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Département GE&GM
Cycle Ingénieur
Télécommunications et Systèmes Embarqués
Semestre 2
Electronique Analogique
Chapitre 3 :
Transistors à effet de champ MOSFET
• Principe
On les désigne par TEC ou par FET (field effect transistor). On trouve aussi
l’appellation plus complète mais un peu vieillie de JFET (junction field effect
transistor).
Ce composant est formé d’un barreau de semi-conducteur dont les extrémités
sont la source (S) et le drain (D). Une jonction, normalement bloquée, est créée
par la grille (G).
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Le MOSFET à appauvrissement
Description
La grille n'est pas directement reliée au substrat P ; elle en est isolée par
l'intermédiaire d'une très fine (quelques nm) couche d'isolant (de l'oxyde de
silicium). Cette caractéristique donne son nom au MOSFET : Metal Oxyde
Semiconductor.
La grille est ainsi isolée du substrat : le courant de grille sera nul en continu.
Le MOSFET à appauvrissement
Principe du fonctionnement.
Pour VGS nulle, Ce transistor fonctionne comme un JFET : un courant de drain pourra
circuler ; quand VDS augmente, un phénomène de pincement se produit, qui obstrue le
canal : le courant de drain devient constant.
Au contraire, pour VGS supérieure à 0, on retrouve le fonctionnement du MOS à canal
induit, et le courant de drain va croître.
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Le MOSFET à appauvrissement
Caractéristiques du MOS à appauvrissement.
Le MOSFET à appauvrissement
Principe du fonctionnement.
Pour la zone de saturation du courant de drain ID lorsque : VDS ≥ VDSAT = |VGS -VT|
l’évolution du courant de drain est encore donnée par l’équation :
æW ö mCOX
I D = K ç ÷(VGS - VT ) (1 + l VDS )
1
K= et l =
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avec
èLø 2 VA
Remarque : La tension VGS peut être positive et dans ces conditions le transistor
MOS entre dans une zone dite : mode “enrichissement”
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Le MOSFET à appauvrissement
Symboles .
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MOSFET à enrichissement
Description.
Dans un substrat faiblement dopé P, on insère deux zones N fortement dopées. Ces
deux zones seront la source et le drain du MOSFET ; elles sont distantes d'une
dizaine de µm (séparées par le substrat P). La source est généralement reliée au
substrat.
La grille n'est pas directement reliée au substrat P ; elle en est isolée par l'intermédiaire
d'une très fine (quelques nm) couche d'isolant (de l'oxyde de silicium). Cette
caractéristique donne son nom au MOSFET : Métal Oxyde Semi-conducteur.
La grille est ainsi isolée du substrat : le courant de grille sera nul en continu
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MOSFET à enrichissement
Description.
L’ensemble grille, oxyde et canal forme alors une capacité Cox par unité de surface telle
que :
e 0e SiO2
C ox = avec e0=8,85 10-14 F cm-1 et eSiO2 = 3,9
eOX
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MOSFET à enrichissement
Principe de fonctionnement
Si VGS = 0, aucun courant de drain ne passera, car le circuit source-drain est composé
de deux jonctions en série, l'une PN, l'autre NP : il y en aura toujours une en inverse.
Lorsqu'on applique une tension VGS positive, l'électrode de grille, l'isolant et le
substrat P forment un condensateur.
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MOSFET à enrichissement
Caractéristiques
MOSFET à enrichissement
Caractéristiques
On distingue donc trois régions sur les caractéristiques de sortie ID = f(VDS) à VGS
constant :
ID = K [2(VGS - VT )VDS ]
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MOSFET à enrichissement
Symboles
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MOSFET à enrichissement
MOSFET monté en diode
æW ö
ID = K ç ÷(VGS - VT )
2
è Lø
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Exercice 1
• On considère le montage de la figure 1, le
transistor utilisé est un transistor JFET qui
possède un courant IDSS= 1,6 mA, et une
tension de pincement VP=-4V.
1. On donne VDD=+9V, RS=3,9KW, RD=1,2KW,
R1=47KW, R2=18KW.
2. Calculer la tension par rapport à la masse
de la Grille.
3. Déterminer VGS et calculer le courant ID.
4. En déduire la tension VDS.
Exercice 2
On considère le circuit de la figure 1, Q1 et Q2 sont deux transistors MOSFET à
enrichissement et Q3 est un transistor MOSFET à déplétion le tableau suivant résume
les caractéristiques physiques des trois transistors :
K (W/L) VT
Q1 50mAV-2 4 3V
Q2 50 mAV-2 2 3V
Q3 50 mAV-2 2 -1V
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Exercice 2
Donner le potentiel de chacun des nœuds
et le courant circulant dans chacune des
branches de ce circuit.
On prend R1 = R2 = 5 MΩ, VDD=3.3V
RD = RS = 10 kΩ,
W = 30 µm, L = 1 µm et λ = 0.
Expliquer le choix des valeurs de R1 et R2 .
K (uAV-2) VT
Q1 175 0,46V
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