u» KlMiul ninioii. -<!••. ooitifal.. tu .llim irn «irolil*- 10 «luían m \a rtoucí ifn BO-.C -m-cn it diu'p4i«a m IM int*v*l«« ciituil.
2. SlwIcKLUiliíium Hinxilpul ID V* cin C*JM i*c«*tvi f*«ltf>fl «nO iv»ntuil *«Iíucuon TS« m4«»num ouuxjl (U(r«nt n *0croiutwMr *0 mA irnJ«>»>í«ill al !fw m^nilmlt oí V* Al vilu« al tooof/
^ in ucui di « 15 Voc.ôniifxxiui líxiii eueuiiicjn «cMcl lh« po—** diu*Miian ftim^ ««) c*uu tvinluW dcurucixin. D*tifocli« a¡ui(j*"Q'i "n íwull l'om nitvjIU/noui iixiiuan •[ «rîlilivi.
3¡ Thn ir<iul cuiimi — II o«y mil -ti*o |fi* volito* »l »ny ul th. moui ItKí, » dítvwt n*9«|iv, i- i ü. « lo U>* CDIIiciaitnn junetmn ot ln* iroui PNP trininlixt b-.umiofl It^«»a BL^Î ir«i ^K<OY
nfl M looul tttxi. elKtip. In «dii»,n lo inn día» ^:iion. m*'i n .lialtlfM NPf»p*i-"«-U|ic if.niíilix «.luiaun itw I C tino Thu iltnuilix «elmn un tkjM IM uoip-[ .olí»î o' lh« oo «íriíii lo sa lo IN« V*
*)« i*-^ (oí IQ gtounJ le- i r.ítj. o.«ú-...| luí Ifi. HrM oufíllon ifvii ui inoui n Dri-w n*^[n< Ihn u nal Ouiruciiv* tno POÍRI*! tKJtpu! iíi(« «ill (.-«(«Hin wfltn llu inoul «HI**», «oKin -11 ji^-ti...
t-^m i*lwni lo i «*lm » 4 - i « i
Man *. Ih«»« «jîltíii^rinocJy la V ' - «S V^ «na S6"C « T A £ rt36*C. unl«4 ottv»— n il»i*d . tfn U
LM374A t (nw4li.it KMcilîiEtn* «. |pm.[«l t o O ' C £ T* ^ "70 C,~«"<1 ir« LMÍ903 iow:il<j(ioni v> o lo -*O'C < T A <. »3S"C.
Nn 6i Vo - | t VQC, fls -Olí ~.m '•" Iii>ni5 VDC lo JO V D c. «m o»*- Irw lull «w>ui common -rvx * |0 V D C lo V* - T s VDC!.
Mou t¡ fh* a.»clHjn al mi inoul cuit int n Oui oí IM 1C aj« lo ir» PNP ¡rom il*o«. Ttni cuntnt n x'ly canw*n!. ir«»(j«vl*nl oí in« il»!i oí IM ouawi « no k)*ainfl ctiti»» t«mi oo llu irtKiI l"r*i.
N"« 7¡ Th* mcwl com-T-an m<rtJ« •.oll»i>« &• tniuf irxíul lujnii n)ll^« líiagW not tw »ílo*»d u 90 i>t«j ÍTXMI iinn 0.3V TW UDP* wxí al ir* axiuixjn oíoil» valí**» un* n V* -I SV, tul i.lfi- « Doul
«oulicwi yo lo i33 Voí,y,nnuui u-m^. t « M V o o (w LM39021.
r*ot» !• Dut lo pranmilr al t ttuí ol o Iwi»' ovn. Trin n i» Omttít*a n Muí tvw oí
i Perlormance Characteristics
Typical Performance Charactenstics ,
Application Hínts
Thc LM174 i«iin n-a op Jmpí wíiich opuiile wiih only b* uifd. Itom th« CHitpul Q( th< JinplifM-r lo
j smqlt pow«f vupply voll»gr. ¡nciíru lh< d»i A bin cufrent índ preven I CIOHOVM
inpiíli, »"d íífp'in m lh< lincw mod» *nlh jn input diitornon. Wh«t( Ih* la»d n dirtclly couplrd. « ¡n de
common nnxl» voll»g* t>( O Voc. appÜCJliorti. Itiflle » i>o cíonovtf dinrxtion.
oper,iie over i vnid» '«09» oí pownr lupoly vnllígc wilh
liltle r.h»not in pcfloínnoce th«f scteriinci. Al
to Ih* ootoul
op*i alion ii poinhla down lo i nrnimo
. Vilun
ollígo ni 7.3 Vuc
pmtxjti o' (he pjckwjp? hiv« bcrn rtetiqniid "c

itv PC txjj'fl liVOull. !n»iíiling >n[xiri nt jdjjicm'1
ID utiipuu (or i'f ni thf jmplilirn J'vj irií oul|iiils lisvc
jilo l>cfíi ptícrd 11 Ihf corntri o( It" DJCkínjr tp'ni 1
7. 8. >nd H). Th« t»ft ntiwo'k of !he LM124 eiubditist i di»m
cunaní which n initewndent oí [f>t niigniiiMÍe of l(i«
P'tcauíioni ihould b* liken lo IOMJIB ih»t llê powri yowrr juDolv vol(*je ovar int rtnift oí ftom 3 V DC lo
(uppíy lor ttie mln^ted atcuit never bíctxni-i revuued 30V D
m DOlaiily O( lh»I Iht unit n no! inídvnlrnllY mitillfO
tMCiwsidi m i 1*11 lockei n tn unlimilsd curiínl iurt^
Oüloul tr«xt aiCUi» filhtr to ôund oí la thr pollllve
ItitDoijh lh« Ttiulting IOIYIIH} dtodt wilhm ihe IC ciiu
pawíf lupply ihould be oí ihon unw duríiion. Unili
cwi" iuimg o( llw 'nlttti») coortuclon »nd iriutl m
can b« rteüioyed. rmi n i níuh oí thi ihott cifctnt
unit.
aitrenl cíUiín.) rpeiil luiinq. t>ul iilhef duf lo Ihe lítgc
ipcicsiB m IC chip d'itipXion «hich wll ciuve r-vertu*I
piit "ol|»<|M
ínlute due lo (Xtwiive junclion ttrnptriloiei. Pullmq
nd. íl mpot dt(lr«-n)i)l «oítíy ptoiecHo
ueci ihocí circum on moic Ihin one «motitici J! i time
not n»eded. no títy mpu! CJlrtmi ifiu
ill inc(r*t< Ihe lolil IC pow« rtillipanon to díilriíClL«f
IlOm 1,1,71; dlftcienliil >n[HiI voltiqn. Tile iliHíWrim
vnli, "' not D-OP"|Y ¡xotccicd *vilh exieiniit disiipíUon
i"txil voltaje rn»y tx l«'7sr tfiin V* wiihuul
miiini) rtsisiots «n ictiM vnih tNj oiilpul lf»di oí Ihc
PiolecHon ihuulil br ptovidrrf lo p-tví"! thf
n>Dl'''rti Tht larori víluc oí ouiptit (<xjicf runrní
'"Pili vnMjqri iiom qa>ru| nrgjtUí ">oir th,in -O 2 V,-c
htch -i JvJiulile Jl 2S"C O'ovidci j Ijirjei txiunii cui
'Ji ,'G CI Aii ir'txi! cljmo «jituí* w-ih J I-MIIOI ID ih« iM ntub'lilv •*' 'l»vl»d (»nipí-nnj"-s («e lyoiCJl
rM,i isrininjl (Mil U- Ui-nJ.
«i (ni mjncr cti*nct»nslici] 'han j Mi'idJid IC.ip jmp
To 't-dirrc il-r (.'O""'' Hiprlv cutrcni ri(,im. líic jm

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a Ijrir 119"*! -nxlc linni cmi>ti*iiíc oi'entiitfi on only J iimjte oowtl luinily
iittL.fi in l>iih tíni'Cf jrxl «nk IHII^ (Mitpiíi cniímii. vpl!Jqr ti ctimorfiienljiv P"1^1 lunp'tíi a'r .ivíilíhle,
iMor,; iMih NPN ii'O PNP CKffi.il ctílli"U iMVISl jll jl Ihc iMi'dMil oo JTip ei'OJiLi cin l>« uiní. In
»í"sntor\n be mni lo i-j(lcnd ihr txiw»' cîwili'l'ty o' ifriiful. inlttxliicinq ¡ mewto-qdxind ii bui voll*7e
lfi"
iMín; jmiHilifri. Di* Wllput vr íl Luje nrrdi lo r*iw rtltirnc» oí V'.'?l will íllowowfJlinn jhovr «nd twlow
'nwoMmii.iv ] t(twk diuo jlwivt c|<on"0 lo bini thc lint vslur m nnqlc piiwff SDolJlv %yi!tmi. Mjny ¿pol'CJ'
On etiiuvi > rnet] PNP iiaiumpí (oí oiiipui cune»t sii'kn>q (ion a'cuiti Jrt ihown wtiich late *dvmt»q( of ihc -vide
inliiil comiron minie vollôc. rtriqe wtiicH incluíWi
yiOucil In moil r.ni-i. tniiut llialinq '1 nal ítijuliril Jnd
'C 4[)olhC.iliil"í. whert ihc Io*d ii Wp.Krilivr'v iiiuiii vnt(.>)ct «nieh tmif: to tjrotind rin («ily Iw
"'1 lo Ihc oillixil o( !hr jmoliliet. i (niisior ihould
. absoluto máximum ratings
National Operational Amplifiers/Buffers
fr>~~ niMHIionlN'Ht ti yXJ".W • LHÜOHAJLWJIDB -M'CIO'ITS"
D>tl,,,M..lll,|MlC.IMM,llNnif íl MOm» IWJOrWlHÍJfle - T V C ' O •«' Semiconductor
Itvul Vrdliqr muir Jl >]JV l_HJjr*A,lMJJ08 O'CIO >)0"
0uii«jlShwtC»e«'lD.mnm Cnnr-nuliul • Si»»,, f «*!•>• il» t Hir^. -«'Clo-lM"

l.M Irmfwilwi ISnlct*."^, 10 wcl 3OO'
electrical characteristics e«ch míe iNm. -»j LM110/LM210/LM310 Voltage Follower

IrMIÍ»
COHCHflDMI u.,.
IMHM IHIÍfH IMÍK» Genefal Descriptlon
!.,„. 01.-, v«.^ ÍO ÍO 11 mV U..
t . • Jl C Th« LM1IO "ri-n trt mooolilhk: op«(»!ionil TTiri LMIIO lafiri Jrc umlul m dit lample ind
IM...O--IC i. li C Oí Oí 10 -AU,.
«mplilieri inteinílly cottpir>ciíd 11 unity-^'m hofd cireuiti. *clive (¡lien, or n g-inenl-ptirpoi*
i.,îB,.,C-...-i '. • ís c ;o ÍO 10 ~> Ul-
non-invsnioq tmplificri. Thev u« iup*r-qiin bolfnri. Furlhir. th« lirnuencY '«loóme u enoiíijtj
i™. «,,.,. ~t. '. • n'c X JO 10 UtlM-r. [rsniíiion in lív» ¡npul 11*90 ID o<! low bi« b*(l8f lh«n it»ndnd IC implilien lh«t tho
V,™-, C- i I,- íi C o« 0< 0 1 <nA M- cutirní wilhoul t*ciilkinq ip*rd. Dirtcily ínter- lollovrtn c»n b« itvclixlrd m Ihs teedback loop
l^t^-VM^G.-- '.• Ji CV, • -I1V » w n V ' mV "'"
chingartli -vüh ,01. 7Í 1 »rx) 709 m voll»9B without ¡nltoducing icinability. They *re plog-in
84 i vo,,i ' ''OV i, .. IOHI lollowtit M>plic»'ioni. thew drvicat hiv? mlernil r«pl»ceni«nii lor Id» LM102 wiíi vollige lol-
i™,0"-ivwi^ JO JO 10 -VU» fiwiu"*cv coniptniJtion Jrvj piovinon for oMwt low«í. of!«ncg IOWM oHwt volt»q«. dolí, bi»
.1 II JO ,VC»- bíl»ix:ing. OutlUrxíinq dut«cletiitici irvcludn: cutifnt *nd non» m »drii|ton lo hiqher ipcnl írxt
ATiT.0l7"v!v'J;""'"'"' widíi opetilinq vnlliqe (tnge.
'•vil Oil»iCu"«ni 01 01 .i « Intstt eurraní: 10 nA m««. ov«r I«mp«iiiLirB
«*M-
íl I.t 10
* A/CM - • Sm.lt tiqrW Urxtwrdth: 20 MHl Til» LM110 ii !p*cifí*d over » tempíritur» 009*
*™7J,','*^'j;u" ,!"""""' -55°C < TA < H25*C. Ih« LM210 Itom
i-ru.i~c.rn.". JO 30 10 •u> M—
-2S"C < TA < *85"C »nd |hn LM310 ítom
S™-. CÜ...M '. •'líl C 0* - •nA Mr-
1* . SoppJy v 0 J C<T A <'70~C
V, • -IJV V,^, • -10V 71 n VI»V «•"
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«, N 10 til
O-lpOl VDt1*f S~—1 v, • MIV nt ' muí •1) MJ ni VMo Schematíc Diagram Typical Applications
v,. -nv •1)1 •líi •n V»W
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Con-^nMort-B.Î^R..* M M « *««
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o-tt- i» ^ 'o-c.
Absoiute Máximum Ratings
Typlcal Applications
Sioolv Voll.icfr itBV
PowcT OlMtnmion INole 1) 500 mW
lopui Vnliaqa (Note 21 ÜSV
CkiipoT Sl'oii Cuculí Diiinmm (Mole 31 Irvlslinite
Doeíaimg TeitinetalUM nîxje LM110 SB^Cio 125"C
LM710 -25"Clofl5'C
LM310 O C í o -70 C
Siniaqa lemon-iiuie Hai»^ 65'Cio 150'C
Lejd Tenuwifliute liolderintj. 10 )«l 300JC
'Electrical Characlenstics iNoie

y^-'.'.
m
T» -35 C.VS - MW
•'our- -iov
ÍA ' ? 5 ' C
r A - 7b C
lno.il ButCüf'fnt
Ll'tjí S'qn'l Vnttlq» -M5V V OUT • -IOV
R L . IQ Vil
V 3 - -15V Hi - I O V ' 1
i;v
< 17S"C 'o' ih. LMMD. 3S"C •, I* -. SS'C l
Typical Performance Charactenstics
Typical Performance Characteristics
National Operational Amplifiers/Buffer
Delinition of Terrns
Semiconductor
i oHwt 'oli»9«: Ihji volta-je witictt mim b* Jonlifii Supply-voM»9- r»j»ctio(i: The uno oí tti» io*<:.íi»d
ten rhe 'npul tciininalt lo huí Iha >inlo»0«d ouiout itiocily voltiqe cfijnqii lo tha ching* m ollwt yoJtwj»
LM101A/LM201A/LM301A Operational Amplifiers
Input otti*t cutrtnt: The diHrtencn '« tht
General Description
m thr Imtir fíqion Th» LMI01A ifíiti »f» g«r>*r»lputDOt« ocwntioni! e»p»cUoí. h hri «dvmt»g»s ovw Ínt*m*l[y co
•mplilien «hwî Itiiuit impfwvfl D*riaTntnc* p«nut«J jmp'ilwfi in th*i rh« (r»ou*pcy comp^
Inpul triti oiirtni: Tlie jtnoluia vilut of trie jv omii r»9ul«(H>n: The ch»"qí in it\tttnce outpiít volt ov« rnduitiv n»<n)«n)i I¡V« lh« L.M7D9. Adv*fKBd nilón un IM t»i[rx*d to th« ctxliaj|«r «>q|ici1¡o
oí ihe iwo mam ctmenii wn no lo*d to ttiai loitl loccilied. Pfoceiiinq tpchn«ju«t m»fc« poiiiW* *i otrist oí Fof txwnpk, in low fr«qu*ocy a'rcuÍB It c»n
m«gmnn)fl rttduclion rn inpui curien», md « oVffvxHTn>fraJtfd lar 'mcr»»»d tí*iil¡ty íTwgin.
ln[«ii r*uit*nc*: The ritió •)! tha ch*nqí m i (ndnilqn of thn bl"inq circuí Ir/ r*(Íuc»i r>M th« comf>«m*tioo on b« oplimii»il to gív» nx
vollag* to Itis ehjnqe m inpul cuirent oa «ithet i l(rm¡>*cnurí drifi of inpul CTiriiut. Imcnovnd th*o i l»ctof oí t»n imp'Ovwrwni In hlî fr*qu
with (he Oltici gioundfld. ip«ciíic»tH)n» includ": cy p*donrx«nc« l<x mo«t ««ilic»l¡oo>-
• O)h*i »ol1»ij» 3 mV nuiimum trrtt ¡•mp*(*-
Lirê ügrait Tolt»fl» y*in: Th« mió of thr tptc (Uf. (LM101A/LM201A)
ouinul voll*gt iwimj 10 the ch*f>v ¡n diff ére Rtf*r*nc* implilUr í*n: Th* filio oí tha tp^cifivd • Input cufdnl 100 nA miíimuní ov»r l«mp«r«* In «dditicm. Ih« d*vic« prcrvioVí b«tt*r cccurt
itipgl vollxf» icriuirtd lo n'txíuce it. relatera* outtml chííKjfl lo tti« dungí ¡n f»«i1li»cl( tur. [LM101A/LM201A1 •rtd k?«¥«f no!» rn h'rgh impwlcoo* círcuitr
v«nw volt»9r iBQiiiied lo ploduce it. • Oftiel cun«nt '30 nA mtnirnum ov«r t»mp«(i- Th« low rnpui ain»oti il«o m»ii ít tmtrc
Shunt »•"": Tht r»tm ni lti« io«:il¡«d outpul vo l»f[y w«ll fu¡t*d for loofl kit»ry»I ¡ntvgr*l
tu(» [UM101A/LM201AI
iwing |o lti( chingí in iliflntínli»! inptJl voltaqr líqi o< tinMn. i«mpU «od fvild circula »od tow fr
to produce U wiih td» ouipol t«id tn ttíe V itr F*»dh«:h currint: Th« »bidut« vjlue o( th« curr«nl • Gu*r*nt*wl drill chvrKtKiMtci
qu»ncv '<••*'itofm j*n*K«tofi. Furttw, t»gl»cÍ
o( ttic 1C. Ths 1o»d JIM! pow«r lource *re conni Jl Itie lerdtw;^ tfrminiJ vrtito ocwriNng in lagulilton. ciicuiti wh«« m»tch*d tfin*JiIo* p«In burf
bitweoí thr V* md V~ lerm»uli. inri mmit cooi tt» Irputi of cwrv«ntkx\»l IC op »mo«. It c
mo<ie ii ttteiita lo lh« V~ teifmijil giv» knv oduY mi 1*9* tnd ckift ti i lowvr c
Suoplv curr«it: Th« cu'ifnt reipiiiíd fiom tfi* pow« • &*writi of 10V/î MÍ KimmrnQ •rnpfitWf
%ou-ct lo M>*ritt Ihe wipliíitr tnd rcleteoce with
Thii »mplHwt olf«rt many (••tuín whicfi miln iu
Ihflir ouinuts unlojKlcfJ ind oornlinq ¡n th« lintw
><K>liciln>n n*wly (DoJorool: ov«do«) ptot»clKHi Th* UM101A i» fjftm\lffii avfr • t«mp«tilU
on HIB inpui «f>d outpul. rxi l«(di-tip WIMKI lh« urxp ai -66"C lo *1J5°C. th. LM2Q1A fio
common nvxíe r»oq« n »«c»«d»d. (r»«)orn fttxn -TS'C lo *8S°C. «nd th« LM301A Irom 0°
iMCillilroni »nd conx>«ii»M<xi with i tinqtt X pF lo 70° C.
Schemattc" and Connection Dlagrams ¡
O*- Mufnt» LM101AH.

LMÍOIAH» LMJ01AH
K- O**- rVurr-lH. LM101AJ-H.

LMífllAJ-H « LM3O1AJ
*i Nt f—* >v* JMA
«/' i
Or*- Mumt-r LMM1AW

**> Nt f«li*«> NO«A
•Cliivil ihown ... (f- T-l.l c

Absoluto Máximum Ratlngs
Guaranteed Pertormance Characteristics
Electncal Characterislics iN 0le a
Guaranteed Performance Characterlstícs
•--U- -i .k..o, -n in- rn ^ if<t .«i-inl>tt ti- v, i-c.i :u,-.i.». . -h -,.í.,n(. .,! i'jO C W |U»ct n» lo »m|,.~,t. o. íb'CiVí. !"«***.
Noi. 3. Ci—iinu.s,, ihmt e-"uil S'C 'o> LM1U1A.LM70
•-.I bS'C "Wn-nv.lv'n. LM30IA,
Nol. » U».-ll Pifc.'"-' ip-c.lr.r|. -nn« i(>-C'lprtl.o"( ^w'í 'o' Cl • 00 O^ -SV • V; • -TOV I—I •fcS'C • T ^ < '1Í5*
iSV . V S --lOV.»!! 7 3 C - Í A . . ' B í i ' C I L M W t A l -SV •_ V s -ISV.n.in'C; ü' -;El'riUW3UlAI
Typical Performance Characteristics ^mmu lor Varíous Compensaron Circuíts**
Semiconductor
LF353 Wide Bandwidth Dual JFET
Input Operational Amplifier
General Description Fea I u res
Ihrt* dfvicti stt low COTÍ, hit/i ipfríd. du«l JFET <nout
• Inuctilly lfimmf<Jo(h*l v 7 mV
opflUtionii imolifien wuh jn mtriiullv Inmmctl mnuí
• Lowinpul bi»ieuiipoi 50 pA
oidel voll*9« IBI FET HIM ischnoloqyl. Th f y (equni;
low iuooly CUilínt yo! ititintain i \tige qam bíndwidlh • UrJwinpoi noi*« votlxje
Dtodiici ind I«l ilíw uif. In *dd>lion. wíll mirctíed • Low in put noivt euiipnt 0.01 pAA/Hr
L*je JFET inmit tíev.ces providt vety low 'noul • W¡d« 9«in lMndw<dth ^ MHi
bui Jnd o*Hel curitnn. Tht LF353 u pin comoitibt» • HIghilewtíle
'iih Itit iftnd»id I.M1558 Jllowinq de>Í9(iíri lo imrnf-
• Uow iupoly cutrtnt,
ulely ui>9<i(H th« ovfliill p«rfoirn*r>c« oí «xiilioq
LMI558 ind LM358 díiiqni.
• Lowtotil hirifontcdíiKxiiíin Ay - 10. <D.07X'
plifif!) miy b* uud in tppliciliorii lUcti « R L • 10V, VQ - 20 Vp-p. BW - 70 Hi-20 kHi
hi(/i ip»*<J inlryílon. Iwt O/A converitri, wdi[jl« *nd
• Low I/l noii* corn« 50 Hí
huid circuí» »od mmy oih«r circuí» requiiín<) 'ow
• Fnt wnltng time to O Ol\
inpul alfvtt volt»g», low inpui üin cucicnt. t)>gh mptii
c«. hiflh ilci. rit» »nrf wid« bwidwidlh Tht
ido »<hibil low ooit* »nd o f l w t yoll»9e driít.
Typtcal Connection Connection Diagrams
, LF353AH or LF3S3HH
S— Kt Í^Ú.^. HD*C
Simplided Schematic
LF353N DuW In-L.o* P»cki^. [Too View]

fypical Performance Cha ráeteos lies
Absoluta Máximum Ratings
Powti Oitno'Hon INolc U
T¡|MAX1
ei-ntiíl In
nput Voltaqt
0u ipoiSh 0 tlC¡icu.lDi.r.t«.nlNow3t
DC Electrical Characteristlcs (No.,4
AC Eléctrica! Characterístics (N0i

Typical Performance Characteristlcs ican
Op«i Looo Volt». G.in (V/V1 Outp-Jt lmp«d»oc
' •??•"• *s"r "'' " ""*'''" '"" F E r "idii! •Irvrri, >P1 "- ET III '•»"•,« «incr-u rn Itoi*- ->f-rn ctn clult m j drslToveri
' ^KB vu^ '*'" Uí "'"•'"'•w. '.»"!'• -1" t..il "i»"' En-f«|inij (He 'if)jiivf commo-i toode >imi| on filhft
¡MHSw ,n 4<1"! '"«' ".i-.ilv ti' .irrfimnm't.ilrrt .«-Ihoul .1 lat^c inpiíi »-il[ CJií'i J 'tvr-ut o' 'hf pfijie lo Iha iKJtpiH
'[•il -',tt—n T'i" -njiiititim .:ii'-i-[it..il jr-d 'Qice If1» *T>oM'cI oulDUI to !h( cOI'f)ODnt1"«
fj ""'>' ^ -.1 Ici'.-ii.rr—l n( llv utpnív víi't.Yíjci. hnî o' 'ow ttaír E>crf(1i"<] :re Tgitivr commixi-mcxt»
"'"• -H..+.., ,| ,),„ .,,„„, (.((Ij,.,., ((,,>,,|(¡ |-
Iini>i on bitih -npiiti ivll 'oír» Ihí jrnplilit' txiiDui m 3
J.J3
National Operational Amplifíers/Bufférs Máximum Ratings
Semiconductor JrlBV
500 mW
LF351 Wide Bandwidth JFET 0*C lo »70"C
Inpul Operational Amplífier 115°C

J3DV
í""11'1 Inpl" Vo
General Descríption nfl» INot Í1SV
The LF351 n .1 low coil high «x-erf JFET -ofxii txwrj. th«!« (eouiípuipnii »re critictl. IÍIE UF356 ¡i Shon Cífcuti Ounibn
tionil jmplilier wnh jn inieriullr rnmmFil mixil o f f w i . II mMimum luprilv curten! n impontnt. -65°Cio-tl50'C
volt*)* IBI-PET II"1" lechnolo^y]. Tlip riev-C' i-mi"ei ¿ how^víf. ih« LF3S! n ttiu b*tt«r choice, íd remoe'JIU's ISoldminq, 10 wcor*Jil 300* C
IQW «luoly euimnt sod yei nuintjniii .1 Unje ijain tund-
widlh miwfitci .jtnl o '«I Uíw -Me In AiMifcm. -vd!
Features
milchcij hii/i vniMqe jrp-T iiiput devicei Diov.iJc >FIY • Ininitully lummrd otlwt voll*jfl 3 mV
low -niMit wat jiifj oldel aií'cnis. Thí LF35I -i Din • Low inrmí bni cu»en( 50 fíA
CWí>I)»liH« w.i(i Ihc UjriijjnJ LM74 1 jntj niel Ihí i-ime
DC Electrical Characteristics
• Uawinpui none volttg» - IG
o(lu>I vol|*í • Lowiuput noiw OJ'ifni 0.01
ririii?"rrj lo immEdutrlv UDq'KÍ« !hc OVB'»]! peifor
• Wid* <»Jit> íandwidlt» < MHi
minee oí exining LM7^ 1 deugnt.
• Highllíwr.t
Low lUDdv cu(r»nl 1.8 mA
Th* UF351 mr/ Ix ustd in
inpul ¡mr»díncs
. D/A co
eiTCinti ind m»ov oitiet circuiu fFtjuifitia low mout Uow total htrmtmic dntornon AV - 10. <0.07%
oHmt voílj^r, low inpul bi«i curr»nt, hiî moui imp*d- lOk, V 0 - 70 Vp-o, BW - 20 Hi-20 VHí
ir<ce. hit/i llíw late jnd wilfe lu<nfwidth. Th« riflV'Ce Low 1/f noi'w cotnsT 50 Hi
h« low noiw soH oflval vo!i>g« dfid. bul ioi «pl'c»- Fnt Mtllinq limo toO.Olt
Typical Connection Slmplified Schematic
AC Electrical Characteristics (Non
Connection Díagrams ÍTOPV,, W I]
*"!• 1: *nr ™>-f«Iino .t tl»..1«t tiw-iwrÉnin. rf>< [Wv.f. im.il b« rt-'iníí bw-rf fi > |f«TT«l M.nt^c« ot 110"CAV |U"£tio" lo
V S - - i S V u r t O ' C ^ T * -j -70'C.Vos. l¡, .fx*!osi^

Typical Performance Characteristics i performance Cnaractenstics icommu
Op*n Loop V0lt»7« G«¡n (VA/I Oufpul Imp.d»oc«
... nii!iin\ :
Semiconductor
LF155/LF156/LF157 Series Monolithic
JFET Input Operational Amplifiers
LF155, LF155A. LF256, LF3S5. LF356A. LF3S5B low mpply currenl
LF1S6, LF156A, LF256, LF356, LF356A, LF356B wída b«r>d
LP157, LF157A. LF257, LF357. LF3S7A, LF357B wicfe baod d*comp«rw*t»d (AV M[N - 5)
General Descriptlon
Jtt Iha finí monoíiltiic JF£T ¡npot oinrílioiul • Pliotooll nnplUien
ieri lo ir>coitíorit« w»H mjlctiffd. hrî vollnge • S*oipl« »nd Hold circuiti
on the «mi chip wilh il*rxii(d bipotir ((gtiinloii
tchnolo^y], Th*M •mplificn /»»tur« low ¡t>p*ii
tví oHiít cuircnu. low o(Ii»l voJt*O" *nd o(f«t Features
:^rifi. couolíd with ofí«t -djuil whith tto»i nol IUFI55A, LF156A. LF157A)
a ilnít o' ctxnmon-mtxhi i«j»clion. Th« dcvic»!
,o tt»iÍ5n«d ÍD< higî il»w ni», wid" ínodwidth. 30 aA
sxirc lely '«I íittling I¡mt, low volt«9* itxf cun«nt Ltw I"O Offict Cutr»ni 3pA
noiie ind i low 1/1 noli* coffvtf. npu lmp«d»oc*
• Umii offnt voJi«9*
Advanlages
' drill
Repl»cs »*p*ni¡yii hyb"d »<KÍ modul* FET op «mp»
• Low inpol noi»* cutr?nt i RA/-/HI
Ri>99ei1JFETi •líowWow-oul Sm hindling co"ip*f»d
with MOSFET Input d»*-c.i " High commoo-mod» rt[«:litxi ri 100 dB
Excflltnt lor low noit» «oplicnlooi ming «ilbír hiî • U»rg« dcvottage 9»in 106 dB
O' 'QW ioutce impwdinc*—vrrv low 1/1 cotnef
Uncommon Features
ceirclipn M in moit monolithic *aiplitiffi
LF157A
LF1BSA LFl&fiA
(Ay-Sj-
110.000 pF) wltho'ut iijltilitv ptoW-mi
Inirrril cofDíriution »nd l«ff« dilftftnli*! ioput 1.5
voli»9e c«i»bi[Íty (•i wttling
lim» lo.
Applications
P'ecmoo fiigh iptfd int*v"iton
5 12 50 V/ui
FJII D/A Jr>d A/D con-insrt
2.5 5 20 MHt
Hígh inípedínc» bufían
VWdebínd. low fioiie. low drfft »mo[i(¡tn 12 nVA/Hi"
Loqjnthmic xnptilicn
Simplified Schematic
<*•
Notes lor Electrical Characleristics | DC Performance Characteristics
No"? Uní*tí olf—<- CH-n Loop Vofl**»
ü_
MBV i "SU '1HU
LJ_ í 'OS "*
-II -í*
NON 7: SrnlmDi.m* t rtfl."«f *«r. ID. • un.iv !»•« inwfW, con™<i.on ui.t^ ? Vil in,.io.. Ic» ihf LMSS/E U n |hr i.n* ,«*,„«( |w ^J
voliw liw voil>«r H iht iiw«HnsinDun>monlhnmp),lw(llo*Mtf Inwrlh.nQ.OlVof nilini'vjliM íio-n th» |,m* . 10V IIÍD mpul B-J
[AC Perlormance Characteristics
lo Itn- mvritr- foi Ihf LF157. A V - -6. It-t I™1W<» rmllo' Plrvnoulpill lo «W .1 2 Vil .na IHr oulIKlIlIroil 10V ISw $<-ltlinv Tñkl
Typical DC Performance Characieristrcs

Curves »* fot LFI55, LF156 ind LF157 unltii olhsrwtw iD*cif¡«t.
Inpul Bu> Cuir
ífc
j» « M M 1M 11» -H.» -u i n n a K IB
5 , í , "i»»iwH rd
LFIM S™|l 1^.1 Tul. R
rM¡
A-?
2 ,
L-ííl'*1
í ' fitf
LF 157 L^*. S
pnltic* Cu"1"*
A V - .5
Voll^ LitfH
mm
Typlcal AC Performance Characterislics icontín Performance Characterislícs
Uetalted Schematrc
neclion Diagrams ÍTOPVÍ»WI
1MAH LF1B7AH
1MM LF167H
LF2S7H
36ÍAH LF3S7AH
3MH LF357H
•r
Kkolute Máximum Ratings Recommended Operatlng Conditlons
National ^LOCSupplyVoliaaa - 0.5 Vdc 10 l 1H Vdc VDU IX; Üupfilj- Vollaye i í» Vtlclo i ]•> Vdc
K fnpulVoliage -0.5 Vdc lo VDD t 0.5 Vdc V )N Inpul Vollaye OV lo VD(J Vdc
Semiconductor H Storige Tomperalure Bange -65'Cio 1 150'C TA Operaling Tttmpdialu.ru Rantjti
K PicXaga Diasipalion 500 mW 4Ü51BM/40MBM/40M8M 55'C lo i U'ÍTt:
K L**d Temperatura (soldermg. lOuoconds) 260'C 405lÜC/4053aC/4053BC tO'C lo i b5*U
CD4051BM/CD4051BC Single 8-Channel Analog •CFInrtrlcal Characteristlcs (Nottí2)
Multiplexer/Demultiplexer 5 5'C l 26' I 25-C
Condltlona Unll»
Uln Max Mtn Typ "iT« Mln Max
CD4052BM/CD4052BC Dual 4-Channel Analog f 150
Ouiescanl Dtívica Currenl 5 5
Multiplexer/Demultiplexer 10 10 300 jiA
£2 20 20 600 jiA
CD4053BM/CD4053BC Triple 2-Channel Analog ffÉk^jl. ÍV.^1 «nd Ouloutt (Voa)
Multiplexer/Demultiplexer "ON" Raslitanc» (P«ak VDD-25V.

>ny channel 800 270 1050 1300 11
aelected) orV DD -5V.
General Descrlptlon Features
Thflw anak>g múltiple* ers/demulliplexers aie dtgitally con- • Wkte range of digital and analog sJgnal lévela: dlg
trolled anatog awitches having low "ON" Irnpedance and 3-15V, anaíog lo lSVp.p vEE--5v 310 120 •100 550 11
very low "OFF" la«kag« cúrrenla. Conlrol oí analog algnala • Low "ON" reaJstarKe; 60Í1 (typ.) over entlr* 15Vp.p orV D D -iov,
up to 15Vp.p can b« achieved by digital signa! amplitudes o( nal-lnpul range (of VDQ-VEE- 15V
3 - } 6V. Fof example, |t VDD - 5V. Vgs - OV and VEE « - 5V.
• High "OFF" reaJalance: channel leaKage of ± 10 VDD=7.5V.
analog *Jgnalt liom - 5V to -t- 5V can be conlrolled by digi-
v E E^ -7.5V ,.
tal Inpuls of 0-5V. The multiplexer cifcuila disípale ex- 200 80 240 320
Logic lavel conv&raion fof digital addreMJng algriaJí at or VDO= t5V,
Iremely low qu¡e»cenl power ovar tha full VQQ-VSS «nd
3-15V (Voo-Vss-G-iSV) to «wllch anatog ajgnal» b VEE ~ ov
VDO~VEE «"pply voltage ranges, independen! of the toglc
l5Vp.p( V tX)-VEe-15V) RL»IOkM
átate o( the control signáis. When a logical "1" ¡B pfeaenl al ¿"ON" Resistance
Ihe InWbJt Inpu! l«rrninal al) channela are "OFF". Matched awtích charactenallcs: ¿RON "50 (typ.) toe Bwtwean Any Two (any channal VEE- 2.5V 10 11
Channels aelecltíd)
CD4051BM/CO405IBC fs a aJngle 8-channel multiptexer
Very low quiascent poww dlaaipatíon undef all
having thíe* binary control inpuls. A, B, and C, and an Inhlbil
control Input and auppty condiltona: I ^W (typ,) VDD-SV.
Input. The three binary signáis select 1 oí 8 channela to be
lurned "ON" and connect Ihe Inpul lo Ihe ouipui.
VDO-VSS-VDO-VEE-IOV 10 11
Binary «ddresa d«codJng on chlp orVDO=10V,
CD4052BM/CCM0528C Is a ditleienllal 4-channel mulliplax-
w having two binary control inputi, A and B, and an inhibii
Input. The rwo binary Input algnala select 1 or 4 pairs of
VPE^" -7.5V 5 n
channeJa lo be tuined on and connect the difterenllal ana-
orV DD -15V.
log Inpuls lo Ihe diflwential outputa.
CD4053BM/CD4053BC ia a triple 2-channel mulllplexer
having Ihree sepárale digital control inpult, A, B, and C, and "OFF" Channel Leakage
Currant. any channel O/l- A7.5V,I/0«OV 150 ±0.01 ±50 1500 nA
an Inhibí! ¡npul. Each control ¡npul aelecls one o( a pair of
"OFF"
chaméis which are connected in a aingte-pote double-ibtow
"OFF" Oíann»! L«ak»ge lnhtbll=-7.5V CD4051 ±200 ±0.08 ±200 :r20OO nA
configuratlon.
Curren!, all chann«l» VDO-7.5V.
"OFF" (Common VEE 7-5V. CD4052 ±200 :t0.04 ±200 ±2000 nA
Connectlon Diagrama Du*j-in- OUT/IN)
1/0= L7.5V C04053 L200 t002 J 200 1 2000 nA
CD40S1BM/CCM051BC CD4062BM/C04052BC CD4053DU/CD4Ú63BC
OLJism u/oíd npul* A, B,C mnd Inhlbil
'„ I I I 1 A I C
r Low Lovel Inpul Vollayu
Jli—lli In lll_|rt_ |n |li || lll II M 11 \ll n It 1 Iiy - 2 fi A on all OFF channels
15 15 1.5 V
30 3.0 3.0 V
-J 40 40 40 V
HighLavel Inpul Vollage VDD -5 35 V

7 7 7 V
VDU- 10
VDD= 15 II 11 11 V
1 ! ] 1 1 T 1
I oui/rn I 1 I*H v, V,, V.. s » i u tt V . v. Inpul Curien! 0.1
IN/OUt
VOD~ 15V. VEE^-OV 0.1 10 5 10 I'A
MIOUF Oh/ ' n * IN/OUI v,N-ov
TOf VIEW TOP V I E W f view VDO-ISV. V E E -OV 0 1 10 í> 01 1 0
V J N -15V
Ofd«r Numb«r CD4051 BU J, C04061BCJ, CD4052BMJ, Ofd«f Numb*r CO40S1BUN, CO406 tftCN. C04O026UH,
CD40S2BCJ, CD4053BMJ, or CD40Í38CJ
8*« NS P«ck»fl« J18A
CD4062SCH, CO40&3BMN, or CD4O&3BCH
1
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<? m
1 Power Dlsslpalion Capacilance
npuU, A, B,C and Inhibí!
C, 1, * t| -= 20 ns, unleas oihenvli

lectrlcal Characteri
c
Output Capacltance
Input Capacltance
(channel tiuning ofí)
Propagation Delay Time liorn

Feedthfough Capacilance
(common OUT/IN)
Inhibí! lo Slgnal Oulput
Piopagalion Delay Time liom

Feedlhfough, Chanrwl "OFF"
"ON"(SmeWavelnpul)
(Di&lorlion)
Sine Wave Respon»e
Cioaatalk
Conltol Input ío Signal
Inpul lo Signol Oulput

Propagalion Delay Signal
Channel» (frequancy al 40 dB)

Cíosslalh Belw&en Any Two
Flequency Responso. Channe
[channel lurning on)

Inhibí! lo Slgnal Outpul
(chann«l8"ON"of"OFF")
Atídmss lo Signal Oulpul
Piopdyalion Delay Tune liom
7 non
Con! rol inpul

C04051
CD4053
CD4052
Signa! Inpul (IN/OUT)

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O
INPUT STATES "ON"CHANNELB
INHIBIT c B A CD4051B CD4052B CD40S3B
0 0 0 0 0 QX.OY ex, bx, ax

0 ü 0 1 1 IX. 1Y ex, bx. ay
0 0 1 0 2 2X.2Y ex, by, ax
0 0 1 1 3 3X.3Y ex, by. ay
0 1 0 0 4 cy, bx, ax
0 1 0 1 5 cy. bx. ay
0 1 1 0 6 cy. by, ex
0 1 1 1 7 cy. by. ay
1 • • NONE NONE NONE
Oon'l Cu. COIMHUXI

$ff*#9^ 1 V • ¡
National [Recommended Operating Condltlons '

Semiconductor
DM5404 DM7404
P*rim«t»r Unlu
r* Mln Nom M»x Mln Nom M«x
i** Supply Voltage 4.5 6 5.5 4.75 5 5.25 . • V

Hlflh Laval Input 2 2 V
Vollage
DM5404/DM7404 Hex Inverting Gates
ê
Low Lavel Input 0.8 0.8 V
Voltage
a* Hlgh Lsvel Output -0.4 -0.4 _ mA

General Descrlptfon £ Current
Absoluto Máximum Ratings (Note u Low L«vel Output 10 16 mA
ittlns slx
Th!s dflvlc» conttlns slx Indep
whlch performs th« loglc
Independen!
loóle INVEflT
„_,.
.... gales
INVERT functlon.
fnn/*ttnn
each of Supply Voltage
Input Voltage TV
*
!;• Current
5.5V
Fre« Air Operating -55 125 . 0 70 *C
StorageTemperature Range T*mp«r«tufe
-65'Cto150'C ir
NoU 1; TN> "Abiolul* M»*lmum H»tlno»" »'« Ifíote v*lu«» bayond
Wtilch th* «ílet/oí tfi« (í»vlc*c*nnot b« ou*f*nt»«d, Trudevlc» íhoultí
nol b* op«(0l«<J •! lho»e llmll». Th» p«t«molrlc v«lu«i d«l(r>*d ln th«
"El*cltlc«l Ch»tacUr|ill<:>" l»bl« »f« not ou«r»n1<><KÍ «I Iho lüsolui*
m««lmumf«llnos.Th» "B*cotnm«(Kt»d Op«f»llnoCondllloni"l«ti|« wlll Eléctrica! CharacteristlCS over recommended operatlno l'ee alr temperatura (unlesa otherwlse noled)
d«|lna ih* candí I lona fot «oiu*! ck-vlc* op*f»llon. !t.
Typ
" Piram*t*r • CondIHoM Mln Max Unll.
¥ (Not« D
Input Clamp Voltage Vco-Mln,l|--12mA -1,5 V

&n
l?QH Hloh Level Output Vcc* Mln, IOH» Ma)( 2.4 3.4 V
&> : Voltage V, L -Max
Connection Diagram VoL Low Level Output VCG= Mln, IOL* Max 0.2 0.4 V
Function Table Vollage 'VIH -Mln
Input Current®Max VCc = Max, V|»5.5V 1 mA
Packao» J1
Input Vollage •
1* ' Hlgh* Level Input Vcc = Max, V,-2.4V 40 M
Y»S Currenl
k - Low Level Input V C c"Max, Vi-0.4V -1.6 mA
Inpul Output
*; Cuffant
A Y Shorl Circuit V cc -Max DM54 -20 -¿5 mA
*»!
iL H Output Current - (* °" z»
i1;' . DM74 -18 , -66
H L
Supply Current Wlth Vcc -Max 6 : 12 mA
H - Hloh Loólo L.v.1 •
OutpuU Hloh
U-Uow Loóle ^.:
ico. Supply Current Wlth Vcc - Max 18 33 mA
n Outputs Low
I-'
DM5404 (J) OM7404(N) .
SWÍtChlng CharaCterlstlCS at Vcc » 5V and TA « 2S'C tSee Sectlon 1 (of Test Waveforms and Output Load}
(. 1 CL-ISpF.
• P*r»m»t»r Condltlons 'R L -400i! Unlta
Mln Typ. Max
IfLH Ptopagatlon Delay Time 12 22 ns
tft Low to Hlgh Level Output
IPHL Propagatlon Delay Time 8 15 na
Hlgh to LoW.Level Output
ítota 1! All lypicttt »f «t Vcc . 8V, T A - »'C.
National J£M .Recommended Operating Conditlons
Semiconductor î OMMLS1M . DM74LS1M
¿' Pirtnrn Itr Unlta
^ rSpbol Mln Nom ' Max Mln Nom Max
DM54LS196/DM74LS196, DM54LS197/DM74LS197 i
4.5 6 5.5 4.75 5 5.25 V
Presettable Decade and Binary Counters - Vcc Supply Volíaga
'« HIgh Level Input 2 2 V
Seneraí Descriptíon : V)H
Voltage
Ttiese hlgh-epesd counlers conalfit oí lour d-c coupled, and Qrj oulputi. In Ihli mode, Ihe two counlers oper- V
Low Level Inpul 0.7 0.8
jnaster-alflve IIIp-llops whlch are Inlernally Inlercon- aU Independently; however, all íouf Illp-llopa are -'V
.1- *• Vollafle
pecled lo próvida elther a dlv|de-by-lwo and a dlvlde-by- loaded and cleared almullaneoualy.
i í1-
ive counter (196) or a dlv[de-by-two and a dlvlde-by-elghl LS107 -0.4 -0.4 mA
ION HIgh Level Outpul
:ounler(l97}.Thesecountflraareíu|[yprogrammable;lhat The oulput ot íllp-llop A la nol Inlernally connecled lo Ihe Curren!
s, the oulpuls may be preset lo any slate by placlng a low aucceeding (llp-llops; therelore the counter may be operat- 8 mA
Low Level Oulput 4
fin the counl/load Input and enterlng the des!red data al ed In two Independan! mode«: ;|OL
ho dala Inpula. The outpula wlll change Independen! o) Curren!
he álate ot the clocka. . 1. Wh«n uaed as • high-*p««d 4-bil flpplo-lhroüoh *i 30 0 30 MHí
¡ <CLH Clock Frequency 0
purlno Ih* counl opvration, tranafer oí Information to the counter. output QA muet be exlernally connected lo
the clock-2 inpul. The Input count pulsea are applled (Note 2)
pulpute occura on th* n*gatlve-golng *dg« o( th* clock
to th* clock-1 Inpul. Slmultaneoua ríivlslona by 2. 4, 8., Clock Frequency 0 20 0 20 MHl o
pulae. Th*«* counUr» leature a dlrect cl*ar whlch. when
1í
and 16 are perforrn*d at the O^, Qg, QC, and GQ out- (Note 3) S
•k*rt low, •*!• all outputa low r«gardt*aa oí th* átale ot th» ->j
blocka. puta •• ahown In the truth table. í na .u
Pulse Wldth Clock 1 20 L 20 r—
2. When ueed aa a 3-blt rlpple-through counler, Ihe tnput $ í'> C/>
a* couniera may alao be ua*d «a 4-bit ]a|ch*a by ualno •\ 30 30 _i
count pulsea are applied to Ihe clock-2 Input. Slmulta- í Clock 2
ha count/load Input •• the strobe and enteríno dala «I the (O
dala inpula. The outputa will dlrectly (ollow lh« dala Inpula neoua Irequency dlvlaiona by 2. 4, and 8 are available Clear 15 15 ^
*hen Ihe counl/load la low, bul wlll remaln unchanged at Ihe Qg, QQ, and Qfj outputa. IndepBndenl use oí
i Load 20 20
*hfln the counl/load la hlgh and Ihe clock Inputa are fllp-llop A IB nvallable U the load and clesr (unctions
nactive. coincide wilh Ihose oí Ihe 3-blt ripple-through J , IEU Setup Time Data Hlflh 81 81 ns
counler. (Note 1)
rYPICAL COUNT CONF1QURATIONS LSlWi m Data Low 121 121
,•3 1•
Hi« outpul oí Illp-llop A la nol InternaJIy cotin«o1*d to th* Features « ns
Hold Time Data HIgh' Ot ' \ol
succeedlng tllp-llopa; theretore, Ihe couot m»y b* operaled • Pertorma BCO, bl-qulnary. or binary countlng í" (Note 1)
1 Data Low 61 61
¡n thrae Indapendent mod««: • Fully progremrnable
1. When uaed aa a BCO d«cad« counter. |he clock-2 In- 30 30 na
• Fully Independen! clear Inpul IEN Count Enable Time
pul must be axtsfnally connected lo th* OA outpul. • Output QA mftlntalna lull lan-out capabllity In addltion to (Note 4)
The clock-1 inpul rec«iv*a the Incomlno count, and « drlvlng clock-2 Input - 125 0 70 •c
TA Free Air Operating -55
count aequence ia obtalned In accordance wlth Ihe • Typlcal count Irequency
BCD counl aequence Iruth tabl*. Temperatura
Clock 1 40 MHz
2. \í t Bymmetrlcal div!dí-by-t*n count ia d*a!red lor fre- Clock 2 20MH2
3Ji •' >M» 1: Trx tjmbol (I) Indlout lf>* ildng «tío* oí lt>« clock pul» I* u**d fo» r»l«f*f>c*.
qunncy aynth«ali:«ra (or othar appllcatlona requlrlng • Typlcal power dlaalpallon 60 mW >M»I: C L - ispF «mi RL-IKII.
__ división oí a binary count by a power oí ten), the Qrj
Ho*»l: C L -Mpf .nd R L -3Kfl.
oulput muot b* *xt«rnally connecled to the clock-1 ¡n- Absoluto Máximum Ratings (Note i) • fto«*4: Counl »n»bU HrrwU !!>• lnl*iv»| )mfn«di«Uly pi*c»d!ng lr>* n*gitl«*-QO>no *do* oí Ih* clock pul» ouilno whleíild- COÜNt/LOAD «ndCLEAHId-
pul. The Input count I» Ihen appll*d at th« clock-2 In- <-j
SuppIyVoltage 7V ; pulí jnü»t boin b* htgh to •n*ui> counllno-
pul and a dMda-by-ten aquare wave |a obtalned at
outpul OA In accordance with Ihe bl-qulnory trulh InputVoltage • 5.5V
tablo. Storage Temperaturo Ranga ' — 65"C lo 150*C
íí
3. For opefatlon aa a dlvld«-by-lwo counlor and a divide- Mol* i: Trio "Absoluta Mínimum R«llnQs" x« |hose vtlins Myood
bylivo countor. no axlarnel Intarconrtectlona are re- wfilcn til» ní»ly oí |h* d*vlc« onnOl tM BUKnnlMt), Th* d*v!c* ihoutd ,|
riol bfl opaicled *( Ih««« llmlli. 7n« p»i«milrlc v»li»s dellnad In lh» ¡i
quirod. Fl!p-flop A i» uaed aa a binary element lor lh« "Eleclrlcil C(i»ftcl9t]allcs" Ubi» •» not ou*i*nl*»d •! 1h« «baolul*
dlvlde-by-lwo lunctlon. Th» clock-2 Input la uaed to mtitmum («lino».Trie "R«CD(nrnflndn<]OpB(»|lno Condllloni"Uble wilt i"
obtain binary dlvide-by-llve operalion at the Qg, QC. ()etln« Ih» corultllonl lof «ciu»! d»Tlc» oponllon.
1
-
Connection Diagram (Duai-in- ClOC
1é
vcc ci A« 00 OB t
£
ia 1Í It to 9 S '
1"
J<í 1
I11
'
{
54LS1M (J) 74L.S1W(N}
S4LS197JJ) 74LS197(N) >—'
Ksla; Lo* Inpul |o e!..11 **U OA, Q¿. Cc *nd ÓQ low, iJ ! [

3 ] 4
- v^-vr • ^ • ¡j^-Tiwr- - i «pp^ .-VMJM; .-v . < . ... ^ , ^y*?*^^^
&£ • • * • , • • * • '• '^•-1«*:3*«¡WaW3W31S^^ •• r-flus**" <£..•,. ••• •M'^rx?,,'^^
*™ ' •'* -?*í
:: ' • ' •-. "". • -^' .•' •""; '''•'?''•'• •••/'• i . •• '•••- "•••---v-t^^râ
, . ' C
; . '\6 Eléctrica! Characterlstlcs 3
IS196 Switching Characterlstlcs . . . ^
over recommended operatlng frea .Ir lemperalure (unless otherwlse notad)
il Vcc - 5V and TA - 25"C (See Sectlon 1 lor Test Waveforms and Outpul Load) r
_j
Symbol Param*l»r Typ From RL-2 vn
Condltlon» Mln <f
Max Unlti (Input)
(Nota 1} CL-50pF Unlta 2
Param«t»r C u -15 pF
vl Inpul Clamp Vollage To
V C c = Mln, l|= -18 mA
(Output) Mln Typ Max Mln lyp
VOH Hlgh L»v»l Outpul VCc * Mln DM54 2.5 3.4 V '
Voltaga Clock 1 30 40 20 30 MHi ¡5
|OH = MS*< IMAX Máximum
DM74 2.7 3.4 0
VIL « Max Clock Frequency to
• V,H = Mln QA ü
VOL Low Lavel Output Clock 1 8 15 11 20 na
VGC = ^'n DM54 IPLH Pfopagatlon Delay
0.25 0.4 V C
Voltage Time Low to Hlgh lo
DM74 0.35 0.5 -
V)L=Max Level Output QA J
VIH = Mln 13 20 20 30 ns r
tpni. Propagatlon Delay Clock 1
(Note 4) to C
Time Hlgh to Low
Level Oulput (j
loL"1* mA DM74 0.25
QA
0.4 •—
Vcc-Mln Clock 2 10 24 19 29 ne J
' IPLH Pfopagatlon Delay
Input CurfonlírMax Vcc =• Max Time Low to Hlgh to
'l Clock 1 0.2
Input Vollage mA
V, = 5.5V Level Output QB j
0.4 28 42 na l
• IPHL Propagatlon Delay Clock 2 22 33
Clear 1
0.2 Time Hlg'n to Low to (
Qthers 0.1 Level Output QB
llH Hlgh Level Inpul VCc=Max 45 68 n»
Clock 1 40 . IPLH Pfopagatlon Delay Clock 2 22 57
Curront Vj - 2.7V
.. M ;
Clock 2 1 Tima Low to Hlgh to
80
;' Lavel Output Qc
40 48 72 na
tpHL, Pfopagatlon Delay Clock 2 22 62
Othera 20 to
'lL Low Level Input Vcc = Max Clock 1 -2.4 mA Level Output Qc
Cuffonl V, = 0.4V
Clock 2 Clock 2 12 18 15 23 ns
-2.8 IPLH Propagatlon Delay
Clear Time Low to Hlah to
-0.8
Level Output QD
Others
Clock 2 12 45 36 54 ns
'os Short Circuit IPHL Pfopaoatlon Delay
Vcc = Max DM54 -20 -100 mA ; Time Hlgh lo Low to
Output Current (Note 2)
DM74 -20 -100 Level Oulpul QD
, ,_ . na
'u; ouppiy uunenl V c c = Max (Note 3) 16 Data 11 30 23 35
27 mJk IPLH Propagallon Delay
Time Low to Hlgh to
Mol» 1: All lypiciU *i* it Vcc - sv, T A - jyc.
" Level Output Any Q
*H. 2: No, mor. th.a on. ou,püt .hould b. .hort* .. . tlm.. .nd Ih. d.u.lon «hould nol «e** on, ,-cood
Nol* 3: |CC |» m»»»w«j wllh «II Inpul, ground.d «nd *l| oulpuli op.n Dala 29 44 35 53 na
lpHL Propagatlon Delay
Time High lo Low lo
!±!¡ «JüST "' ""•" "IOL" ""Plü' (f" "mlt V'IU- "' '«- '« "» CLOCK ' '"P««. TW. pwnll. d,,vlr.0 U,. CUOCK 2 ! pul whll«m«lnl«!nlnclu« .
•;. Level Outpul Any Q
l IPLH Propagatlon Delay Load 27 41 30 45 ns
Time Low lo Hlflh to
Level Output Any O
Load 30 45 36 54 na
tpHL Propagallon Delay
' , Time Hlgh to Low to
í Lovel Output Any Q
' 40 60 na
:, tpHL Propagatlon D*lay Clesr 20 61
Time Hlgh to LoW to
Level Output Any Q ¿
'
'
gp.^ -*V ' * - ••••»V*-; '^"*- .í-'M^.v^-M^^.^j^^ . .._ , . fc ... ^
tf ^ ' ^1: - ' • {«
.^ _ — ^
; Recommended Operating Condltlons —iIS197 Electrical Characteristics '
i 1 «ver recommended operallng Iree alr temperatura (unleaa otherwlse noted) l
UM/ÍLS1M
1 Tj|
; Symbol P»rtmtt«f ' Unlti|
Mln Nom M.. Typ Max Unlta (
i . Mln Nom Mi» , Condltloni Mln
Symbol Pirim*ter (Noto 1)
• Vcc Supply Voltage _
4.5 5 5.5 4.75 5 5 25 -1.5
Hlgh Lev«l loput - • . .'--.2.- . Vi Input Clamp Voltage Veo- Mln, l t - - 8mA
*..>.;-•. ; Volt«g*: .-....'.-==;-->•.<;;••• - * - - ; r-. - ,-v---.rv-' '•-, 2" 3Í4
i . * •. . v • ' Vcc-Mln. DMM. 2.5
. -vá Hlgh Level Output ". -
;VOH' .".." 1
i VIL Low Level Input Votlage ' • -!OH = MaX • • - . DM74 2.7. , 3.4 . ;•
0.7 0.8
Voltage V| L =Max
i —• VIH = Mln
t 'OH -0.4 V
-0.4 mA * DM54 0.25 0.4
Currenl Low Level Output V cc = M^n
VOL
Voltage lou=Ma1( DM74 0.35
' IOL Low Level Output 4 v ^
i e mA -j V IL =Max
Curren!
V,H = Mln
f CLK Clock Frequency 0 (Nole 4}
30 0 30 MHí;
(Noto 2) 0.25 0.4
IOL - *• m/il DM74
v-,cvíií Fr-Miuc;*,-.? l 48
•3 SO 0 V¿*Mln .
2C Mhl| '
{Note 3) r,? mA
, I Inpul CurrentiS-Max VCc-Max
' »W Pulse Wldlh Clock 1 20 V, = 7V 0.2
20 ! '' Inpul Voltage Clock 2
Clock 2 30 30
ns .; Clear 0.2
Clear 15 15 •<2¡ Others 0.1
20 Clock 1
Hlgh Level Inpul V C c=Max
'su Selup Time Dala Hlgh . 'IH
ai SI Current V, = 2.7V Clock 2 40
(Note 1) ni -1
í
Dala Low 121 121 Clear 40
IH Hold Time Data Hloh oí oí 20
ni , Olhers
(Note 1)
6i 6| Clock 1
Low Level Input • VCc = Max
_«, ;l,L
1EN Counl En»bl«" Im« . . 30 V, = 0.4V -1.3
30 n»v- Current Clock 2 •
(Note 4)
. i -i -0.8
TA Free Air Op«ritlng -65 -_ '
125 0 70 •C ,: -0.4
Temperalure Others
Short Circuit Vcc = Max DM54 -20

N<M« 1! IJn lymbol (i) Indlc.U* lh* f •loo «do. oí lh« clock pul** lt u»*d lor itUinnc*. !os
• Output Current ' {Note 2) DM74 -20 -100
No(. I: C L - i5pF»t»d R L - 2 Mi.
No*. 3: C L -MpF.ndflt.,3hU. 16 27 mA
. Supply Current V c c -Max (Note 3)
Nol. 4: Count .nibU Km. li ir* ¡nl.rv •1 lmm*dlÉ|.|y p(M»ding lh« n.g.tlv.-colng »tío» oí Ih. clock pul., durlno Ice
pul» muii bolti b. hlgh lo «fnur» cour lino. *Mch Ih* COUNT/UOAD «nd CLEAH If». :
. fc . M» 1: A1I Iyplc«U •(• »l VCG • 3V, TA - 26<c- '
k Hat. 2: Not mo.. Ih.n OM oulput .hould b. •horlMl .1 • llm», .nd th. dur.tlon .hould r>ot .«..d oo. .«o-d.
Moto i: Irr 1» m»««ui^l wllh «II lopuli gioond»d tnú «II oulput» op.o.
¡Í4:0AoU,pu,.«0«Wri.oL-M«plU.th.BmU«.U.o1.lLl«x.h.CLOCK
- twvout c«p«blllly.
1
'•f V
• ''í
*
•1*
:
" • 1
*fy*H*^^(Sij(#tj&*i»ri
O
2
<f> 'LS197 Switching Characteristics CJl
Functlon Tablea ^
al V c c - 5 V a n d T x - 2 5 ' C (Sen Seclion I for Test Wa ve fonos and Oulput Load) r~
cn
LS106 <£>
LS1M LS197 en
0«c»d« (BCDJ
(S«. NoU B) (S*« Not* A) O
(S*« NoU A)
S
V)
/MAX Máximum Outpul Output
Outpul Count
Clock Frequency Count Count co
QD QC QB" OA OA OD QC QB QD QC QB QA
L 0 L L L L co
0 L L L L 0 L L L _o>
IPLH Ptopagitlon Delay L H t L L L H
1 L L L H 1 L L
Time Low lo Hlflh H L 2 L L H L o
2 L L H L 2 L L
Level Oulpu! L H H 3 L L H H 3
3 L L H H 3 L
L L 4 L H L L
'PHL Pfopaoatlon Delay 4 L H L L 4 L H 8
H L L L 6 L H L H t—
Time Hlgh to Low 6 L H L H 5
e L H H L CO
6 L H H L 8 H L L H
Lavel Oulput L H H H to
7 H L H L 7
7 L H H H ->J
L H H e H L L L
'PLH P.'opaoatlon Delay 8 H L L L 8 H
Time Low to Hlgh L . L 9 H L L H o
9 H L L H 9 H H
Level Oulput 10 H L H L
11 . H L . H H
'PUL Propagatlon Delay 12 H H L L
Time Hlflh lo Low C/)
13 H H L H
NoU A; Oulp-l Q A conn.cl.d l
Level Ouipul Nal. B: Ouipul QQ conn*Cl*d lo clock-I Inpul U H H H L
15 H H H H
ÍPLH Propagaron Delay
Time Low lo
Levol Oulpul
Logic Diagrams
1PHL Propaoallon Delsy
Time Hloh lo Low
Level Oulpul
Propagallon Delay
Time Low to Hlgh
Lave! Output 113)
CtEAR-
'PHL Propagntlon Delay
Time Hioh to Low
Level Outpul
'PLH Propuoatlon Delay
Time Low to Hlgh <°L
Level Output
'PHL Propagallon Delay
Time Hlgh to Low
Level Output DATAC!
I PLH Propagatlon
Time Low to Hlgh
Level Outpul
'PHL Pfopagatlon Delay

Time Hlgh to Low
Level Oulpul
'PUL Propagaron Delay

Time Hloh lo Low
Levol Output
Flgun 1S-Í Ci.iacla-islícjj de atenuación pan fütros Butterworth (De A.I. Zveiev, HorvQiaok oj Filtrr , Nuevi Yorlr. \\'ilcv.
lí-uT).
h- .= -- w
25 =,£•£•
r: — 2 m
'— ? ~ '• fc —• •—' "í/- — ^" •• " H

¿; E, -i k f"1 — — ¿ ^ i :I —
¿ 3
— ~•—1 —— ~¿ í
z, s.~ ~"2 l^t?-
¡jr^c-
rt=G- iTKi. 5"T T'fí"íJKÍ;5s S ii .rt ••*• * '.-
0¡-.-no di. '¡lüii LC meüiar.U 19-15
O 1 Z
Figura 19-13 Compunción de tljxn de lili res.
Radianes
. FIguri 19-14 llwjnmU tic fillni pm« lia)* tic (unciría cll|>llr» rMiiinilizuti.
CAMBIOS DE ESCALAS DE FRECUENCIAS E IMPEDANCIAS

Un fillro pin-de tener i» respuesta en frecuencia di^pla/.ada a una nueva âma de fr cenen rías, si
lodo* los valores de elementtís rcactivm (iuduclanein- v i apantánelas) sedividrn ¡Mirun factor de
cambio de <^cnlu tic frmiencla (F.SF). Kl F.SF es hû;6n de una frmjenc¡a_{|ada_dejj'ft;ri'iicji^
ije la repuesta tjug^rt:q ti ¡m-j-n laj-scala. a IH Ircnieiida del (iltrn «•listrnle con 1» ilenuadón
ct] ni valen te.
tî ... - frK-ueo.-ía de referencia dr n-íPiíwia en t-x-ali! - ¿V[>>_f*
i cJilx ' íttc-ucnda (!i- rcTí'renciii du- rt?.pumla cvistente [ OL pt\a frrnieuria dt-ielriencjü rila,
alta, o en l.-TiíTetMienrii'rrejirriilTlc |»jT¡ltr(n puía banila o de rt-cliu/i) de banda. Tanto el numiTa-

uorc.'Oino el ilenoininadnr del F.S'Fsc tienen que expresar en nníiladis ídrntieas, ya sea berlzo ra-
dianes, en donde el número de radianes « ¡cual a"2*F.
Ciiamlo se despla?a un filtio a una gama (tifrmile. v punirá obtener la nueva respnesU mc-
(lianlt: la mitlliplicación de linios h« núnit-nií en el ejrde U frecuencia original \xir rl FSF. En la
figura 19-l.'ÍMimuL-.lra el rfcolo Mibn> la respuwta en freruruu'a del cambio de escala defrccuen-
ciaîlii un filtro pasa baj.i normalizado, en un fnclonle 10. Al dividir todas las reactancia-; JKK un
*•= F.S'Fdc 10, la rtsputsU en frec'ticnciasudeí|)laza más arriba en fatruénela, de conformidad con el
mismo factor.
Su|wint;ase (¡IIOAL' m¡uiert; un íillro p;ua [)a¡a que lenga un punto 3 (IB en 1000 llzy aprotima-
danientc 12 d» de atenuación a HÍM) \\7.. \',\o pwa liaja normnlizadu tli; la íipira 19-lSjllii'
faV*L5it(: lt:ílll"£Íl.íi.r!iUildo.5;l_n_tniiq 3 tlB w cambia en tóenla de frecuencia de 1 nd u 10.X) Hz.
rindió i|uu el FSF lltne que ít-r una razón de um'dadea idenílcai, IÜOÓ llz se d^ben ronvrrtir r
r«du:;« mcxtluntp el cÁlctilo que líyuc:
(IO-J2)-
-18-3C Dls»rto d« Illlroe acllvo» 19-31
DISEÑO DE FILTROS PASA BAJA

19.8 DISEÑO DE PILTROS ACTIVOS
Al disertar un filtro pasa baja udivo, es jmviso normalizar primera mente los n,-(]u¡5Ílos. A ctmti-
f JA filtren ¡ii'lhoi i¡- ciHiiponr-n di.- rii'Hiitoí ijin: tonüdien :nnplifn.'udi>n-s OplTHcioiuifw, nuadórt »: wcriKí! HIIU fundón du nspiir-sta apropiada a partir de lasi-cdón 19.5. Las tablas IU-7
res y r-apacitnn-v. Putr.tn [jiirdimiiun rumiilelamcnle lus imluclnrcs. [x-rmiten reducciones di; ía- a 10-11 ttmiiüntiii \-aIons du filtros pasa baja activos normalÍ7.ado.s, ciirrcsixititliünlts u cada fundón
miiiViy iihorri) detx.sltrt, «ilirctwltí ni luí fut-ucncías Itti/av, en din¡de los Inductores pueden lk%ar de respuesta.
a sur rvlrtiinudmiirnle KMiidis y emití'.»*. De modo similar al utilizado para los filtros LCt el filtro pasa baja normalizado se ajusta en la
CAMBIO DE ESCALAS DE FRECUENCIAS E IMPEDANCIAS escala rJe frecuencias e imjjedancias a la frecuencia de corte que se requiere, y a un nivel convenien-
te de impcdancia.
La reputóla en frecuencia de un íillru activo se puede cambiar u una gama de frecuencias dífe-' Los filtros pasa baja activos, como siis equivalentes L.C, se dividen en dos categorías: ornnipída-
rente, dividitindo los valores del resistor o el capacitor por t-l h'SF. Como ie definió en la sección res y da función elíptica. La familia de filtros on'nipolares incluye los Butterworth, ClkJjyíí^Vy
10.3, tJ FSF us lit razón de una frrcuenda dada de referencia a la respuesta cu escala qu<j se requie- de reía i tío plano niáAÍnio,
re a U freciieiiciu correspondí unte ilft filtro existcnlt1;
TABLA 19-7 Valora! d* Illlfo» BulUrworlh Ktívot rx>rm»Ili»óa«
^ , _ ^ (13.12) p*s« ba)«
; respuesta existeiitfl
Orden N C, C, C,
En la figura !9-29n se muestra un filtro activo pasa baja normalizado y lu respuesta asociada.
2 l.-IH 0.707 i
Cuando se ujmt:i i-n escala el punto 3 di) de I rad a IO leíIz, se obtiene como resultado un FSFdtí
62 800 en el circuito de la figura lí)-2£)í>. 3 3.5.15 I.3Ü2 0.2024
Aunque el circuito de la figura l!)-2f)¿ tiene la respuesta que-se dejen, los Valoría no son prácticos.
Sí los resistores su multiplican por un factor Z y los capacitores se dividan por estl mismo factor, d , I.0fi2 0.931 1
circuitos*: podra ajustaren la escidn de impedancíassln modificarla respuesta en fiecuencía. Me- .. 2.tÍI3 0.3825
díante el uso de un valor de Z de 10 000, se obtiene el circuito final de la figura !9-29c. « 1.753 1.351 0.'12I4
El cumblo de escalas d« frecuencias e impetlancias se puede: combinar para obtener las fórmu- 3 3.233 0.30ÍXI
Lai que dgucn;
'' ' - 1.035 0-üfifiO
(19-26) 6 1,11-1 0.7071
Z x FS'F 3.863 0.2.5SS
normaJlzadaX Z . •. (19-27)
l.33fi 0.-ÍBS5
7 l.liO-t O.R235
4. «3 0.2225
1 020 í
8 1.202 0.'«313
Entrada 1A l.WK) f
05557
5,125 O.|!),>0
1 2
I.-IÍS 1-327 0.5170
fl ' 1.3(15 0.7fifil ' "
RadlsilM 2.ÍXKJ 0.5000
(ü) 5.758 0.1736
1.012
1.122 fl.tíf«OH /
10 un 0.7071 i
2.202 0,1510 l
Entrada IA I lA 6..100 0.1563 1
Filtroe omnlpolafes
Los fil'roi pasa baja nornialímdos omnipolures consisten en combinaciones de swccionei bl y tri-
polar«. como las que aparecen en la figura 19-30. Si el orden n del filtro es un número par, se uti-
lOhHi ZOkHi
llzaran n/2 ieccíond- bipolara. Si n « impar, te necesitaran (n-3}/2 .lecciones bipolares y una *>la
i tripolar.
0,OOZ24 |~~
jiF-1-
- ^ _ v w
Enlrad* 1 /> 1A En t r t ó a a " T 7 l i í
te)
(Qi (bl
Flguí» Ifr-W a) Filtro púa ba)« normalU-do; fc) (¡Jiro «Jugado a ocal* de 10 UIi; c) flHro final.
FIflur» lfl-30 o) S&xlñn bipolar badea; b) «ocx-Wn tripolu biiicm.
Dli»rto do fllfro* activo*
TABLA 1fi-a V«l<xo d* ÍUlro» Cn«bytri*r «clivoi rw;rn*Jirado6
pjs* b*jn, d« 0.1 dB dv riío TABLA 19-B Valor.! d* flltroi Cn«by,h*v «llvo. nom,.llj«ío.
PttsjmJ». d. 0.5 dfl da ido
Ordtrn JV C, r:, c, ' ' 'M'*'Jl'
Onk-n .V r;, c,
2 • IAT« o,p«5 •:;••*•• í
2 LUSO ofvsn
3 ÍI.fo3 U25 O.I3J5
3 im 2.25tt O.OSÍ5
i «¡u Í.2U ' ' •'
4 4JS& 0.2-110 ' 4 Z.5H2 1.300
fi-?-"W 0.1802
4Aifí 2.520 i 0.3Ü04 ¡ ,:-n;HÍ*rdi
3 G.fí-12
G.HIÜ O.lSíW 0.3053
9.-IC2 0.1 14^
I.77ÍÍ ' . . .
(Mi) 17 O.-'íIK I.B2I
0.1110 /
8 -IÍÍ07
I.1.-MI
• - s
7
a. 173
¡í.n-»o
3-T22
¿Ui'Ül
. 0.5C3.1
'
,
' ' 7.07.1 0.4700
Ü.IW1W 7 G-t-Ití 0.2-129
lfl.07 Ü.05778
.1570 2/12.1 ' ^ 1 v. ; .'i - ,-í
• 8 ». 3.B57 O.fJCÍO - • -. -, :.. 2^1 7
8 ' 5502 O.K3ÍJ3
. ' ¡í.773 OiííW
' ' HUÍ A 237 I). 171-1
2,1,15
6.1 IH -í.lfil 0.7-ifO
fl 4.fi7« S.fifíO . • 0.62£0
9 ' 6.IW7 0.» 19 '
" 7.170
Zttfa O.OI'ííiÜ 10.M 0.1279
29.S1 O.aT-175
4,011 2.H77
4.417 ÜJfTSfi 57W) 3.175
10 S.rtX'l 0-T353 U6773
10 8.04S 0.2-ÍOfi
«.727 0.1-1 1¡>
O.Ü-HJ37 12..53
Cada íect'ión individual tíent: una ganancia unitaria en enfríenle conllnUH y puede poseer una
respucslu dr pito af,udt» en la banda de PILW. I.a respuesta coii'puesta d-: lodai' ] tu secciones da U
función de. íesjmesta quu JA rtt|uiere. El unipIíficudorofK-Taciüiml I lene una impctlaiicÍH de salida í 18-27)
CAÍÍ nula, por Id qu<: las secciones se pueden pouw directaniente en cascuda.
problema 19.12 Se n-quiere un filtro JHUM ti»j» ucllvo con un i.wtede3 dBde 10Ü lliy un recfiaiomt-
nimodcSSdB u 30Í) Hz,
l*oríx Se líe'»; seguir el iitoctilimícnlo (¡tmk'du «ainlinimcián jwn» d dj'vrfio de filtren p*M* b*Jn «ttlvo»:
1. Norin*lfcr^ el requisito pin u baja mediante el cilculo de A, (jiH|{iiiai 10-5 • 19-9).
2. Ex^jx5V una función ulisfadiiriu de rcipi'fil» y un ílllio cor respondiente (pigínü 19-0 ^ 19-11).
3. ^¡ñMi-sern l«s rs*.'»laí (ie f(ccueotU tí linjxfl».n<;ftu el dJwftO tMfm*liti.i\-J ~l rurtcqucm tlt»e« )• •
UH nivel ite inipcdancÍM L-omcnieiile. ' ;
•oluclin
el f«ttnr de oscürpíiníeiild ^T:
(19-3)
¿) E«.ii]'iáse iiim función de rmpuwin y norm Jíci»j d dlit'Ao. Stíg>'in luí curvu.-. MU muí.
19 2.2, un filtro Clwbyjhev «Li n - 5. Ü.5dB litutun rwhîo liciniídcSSdll a 3 md. El djycñu itonn*-
liíudu de U lutilit 19-9 tpitoceeii la fiyur» ]P-31a,
Salid*
c) Ajiiitfi»: en U «c«U d« freciiuitciu e lm|jtdflnciiis el filtro rormulji»¿>:
¡ RJF-2»l(X>-6SS - (10-13)
íb)
TABLA 1B-10 Valor»! d» (Illfo* «clNoi norrn*)Iz*doá paaa baja
ú« f»Uido plmo máximo
c, .
2 ' 0 !XHXi • O.ÍÍHX)
' 3 1,12.3 • O.íMiKO • O.C538
. 4 (U:WI ' 0(Í7lfi
1 1.012 • 0 3SXXI
'. , • 1.010 Oh7l2 • 0.30(15
3 . - 1:011 •03100
O.P352 O.fiHXI
6 • 0.7225 0.-1.S35
1.073 OJiSül
0.8532 0.77!)íí 0.3027
7 0 7250 0.-II5I
I.HXi 0.2 líH
0 5073 0..15IO
. s 06GÜO IMHíil
0.7257 • 0.35UO
I.llfi (I.1H57
0.75(5-1 1)7070 • 0.2R51
fl 0.«Hh Ü.-I352
0.7307 0.3157
1.137 O.Ifi2«
05172 05ÍW2
0.-Í-II2 O..|'i8!í
10 OfiOOO 0 3W»
0.732(5 027U2
1.151 O.I-I.J7
Filtros da función alípllct

Los filtros pasu baja activos de función elíptica consisten en lu sección básica que. «parece en la fi-
gura 1ÍJ-32. El número total de secciones que se requieren para un filtro completo es (ri — l)/2, en
donde n es el orden del filtro. Sólo los filtros activos de orden impar aparecen en la tabla 19-11
puesto que utilizan cada amplificador operaciontil en la forma. más eficiente. Oboervuie que Rt y
C, « ae
«parecen tolo oí la sección desnuda.
Salida
Entrada
Flgur» 19-32 Sección <k [illro pw* lufa non.ullm.Io de i«*cjon dipUca.
probUma 18.13 Se rei )U Ieie un filtro púa b a (j -divo que len((« un rlu. múlnio de 0.5 dtí h-.U 1000
Hz y un rechazo nilnimo tic 35 dB par etwim* de 3000 Hi. ,;
- í'"*
Dli«Ao da Illlfo» activa* 19-37

laoria Luí, filtnif jim* baj» actlvm <K- fiiiiclt'in dlplirJ m diV-rtuíun lix'ini-ndu un pn>míimiento similar
i" «I rm]<lr:itli> para luí [ipo« (nnni¡hilmn. DISFÑO DE FILTROS PASA ALTA
1. N'i.riiiulicíW fl (ii|iiiM'(o jiava bufe nn-dianti: fl cilnilii de A, fpíînoi 19-.5 u 10-íl).
2. KVCIÍJUM; un filtro lalKfattorin de la tulitj 19-11 (¡IIL' It-'iij,'- un H*. menor que el rííO do banilü de L(Ü filtros p¡isa ;ilt;i activos M; disuñan tiircctatnciitti a purlirdcl circuito pasa baj.i ndnnuÜíudt),
[)a.«Mjue M.ve!|u¡ere, un valor de ^j, licuor (¡lie el fuclor calculado líe ocurpumiento A.y u ti tu, IJUCK>- düiiiodn uiiiilar a CÜHIO « liacc para los filtros pasa altaLC. Después dti transformar el filtro pasa-
biqinie \» atcnmclóiL tu diluí» r«]iierlí)ji dn líJiuln do snpruiiiin.
3. escalas írwuencljj cías
baja ynodo i al iza do en un filtro pasa ni U normalizado, x ajusta ti circuito en lus e¿cula¿ de frccuen-
ni ¡nipedancías.
3. Ajihteuí
AliUií-i--"
en !•"
l« —-- 1 ••• de
•'- '- -- ' c Imimian "md díxno nonitJlinlo al corteciu* M daca y •
un nlvtl de Iriiprdunci* «JKVtnJente.
•olucl¿n prcDlaiita 19,14 rti¡ukr>:iin filtro paü bu ja <¡ue lenû intiuii de 3 df) de a I en luición u 1000 IIz, y
mis dt -15 dll a 3TrOSeIU.
o) Calculad el ftóor de escurpiÉ ni lento A,:
3ÍXXlIlz
^, 1. NiKinaliVüv;
(pipinas l!);5 » priiiiL'iainenli:
l!)-9j. el r o paja a l l u cuk'ulaiido el fafüir dee cseariiamieiit»
cseariiami PUH «llu
1000 IU (10-3)
un filtro de U UbU I9-] 1: 2, A «inUiiiiacíi'm, txVij'üu; uní fliacíiin MthfucluHs do r ir, ¡11^1" do las pü^fniu l!)-ü * 19-11 y ti filtro
pmu t)iiJH tttlívH apropiado do luí t a lilas 19-7 u 19-1 1.
i i ; : '¿ 3, ÍH-x'iídameiilc. Iritiisfónniív: el clrt-uflo pu* buja nurnmlfzado en un fillni ¡t«.J Hito nonnuliâdo.
> • [ t \; •?! con ie reillm
EstoUn resistor rmii[)Uzaml<i
de \IC. ufims. cuda rwnlor K «in un cfl|nicltur de ]//( K. Cudit cnp«cllor C »; reemplam
4, Flnul mente, m ajusta en Jai ewala* de frccttcncíui y de l»i|k'dnncii»í rí líllro p»w alia norm»líiado
* la ífeCUídcik de cuite i|iie w: dew;a y el nintl de linpeduitCÍM.s piini'ciiicntc,
El diieAo normt*lliado «jiarcc"! en la ílgum 19-33¿;.
c) Aji'uloM: el filtro norm«litado en Its esculiu de1 (rccuencim e Impedanciaj.
CalcúlcM: PSF - 2n KKX) - 628Ü .'

(19-13) Salida
S<riZ - IOOUO.
Entiutcoi,
(19-26)
íí - /iriiirnmliiwdu x /
(18-27)
EJ filtro multante aparece ni IM Hiûru 19-3JÍ>.
Salida
Entrada [ ^ 0.1365 F Salid»
0.2730?^^^ | ^qK,«A I
, n í 0.7861 ~L < 9.638 A _ J_
1.282F
T
Salida
IJ
'- -I ™.n, „.,- ,.,. non,,.,,.doi 4) „„,„ ,„.H.m^ ^^ ^
Entrada
pp I 2173 p
w.«mí aoiMi 6'
d f.ctn
-
JOOQ
350
; una (unción de napti
im; una unción de naptiola y un (¡Uro p«» baja lunmulUad». Coino lo litdlean luí curvu
Kirin*lliad>ii de Im |JÍK¡II*J 10-9 u IU-1 1. un filtro Hullerwoitli de n - 3 proporción, inia d< 4l) dn a
.&í) rul. En I* Heura lü-.'Ha up«rn.ii d filir» f><un lujt iKirinaliZitilu de li t«l>U 10-7.
• . . TrW>l*w>f,
•10.34 Filtros
r) TransfiJum:»: rl fülio juvj ñ-ja ncciuluati i m; i,n filtro paj* alia iiíi.-ntür^flo, mciuiJuJur.du i Diserto d f l l i l l t o t E c i i v o s 19.39
rrinlnr /i con un «¡i-i-ilm di- 1-/1 f u u i K , j-cudj cupudtor C'coii un r«í;t.-.* Jt 1/CoJiini. C) (ÍI..M ¡
'•du nciimaliíudo m u l t u n t t tijiuav.-!. t-n U figura |[)-3í.'/,
d\c i-l líllio Dornikfi/i.dú on lis «renla 1 i!t: ric,-ih.'nclü « ¡j.ipodjfjoffct:
Ent;
Z ü FSF
/Í «/i iLifiuuilradt -t !
Kl fíllni n-MiItaiilL-M- iinn,y(:j cu lu Ti^tiih 10.Si,:. fIí-27)
(Paâ aiid)
"aG DR FÍLTHOS Í'ASA
I.ui íjjíios pa¿M band,i aL"fv'(ftM:i.lajÍl¡c i .in ccino da buiídn Hiichc o ¡iDîviU, Sí ¡s razón de Iw írtí- O.í.fiíi^pl-
u.tiiicid .) (Ul ,íii¡.i-liur u U íiifcrio; iMl !«,?â 1.5, o! rcíjuísiicdel filtn) cuo-cr. lj calcûrfa de hun-
da HMfllH,
¿¿-ri lOKn'iG'.Ji.
F¡!t('¿» (*>!*•« iüfirtJ áv bJiiJn c.'íüi'ía
?»,rs rfí»A«í "I Üítro til oí ílj-w do ba.irlt f.itohi:, K-(:ír.cc c; rriJultUü an ejpaulflcaclor./j de p«*
*lta y paiH híju. A coiiUnbbcirin, st fii;edt JiitíAor tul ííltro posJ b,ij¿ y oiro pas& ahasepamdcsy
ponerse en eawadj slv. inlirrucción.
pfoülsm» 19.16 Dbcñcv: \in íilUo pnsu biiidn rjtie Icnpa puntOi'3 U3 en ¡ExXt / 5000 f U , / uru itt-
nuaciilii Je n;¡: lit iS db r.n 300 j1 iXX) K£. Flgur* 19-35 o) Filtro noriu JI/MÍJO; A) [íllro puu .Saii.tó ;inul,
Ificn* Pu«(o qucik fkzAndcí piinlo 3 dBsuperinr u! hift-rlur joltiepuu 1.5, el ÍÜU^ü Üjedlx.lj/c pH'oülüriiír íb.16 DtiíiVsrur» futió pasa ^tûJa iiinuna frecuencia ctnlrtídc llXKj Mi y un*nchoilc3
b«nd» «Ikcliü. dli de 50 H/. f-vltrii.::..'K 1. :. (ilinación un u f . ¿jicho de lundi dt 200 M*.-
, -i/, umi» C\u Je Ja rr^Lm i9-3d [f:¡ViOii;.nj ul.j rejpiitítii puic bin.in «Ircch» h»»tk L-.; /«lor p
o] Sc()ircnj<r loJ rtrqulili>>i úc puu del ciiculli» de 20. L* ¡(Jiuiwia ¿^1 futro ti U un»¡:id a !• fiucticHc!» cenfnt.
í ífidlviJi-ales cíe p«i» •!!• j*
L* í«pnest« u ciulijLÍcr ti,,'¡x3 do í)tiii'Jc ti\¥. X ).•„ -de caleulji ¡/ir me^ío de;
Filtro p*sa bsjjs 3 riU « 3000 HÍ
25 (IB /iifniíim e CuOO Hi
Fillrtipau -¡U: 3 tíB u 1000 llz
25 dB nimimu • 3íX: Id en doiide flH'jü (a F.'(í. LJ tciucUn (I9-2Ü; tyriopniKÍe • n - 1 de U Üg\it»
pwidt. « BUVriiC^
¿, «i Jcftdc Qi-on
b) C'icúlou d rB
.4 ,'• (19-2U)
n ÍIB-30J
r) Escójaiue diufiO^ noiiiiuli/.tKlni (jticiuliiíaHiin |m icfjimilm p j f j l<uja} y slUJ. .v:g¿n liucuii 'i tic
|y íif-urtí 19-8. un diu-rtn ilt llutlerworili íleíV - 3 pro|«iiddim uiaidÊSdH |iur« valorea de ^, - 3 y A,
- 3-33.
3-33.
i/) l.'n
'
ti) lin la fij(iir! 19-35n íparn-cn los íillnrf pjsa liafa y |t«ii« aU& niirmuli*ndi>i El fl¡!;o puja «!t« itdr-
tiuliün),! w dciivódt un fiüru paia luja Hutltrworlli noniutitudit J« A' - 3. rrcnipliu.*ndociida icaii-
tor clin un rupxcilur de un vtdor de I'H y eadu capuctlor tt-n un icvkt.ir de 1/C. Salida
e] AfúitcM'cit la esenlu el filtro pi.sa liaja y el pasa sttn u Ips cor lia que M: requieren y lo* nlvrlcfdoeu-
7SC
d'/5 de Iiii|>edjiiclii. CJcúIeM- t-'SI';
P - s » l i b j i . : l - . S I ' - 2 « n í H H I = IH.hoi) (lü-IHi

Pa>a Îta. K-SK - 2 w l ( K X I = ÍÍ2WI (HMJ)
Figura 15^36 Circuito de filtro pam hunda tnj¡wt«.
Con una 2 do 10 000. niiilliplíquenu: lodns Itw rtsiitores JMIT Z y divldunw lodui lot opacilotn por '¿ X toluclón EK-ÓJHÍC (7 - Ü.OI ¡tP. Eiilüiioei,
F5F, titllizuivla i-l FSF apropudo pura los filtfoí pku ulta y loi pu« baj.i. En U fíguru 1Ü-35A j= rund-
irá el f i l l r o p*s« liandu remítanle.
Filtros pasa banda da banda cngoala (10-Üfii
1 Í1IWO)
Cuando la rjzóndel c-orteiujítriorde3dB J Inferiores de menos de 1.5, se rctjlilercun diieftode ,„ - i M O » i i (10-31.1
hunitu angosta. En la figura líl-37 u; muflía el filtro rcsulUnte. El mítlnr fí, *e lu'zc «Juíl.ble cun finra d« ifiiloiilía
cirtn. Rila última *c ptitilc rtidlwr olmrrvando el cuml'io il<- fav eulrc U entmdu y I» uJid* con un patrón
d-- Líi.'«joiu
una en un fHdlasccpki, como .v: Indicó en luí píginuí IU-27 a 19-2ÍJ, Ajúilesc Wj pira ntilenn
elij^c Cerrad»,
'^*VW^'"--lf.^V?!!!j¡pqgS^
19:40 Flltcot
Olí «Aod» flltroitcllvo» lfl-41
1
-LO. 188
T-nF
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Entwda HA lOhJl ¡0 k A ' J]>-i—wvv-
—-VsA—*—VA—J—VA—|
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¿0-0738 ^0 —w, .
D107
~ >tp i- // j:
Entrada
Fl(jura 19-3Í" I'illio iwulian e ilv iirulilc:i;u Kl.Ifi.

F>L,
^ ^
0.005Í1 0.00531 J>-Lw,_ ':'
FILTROS SUPRESORES DE BANDA 0531 I ¡LF Jf I L í

Los filtros supriores de bu idii dubiiiid» anchu tienen una razón dcfrt'ciiunciu 3 dB superior » in-
ferior de 1.5 u más, y so diseñan mediante lu co ni Ilinación di: in filtro pasa allu y otro pa¿a bufa,
MlllÍ7undti un umplificadnr operación al udicíttnul. So cmp i>an redi* do muev-a para generar u nú
ctrnctcrlilk-n dti r o pía* U (K1 Mitro suprimir da lundu mig'nt»,
nados da muesca (notchj

Fillros su'presoros cíe banda ancha
Para diseñar un filtro supresor de b u n d j ancha, sest.'|)nran prinu-n-nienie los rcqinsílosen eí|wc¡- L'nure(iiiuludeflC(|u l :ieusactinfrmn-iicia^l-id,.-M n l,l T» c
PUede t,'1?CIier "" ""'" P ro
fícucloncs ¡ndívidiirtlta para l>;i us y Hllui. A coiilmuación, so dist-nüii filtros paia altu y paia bajn, fundo M un. lr«uenc¡B dada. Sin «-inudô.
J"b "¿o el d v«¡,?
jlor (J
n del
de circuito
I ', que « define como slûe:
y se combinan medíante un arriplíficüt or u x-rucíinm , cuino <>K nuio*>lra en la figura 19-38. (7 _ , [a-cuenc-ianiilH
3-íIfl ancho de Iiant
« detó,o•/, El circuito de I.flgllra1EÍ.,() pr( , |xjrclonii im ^ ^ .^
pura incrementar Q.
Entrada c c
Salid» •It Salida
FlgUfi 19-36 Con figura ción du icdiaio du hunda de dundu anchi.
problema 19.17 Semiuíereun fillfií.Miprrsoriíe Unda con puiiluí.ldti tu 000 y 3000 HI, y unroeh»-
¿ude mas ile 12 dB cntic 000 y 1500 I U.
UofU Pueitoqucl* rizóti3dfi5ii|H:iinr u la Inferior *ol>rL.'paíü 1.5, venoresil» un distiVulc h*nd* ancha,
Flflura 19-40 H rd ^ muoc..
toluclón Sepárese U ei|xclficadñii en requhihii individuales par» huju y alliu.
Fillro puw- |)-|M: 3 dH u 300 lli

12,11! iníni.riu . WX) Mz
««ri- 1-v.W^cornrK^n^d.Uf^,, liMQ
Flllro puíu alia: 3 dll a 3000 M¿
12 di! mínimo u 1500 \U
CulcúlL'M; el factor de CA'arpamk'iiU] A, pura tus dos U]Hn (te ÍÜtiiH: (10-33)
fl y C M piwden escuR«r «Wlraíl.mcnle.

t'nsa alU: A, •• =! voluclón
Ka la íiniini I!J Ky;ImI¡i'aqiii:nnilÍM:ñi) Bntieiwmth tlo.V - 2prt)])urcidiu 1 2 d l l u u - 2. Eslc filtro

iirirnializailo ialiifaru tanto !o\n ¡mra lujuí L-IHIIH pi.ru altai.
li! filtro ¡mu Itüja MÍ diicfiu dt Liinrunnld-i! «tu 1«.\^ lÍI-31 « IL'-3(i y w; mu el proctrditiiienlu 'le
I k i p ú ^ i n i i 1U-J7 u IM ll)-3fi, p - i u el p-i- u l t u . l^íí filtrirt i'"n u l l u y \IH-M haju rwtilUntta wcuniblnan .
... . * /i, - I5.¡)ln f!0-3tj
uliluaiid»! el circuitu <Íe I- finura 10-3S. |-| filtro final uiiurox cu U (iRur- 19-3Ü. bl nrcuilu /¡n-l «purox-e,, ]H n K uia I
Capítulo
i :¡: Antenas
Flgur» 19.41 fleauludo del pioblemí IQ.Jfl., LLOYD TEMES, P.E.
0«[>*rim*íit oí EI*cUic«l Ttchnology, Collt>g« o)
SUUn UUnd (CUNY)
1B.8 BIBLIOGRAFÍA
I t»Vr
lilti-f* .»(• pii'M'iitcd. '
C.'ilci. J N. íi-d ). /.fiiciir liili-t-niti-if Ciun/fi .•líi¡i/f(ii/í(tii\ r.iinhilil .S'ftiiíi-niuliifliir Cu..
Mn'iiit.iimiru, (.'alir. Üili7. Tliit IwHik will inini- iiM-Iüi l" icmU-ti 1111^11111)1.11 wiili oiK-nitinn.il
.tfüjillfji-is.
/í<íUf//'(«ij;-1iAfJi;ci(!/i(>jiií/.-\ti.;ii(V¡i'r.A(/!:('/ÍC',NVíii'inAK Hiiir-HrnHii lir.c.ncli f.'iinximliiin. Tiiotin,
An/-, ÍÍHiTi. Thii Imol, iiirniíK oí .1 tuüccium ol'siiiipli- íitli'i ciiuijlt .mil dcsi(¡u liniiiiit.!'..
i i IliiclMlMii. I.. I1 : r/.i-iiij/í/iK/ÍMipj ii/.-Vr/iic «C: f.'tn-jJÍf». Mi-O.m-IIiil. ,\'i-w Vori. líKifl. A ll.nin-l-
ic.il [n-.itoiciil .uní .111, I!\MS iiliu Ii\ /IC i-iiiiiilv ispicu-ntcd.
.S'.iitl. U-: í)cr /iit/Ktif/ii'ii t-'ilícm uní llilff tli-\ .Vnniiíf/icr TÍI//MIHI-. Toli-Fuiiki-n Cluilili,
ll.u-kli.inií, U't-st t^-n......y. Tlii- iiniipivli.-n.viv.: nillfi-lion of clliptít- liiiK-tinii /X7 (¡Ilcr talik1.1. is
filrctitf'v iiM-Iiil Tur M-titni% lilli'i ili'MKiirrN.
WciiiU-iK. l-:.Vr/riwlí\imf|/ut utul Suutln'\i\. Mi'(-V.i«--líiII. Nt*w Viitk. I96Í An L-.\(.-i;lk'lit collccfion
' i til' tJt*. lillcí (k'.s¡i;ii tiltiles i^ ]>ruM(lcd .ilimu « ilh iiM.-luI thfiiiutk-.il iitilt-ri.il. 20.1 INTRODUCCIÓN
\\'illi;iins. A. H-: Ací/iv /-Víícr Wiwiîi. Aitcvli HOIIM- Int., Dnlli......M,is\., I975.This Iwmk ¡\dirvLlwl En tsti: capítulos*.-presentan varios ¡imblnmií prácticos que se refieren a antenas dírí'Ccíonulis de
lim-.iidtlK'.iv'i'fiijjren«iiw.-i'r.iii(l |inn ¡(ti-MiMiiy dírca im,'llimÍN fin'llic »lc.sij:ii orMiphíMitHlL-d mtiw los I¡|HK Ik'rtz, de ek*flíenlos niúltiples y umfilares largas. También se analizan las hnlenas ]-iira-
(¡llcrt IIM'H« sini|)li* liiiiiiul.w jiutl l.ililcv / bólicuí y las ¡)cri6<liciis l(ij;aritin¡cai.
Zvrref, A. I.; lliiniHniiik- vf fr'llltr .S'¡/ nt/iriíi, \\'ilt:;'. Ni-w Vorfc, 1967. A «>in]>fvl»eüMvc ovcrview nf
filtur tlc,s¡({ii ií. prvMjnted wilti tni])!t.isi.s un LC filtcru. j Se cubruli las caruclcrúlivas di: antorías de iiiioiülo y do vüríos elemental, teles como ganancia,
dirección a Inl ¡dad e ¡inpwiaucia. Tuuiliicn su verá la elección tle una línea apropiada de Irammí-
sJón para unii anieiut (víase lu ínfarmiictón adicional sobre las líneas dtí tninsinisiún en los capitulcM
18 y 21). Seaiíalinun tambicn los icniut importantes del» transmiíión delinea de vtstn, U poten-
cia lirudíada efectiva (H/Í/'J y la resistencia a la radiación.
20.2 DISEÑO DE UNA ANTENA CON IRRADIACIONES

IGUALMENTE BUENAS EN TODAS LAS DIRECCIONES
probUm* 2C.I S¿ dcx:» jtnt anlcn« ijuc írr*tliry Kvilm uiiu i*f)*\e IDO Mili Igu-lnienlc bnenu oí
iinl*i Ui díi«,v¡oiM.i. CoiniüViei- (¡lie el fuclur ile velocidad tí tic O.S.
(•orí* Un jmtrón tk- irrmliaciiin d<acr)l* U «flc-di tic un» inteni par u irmdttr encttf» en v«ríti tu-
rtxi:(unt». Unt. «nttfii» Mumiui tiene un p*tnin cliaiLr ek nidl.d'dii, como Kiiiuratn en la figura ai-].
Un- ttnlnm MorL-uní ntn«stt: m un Li>ndiKtur verlkol ile '/4 oV longitud de orxla. U longitud d« onda «e
podía (tclcrminíi a partir df tu (ónnitl*:
A - u: (2ft-i)
en donila/ - frccucnd»
X - luiifjilud Je aru!n
i - ínctor de velocidad* f?.t
C - velocídüd tte lw ondú elixHruriujjncticaí en el eJpnriü
'El f«ctoritc velotid-di o un número decimal que ciumlntt multiplica |>oi la vclodd*il (
nnnts'^licM on ti ap^cio lidie, d-t tu vcWldud de euu ond«i m un inotúo /
ANEXO 3
GUÍA DEL USUARIO
GUIA DEL USUARIO.
Precauciones.
La fuente de alimentación debe ser conectada únicamente a un

voltaje alterno de 110 Vac? 60 Hz.
Almacenar todas las tarjetas componentes del equipo en un lugar

seco y libre de polvo.
Descripción general
El equipo didáctico para realizar modulación en amplitud, consta de

varios módulos o tarjetas que se indican a continuación:
• Módulo 1: Fuente de alimentación.
• Módulo 2: Circuito generador de portadora a 1500 kHz.

d
• Módulo 3|: Circuito generador de tonos de prueba a 400 y 1000 Hz.
• Módulo 4: Circuito de modulación AM de doble banda lateral con

portadora.
• Módulo 5: Circuito de modulación AM de doble banda lateral sin

portadora.
• Módulo 6: Circuito de modulación AM de banda lateral única, método
de cuadratura.
• Módulo 7: Circuito de modulación AM de banda lateral única, método

de Weaver.
• Módulo 8: Circuito de acoplamiento.
• Módulo 9: Circuito de modulación AM de doble banda lateral con

portadora.
Operación básica.
Todos los módulos que realizan modulación en amplitud así como el

módulo generador de portadora y el módulo generador de los tonos de
prueba requieren de una alimentación de voltaje provista por el módulo de
la fuente de alimentación.
Esquemáticamente, puede apreciarse a continuación los módulos

requeridos para obtener cualquiera de las formas de modulación AM
construidas como parte del equipo didáctico:
Módulo de Fuente
de Alimentación.
Módulo Módulo para Acoplador.

Generador generar
de modulación AM.
Salida
Portadora.
Módulo generador
de tonos de prueba
Si se desea puede prescindirse del módulo de la fuente de

alimentación teniéndose en cuenta que todas las demás tarjetas requieren
alimentación de + 12 V, -12 V, + 5 V? -5 V y O V, condiciones que deberá
reunir la fuente de alimentación externa que se piense utilizar.
Todos los módulos que realizan el proceso de modulación AM3
requieren además de la fuente de alimentación, el ingreso de señal
portadora y señal modulante, para esto, deben conectarse en las entradas
respectivas, las salidas de los módulos de generación de portadora y de
generación de tonos de prueba.
Finalmente debe usarse el módulo acoplador si se va a utilizar como
equipo de prueba y medición un analizador de espectros, en el caso de
utilizarse un osciloscopio, puede conectarse directamente a la salida de
cada circuito que realiza el proceso de modulación.
En el caso de que se desee utilizar señales portadoras externas,
deberá tomarse en cuenta que el voltaje de entrada a los circuitos
moduladores debe ser máximo de 500 mV pico.
En el caso de que se desee utilizar señales modulantes (tonos de
prueba) externos., estos deben conectarse al módulo de generación de tonos
de prueba, en la entrada de señal externa y debe escogerse que el dip switch
1 esté en O (off). Además debe recordarse que la señal externa ingresada
*5>
* debe tener un voltaje menor a 500 mV pico.
í'^íí
«4
$6
^
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^
ANEXO 4
PRÁCTICAS SUGERIDAS
PRACTICA 1: MODULACIÓN AM DE DOBLE
BANDA LATERAL CON
PORTADORA.
OBJETIVOS: Observar en forma práctica, en el dominio de la

frecuencia y en el dominio del tiempo el efecto de
modular en amplitud una señal determinada.
EQUIPO REQUERIDO:
1 Osciloscopio
1 Analizador de Espectros
Módulo 1: Fuente de alimentación
Módulo 2: Circuito generador de portadora a 1500 kHz.
Módulo 3: Circuito generador de tonos de prueba a 400 y 1000 Hz.
Módulo 4: Circuito de Modulación AM de doble banda lateral con
portadora
Módulo 9: Circuito de Modulación AM de doble banda lateral con
portadora
Módulo 8: Circuito Acoplador.
PROCEDIMIENTO:
L- Conectar al módulo 1: Fuente de alimentación, los módulos 2, 3, 4 y

8 utilizando para esto, los cables que tienen una marca con el número O en
cada uno de los módulos antes mencionados tal como se indica en la
siguiente figura:
Módulo 1: Fuente
de Alimentación.
Módulo 2, Módulo 4. Módulos.

Salida
Módulo 3.
2.- Conectar la salida del módulo 2 con la entrada del módulo 4,

utilizando para esto la salida codificada con el número 3 en el módulo 2 y
conectándola a la entrada marcada con el número 3 en el módulo 4, como
se indica en la siguiente figura:
Módulo 2. Módulo 4.
salida 3 3 entrada

Módulo 3. Módulo 4.
salida i i entrada
4.- Conectar en la salida del módulo 4, marcada con el número 5 el
osciloscopio. Cambie el índice de modulación, variando el potenciómetro
P2 y anote los resultados.
5.- Para observar los resultados en un analizador de espectros, conectar

la salida del módulo 4, marcada con el número 5 a la entrada del módulo 8
marcada también con el número 5. En la salida del módulo 8 conectar la
punta de prueba del analizador de espectros, tal como se indica en la
siguiente figura:
6.- Una vez conectado el analizador de espectros, anotar los resultados

obtenidos, variando el potenciómetro P2.
Desconecte el módulo 4, reemplace el módulo 9 en lugar del módulo 4 y

siga el procedimiento descrito en los pasos del 1 al 6,."
INFORME.
PRACTICA 2: MODULACIÓN AM DE DOBLE
BANDA LATERAL SIN
PORTADORA.

EQUIPO REQUERIDO:
1 Osciloscopio
Módulo 5: Circuito de Modulación AM de doble banda lateral sin
portadora.
PROCEDIMIENTO:
1.- Conectar al módulo 1: Fuente de alimentación, los módulos 2, 33 5 y

siguiente figura:
Módulo 1: Fuente
de Alimentación,
Módulo 2. Módulo 5. Módulo 8.

Salida
Módulo 3.
2.- Conectar la salida del módulo 2 con la entrada del módulo 55

utilizando para esto las salidas codificadas con el número 3 en el módulo 2
y conectándola a la entrada marcada con el número 3 en el módulo 5, como
Módulo!, ^
Modulo 5.
salida 3, 3 entrada

fe
Modulo 3. Modulo 5.
salida i i entrada
osciloscopio. Anote los resultados.

siguiente figura:

obtenidos.
INFORME.
PRACTICA 3: MODULACIÓN AM DE BANDA
LATERAL ÚNICA MÉTODO DE
CUADRATURA.

EQUIPO REQUERIDO:
1 Osciloscopio
Módulo 6: Circuito de Modulación AM de banda lateral única,
método de cuadratura.
PROCEDIMIENTO:
1.- Conectar al módulo 1: Fuente de alimentación, los módulos 2, 3, 6 y

siguiente figura:
Módulo 1: Fuente
de Alimentación.

Salida
Módulo 3.
2.- Conectar las salidas del módulo 2 con las entradas del módulo 6,
utilizando para esto las salidas codificadas con los números 3 y 4 en el
módulo 2 y conectándolas a las entradas marcadas con los números 3 y 4
en el módulo 6, como se indica en la siguiente figura:
Módulo 2. ^ Modulo ó.
salidas 3,4 3,4 entradas
3.- Conectar las salidas del módulo 3 con las entradas del módulo 6,
en el módulo 6, como se indica en la siguiente figura:
fe
Modulo 3. Módulo 6.

siguiente figura:

obtenidos.
INFORME.
PRACTICA 4: MODULACIÓN AM DE BANDA
LATERAL ÚNICA MÉTODO DE
WEAVER.

EQUIPO REQUERIDO:
1 Osciloscopio
Módulo 7: Circuito de Modulación AM de banda lateral única,
método de Weaver.
PROCEDIMIENTO:
1.- Conectar al módulo 1: Fuente de alimentación, los módulos 2, 3, 7 y

siguiente figura:
Módulo 1: Fuente
de Alimentación.

Salida
Módulo 3.
2.- Conectar las salidas del módulo 2 con las entradas del módulo 73
en el módulo 73 como se indica en la siguiente figura:
Modulo 2. w Módulo 7.

Modulo 3. w Modulo 7.

siguiente figura:

obtenidos.
INFORME.
BIBLIOGRAFÍA.
CARLSON BRUCE, Sistemas de Comunicación. Ed. Me Graw Hill, 1975.
PELKA HORST, BLU y banda lateral independiente. Ed. Marcombo,

1985.
KRAUSS H, BOSTIAN Ch, RAAB F, Estado Sólido en Ingeniería de

Radiocomunicación, Ed. Limusa, 1992.
SHRADER R, Electronic Communication. Ed. Me Graw Hill, 1959.
LAPATINE S, Electrónica en Sistemas de Comunicación. Ed. Limusa,

1990.
TOMASI W, Sistemas de Comunicaciones Electrónicas, Ed.

Hispanoamericana, 1996.
KAUFMAN M, SEIDMAN H, Electrónica Práctica. Ed. Me Graw Hill,

1986.
CLARKE Y HESS, Communication Circuits Analysis and Design, Ed.

Addison Wesley Co, 1971.

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FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA

TESIS PREVIA A LA OBTENCIÓN DEL TÍTULO DE

ARNALDO OMAR MONTALVO GALÁRRAGA

Mi agradecimiento más profundo

Este trabajo, lo dedico a mi madre,

Ing. TarquHoT>ancñe¿ Almeida

Quito, Diciembre de 1998

1.1 DESARROLLO MATEMÁTICO 1

2.1 MODULACIÓN AM (DE DOBLE BANDA

3.1 MULTIPLICACIÓN ANÁLOGA 43

4.1 DISEÑO DEL OSCILADOR LOCAL A 1500 IcHz 59

5.1 MODULACIÓN AM 112

ANEXO 1 HOJAS DE DATOS DEL FABRICANTE

ANEXO 2 GUÍA DE DISEÑO DE FILTROS

ANEXO 3 GUÍA DEL USUARIO

ANEXO 4 PRÁCTICAS SUGERIDAS

En el ámbito de las telecomunicaciones, cobra especial interés la

Una forma para clasificar a la modulación, emplea al tipo de

Por otro lado puede clasificarse a la modulación tomando en cuenta

Tomando en cuenta a la clasificación de la modulación considerando

La modulación en amplitud, es el tipo de modulación más antiguo y

1.1. DESARROLLO MATEMÁTICO

1.2. CONVERSIÓN DE FRECUENCIA

La modulación en amplitud consiste básicamente en multiplicar las

Utilizando las series de Fourier, una función periódica definida dentro de

fft) - ao + ^¿^.cosiW-f¿^senwí 1.1

donde: ao, an, bn representan los Coeficientes de Fourier.

donde: n elemento de los enteros.

En forma resumida pueden agruparse todos los coeficientes de Fourier,

donde: A* = Coeficiente complejo conjugado.

es un coeficiente complejo y los coeficientes que van desde -o> hasta -

La utilidad de la expansión en Serie de Fourier radica en la información

1.1.2. Transformada de Fourier.

Como ya se mencionó, la transformada de Fourier de una señal temporal

F[x(t)] = X(w) = 1.7

donde: x(t) representa la señal definida en el dominio del tiempo

F-l[X(-w)] = xft) = —. f X(w).ejm.dw 1.8

A continuación se presentan algunas propiedades importantes de la

F[a.x(t) - b.z(t)] = a.X(w) - b.Zfw) 1.9

Propiedad de retardo en el tiempo.

Propiedad de cambio de escala.

Propiedad de traslación de frecuencia.

F[]x(t).dt] = —.X(w) 1.15

Una vez presentada una introducción de la expansión en series de

1.2. Conversión de Frecuencias.

De acuerdo a lo establecido en la introducción una modulación en

donde; f (t) -> señal modulante (información)

En esta última expresión se puede verificar que la modulación en

donde; AC es la amplitud de la señal portadora (g(t))

donde: Vra es la amplitud de la señal modulante (f (t))

El cociente m = Vm/Vcc se define como el índice de modulación, el cual

donde: m = índice de modulación.

En este punto cabe aclarar que la representación matemática obtenida

Figura 1.1 Figura 1.2

Tanto en la figura 1.1 como en la figura 1.2 se aprecia que la variación de

m = I + — para m>l 1.22

donde: A = Diferencia entre Crestas Máximas.

,Es importante destacar que cuando se presenta una modulación con un

donde. = amplitud de la portadora sin modular.

En el caso de la modulación simétrica, se cumple que m = m" y ésta

El producto de funciones cosenoidales puede ser expresado de la

= 0.5.[cos(wc •*" Wm^ ^ cosfwc - ~wm)t] 1-28

Paralelamente a este análisis puede hacerse un análisis de la