Beruflich Dokumente
Kultur Dokumente
Sea el circuito:
R2
1k
BAT1
10V
R1 Q1
2N2222
300k
Calculo teórico:
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝑐𝑅𝑐 + 𝑉𝑐𝑒
10=Ic+Vce… (1)
10= 300Ib+0.7
9.3=300Ib Ib=31uA
Retomando (1)
R2
1k
+6.10
mA
BAT1
10V
R1 Q1
+31.0 2N2222 +3.90
300k µA Volts
+0.70
Volts
Sea el circuito:
R4
1k
BAT2
10V
R3 Q2
2N2222
300k
Calculo teorico
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝑐𝑅𝑐 + 𝑉𝑐𝑒
10=Ic+Vce… (1)
10=BIbRc+IbRb+0.7
9.3= 400Ib+0.7
9.3=400Ib Ib=23.25uA
Retomando (1)
+3.80
mA
BAT1
10V
R1 Q1
+18.3 2N2222 +6.18
300k µA Volts
+0.69
Volts
Sea el circuito:
R4
1k
R3
100k
BAT2
10V
Q2
2N2222
R5
1k
R6
0.1k
Calculo teorico:
1𝐾 𝑥 10𝐾 10
𝑅𝑇 = = 𝐾 = 909.09Ω
1𝐾 + 10𝐾 11
1𝐾
𝑉𝑇 = 𝑥 10 = 0.9 𝑉
11𝐾
El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es
un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas
entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de controlar
el paso de la corriente a través de sus terminales.
funcionamiento
En una configuración normal, la unión base-emisor se polariza en directa y la unión base-
colector en inversa. Debido a la agitación térmica los portadores de carga del emisor
pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez,
prácticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo eléctrico
que existe entre la base y el colector.
Caracteristicas
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones: Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente
dopada, comportándose como un metal.
precios
2. Dar conceptos y destaque la importancia de: punto de operación, β,
Icq, Vceq etc.
La polarización del bjt se realiza mediante tensión continua y consiste en preparar el
transistor para que trabaje en la región activa dentro de un circuito en el cual se le
quiere utilizar, se busca que a través del colector circule una cantidad de corriente
IC, y a su vez se obtenga una tensión entre el colector y el emisor VCE para esa
cantidad de corriente IC, a esto se le llama obtener el punto de operación o punto Q
del transistor. La corriente IC va depender de la corriente en la base IB que exista en
la malla de entrada, esto porque IC=β*IB, la VCE dependerá de la malla de salida del
circuito, para ver esto será de utilidad uso de las curvas características y la ecuación
de recta de carga.
Para realizar los circuitos de polarización del bjt es importante tener en cuenta
siempre las siguientes características vistas anteriormente que son IC=β*IB, IE=IC+IB
pero para los cálculos se asume que IE≈IC esto porque IB es muy pequeña en
comparación con IC, y ademas que la tensión base emisor VBE=0,7V.