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Clase 3 - Fı́sica de semiconductores (II)
Transporte de Portadores
11 de Marzo de 2011
Contenido:
Lecturas recomendadas:
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Esta clase es una traducción, realizada por los docentes del curso ”66.25 - Dispositivos Semiconduc-
tores - de la FIUBA”, de la correspondiente hecha por el prof. Jesús A. de Alamo para el curso ”6.012 -
Microelectronic Devices and Circuits” del MIT. Cualquier error debe adjudicarse a la traducción.
66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 Clase 3-2
Preguntas disparadoras
λ = vthτc
⇒ λ ' 1 ∼ 10 nm
Lg ' 50 nm
2. Arrastre de Portadores
F = ±qE
qE
v(t) = at = − mn
t para los electrones
qE
v(t) = mp t para los huecos
66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 Clase 3-6
qE qτc
v = vd = ± τc = ± E
2mn,p 2mn,p
Definimos:
qτc
µn,p = 2mn,p ≡ movilidad [cm2/V · s]
Corriente de Arrastre
Corrientes de arrastre :
E
J = σE =
ρ
donde:
ρ ≡ resistividad [Ω · cm]
Entonces:
1 1
ρ= =
σ q(nµn + pµp)
66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 Clase 3-12
• En un semiconductor tipo N:
1
ρn '
qNdµn
• En un semiconductor tipo P:
1
ρp '
qNaµp
Para Si a 300K:
66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 Clase 3-13
Ejemplo numerico:
ρn ' 0.21 Ω · cm
L
td = = 10 ps
vdn
Es rápido!
66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 Clase 3-14
3. Corriente de Difusión
Elementos de la Difusión:
Para electrones:
dn
Fn = −Dn
dx
Para huecos:
dp
Fp = −Dp
dx
Dn ≡ Coeficiente de Difusión de los electrones [cm2/s]
Dp ≡ Coeficiente de Difusión de los huecos [cm2/s]
dn
Jndif = qDn
dx
dp
Jpdif = −qDp
dx
Relación de Einstein
En semiconductores:
Dn Dp kT
= =
µn µp q
kT
q ≡ Voltaje térmico [V ]
A 300 K:
kT
' 25 mV
q
Corriente Total
dn
Jn = Jnarr + Jndif = qnµnE + qDn
dx
dp
Jp = Jparr + Jpdif = qpµpE − qDp
dx
Jtotal = Jn + Jp
66.25 - Dispositivos Semiconductores - 1er Cuat. 2011 Clase 3-19
Principales conclusiones
J arr ∝ E