ELECTRÓNICA GENERAL

INFORME DE LABORATORIO
TEMA: CIRCUITO AMPLIFICADOR CON
MOSFET.
Integrantes:
 Javier Cuadrado
 Belén González
 Danilo Guachamin

DOCENTE: Ing. José Luis Varela

NRC:1763
CURSO:
4to Electromecánica “A”
Octubre 2017- Febrero 2018
Tema:

CIRCUITO AMPLIFICADOR CON MOSFET.

OBJETIVOS
Objetivo General
Comprobar el funcionamiento de un MOSFET.
Objetivos específicos
 Reconocer la polarización de un MOSFET.
 Implementar un circuito de amplificación usando el MOSFET.
MARCO TEORICO
TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR
Es un dispositivo semiconductor utilizado para la conmutación y amplificación de señales. Su
nombre viene de las siglas en ingles que significan, Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor, que traducidas al español “Transistor de Efecto de Campo de Metal-Óxido-
Semiconductor”. Un MOSFET esta estructurado con material aislante, material conductor y
material tipo N y P. En la figura 1 se muestra la configuración del MOSFET general que es tipo
N o P.

Figura 1. MOSFET tipo N y P, partes.

Existe una gran variedad de MOSFET que cumplen diversos propósitos.
Su funcionamiento es como un interruptor activado por tensión, ya que en los terminales VGS
crea un campo magnético que permite la conducción si no hay el suficiente voltaje no conduce.

Materiales:

 MOSFET (IRF 640N)

 Resistencia 1k
 Potenciómetro.
 Fuente de alimentación variable DC.
 Voltímetro.
 Amperímetro.

Procedimiento:

1. Diseñe un circuito para establecer el voltaje de VGS que hace saltar la corriente en el
MOSFET además permita ver a que voltaje se satura el MOSFET..

Figura.2 Circuito armado.

Cálculos:

Correspondiente a la figura 2.

𝑺𝒆 𝒔𝒂𝒕𝒖𝒓𝒂 𝒄𝒐𝒏 𝟑 𝑽
𝑖𝐷
𝑉𝐺𝑠 = √ + 𝑉𝑇
𝟏𝟐 𝒎𝑨 𝑘
𝒌=
(𝟏𝟐 − 𝟑)𝟐

𝒌 = 𝟏. 𝟒𝟖 × 𝟏𝟎−𝟒 1.92 × 10−4

𝑉𝐺𝑠 = √ +3
1.48 × 10 − 4
𝒊𝑫 = 𝑲 ∗ (𝟒. 𝟏𝟒 − 𝟑)𝟐
𝑉𝐺𝑠 = 4.14 𝑉
𝒊𝑫 = 𝟏. 𝟒𝟖 × 𝟏𝟎−𝟒 (𝟒. 𝟏𝟒 − 𝟑)𝟐
𝑉𝑅 = 𝑖𝐷 × 𝐾
𝒊𝑫 = 𝟏. 𝟗𝟐 × 𝟏𝟎−𝟒 𝑨
𝑉𝑅 = 0.192 𝑉
Simulación:

Figura 3. Simulación antes del salto.

Figura 4. Simulación punto de saturación.

Resultados:

En las siguientes tablas se registraron los datos de los circuitos obtenidos por varios métodos, con
el fin de realizar una comparación del error entre ellos.

Para el cálculo del error porcentual se empleará:

𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑚𝑒𝑑𝑖𝑑𝑜 − 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑐𝑎𝑙𝑐𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜
%𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = | | ∗ 100
𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑐𝑎𝑙𝑐𝑢𝑙𝑎𝑑𝑜
La tabla1 muestra las medidas eléctricas del circuito 1.
 Tabla1

Calculados Medidos
Voltaje de saturación 3V 4.14 m A

Voltaje de saturación
4.14 − 3
%𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = | | ∗ 100 = 38%
3
Los valores del error calculado para las magnitudes eléctricas son aceptables ya que se encuentra
menor a un 50% de error

Conclusiones:

 El voltaje que permite el salto o conducción 3v, VT=3v.

 El MOSFET llega a su punto de saturación a los 4v, permite todo el paso de electrones.
 La crece

Recomendaciones:

 Revisar las conexiones antes de alimentar el circuito.

 Manipular con la debida precaución el MOSFET, ya que se puede quemar.
 Identificar los terminales del MOSFET antes de conectar en el circuito.

Referencias

[1] D. Svaboda, «Circuitos Eléctricos,» de Circuitos Eléctricos, ALFAOMEGA S.A de C.V., 2006,
p. 529.

[2] R. Robedro, Electrónica Básica para ingenieros, España: El autor, 2011.