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Rio de Janeiro
MARÇO de 2015
Universidade Federal do Rio de Janeiro
Examinada por:
ii
Universidade Federal do Rio de Janeiro
iii
Universidade Federal do Rio de Janeiro
Agradecimentos
iv
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Universidade Federal do Rio de Janeiro
MARÇO de 2015
vi
Universidade Federal do Rio de Janeiro
MARCH/2015
This work documents the project of a voltage source inverter for the air
compressor driving circuit of the Hybrid Bus Powered by Ethanol with Electric Drive,
research vehicle from Laboratório de Hidrogênio, COPPE/UFRJ.
The converter project was essentially based on the losses calculation of all
semiconductors used, IGBTs and diodes, and the system thermal analysis. This method
seeks to prove the needlessness of using forced ventilation in the heat dissipation under
nominal operation.
In the control method is discussed the third harmonic injection in the sinusoidal
pulse width modulation (PWM) used on the transistors switching. The motivation for
this technique is also presented.
Lastly, the first test results made in the hybrid vehicle are shown. The device
was tested driving the air compressor that acts on the brake system and the opening and
closing of bus doors. The inverter was directly supplied by the vehicle’s battery bank
and operated in its nominal capacity, in order to simulate the conditions under which it
will be used as closely as possible.
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Sumário
1. Introdução ............................................................................................................................ 1
1.1. Objetivo ........................................................................................................................ 1
1.2. Organização do Trabalho ........................................................................................... 2
2. Fundamentos Teóricos ........................................................................................................ 3
2.1. Motor de Indução ........................................................................................................ 3
2.2. Controle Escalar .......................................................................................................... 7
2.3. Inversor de Frequência ............................................................................................... 9
2.4. Modulação Senoidal por Largura de Pulso (SPWM) ............................................. 10
2.4.1. Modulação Senoidal .......................................................................................... 10
2.4.2. Modulação Senoidal com Injeção de Terceiro Harmônico............................ 13
2.4.3. Razão Cíclica ..................................................................................................... 15
2.5. Dinâmica do Conversor ............................................................................................ 17
2.5.1. Etapas de chaveamento ..................................................................................... 17
2.5.2. Caminho da Corrente ....................................................................................... 19
3. Projeto ................................................................................................................................ 21
3.1. Dados de Projeto........................................................................................................ 21
3.1.1. Dados de Carga.................................................................................................. 21
3.1.2. Dados do Inversor VSI ...................................................................................... 22
3.1.3. Dados do Módulo IGBT .................................................................................... 22
3.1.4. Dados do Dissipador.......................................................................................... 25
3.2. Cálculo de Perdas ...................................................................................................... 26
3.2.1. Perdas por Condução ........................................................................................ 27
3.2.1.1. Perdas por Condução – IGBT .................................................................. 27
3.2.1.2. Perdas por Condução – Diodo .................................................................. 30
3.2.1.3. Perdas Totais por Condução .................................................................... 33
3.2.2. Perdas por Comutação...................................................................................... 33
3.2.2.1. Perdas por Comutação – IGBT ................................................................ 34
3.2.2.2. Perdas por Comutação – Diodo ............................................................... 37
3.2.2.3. Perdas Totais por Comutação .................................................................. 39
3.2.3. Perdas Totais no Inversor................................................................................. 39
3.3. Estimativa de Máxima Temperatura Admissível para o Dissipador ................... 40
3.4. Dimensionamento do Capacitor do Barramento CC ............................................. 43
4. Simulação ........................................................................................................................... 45
5. Montagem do Protótipo .................................................................................................... 48
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1. Introdução
1.1. Objetivo
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2. Fundamentos Teóricos
𝜔′ = 𝜔𝑠 − 𝜔𝑟 (2.1)
𝜔𝑠 − 𝜔𝑟
𝑠=
𝜔𝑠 (2.2)
𝑓𝑟 = 𝑠𝑓𝑒 (2.3)
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Sendo:
Assim, para uma máquina trifásica, se conhece a potência elétrica total que é
induzida ao rotor pelo entreferro:
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𝑅2 2
𝑃𝑔 = 3 ( )𝐼
𝑠 2 (2.4)
Figura 2.3: Separação teórica das duas parcelas da resistência rotórica referida ao estator.
(1 − 𝑠)𝑅2 2
𝑃𝑚𝑒𝑐 = (1 − 𝑠)𝑃𝑔 = 3 ( ) 𝐼2 (2.5)
𝑠
𝑗𝑋𝑚
̇
𝑉1,𝑡ℎ = 𝑉1̇ ( )
𝑅1 + 𝑗(𝑋1 + 𝑋𝑚 ) (2.6)
̇
𝑉1,𝑡ℎ
𝐼2̇ = (2.8)
𝑅
𝑍1,𝑡ℎ + 𝑗𝑋2 + 𝑠2
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𝑃𝑚𝑒𝑐 (1 − 𝑠)𝑃𝑔 𝑃𝑔
𝑇𝑚𝑒𝑐 = = = (2.9)
𝜔𝑟 (1 − 𝑠)𝜔𝑠 𝜔𝑠
1 3𝑉1,𝑡ℎ 2 (2.10)
𝑇𝑚𝑒𝑐 = [ ]
𝜔𝑠 𝑅2 2 2
(𝑅1,𝑡ℎ + 𝑠 ) + (𝑋1,𝑡ℎ + 𝑋2 )
De acordo com [2], para uma frequência de alimentação alta e mantida constante
a razão entre tensão e frequência de alimentação, a curva de conjugado só depende da
velocidade de escorregamento. Quando alterada a frequência de alimentação, esta curva
apenas se desloca horizontalmente para um novo ponto de velocidade síncrona cruzando
o eixo da velocidade de rotor, como mostra a Figura 2.4.
Figura 2.4: Curvas de torque por velocidade rotórica para diferentes frequências de alimentação do
estator para um motor de quatro polos [2].
Contudo, como pode ser visto na Figura 2.4, a baixas frequências de alimentação
esta característica não se mantém, pelo fato de que a parcela resistiva passa a apresentar
um valor considerável na impedância estatórica, causando uma grande queda de tensão.
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Figura 2.7: Curva de potência mecânica por frequência de alimentação estatórica [3].
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Figura 2.10: (a) Comparação das ondas moduladora e portadora; (b) Tensão de fase de saída
correspondente, entre os pontos 𝑨 e 𝒐 [4].
𝑉̂𝑚𝑜𝑑
𝑚𝑎 = (2.11)
𝑉̂𝑝𝑜𝑟𝑡
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(1) 𝑉𝑐𝑐
𝑉̂𝐴𝑜 = 𝑚𝑎
2 (2.12)
Porém, esta relação linear só é válida para índice de modulação menor ou igual à
unidade. Para valores acima disto, a relação de linearidade deixa de existir, entrando em
uma região conhecida como sobremodulação, conforme ilustrado pelo gráfico da Figura
2.11:
𝑓𝑝𝑜𝑟𝑡
𝑚𝑓 = (2.13)
𝑓𝑚𝑜𝑑
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2 (2.14)
𝑉̂𝑚1 = 𝑉̂𝑝𝑜𝑟𝑡
√3
Este limite pode ser facilmente compreendido, basta analisar as ondas senoidais
de primeiro e terceiro harmônico sincronizadas. A Figura 2.13 mostra estas duas curvas.
2
𝑉̂𝑚1 = 𝑉̂𝑝𝑜𝑟𝑡 .
√3 (2.15𝑏)
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2
𝑣𝑚𝑜𝑑 = 𝑉̂𝑝𝑜𝑟𝑡 sin 𝜔𝑡 + 𝑘𝑉̂𝑝𝑜𝑟𝑡 sin 3𝜔𝑡
√3 (2.16)
𝑑𝑣𝑚𝑜𝑑 2
= 𝑉̂𝑝𝑜𝑟𝑡 cos 𝜔𝑡 + 3𝑘𝑉̂𝑝𝑜𝑟𝑡 cos 3𝜔𝑡 = 0 (2.17)
𝑑𝜔𝑡 √3
2
𝑉̂𝑝𝑜𝑟𝑡 cos 60° + 3𝑘𝑉̂𝑝𝑜𝑟𝑡 cos 180° = 0
√3 (2.18𝑎)
1
𝑘= 𝑉̂𝑝𝑜𝑟𝑡
3√3 (2.18𝑏)
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Figura 2.14: (a) Comparação entre onda portadora e moduladora para alto 𝒎𝒇 ; (b) Tensão de fase
de saída correspondente, entre os pontos 𝑨 e 𝒐.
𝑇𝑆
𝑇𝑜𝑛_𝑄𝐴 = 2𝑡1 +
2 (2.20)
∗
𝑉𝑚𝑜𝑑 𝑇𝑆
𝑡1 = (2.21)
𝑉̂𝑝𝑜𝑟𝑡 4
∗ ∗
𝑉𝑚𝑜𝑑 𝑇𝑆 𝑇𝑆 𝑇𝑆 𝑉𝑚𝑜𝑑
𝑇𝑜𝑛_𝑄𝐴 = 2 ( ) + = (1 + ) (2.22)
𝑉̂𝑝𝑜𝑟𝑡 4 2 2 𝑉̂𝑝𝑜𝑟𝑡
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𝑇𝑜𝑛
𝐷=
𝑇𝑆 (2.23)
∗
𝑇𝑜𝑛_𝑄𝐴 1 𝑉𝑚𝑜𝑑
𝐷𝑎 = = (1 + ) (2.24)
𝑇𝑆 2 𝑉̂𝑝𝑜𝑟𝑡
1
𝐷𝑎(𝑡) = (1 + 𝑚𝑎(𝑡) ) (2.25)
2
1 𝑉𝐴𝑁
𝐷𝑎(𝑡) = + . 𝑠𝑒𝑛(2𝜋𝑓𝑛𝑜𝑚 . 𝑡)
2 𝑉𝐶𝐶 (2.26)
1 𝑉𝐴𝑁
𝐷𝑏(𝑡) = 1 − 𝐷𝑎(𝑡) = − . 𝑠𝑒𝑛(2𝜋𝑓𝑛𝑜𝑚 . 𝑡)
2 𝑉𝐶𝐶 (2.27)
O inversor do tipo fonte de tensão da Figura 2.15 possui seis etapas distintas de
condução envolvendo exclusivamente transistores. A ordem de numeração dos
semicondutores apresentada na Figura 2.15 será seguida durante o restante do texto.
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Logo, torna-se necessário fornecer um caminho para que a corrente circule sem
problemas. Esta é a motivação da presença do diodo posto em antiparalelo a cada uma
das chaves.
Figura 2.17: Manutenção do sentido da corrente de carga no instante do bloqueio do transistor Q1.
Como mostra a Figura 2.17, assim que a chave 1 entra em bloqueio por ordem
do controle, a corrente que antes circulava por ela passa a ser conduzida pelo diodo de
posição inferior no módulo, mantendo o sentido original de circulação em relação à
carga.
Isso nos leva à análise de que o diodo 4 possui um ciclo de trabalho
complementar ao ciclo de trabalho da chave 1, assim como a chave 4 também possui.
Logo, atesta-se que, caso um diodo e uma chave estejam em antiparalelo neste circuito,
estes dois componentes possuirão a mesma razão cíclica; e esta razão será
complementar à razão cíclica da dupla diodo-chave de mesmo módulo.
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3. Projeto
𝑃𝑛𝑜𝑚
𝐼𝑛𝑜𝑚 = = 8,3 𝐴
√3. 𝑉𝑛𝑜𝑚 . 𝐹𝑃. 𝜂 (3.1)
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𝑉𝐶𝐸,𝑚á𝑥 = 700 𝑉
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1 𝑉𝐴𝑁 1 √2𝑉𝑛𝑜𝑚
𝐷𝑎(𝑡) = + . 𝑠𝑒𝑛(2𝜋𝑓𝑛𝑜𝑚 . 𝑡) = + . 𝑠𝑒𝑛(2𝜋𝑓𝑛𝑜𝑚 . 𝑡) (3.3𝑎)
2 𝑉𝐶𝐶 2 √3𝑉𝐶𝐶
Porém, neste ponto, percebe-se que esta equação de razão cíclica possui um
valor máximo maior que a unidade. Como o ciclo de trabalho foi definido como a
parcela de tempo em que um transistor está atuante durante um período, um valor
máximo maior que um implicaria em um absurdo para a aplicação. Além de que, de
acordo com a Equação 2.12, o índice de modulação de amplitude possui um valor igual
a 1,0264, ou seja, atuação na região de sobremodulação.
Para contornar este problema, adotou-se a injeção de terceiro harmônico no
controle dos sinais. Com isso, a expressão da razão cíclica recebeu uma nova parcela,
uma senoide de amplitude 𝐺 e com o triplo da frequência nominal de carga:
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𝑇/2
2
𝐼𝑟𝑚𝑠_𝐼𝐺𝐵𝑇 = √𝑓𝑛𝑜𝑚 ∫ (𝑖𝐶(𝑡) 𝐷𝑎(𝑡) ) 𝑑𝑡 = 5,32 𝐴 (3.6)
0
Corrente de pico:
Embora o valor eficaz seja afetado pelo ciclo de trabalho do transistor, o valor de
pico não é. Logo, trata-se do mesmo valor de pico da corrente nominal de carga.
Corrente média:
Trata-se do valor de corrente média nominal considerando-se o efeito da razão
cíclica.
𝑇/2
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Simbologia Informação do
fabricante
Fabricante: - 𝑆𝑒𝑚𝑖𝑘𝑟𝑜𝑛
Modelo: - 𝑆𝐾𝑀50𝐺𝐵12𝑇4
Tensão máxima de bloqueio: 𝑉𝐶𝐸,𝑚á𝑥 1200 𝑉
Corrente de coletor eficaz (a 25°C): 𝐼𝐶,𝑟𝑚𝑠 50 𝐴
Este dispositivo é do tipo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Este tipo de
transistor é adequado para a atual aplicação, pois apresenta boa operação para potências
na ordem de quilowatts e frequências de chaveamento na ordem de quilohertz.
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Este dissipador possui o seguinte perfil, com todas as dimensões indicadas dadas
em milímetros:
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A expressão para a perda em condução tanto dos módulos IGBTs quanto dos
diodos em antiparalelo às chaves depende dos parâmetros indicados a seguir:
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𝑉𝐶𝐸 = 𝑘4 𝐼𝐶 4 + 𝑘3 𝐼𝐶 3 + 𝑘2 𝐼𝐶 2 + 𝑘1 𝐼𝐶 + 𝑘0 (3.9)
𝒌𝟒 𝒌𝟑 𝒌𝟐 𝒌𝟏 𝒌𝟎
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Figura 3.4: (a) Validação da curva 𝑽𝑪𝑬 𝒙 𝑰𝑪 total obtida por software; (b) Comparação entre curva
de ajuste e curva original 𝑽𝑪𝑬 𝒙 𝑰𝑪 , até 25 A.
A partir de [8], sabe-se que a expressão para a perda para a chave em condução é
dada por:
Sendo:
𝑖𝐶 : Corrente de coletor
𝑉𝐶𝐸,𝑠𝑎𝑡 : Tensão coletor-emissor com o transistor saturado
Pôde-se, então, realizar o somatório das perdas em sua forma integral de acordo
com a Equação 3.11.
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𝑇/2
𝑃𝑐𝑜𝑛𝑑_𝐼𝐺𝐵𝑇1 = 3,48 𝑊
𝑃𝑐𝑜𝑛𝑑_𝐼𝐺𝐵𝑇4 = 3,48 𝑊
Sendo:
𝑖𝐹 : Corrente direta de diodo
𝑉𝐹 : Tensão direta de diodo
𝑡𝑜𝑛 : Tempo em condução do diodo
𝑓𝑛𝑜𝑚 : Frequência nominal de carga
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𝑉𝐹 = 𝑘4 𝐼𝐹 4 + 𝑘3 𝐼𝐹 3 + 𝑘2 𝐼𝐹 2 + 𝑘1 𝐼𝐹 + 𝑘0 (3.14)
𝒌𝟒 𝒌𝟑 𝒌𝟐 𝒌𝟏 𝒌𝟎
−4,5 ∗ 10−6 2,8 ∗ 10−4 −0,0067 0,1052 0,5432
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Figura 3.6: (a) Validação da curva 𝑽𝑭 𝒙 𝑰𝑭 total obtida por software; (b) Comparação entre curva
de ajuste e curva original 𝑽𝑭 𝒙 𝑰𝑭 , até 25 A.
A exemplo do que foi feito para o IGBT, realizou-se a integral das perdas para o
diodo, como mostra a Equação 3.16:
𝑃𝑐𝑜𝑛𝑑_𝐷𝑖𝑜𝑑𝑜1 = 3,79 𝑊
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A razão cíclica utilizada na expressão do diodo deve ser igual à utilizada para a
chave, como apresentado anteriormente, porém com intervalo de tempo de condução
complementar dentro do período, já que estes dois componentes em antiparalelo não
atuam simultaneamente.
Encontrou-se também a perda por condução correspondente ao segundo diodo
pertencente ao módulo:
𝑇/2
𝑃𝑐𝑜𝑛𝑑_𝐷𝑖𝑜𝑑𝑜4 = 3,79 𝑊
Calculadas as perdas em cada IGBT do módulo e nos diodos, as perdas totais por
condução no inversor trifásico foram obtidas.
𝑃𝑐𝑜𝑛𝑑_𝑀ó𝑑 = 14,55 𝑊
𝑃𝑐𝑜𝑛𝑑_𝐼𝑛𝑣 = 43,64 𝑊
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Tensão coletor-emissor
Corrente de coletor
Layout de ligação do barramento CC
Temperatura de junção
Resistores de gate
Tensões de gate
Figura 3.7: Curvas 𝑰𝑪 𝒙 𝑬𝒐𝒏 , 𝑰𝑪 𝒙 𝑬𝒐𝒇𝒇 e 𝑰𝑪 𝒙 𝑬𝒓𝒓 fornecidas pelo fabricante [6].
Como pode ser visto na Figura 3.7, três curvas de energia foram dadas. A curva
𝐸𝑜𝑛 é referente à perda de energia durante a transição para a entrada em condução da
chave; já a curva 𝐸𝑜𝑓𝑓 está ligada à perda de energia durante a transição para o bloqueio
da chave; e a curva 𝐸𝑟𝑟 trata da perda de energia de recuperação reversa no diodo,
devido à descarga de sua capacitância de recuperação.
As duas primeiras curvas citadas, 𝐸𝑜𝑛 e 𝐸𝑜𝑓𝑓 , representam juntas as perdas por
comutação na chave e foram as únicas utilizadas neste tópico. Logo:
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𝐸𝑜𝑛 = 𝑘4 𝐼𝐶 4 + 𝑘3 𝐼𝐶 3 + 𝑘2 𝐼𝐶 2 + 𝑘1 𝐼𝐶 + 𝑘0 (3.21)
𝒌𝟒 𝒌𝟑 𝒌𝟐 𝒌𝟏 𝒌𝟎
5,3 ∗ 10−9 −3,2 ∗ 10−7 8,1 ∗ 10−6 −1,5 ∗ 10−5 9,9 ∗ 10−4
Figura 3.8: (a) Validação da curva 𝑬𝒐𝒏 𝒙 𝑰𝑪 total obtida por software; (b) Comparação entre curva
de ajuste e curva original 𝑬𝒐𝒏 𝒙 𝑰𝑪 , até 25 A.
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Em seguida, o mesmo foi feito para a curva 𝐸𝑜𝑓𝑓 , com polinômio de acordo com
a Equação 3.22 e coeficientes apresentados na Tabela 3.9.
𝐸𝑜𝑓𝑓 = 𝑘4 𝐼𝐶 4 + 𝑘3 𝐼𝐶 3 + 𝑘2 𝐼𝐶 2 + 𝑘1 𝐼𝐶 + 𝑘0 (3.22)
𝒌𝟒 𝒌𝟑 𝒌𝟐 𝒌𝟏 𝒌𝟎
9,2 ∗ 10−10 2,5 ∗ 10−9 −1,7 ∗ 10−6 1,3 ∗ 10−4 −2,3 ∗ 10−5
Figura 3.9: (a) Validação da curva 𝑬𝒐𝒇𝒇 𝒙 𝑰𝑪 total obtida por software; (b) Comparação entre curva
de ajuste e curva original 𝑬𝒐𝒇𝒇 𝒙 𝑰𝑪 , até 25 A.
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700
𝐾𝐶𝐶 = = 1,1667 𝑉/𝑉 (3.24)
600
𝑇/2
𝑃𝑐𝑜𝑚𝑢𝑡_𝐼𝐺𝐵𝑇1 = 11,80 𝑊
𝑃𝑐𝑜𝑚𝑢𝑡_𝐼𝐺𝐵𝑇4 = 11,80 𝑊
Para as perdas por comutação no diodo utilizou-se, então, a terceira curva dada
pela folha de dados, a curva de energia 𝐸𝑟𝑟 . Sua regressão linear segue a forma do
polinômio da Equação 3.27, com coeficientes apresentados na Tabela 3.10.
𝐸𝑟𝑟 = 𝑘4 𝐼𝐶 4 + 𝑘3 𝐼𝐶 3 + 𝑘2 𝐼𝐶 2 + 𝑘1 𝐼𝐶 + 𝑘0 (3.27)
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𝒌𝟒 𝒌𝟑 𝒌𝟐 𝒌𝟏 𝒌𝟎
2,5 ∗ 10−8 −1,7 ∗ 10−6 3,9 ∗ 10−5 −3,0 ∗ 10−4 0,0019
Figura 3.10: (a) Validação da curva 𝑬𝒓𝒓 𝒙 𝑰𝑪 total obtida por software; (b) Comparação entre curva
de ajuste e curva original 𝑬𝒓𝒓 𝒙 𝑰𝑪 , até 25 A.
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𝑇/2
𝑃𝑐𝑜𝑚𝑢𝑡_𝐷𝑖𝑜𝑑𝑜1 = 7,49 𝑊
𝑃𝑐𝑜𝑚𝑢𝑡_𝐷𝑖𝑜𝑑𝑜4 = 7,50 𝑊
𝑃𝑐𝑜𝑚𝑢𝑡_𝑀ó𝑑 = 38,59 𝑊
𝑃𝑐𝑜𝑚𝑢𝑡_𝐼𝑛𝑣 = 115,78 𝑊
𝑃𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙_𝑀ó𝑑 = 53,14 𝑊
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𝑃𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙_𝐼𝑛𝑣 = 159,41 𝑊
A partir dos valores das perdas acima calculados, é viável estimar a eficiência do
uso do conversor no sistema:
𝑃𝑛𝑜𝑚 − 𝑃𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙_𝐼𝑛𝑣
𝜂(%) = . 100%
𝑃𝑛𝑜𝑚 (3.35)
𝜂(%) = 96,46 %
𝑇1 − 𝑇2 = 𝑅𝑡é𝑟𝑚12 𝑃𝑑 (3.36)
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IGBT:
𝑇𝐽_𝐼𝐺𝐵𝑇 − 𝑇𝐶 = 𝑅𝐽𝐶_𝐼𝐺𝐵𝑇 (𝑃𝑐𝑜𝑛𝑑_𝐼𝐺𝐵𝑇 + 𝑃𝑐𝑜𝑚𝑢𝑡_𝐼𝐺𝐵𝑇 ) (3.37)
Diodo:
𝑇𝐽_𝐷𝑖𝑜𝑑𝑜 − 𝑇𝐶 = 𝑅𝐽𝐶_𝐷𝑖𝑜𝑑𝑜 (𝑃𝑐𝑜𝑛𝑑_𝐷𝑖𝑜𝑑𝑜 + 𝑃𝑐𝑜𝑚𝑢𝑡_𝐷𝑖𝑜𝑑𝑜 ) (3.38)
Simbologia Valor
Resistência térmica, Junção-Cápsula - IGBT: 𝑅𝐽𝐶_𝐼𝐺𝐵𝑇 0,53 𝐾/𝑊
Resistência térmica, Junção-Cápsula – Diodo: 𝑅𝐽𝐶_𝐷𝑖𝑜𝑑𝑜 0,84 𝐾/𝑊
Temperatura máxima de projeto - IGBT: 𝑇𝐽_𝐼𝐺𝐵𝑇 125°𝐶
Temperatura máxima de projeto - Diodo: 𝑇𝐽_𝐷𝑖𝑜𝑑𝑜 125°𝐶
IGBT 1: 𝑇𝐶 = 116,9018°𝐶
Diodo 1: 𝑇𝐶 = 115,5189°𝐶
IGBT 4: 𝑇𝐶 = 116,9010°𝐶
Diodo 4: 𝑇𝐶 = 115,5163°𝐶
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𝑇𝐶 = 115,5163°𝐶
Em seguida, partiu-se para o trecho entre a cápsula e o dissipador:
𝑇𝐷 = 112,8594°𝐶
Para as perdas calculadas, esta deve ser a máxima temperatura a ser medida no
dissipador para garantir boa operação, sob as condições de projeto.
2𝑃𝑛𝑜𝑚 𝑡𝐻
𝐶𝑜 = 2 (3.40)
𝑉𝑛𝑜𝑚 − (0,9𝑉𝑛𝑜𝑚 )2
𝐶𝑜 = 2,482 𝑚𝐹
equivalente igual à metade do valor de cada um destes. O valor comercial que melhor
atendeu a esta condição e adotado para a montagem foi 4,7 𝑚𝐹.
Este valor corresponde a um tempo de hold-up de 8,77 𝑚𝑠 (52,5% de um ciclo),
o que ainda é considerado aceitável ao projeto.
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4. Simulação
Ω 𝐻
𝑅 = 24,19 ; 𝐿 = 49,80
𝑓𝑎𝑠𝑒 𝑓𝑎𝑠𝑒
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A Figura 4.3 mostra todos os sinais que compõem o controle da fase 𝑎. Para
facilitar a visualização de todos os sinais, a frequência da onda portadora foi reduzida
para 1,2 𝑘𝐻𝑧 apenas para a produção desta imagem.
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5. Montagem do Protótipo
5.1. Controle
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Além das informações obtidas com o projeto, este código possui refinamentos
para o controle. O primeiro refinamento foi criado devido à característica prática do
descarregamento do banco de baterias conforme passado o tempo em operação do
sistema. Assim, foi atribuída ao código a atualização contínua do índice de modulação
de amplitude (𝑚𝑎 ), a partir do monitoramento da tensão do barramento CC. Com isso,
operando em região linear, a tensão de linha se mantém sempre ajustada ao seu valor
nominal, mesmo com o decaimento da tensão das baterias.
O segundo refinamento se deu para incrementar a curva de ajuste V/f a baixos
valores de frequência, fato já introduzido pela Seção 2.2. Assim, foram criadas novas
retas de ajuste que não passam pela origem, a fim de compensar a queda de tensão na
resistência estatórica do motor, aumentando a tensão de saída do inversor e auxiliando
sua partida em rampa.
Desta forma, no início da operação é possível selecionar em código a curva de
ajuste, entre as várias criadas, em que se deseja operar a baixas frequências. Estas novas
curvas abrangem a região de 0 a 30 Hz (metade da frequência nominal do motor). A
partir de 30 Hz, o controle retorna à reta original, que passa pela origem. A Figura 5.3
ilustra as regiões de operação:
Segundo [13], o ajuste ótimo é a reta de menor incremento que permita a partida
do motor satisfatoriamente. Incrementos maiores que o necessário podem aumentar
demasiadamente a corrente do motor em baixas velocidades, podendo forçar o inversor
a uma condição de sobrecorrente. Por não ser o enfoque do presente trabalho e por
questões de confidencialidade, o código implementado e demais detalhes sobre o
controle são omitidos neste trabalho.
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Sendo:
(1) Capacitores do barramento CC
(2) Módulos IGBT
(3) Barramento CC
(4) Dissipador de calor
(5) Capacitores de snubber
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6. Resultados Experimentais
A Tabela 6.1 reúne os resultados deste primeiro método, onde a segunda coluna
se refere aos valores de tensão esperados em relação à reta original do controle escalar,
que passa pela origem, a fim de evidenciar se realmente ocorre o incremento de tensão
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Tabela 6.1: Dados experimentais e teóricos de tensão de linha para o primeiro método e seu erro
relativo percentual.
15 95 109,9 15,68
30 190 187,2 1,47
45 285 284,2 0,28
60 380 378,6 0,37
𝒄) 𝟔𝟎𝑯𝒛 − 𝟕𝟎𝟎𝑽𝒄𝒄
Figura 6.2: Medições com variação de tensão de barramento CC e frequência de alimentação
constante.
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Tabela 6.2: Dados experimentais e teóricos de tensão de linha para o segundo método e seu erro
relativo percentual.
Simbologia Valor
experimental
Tensão de barramento CC: 𝑉𝐶𝐶 641,3 𝑉
Tensão de linha: 𝑉𝑙𝑖𝑛ℎ𝑎 431,2 𝑉
Corrente de bateria: 𝐼𝐶𝐶 6,1 𝐴
Corrente de linha: 𝐼𝑙𝑖𝑛ℎ𝑎 6,0 𝐴
Frequência de alimentação: 𝑓 60 𝐻𝑧
Temperatura de dissipador: 𝑇𝐷 62,1°𝐶
Figura 6.3: Tensão de linha (amarelo) e corrente de linha (rosa) medidas com o osciloscópio.
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Figura 6.4: (a) Validação da curva de tensão de linha experimental; (b) Amostra de um único
período de tensão de linha.
Tabela 6.4: Amplitude de cada harmônico 𝑽(𝒏) do espectro, em Volts (V) e em porcentagem.
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De posse dos dados da Tabela 6.4 foi possível obter o índice de distorção
harmônica (THD) da tensão, pois seu cálculo apenas utiliza as amplitudes das
componentes para dimensionar o conteúdo harmônico em relação à componente
fundamental. Este índice é encontrado da seguinte maneira:
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Figura 6.6: (a) Validação da curva de corrente de carga experimental; (b) Amostra de um único
período de corrente de carga.
Tabela 6.4: Amplitude de cada harmônico 𝑰(𝒏) do espectro, em Ampères (V) e em porcentagem.
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Assim, a partir dos valores da Tabela 6.5, obteve-se o valor de THD para a
corrente de carga:
A seguir são calculados diversos parâmetros a partir dos dados obtidos até este
ponto:
𝜋
𝐹𝐷 = cos (𝜙𝑉,1 − 𝜙𝐼,1 − 210)
180 (6.3)
𝜋
𝐹𝐷 = cos (−1,6437 − 0,3307 − 210) = 0,80 𝑖𝑛𝑑.
180
60
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(1) (1)
cos(𝜙𝑣 − 𝜙𝑖 )
𝐹𝑃 = (6.5)
√1 + 𝑇𝐻𝐷𝑖2
Sendo:
Tabela 6.6: Relação entre índices de distorção harmônica e expressão para cálculo de fator de
potência.
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FD
𝐹𝑃 = = 0,794 (6.7)
√1 + 𝑇𝐻𝐷𝑖2
353,89
𝑇𝐶 = [(62 + 273,15) + (0,05) ( )] − 273,15 = 67,90°𝐶
3
62
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353,89
𝑇𝐽_𝐼𝐺𝐵𝑇 = (67,9) + (0,53)(0,2875) ( ) = 85,87°𝐶
3
353,89
𝑇𝐽_𝐷𝑖𝑜𝑑𝑜 = (67,9) + (0,84)(0,2125) ( ) = 88,96°𝐶
3
Eficiência (𝜂):
𝑃𝑜𝑢𝑡
𝜂(%) = . 100%
𝑃𝑖𝑛 (6.13)
𝜂(%) = 90,95 %
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7. Discussão e Conclusões
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conversor antigo não apresentou esta característica, isto leva a crer que os sinais de
controle do protótipo ainda não estão em perfeita sincronia durante a operação, pois o
assincronismo é conhecido como a principal causa para ocorrência de harmônicos pares.
Mesmo com o método de cálculo de perdas de condução e comutação tendo sido
realizado corretamente, as perdas medidas se mostraram acima das calculadas (354 a
159 W). O fato de se ter realizado o cálculo de potências de entrada e saída a partir das
leituras de diferentes instrumentos contribui para a discrepância, o ideal seria a
utilização de um único equipamento, chamado analisador de energia. A utilização direta
das curvas de tensão, corrente e energia fornecidas pelos fabricantes para o cálculo das
perdas também contribui para as discrepâncias, pois os componentes utilizados podem
possuir variações em suas características sob as condições exatas realizadas no teste,
como resistor de gate e temperatura ambiente, alterando suas curvas em relação às
curvas de suas folhas de dados.
Na análise térmica foram encontrados valores de junção para os elementos
semicondutores que respeitam a temperatura de projeto estipulada de 125°C. A
temperatura de junção para IGBT e diodo se mostrou abaixo dos 90°C, ou seja, mais de
35°C abaixo do limite. Isto é um indício de que os componentes utilizados no circuito
do inversor possuem superdimensionamento perante esta aplicação, o que já era notado
desde a escolha do módulo IGBT a partir dos esforços calculados. Mesmo com o teste
tendo sido realizado em condições abaixo das nominais, esta grande folga na capacidade
térmica do inversor comprova a não necessidade do uso de ventilação forçada ao
circuito.
Por fim, é importante ressaltar o sucesso de operação deste primeiro protótipo de
inversor, que já possui eficiência superior ao inversor comercial (90,95% a 86,27%) e
mantém o motor atuando em região linear, sem sobremodulação, a partir dos índices
calculados e da injeção de terceiro harmônico no sinal de controle. A constatação acerca
de uma das motivações iniciais de projeto, sobre necessidade ou não de ventilação
forçada no auxílio da dissipação de calor, foi alcançada em resposta favorável. Os
refinamentos atribuídos à lógica do controle escalar contribuem para que o sistema
trabalhe com eficiência em uma larga faixa de frequência. Este protótipo seguirá sendo
aprimorado para que em breve sirva de modelo à criação de outras unidades, que
atenderão aos demais circuitos auxiliares dos dois veículos híbridos de pesquisa.
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8. Bibliografia
[1] FITZGERALD, A.E., KINGSLEY, C., UMANS, S.D., Máquinas Elétricas – Com
Introdução à Eletrônica de Potência, 6ª ed., Bookman, 2008.
[3] WEG, Motores de Indução Alimentados por Inversores de Frequência PWM, Guia
Técnico.
Disponível em: http://ecatalog.weg.net/files/wegnet/WEG-motores-de-inducao-
alimentados-por-inversores-de-frequencia-pwm-027-artigo-tecnico-portugues-br.pdf
Acesso em: 04 jan. 2015.
[5] HELDWEIN, M. L., High Power Rectifiers and Two-Level Inverters – Multi-Phase
Diode Rectifiers and 2L Inverters, Material de aula, Instituto de Eletrônica de Potência,
Universidade Federal de Santa Catarina, Florianópolis, SC – Brasil.
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[14] NORA, B. S., 2012, Retificador Trifásico Associado ao Conversor Boost Aplicado
a Sistema de Geração Eólico, Dissertação de Mestrado, Universidade Federal de Santa
Catarina, Florianópolis, SC – Brasil.
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