El Diodo Semiconductor

TECSUP – PFR Electrónica Analógica
Unidad I
DIODOS SEMICONDUCTORES
1. DIODOS SEMICONDUCTORES
1.1. INTRODUCCIÓN TEÓRICA
La electrónica trata de la teoría y de la aplicación de los dispositivos que

controlan la corriente, en ellos están incluidos los dispositivos de
semiconductor y hasta hace algunos años los tubos de vacío. Los
semiconductores son sólidos, cuya resistividad es intermedia entre la de
los conductores eléctricos y la de los aislantes.
Los transistores, diodos de unión (de juntura), diodos zener, diodos tunel,
circuitos integrados y rectificadores metálicos son ejemplos de ellos; se
utilizan los semiconductores en los computadores, receptores de radio y
TV y en otros equipos electrónicos. Los dispositivos semiconductores
realizan muchas funciones de control; se los puede utilizar como
rectificadores, amplificadores, detectores, osciladores y elementos de
conmutación; algunas de las características que hacen de los
semiconductores un componente muy favorable de la familia electrónica
son las siguientes:
1. Los semiconductores son pequeños y pesan poco, lo que permite la

miniaturización del equipo electrónico; la figura 1.1 ilustra el tamaño
de un transistor antiguo.
Figura 1.1
Un Transistor
1
Electrónica Analógica TECSUP – PFR
2. Los recientes desarrollos han conducido a la microminiaturización; la

figura 1.2 muestra un chip de circuito integrado (CI) que contiene
circuitos en los que hay transistores, resistores, condensadores, el
alambrado y contactos. Este módulo puede realizar las mismas
funciones que antes eran realizadas por tubos de vacío, cuyas
dimensiones eran aproximadamente 100 veces mayores. Los avances
en la tecnología de los circuitos integrados han conducido a que los
nuevos CI superen en muchos aspectos al dispositivo representado en
la figura 1.2. Ahora hay los nuevos LSI (circuitos integrados en gran
escala) que incorporan en un pequeño chip centenares de
transistores, diodos y resistores; y todavía no es previsible el final de
la microminiaturización.
Figura 1.2
Un módulo microminiatura de circuito integrado (CI)
3. Los semiconductores son sólidos; por lo tanto, las posibilidades de

que los elementos vibren son pocas. La vibración de los electrodos en
los tubos de vacío eran causa de perturbaciones microfónicas.
4. Los semiconductores requieren poca potencia e irradian menos calor

que los tubos, no requieren tiempo de calentamiento y funcionan tan
pronto se les aplica la potencia.
5. Los semiconductores son robustos y se les puede construir de modo

que sean invulnerables a las condiciones ambientales externas.
2
1.2. ESTRUCTURA Y PROPIEDADES DE LOS MATERIALES

SEMICONDUCTORES
Los componentes semiconductores se fabrican principalmente de

germanio y de silicio.
Figura 1. 3
Cristal de Silicio: a) Representación en el espacio.
B) Representación en un plano.
Posteriormente, se empezaron a emplear también componentes de

combinaciones de otros elementos, por ejemplo, de galio y arsenio
(arseniuro de galio).
Los átomos se componen del núcleo y de una serie de capas de

electrones concéntricas con él. Estas capas están ocupadas por distinto
número de electrones según cual sea la capa y el elemento químico en
cuestión. Los materiales semiconductores poseen cuatro electrones de
valencia, que son los de la capa más exterior. Cuando los átomos de
germanio y de silicio se unen formando una red cristalina precisan todos
sus electrones de valencia para enlazarse.
Este tipo de enlace se denomina

enlace atómico. Por consiguiente, no
existen en principio electrones libres
en los semiconductores, al contrario
de lo que ocurre en los metales.
Figura 1.4
Conductividad de los Materiales
3
1.3. CONDUCCIÓN DE LA CORRIENTE EN LOS MATERIALES

SEMICONDUCTORES
La figura 1.4 nos muestra que los materiales semiconductores presentan

una conductividad eléctrica menor que la de los metales pero mayor que
la de los aisladores. Por ello, se denominan semiconductores los
materiales como el germanio y el silicio.
Vamos a ocuparnos a continuación del origen de la conductividad de los

semiconductores.
1.4. CONDUCCIÓN INTRÍNSECA
Enfriando un material semiconductor a una temperatura de

aproximadamente -273 ºC puede comprobarse que no conduce la
corriente eléctrica. Este hecho puede explicarse teniendo en cuenta que
en los semiconductores todos los electrones de valencia son precisos para
constituir la estructura cristalina y que por lo tanto, a diferencia de lo que
sucede en los metales no existen electrones libres para la conducción. Si
se calienta un cristal semiconductor puede observarse que el material
empieza a conducir la corriente.
Puede además observarse que al aumentar la temperatura también

aumenta la conductividad del semiconductor. A qué es debida pues la
conductividad que presenta un material semiconductor cuando se
calienta?
Figura 1.5
Rotura de enlaces al calentar un material semiconductor
4
Al calentar el cristal sus átomos dejan de estar en posición de reposo y

empiezan a efectuar movimientos de vibración en todas direcciones.
Debido a ello se rompen algunos enlaces con átomos vecinos, y los
correspondientes electrones de valencia se separan y liberan de sus
átomos. (Figura 1.5).
La conductividad de los semiconductores depende de la temperatura.
Cuando se aplica una tensión a un cristal semiconductor los electrones

liberados se moverán a través del cristal en dirección al polo positivo de la
fuente. En aquellos puntos de los átomos donde se encontraban los
electrones ya liberados faltan las cargas negativas. Estos puntos con
defecto de electrones se denominan huecos. Como ahora la carga
positiva del núcleo atómico es mayor que la del conjunto de sus
electrones resultará que los huecos aparecerán siempre cargados
positivamente. La carga positiva de un hueco es de igual valor absoluto
que la carga negativa del electrón.
Cuando los electrones se mueven a través del cristal bajo la influencia de

la tensión o cuando realizan vibraciones por efecto térmico es posible que
algunos de ellos se encuentren casualmente con huecos. En estos casos
el electrón “llenará” el hueco en cuestión y el átomo correspondiente
volverá a ser eléctricamente neutro. (Figura 1.6).
Figura 1.6
Recombinación de huecos y electrones
Este fenómeno se denomina recombinación, como todo electrón

recombinado ha dejado en algún punto un hueco del que marchó,
también parece que los huecos se muevan a través del cristal en dirección
al polo negativo de la fuente de tensión aplicada (figura 1.7).
5
Para simplificar se supone que también los huecos contribuyen a la

conducción a través del semiconductor.
Corriente de electrones
Corriente de huecos
Figura 1. 7
Desplazamiento de huecos y electrones a través de un cristal al que se ha
aplicado una tensión.
Este tipo de transporte de cargas se denomina conducción por huecos

y se superpone a la conducción por electrones. La conductividad de
un cristal semiconductor puro que puede observarse ya a temperatura
ambiente, se denomina conductividad intrínseca.
La conductividad intrínseca de un cristal semiconductor puro es debida al

calentamiento y depende de la temperatura. A la conducción intrínseca
contribuyen los electrones y los huecos.
1.5. CONDUCCIÓN EXTRÍNSECA
Para la fabricación de componentes semiconductores se precisan

materiales cuya conductividad sea prácticamente independiente de la
temperatura y de valor mucho mayor que la debida a la conducción
intrínseca. Por ello, se introducen en la red cristalina del semiconductor
átomos extraños, llamados impurezas, que tienen o bien tres o bien cinco
electrones de valencia.
La adición de impurezas se llama contaminación. Las figura 1.8 y 1.9

nos muestran una representación esquemática de dos cristales de silicio
contaminado. Las impurezas perturban la estructura uniforme del cristal,
aunque éste permanece eléctricamente neutro.
6
A continuación explicaremos por qué aumenta la conductividad de un

semiconductor con impurezas respecto al no contaminado.
Electrones de mas
Figura 1.8
Cristal de silicio contaminado con arsénico
Figura 1.9
Cristal de silicio contaminado con indio.
Al añadir impurezas pentavalentes, por ejemplo, arsénico, sólo se

precisan cuatro de los electrones de valencia del átomo de arsénico para
formar enlaces con los átomos semiconductores vecinos. El quinto
electrón de valencia puede desprenderse fácilmente del átomo de
arsénico y moverse a través del cristal bajo el influjo de una tensión,
dando lugar a un electrón libre (figura 1.10). Por tanto, al contaminar con
átomos pentavalentes se aumenta la conductividad eléctrica generando
nuevos electrones libres.
7
Mediante adición de impurezas puede aumentarse la conductividad de los

materiales semiconductores. Un semiconductor contaminado con
impurezas pentavalentes se dice que es de tipo n. En los
semiconductores de tipo n la conducción de la corriente es debida
principalmente a electrones.
Núcleos atómicos fijos (positivos)
Figura 1. 10
Semiconductor tipo n.
Núcleos atómicos fijos (negativos)
Figura1.11
Semiconductor tipo p.
Cuando se añaden al silicio átomos extraños, o sea, impurezas,

trivalentes, como por ejemplo indio, no todos los electrones de valencia
del semiconductor quedarán integrados en la estructura cristalina, pues
donde exista una impureza faltará un electrón para formar el cuarto
8
enlace (figura 1.9), lo que también dará lugar a irregularidades en la

estructura cristalina.
Estas imperfecciones debidas a las impurezas tienden a aceptar

electrones, por lo que producirán huecos en el cristal (figura 1.11). Por lo
tanto, las impurezas trivalentes aumentan la conductividad eléctrica
debido a la aparición de huecos. El material semiconductor contaminado
con impurezas trivalentes se dice que es de tipo p.
En los semiconductores de tipo p, la conducción de la corriente es debida

principalmente a los huecos.
La conductividad de un semiconductor debida a la adición de impurezas

se denomina conductividad extrínseca.
En la práctica se contaminan los conductores de modo que la

conductividad intrínseca sea despreciable frente a la extrínseca. Como
esta última es independiente de la temperatura la conductividad de un
semiconductor con impurezas también dependerá muy poco de ella.
1.6. MATERIALES SEMICONDUCTORES E IMPUREZAS
El silicio es el material con el que se construyen actualmente la mayoría

de dispositivos semiconductores; inicialmente se utilizó el germanio en la
fabricación de los transistores y los diodos de unión; sin embargo, hoy día
los dispositivos de germanio constituyen un pequeño porcentaje de la
fabricación de los semiconductores, predomina el silicio, que es menos
sensible al calor.
El germanio (Ge) y el silicio (Si) deben ser altamente purificados antes de

utilizarlos como materiales semiconductores útiles. En su estado natural
(puro) estos semiconductores tienen una conductividad muy baja; es
decir, su resistividad es alta. La conductividad del germanio y de silicio se
pueden aumentar añadiendo cantidades muy pequeñas de ciertas
“impurezas”, la adición de cantidades controladas de impurezas llamada
“dopado”, altera la estructura de los electrones de valencia dentro de los
átomos de estos elementos y les dota de portadores de corriente, que
aumentan su conductividad.
9
1.7. PORTADORES DE CORRIENTE EN UN SEMICONDUCTOR
En un tubo de vacío, los electrones cargados negativamente se

consideran como “portadores” de corriente; este concepto de portadores
de carga negativa debe ser modificada por la adición de portadores de
carga positiva para explicar el flujo de corriente en los diodos
semiconductores y transistores. Los portadores de carga positiva se
llaman “huecos”, se considera que tienen masa, movilidad y velocidad. El
flujo de corriente en los semiconductores se efectúa por el flujo de cargas
negativas (electrones libres) y carga positivas (huecos). Impurezas tales
como arsénico y antimonio aumentan la conductividad del silicio debido al
incremento del número de portadores de carga negativa (N, electrones
libres); por esta razón el silicio que ha dopado con arsénico o antimonio
se llama de “tipo N”. En el silicio de tipo N existen algunos huecos, pero
constituyen la minoría y por consiguiente se llaman “portadores
minoritarios”; el flujo de corriente en el silicio de tipo N se puede
considerar que es debido a los electrones libres, o sea, a los “portadores
mayoritarios”.
Las impurezas tales como indico y galio aumentan la conductividad del

silicio debido al aumento de portadores positivos de carga (P, huecos); el
silicio que ha sido dopado con indio o galio se designa por “tipo P”; en el
silicio tipo P existen algunos electrones libres, pero son portadores
minoritarios. El flujo de corriente en el silicio tipo P se puede considerar
como debido a los huecos, o sea, “portadores mayoritarios”.
Los huecos atraen a los electrones libres, cuando se encuentran un

electrón libre y un hueco, el electrón “llena” el hueco, neutralizando su
carga. Se dice que el electrón libre se combina con el hueco; en este
proceso, tanto el hueco como el electrón libre desaparecen como
portadores de corriente; cuando esto ocurre se forman nuevos portadores
de corriente en otros puntos del semiconductor. El movimiento de los
portadores de corriente se puede controlar aplicando la tensión de una
batería VAA a las caras paralelas del semiconductor (figura 1.12).
10
Figura 1.12
El movimiento de los electrones libres y huecos.
Los huecos existentes en el silicio tipo P son repelidos por el terminal

positivo de VAA y se mueven hacia el terminal negativo. Los electrones
libres entran en el silicio desde el terminal negativo de VAA y se mueven
hacia los huecos, entonces tienen lugar las combinaciones de los
electrones libres y los huecos; y mientras se forman estas combinaciones
son liberados más electrones móviles y huecos en el silicio desde un par
electrón hueco. Los electrones liberados se mueven hacia el terminal
negativo. Continúa teniendo lugar la recombinación y liberación, por lo
que se mantiene un flujo constante de corriente en el circuito externo.
1.8. FUNCIONAMIENTO DE UN DIODO SEMICONDUCTOR DE UNIÓN
Cuando se unen el silicio de tipo P y el silicio de tipo N como en la figura

1.13 se crea un diodo de unión (o de juntura).
Figura 1.13
Diodo de Juntura.
Este dispositivo de dos elementos tiene una característica peculiar: la

corriente puede pasar fácilmente en un sentido pero no en el otro.
11
Apliquemos la teoría de los portadores negativos y positivos a este diodo

para explicar esta característica, consideremos en primer lugar el efecto
de conectar una batería VAA en paralelo con este diodo con la polaridad
indicada en la figura 1.14.
Figura 1. 14
Flujo de corriente en un diodo de juntura. Polarización directa.
Los electrones libres entran en el silicio de tipo N por el terminal negativo

de VAA , a su vez éstos repelen a los electrones libres en el silicio de tipo N
y estos electrones libres se mueven hacia la unión PN. Los huecos son
repelidos en el silicio de tipo P por el terminal positivo de la batería y se
mueven también hacia la unión PN, donde tiene lugar la combinación de
los electrones libres y huecos.
Tales portadores de corriente desaparecen en estas condiciones, pero son

reemplazados por nuevos portadores de corriente que resultan de la
separación de los pares electrón - hueco.
Los electrones libres creados en el silicio tipo P son atraídos por el

terminal positivo y fluyen en el circuito exterior, como lo muestra la
figura. El proceso es continuo y el flujo de corriente se mantiene; por otra
parte, si se aumenta VAA, aumenta el flujo de corriente en el diodo. La
conexión del terminal negativo de la batería al silicio de tipo N y el
terminal positivo al silicio de tipo P origina el flujo de corriente y es lo que
se llama “polarización directa”. A causa del flujo de corriente, cuando la
conexión se hace de esta manera, se dice que el diodo tiene una baja
resistencia directa.
La conexión con polarización inversa está representada en la figura 1.15.
12
Figura 1.15
Efectos de la polarización inversa sobre un diodo de unión.
El terminal positivo de la batería atrae a los electrones libres en el silicio

de tipo N separándolos de la unión PN. El terminal negativo de la batería
atrae a los huecos en el tipo P y los separa de la unión PN. De aquí que
no haya combinaciones de electrones libres y huecos, así la mayoría de
los portadores de corriente existentes en el diodo no mantienen el flujo
sobre la corriente. En esta conexión con polarización inversa hay una
pequeña corriente en el diodo, corriente que se debe a los portadores
minoritarios, es decir a los huecos en el tipo N y a los electrones libres en
el tipo P.
Para los portadores minoritarios la polaridad de la batería mantiene el

flujo de corriente, sólo fluyen algunos microamperios de corriente a
consecuencia de los portadores minoritarios.
Esto está representado por las flechas dibujadas en la línea de trazos en

la figura 1.15. La conexión con polarización inversa da lugar a una alta
resistencia inversa en el diodo.
Existe un límite no sólo para la polarización directa, sino también para la

tensión de polarización inversa que se puede aplicar al diodo. Si de
aumenta la polarización directa o la polarización inversa más allá de su
valor límite, hay un brusco aumento de corriente directa o inversa,
respectivamente. Este aumento puede deteriorar definitivamente el diodo.
La figura 1.16 es el símbolo de circuito de un diodo semiconductor.
13
Figura 1.16
Símbolo de diodo semiconductor.
El terminal marcado como “ánodo” está conectado al material de tipo P,

mientras que el marcado como “cátodo” está conectado el material de
tipo N.
En la figura 1.14 se ve que para mantener el flujo de corriente en este

diodo, el terminal positivo de la batería debe ser aplicado al ánodo y el
terminal negativo al cátodo en la disposición de polarización directa.
1.9. CARACTERÍSTICA DIRECTA TENSIÓN – CORRIENTE
La característica tensión - corriente (o voltamperio) de un diodo es un

gráfico que muestra cómo varía la corriente en el diodo cuando se le
aplica la tensión; experimentalmente esto se puede determinar midiendo
la corriente en el diodo cuando se le aplican tensiones cada vez más altas
y dibujando un gráfico de la corriente en función de la tensión.
Observará que fluye muy poca corriente en el diodo cuando los niveles de
la tensión aplicada son bajos; así por debajo de una polarización directa
de 0.7 V, un diodo de silicio absorbe poca corriente.
Con tensiones de polarización directa iguales o más altos que 0.7V,

aumentos más pequeños de la tensión de polarización directa dan por
resultados grandes aumentos de la corriente en el diodo.
La figura 1.17 es una característica típica directa de tensión – corriente

para un diodo de silicio.
14
Figura 1.17
Característica directa tensión – corriente de un diodo de silicio de juntura.
La tensión de polarización directa necesaria para que los diodos de silicio

conduzcan es típicamente 0.7 V , y para diodos de germanio es 0.3 V. En
un diodo semiconductor que está polarizado en sentido directo la
corriente aumenta cuando aumenta la tensión ánodo - cátodo pero existe
un límite de la corriente que puede fluir con seguridad a través de un
diodo. Pasado este límite, el diodo se calienta excesivamente y se
destruye.
Cuando el diodo está polarizado en sentido inverso, la pequeña corriente

debido a los portadores minoritarios se mantiene relativamente
constante; es decir, independiente de la tensión de polarización hasta una
cierta tensión.
Pasado este nivel de seguridad de la polarización inversa, tiene lugar un

fenómeno llamado “ruptura de avalancha” cuando la sobrecorriente es
grande, lo cual puede destruir al diodo. Por lo tanto, un diodo debe
funcionar dentro de esto dos límites de seguridad. Los límites de
funcionamiento seguro serán especificados normalmente por el fabricante
bajo la designación de máxima tensión directa (VFM) y máxima tensión
inversa (VRM). La corriente directa (IFM) también puede estar especificada.
15
1.10. EL DIODO DE JUNTURA COMO INTERRUPTOR
Una vez que un diodo de unión es puesto en el estado de conducción,

actúa lo mismo que un interruptor cerrado, la corriente en el circuito que
contiene al diodo está limitada aparentemente sólo por la resistencia
externa del circuito. Un diodo polarizado inversamente no permite que
fluya corriente; actúa como un interruptor abierto.
La analogía del interruptor es solo aproximadamente cierta. Consideremos

un interruptor cerrado; la resistencia medida entre los contactos de un
interruptor cerrado es nula, mientras un diodo en conducción tiene una
resistencia directa medible RF; es cierto que RF es pequeña y puede ser
despreciada en muchas aplicaciones, pero existe.
Consideremos ahora un interruptor abierto, la resistencia entre los

contactos de un interruptor abierto es infinitamente grande, y un
interruptor abierto no permite el paso de corriente; sin embargo, un diodo
de unión polarizado inversamente permite que pase por él alguna
corriente. Por consiguiente, aunque su resistencia inversa RR es muy
grande, no es infinita. Sin embargo, como aproximación, resulta útil a
menudo comparar la acción de un diodo de juntura con la de un
interruptor.
1.11. PRUEBA DE UN DIODO SEMICONDUCTOR CON UN OHMETRO
La verificación de resistencia se puede utilizar como prueba aproximada

de funcionamiento del diodo semiconductor, recordemos que la polaridad
de los terminales de la batería contenida en un Ohmímetro está marcada
en los conductores del Ohmímetro. En la figura 1.18, el conductor A es
positivo y el conductor B es negativo.
Figura 1. 18
Polaridad de los terminales del Ohmetro
16
La prueba con el Ohmímetro de un diodo que funciona normalmente

revelará que el diodo tiene una baja resistencia directa y una alta
resistencia inversa; así pues, si el terminal positivo del Óhmetrro (A en la
figura 1.18) se conecta al ánodo de un diodo y el terminal negativo (B) al
cátodo, el diodo estará polarizado directamente. La corriente fluirá y el
diodo medirá baja resistencia. Por otra parte, si se invierten los terminales
del Ohmímetro, el diodo estará polarizado inversamente; fluirá muy poca
corriente y el diodo medirá una resistencia muy alta.
Si un diodo semiconductor presenta una resistencia directa muy baja y

una resistencia inversa baja, lo probable es que esté deteriorado; por otra
parte, una resistencia directa inusualmente alta o infinita indica que un
diodo está abierto.
1.12. IDENTIFICACIÓN DEL ÁNODO Y DEL CÁTODO DE UN DIODO
El extremo del cátodo de un diodo suele estar marcado por una banda
circular o por un signo (-); si el diodo no está marcado, es fácil
determinar por una prueba de resistencia cuál es el ánodo y cuál es el
cátodo. Primero se determina la polaridad de los conductores o terminales
del Ohmímetro probando con un Voltímetro en paralelo con las terminales
del Ohmímetro. Luego se determina la posición de los terminales del
Ohmímetro que mide la resistencia directa del diodo.
En esta posición se conecta el terminal positivo del Ohmímetro al ánodo y

el terminal negativo al cátodo.
1.13. FUNCIÓN DE RESISTENCIA DE UN OHMÍMETRO EN BAJA

POTENCIA
En un ohmímetro no electrónico, como el del a figura 1.18 la tensión de la

batería es 1.5 V o más; por consiguiente, puede polarizar en sentido
directo a un diodo de juntura de silicio con una tensión más alta de 0.7 V,
que es la requerida para la conducción. Análogamente, puede polarizar en
sentido directo a un diodo la juntura de germanio con una tensión más
alta de 0.3 V, que es la necesaria para la conducción. Esta es la razón de
que sea posible hacer las pruebas de ohmímetro de los diodos
semiconductores antes mencionados; sin embargo, en el diagnóstico de
averías de algunos circuitos de semiconductor se utilizan ohmímetros
electrónicos de baja potencia (LP) cuya tensión entre terminales es menor
de 0.7 V ó 0.3 V.
17
La función de resistencia en baja potencia (LP) de este tipo de ohmímetro

no se puede utilizar para medir la resistencia directa de un diodo, ni
tampoco puede ser utilizado para identificar el ánodo y el cátodo de un
diodo. Afortunadamente, el fabricante provee la función normal de
resistencia (normal/ohms). Las pruebas de resistencia de un diodo
semiconductor se pueden hacer utilizando la función normal – ohms del
medidor.
2. CIRCUITOS RECTIFICADORES
Las tensiones y las corrientes de C.C. y de C.A. sirven para satisfacer los
requisitos de potencias de una amplia variedad de dispositivos
electrónicos. A causa de que es más eficiente y económica en lo que
respecta a la transmisión, las compañías suministradoras distribuyen la
potencia o energía de C.A.; esto hace necesario la rectificación (cambio)
de la C.A. en tensiones y corrientes de C.C. La corriente continua circula
en un solo sentido; el diodo con características unidireccionales de
corriente es idóneo para realizar la rectificación, ya que permite que la
corriente circule (fluya) en un solo sentido; el tipo rectificador que más se
utiliza es el de silicio.
2.2. RECTIFICADOR DE SILICIO DE UNIÓN DIFUSA
Los rectificadores de silicio de unión difusa se fabrican difundiendo

cantidades controladas de “impurezas” en delgadas pastillas o galletas de
silicio; el resultado es un rectificador altamente fiable que puede
funcionar a temperaturas altas (175 ºC), soportar tensiones de ruptura de
polarización inversa altas y pueden funcionar con corriente directa muy
altas.
Un rectificador ideal actúa como un interruptor cerrado de resistencia nula

cuando está polarizado en sentido directo y como interruptor abierto de
resistencia infinita cuando está polarizado inversamente; aunque este
ideal no es realizable, el rectificador de silicio se aproxima a él.
La figura 1.19 representa la característica tensión - corriente de un

rectificador de silicio.
18
Figura 1.19
Característica Tensión – Corriente de un rectificador de silicio.
Cuando está directamente polarizado, el rectificador presenta una

resistencia directa RF extremadamente baja. El gráfico muestra que
cuando hay 0.6 V entre los terminales del diodo, este permite el paso de
una corriente de 0.2 A para una resistencia directa RF = 0.6/0.2 = 3Ω.
Cuando hay 0.8V entre sus terminales, la corriente es 0.8A para

una RF = 0.8/0.8 = 1Ω. La resistencia directa disminuye cuando aumenta
la corriente en el diodo.
La característica de polarización inversa es igualmente reveladora, ahora

el eje de corriente está graduado en microamperios y el eje de
polarización inversa está graduado en divisiones de 100 V; en 3000 V hay
aproximadamente 0.4A de corriente, para una resistencia inversa de:
RR = 300 = 750 M Ω
0.4 x 10-6
19
En 500 V:
RR = 500 = 62,5 M Ω
8 x 10-6
Aunque el rectificador de silicio presenta más tolerancia térmica que los

semiconductores fabricados con otros materiales, no deja de ser sensible
al calor. El gráfico de la figura 1.19 es la característica de un rectificador
de silicio en 100 ºC. Si la temperatura de la unión aumenta, la tensión
directa disminuye; si la temperatura de la unión disminuye, la tensión
directa aumenta. Si se excede la máxima temperatura de funcionamiento,
que ordinariamente es 175 ºC el rectificador fallará. Para evitar un calor
excesivo en la unión del rectificador se utilizan radiadores o disipadores
de calor; estos disipan el calor desarrollado y garantizan que el
funcionamiento esté exento de perturbaciones.
2.3. ESPECIFICACIONES DEL RECTIFICADOR DE SILICIO
Las características del rectificador ordinariamente facilitadas por el

fabricante incluyen:
1. La tensión inversa de cresta (PIV) que es la máxima tensión de

polarización inversa que se puede aplicar a un rectificador sin que se
deteriore.
2. La máxima entrada de tensión de onda senoidal (eficaz).
3. La corriente media directa rectificada en media onda con carga

resistiva, a temperatura especificada.
4. La corriente directa de cresta recurrente a temperatura especificada.

5. La máxima tensión directa con valores especificados de corriente y
temperatura.
6. La máxima corriente inversa con tensión máxima inversa.
7. La temperatura de funcionamiento y almacenamiento.
8. Un factor de degradación para determinar la intensidad de la corriente

a través de un rectificador con una temperatura dada.
20
Las características de un rectificador de silicio, tales como la máxima

corriente que puede soportar con seguridad, la máxima polarización
inversa (PIV) y la máxima tensión eficaz de entrada están determinadas
por su construcción y sus dimensiones. Hay una amplia gama de
rectificadores de silicio que pueden entregar corrientes de carga desde
200 hasta 1000 A, cuyas especificaciones de PIV varían desde 100 hasta
más de 1000 V. Estos rectificadores se pueden conectar en paralelo para
satisfacer requisitos de mayor corriente de carga, o en serie para
aumentar la capacidad de PIV de un apilamiento de diodos.
Los rectificadores de silicio se fabrican en varias formas y tamaños

incluyendo el pequeño tipo sin rebordes con dos conductores axiales
(como los diodos de germanio) (figura 1.20 a), el tipo de un solo terminal
con sombrerete (figura 1.20 b) y el tipo montado en espárrago (figura
1.20 c). Los tipos a y b se conectan en el circuito como un resistor o un
condensador; el tipo c se atornilla en un chasis metálico de modo que
éste sirva como radiador de calor del rectificador.
Figura 1.20
Tipos de rectificador de silicio
2.4. RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA
Consideremos el circuito de la figura 1.21.
Figura 1. 21
Rectificador diodo
21
Es aplicada una tensión eficaz senoidal de 6,3v entre los terminales del
diodo conectado en serie D1 y el resistor de carga R1. Durante la
alternancia positiva el ánodo es positivo con respecto al cátodo y fluye la
corriente; durante la alternancia negativa no hay corriente a causa de que
el ánodo es negativo respecto al cátodo.
Es evidente que el paso de la corriente por el diodo producirá una caída

de tensión en R1, resistor de carga conectado en serie, por otra parte,
como la variación de la corriente seguirá a la variación de la tensión de
entrada, la tensión de salida Vsalida entre los extremos de R1 seguirá la
alternancia positiva que origina la corriente.
La figura 1.22 muestra las formas de onda Vent y Vsalida; observe que la
tensión de salida ya no es una tensión de c.a, sino una tensión de c.c.
pulsatoria.
v entrada
v salida
Figura 1.22
Formas de onda de rectificador
El diodo puede ser, pues, comparado con una válvula que solamente se
abre cuando su ánodo es positivo con respecto al cátodo. El diodo tiene
una resistencia interna (su resistencia directa), que está en serie con la
línea y con el resistor de carga RL; por lo tanto, el diodo puede ser
reemplazado con una resistencia equivalente RF y la tensión eficaz de
línea con un generador que produzca alternancias positivas
periódicamente (figura 1.23).
22
Figura 1.23
Circuito equivalente de rectificador
La tensión Vsalida entre los extremos de RL será pues una alternancia

positiva, lo mismo que la tensión de entrada Vent, pero menor que Vent
(figura 1.24).
Figura 1.24
Formas de onda de un circuito equivalente
La resistencia interna directa RF del rectificador diodo debe ser pequeña

para obtener la máxima salida Vsalida entre los extremos de RL, esta
resistencia depende del tipo de diodo utilizado. Cuando más alta sea la
especificación de corriente del diodo de estado sólido, menor será la
resistencia interna RF del diodo rectificador. La caída de tensión en éste
estará limitada normalmente a 0,7v aproximadamente.
El proceso por el cual el diodo conduce durante una alternancia del ciclo
de entrada se llama rectificación de media onda.
2.5. RECTIFICACIÓN DE ONDA COMPLETA
Es posible rectificar ambas alternancias de la tensión de entrada

utilizando dos diodos en la disposición de circuito de la figura 1.25.
23
Figura 1.25
Rectificador de Onda completa
Supongamos que haya aplicado una tensión eficaz de 6,3v (18v p-p) al
circuito; supongamos también que estén conectados en paralelo con la
fuente de c.a. dos resistores de iguales valores conectados en serie , R.
Los 18v p-p aparecen en paralelo con los dos resistores entre los puntos
A y C, C es el punto medio eléctrico entre A y B; así, aparecen 9v p-p
entre los extremos de cada resistor.
En cualquier instante durante un ciclo de Ventrada, el punto A es positivo

con respecto a C y el punto B es negativo con respecto a C. Cuando A es
negativo con respecto a C, el punto B es positivo con respecto a C. La
tensión efectiva en la fase correcta de tiempo que cada diodo “ve” está
representada en la figura 1.26. Las tensiones respectivamente aplicadas
a los ánodos de cada diodo son iguales, pero de polaridades opuestas en
cualquier instante dado.
Figura 1.26
Formas de onda de un rectificador de Onda completa.
24
Cuando A es positivo con respecto a C, el ánodo de D1 es positivo con

respecto a su cátodo; por lo tanto D1 conducirá pero D2 no conducirá.
Durante la segunda alternancia, B es positivo con respecto a C; el ánodo
de D2 es, pues, positivo con respecto a su cátodo y D2 conduce mientras
que D1 está en corte. Por tanto, hay conducción, ya sea por D1 o por D2,
durante todo el ciclo de la tensión de entrada.
Puesto que los dos diodos tienen un resistor de carga de cátodo común
RL, la tensión de salida entre los extremos de R1 será el resultado de la
conducción alternada de D1 y D2. La forma de onda de salida Vsalida
entre los extremos de RL en la figura 1.26 no tiene, pues, interrupciones
o descontinuidades como en el caso de rectificador de media onda.
La salida de un rectificador de onda completa es también una corriente

continua pulsatoria. En el esquema de la figura 1.25 son necesarios los
dos resistores iguales R, en paralelo con la tensión de entrada, para
obtener un punto medio de tensión C en la conexión del circuito. Observe
que el resistor de carga RL está conectado entre los cátodos y su punto
central de referencia.
Un hecho interesante relacionado con la forma de onda de salida Vsalida

es que la amplitud de cresta no es 9v como en el caso de rectificador de
media onda aunque se utilice la misma fuente de alimentación, sino
menor que 4,5v. Naturalmente, la razón es que la tensión positiva de
cresta de A con respecto a C es 4,5V y parte de los 4,5V se pierden en R.
Aunque el rectificador de onda completa de la figura 1.25 llena las

descontinuidades de conducción, entrega menos de la mitad de la tensión
de cresta de salida que se obtiene en la rectificación de media onda.
2.6. RECTIFICADORES DE MEDIA ONDA Y DE ONDA COMPLETA

ALIMENTADOS POR TRANSFORMADOR
La figura 1.25 no es un circuito práctico de rectificación para fuente de

alimentación de onda completa a causa del uso de los dos resistores con
toma central R. La caída de tensión en R, cuando su diodo respectivo está
conduciendo, se resta de la tensión Vsalida y reduce la tensión de salida;
por otra parte, los requisitos de tensión y de corriente de c.c. de los
circuitos electrónicos pueden variar, dependiendo de los dispositivos
utilizados en el circuito, la potencia consumida y de otros factores; dichos
requisitos determinan el diseño de la fuente de alimentación del
dispositivo.
25
Los dispositivos de estado sólido requieren generalmente suministros de

baja tensión y alta corriente, los circuitos de tubo de vacío requieren en
cambio suministros de alta tensión y baja corriente. El componente que
hace posible diseñar fuentes de alimentación únicas para estos diversos
requisitos es el transformador de potencia, los transformadores de
potencia se construyen con un arrollamiento primario y uno o más
arrollamientos secundarios aislados. El arrollamiento primario es
alimentado por la línea o red e energía; el arrollamiento secundario es
elevador de tensión o bien reductor. La figura 1.27 es el esquema de un
transformador de potencia reductor con toma central en el secundario.
Figura 1.27
Transformador como toma central.
En el circuito de la figura 1.28 se muestra cómo está conectado T1 en un

circuito rectificador de onda completa.
Figura 1.28
Rectificador experimental de onda completa.
Los ánodos de los diodos rectificadores D1 y D2 son alimentados por las

tensiones secundarias AC y BC, respectivamente. Como C es la toma
central, cada ánodo de diodo recibe una tensión eficaz de 13v
(supongamos un transformador de 120v/26v con toma central).
26
El resistor de carga RL está conectado entre la unión de los cátodos de

D1 y D2, punto D y la toma central del arrollamiento secundario, punto C.
La tensión de salida aparece entre los extremos de RL.
Cuando se aplica la potencia al primario de T1 y se cierran los

interruptores S2 y S3, D1 y D2 funcionarán conjuntamente como
rectificador de onda completa. Cada diodo “ve” solamente la mitad de la
tensión que aparece entre los terminales del secundario y cada diodo
conduce alternativamente.
Cuando se cierra S2 pero S3 está abierto, D1 actúa como rectificador de

media onda. Un inconveniente del circuito de la figura 1.26 era la pérdida
de tensión en R; en la figura 1.28, R no es necesario en virtud de la toma
central en el secundario del transformador, la resistencia de c.c. entre la
toma central y uno cualquiera de los arrollamientos secundarios es muy
baja y por lo tanto, la caída de tensión en esta resistencia es
despreciable.
La fuente de alimentación con transformador tiene una ventaja con

respecto al circuito sin transformador: Su tensión de salida está aislada de
la línea y no hay conexión directa entre el arrollamiento primario (línea) y
el arrollamiento secundario. La transformación de la c.c. pulsatoria
(obtenida a la salida del rectificador) en una tensión de c.c. constante se
consigue por medio de redes de filtro.
2.7. FUENTES DE PODER POR TRANSFORMADOR Y FILTRO
La rectificación de la corriente alterna para convertirla en corriente

continua pulsante se consigue con el circuito de la figura 1.29.
60 Hz
Figura 1. 29
Salida no filtrada del rectificador de onda completa.
27
Los impulsos son alisados por redes de filtros, los condensadores, las
bobinas de choque (o simplemente choques) y los resistores son
elementos del filtro. La eficacia de un condensador como filtro está
relacionada con su capacidad y su reactancia; cuanto mayores son las
capacidades, mayor será la acción del filtro. La acción del filtro de choque
está relacionada con su inductancia.
2.8. FILTRO DE ENTRADA POR CONDENSADOR
Consideremos el circuito de la figura 1.30.
Figura 1.30
Efecto del condensador de filtro sobre la salida
del rectificador de onda completa
Un condensador electrolítico C1 sustituye al resistor de carga R del circuito

precedente. C1 se carga alternativamente a través de cada sección diodo
cuando los diodos conducen durante las alternancias en que sus ánodos
son positivos con respecto al cátodo común; la polaridad de la tensión
desarrollada en C1, que se carga hasta la tensión de cresta de entrada,
hace que el cátodo sea positivo con respecto a la masa. No hay camino
alguno por el cual se pueda descargar el condensador, no siendo a través
de su propia resistencia de fuga en paralelo, que ordinariamente es muy
elevada; por lo tanto, C1, mantiene una alta tensión de c.c. positiva que
polariza eficazmente a ambos rectificadores poniéndolos en estado de
corte.
Los diodos rectificadores sólo conducen durante las crestas de las

alternancias positivas de la tensión de c.a. de entrada reemplazando a la
pequeña carga que C1, ha perdido durante el intervalo de descarga. Un
osciloscopio conectado en paralelo con C1, presentará visualmente una
tensión de c.c. relativamente constante con un rizado apenas apreciable.
28
Un EVM en paralelo con C1, medirá una tensión de c.c. aproximadamente

igual al valor de cresta de la tensión de c.a. de entrada en cada
rectificador.
Si se conecta un resistor R en paralelo con C1, (figura 1.31), es aplicada a

la carga de tensión de c.c. rectificada y filtrada. R. Absorbe corriente de la
fuente, y el valor de R determina la intensidad de la corriente absorbida.
Como los rectificadores todavía están en corte durante una gran parte del
ciclo de entrada, la corriente absorbida por la carga es realmente
suministrada por C1, el cual se descarga a través de R; si la corriente de
carga es intensa; es decir, si la resistencia de R es relativamente baja, la
tensión c.c. de salida disminuye apreciablemente durante el ciclo de
descarga y aumenta durante el intervalo en que C1, se está cargando a
través de los rectificadores. La tensión de salida Vsalida ya no es una
tensión constante, sino que varía entre un valor máximo y uno mínimo de
la manera representada en la figura 1.30 c. Esta variación de la carga del
condensador es la ondulación o rizo que se observa en un osciloscopio
entre los terminales de C1; si se sustituye C1 por un condensador de
capacidad más alta, la ondulación disminuye. La tensión de c.c. medida
con un EVM es menor con carga que sin ella.
Para aplicaciones de baja corriente de carga, el filtro capacitivo de la

figura 1.30 b debe ser adecuado para mantener un nivel de c.c.
relativamente constante; para corrientes de carga mayores se requiere un
filtro más eficaz si se desea una tensión de salida exenta de ondulación.
La figura 1.31 es el esquema de un filtro más eficaz; se ha añadido a C1
una bobina de choque L y otro condensador electrolítico C2
Figura 1.31
Rectificador de onda completa con filtro del tipo pi.
La tensión c.c. de salida Vsalida entre los terminales de C2 que se designa

VPG es aplicada ahora a R; el efecto de C1 , L y C2 , es mejorar la acción de
29
filtraje aumentando la carga almacenada en estos componentes reactivos.

Una corriente de carga derivada de estos suministros tendrá menos
ondulación en la salida que la producida por una carga equivalente en la
salida de la figura 1.30 b. Este filtro se llama de tipo PI porque su
configuración se asemeja a la forma de la letra griega. A causa de que el
primer elemento de filtro es el condensador C1, se le denomina filtro de
entrada por condensador.
Una característica de este tipo de filtro es que proporciona la máxima

tensión de salida a la carga. Como se necesitan condensadores grandes
C1 y C2 son electrolíticos conectados con la polaridad indicada; el máximo
valor del condensador de entrada que se pueda utilizar en un rectificador
en condiciones de seguridad es ordinariamente especificado en las
instrucciones o manual del fabricante.
La resistencia de los arrollamientos del choque con núcleo de hierro L en

serie con el resistor R constituye el divisor de tensión c.c. La tensión de
c.c. VPG entre el punto P y tierra es pues, menor que la tensión VAG desde
A hasta masa; la cuantía en que es menor está determinada por la
corriente IL en L y la resistencia RL de L, a causa de que la caída de
tensión de c.c. VAP en L es igual a IL x RL , la relación es:
VAG - VAP = VPG
Para corrientes de carga mayores se requiere una inductancia grande con

baja resistencia interna; la inductancia de choque con núcleo de hierro
está relacionada directamente con su efectividad como elemento de
filtro. Una característica del choque es que se opone a las variaciones de
tensión. El filtro tiende a promediar o alisar los impulsos recortando las
crestas y llenando los valles, suministrando así una tensión relativamente
constante a la carga.
La salida de tensión de c.c. se designa por + V; el valor de + V depende

de la tensión de c.a entre los extremos del secundario de alta tensión, de
las dimensiones del condensador de filtro, del choque y del valor de la
corriente de carga.
En vacío o sin carga, la tensión c.c. de salida es aproximadamente igual a

la tensión de cresta de cada arrollamiento secundario del transformador,
es decir, desde cualquier ánodo hasta el punto común. Ordinariamente se
utiliza un resistor RC en lugar del choque como elemento de filtro; la
figura 1.32 ilustra este tipo de filtro.
30
Figura 1.32
Resistor Rc utilizado en el filtro de tipo PI
Debe tenerse en cuenta que un resistor no es un componente de filtro tan

eficaz como un choque, por tanto, si los requisitos del circuito o bien las
consideraciones de costo sugieren el uso de un resistor en lugar de un
choque, será necesario utilizar condensadores de filtro C1 y C2 de mayor
capacidad para compensar la ausencia del choque.
Para dispositivos de estado sólido que requieren tensiones bajas, se

emplean fuentes reguladas o fuentes de alimentación con filtros CRC de
tipo PI tales como el representado en la figura 1.32. Para las fuentes
filtradas CRC no es inusual encontrar condensadores de 5000 a 1000 µF.
Para tensiones más elevadas se emplean normalmente fuentes de

alimentación con filtros CLC del tipo PI; los valores de los condensadores
en los filtros CLC son de 50 a a100 µF aproximadamente. Los filtros CRC
no se diseñan para suministros de alta tensión a causa de que los
condensadores electrolíticos de muy alta tensión son voluminosos y caros;
los condensadores electrolíticos de baja tensión son más baratos y menos
voluminosos.
2.9. REGULACIÓN DE TENSIÓN
Si la fuente de alimentación funciona a una tensión próxima a la de

cresta, su regulación de tensión será mala; para conseguir mejor
regulación debe ser absorbida una mínima corriente de la fuente en todo
instante.
La regulación de una fuente es un índice de cómo varía la tensión de

salida V cuando está cargada; la fórmula que da el porcentaje de
regulación es:
31
max
Porcentaje de regulación = 100 x V Vmin
-------------------
Vmin
Donde Vmax es la tensión sin carga y Vmin es la tensión a plena carga.
La regulación se mejora mediante el uso de un resistor de drenaje RB

(figura 1.33).
vsalida
Figura 1.33
Fuente de alimentación con resistor de drenaje RB
Este proporciona una corriente de drenaje en todas las condiciones de

carga. RB también descarga rápidamente a C1 y C2 cuando se corta la
potencia; de otro modo, estos condensadores podrían ser un riesgo de
conmoción por conservar su carga durante intervalos largos de tiempo
después de desconectados. Para obtener buena regulación, la corriente
de drenaje debe ser aproximadamente de 15 a 20 por 100 de la corriente
total.
2.10. FILTRO DE ENTRADA POR CHOQUE
Para algunas aplicaciones de alta tensión con variaciones relativamente

grandes de la corriente de carga se requiere mejor regulación que la que
es posible obtener con un filtro de entrada por condensador. El uso de un
filtro de entrada por choque con una mínima corriente de drenaje
especificada (figura 1.34) proporciona mejor regulación; sin embargo, la
tensión de salida V, a igualdad de las otras condiciones en el circuito de la
figura 1.33 es menor que la obtenida en el circuito anterior,
naturalmente, la adición de un choque extra mejora el filtrado.
32
vsalida
Figura 1.34
Filtro con entrada por choque
El transformador de potencia y la bobina o bobinas de choque deben ser

capaces de soportar la máxima corriente de carga requerida; así pues, si
se ha de suministrar una corriente de carga de 90 mA se debe especificar
para una corriente algo mayor; cuando en lugar de choque se utiliza un
resistor RC , su potencia debe ser más alta que I2 RC , donde I es la
corriente total absorbida por la carga.
2.11. REGULACIÓN DE UN RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA
Si en el circuito de la figura 1.33 sólo se utiliza un rectificador o si está

abierto un ánodo de cualquiera de los diodos, el circuito resultante es un
rectificador de media onda; para las mismas condiciones de carga, la
tensión V disminuye a causa de que ahora sólo uno de los diodos está
alimentando la corriente de carga en lugar de los dos. Por tanto, el filtro
debe suministrar la corriente de carga durante la alternancia en que el
diodo no conduce, además, la frecuencia de ondulación cambia desde
120Hz en la rectificación de onda completa a 60 Hz en la acción de media
onda (basada en la frecuencia de línea de 60 Hz). En la frecuencia más
baja el filtro no es tan efectivo, haciendo que la tensión de ondulación sea
mucho más alta y que la tensión de c.c. sea más baja. Por esto se suele
utilizar rectificadores de onda completa en los circuitos de alimentación de
potencia del tipo de transformador.
2.12. EL RECTIFICADOR PUENTE
El rectificador puente en que se emplean diodos de silicio se ha

popularizado cada vez más entre los diseñadores, la figura 1.35 es el
esquema de un rectificador puente alimentado por transformador.
33
VCD
60Hz
VEG
Figura 1.35
a) Rectificador puente, b) Formas de onda
El arrollamiento de alta tensión del transformador T alimenta a cuatro

rectificadores de silicio, D1 a D4 el funcionamiento del circuito es como
sigue: supongamos que durante la alternancia positiva (alternancia 1) de
la onda senoidal de entrada, el punto C es positivo con respecto a D (las
tensiones entre los extremos opuestos del arrollamiento del
transformador están desfasadas 180º).
Esto hace que el ánodo de D1 sea positivo con respecto a su cátodo y por
lo tanto D1 está polarizado en sentido directo, análogamente el cátodo de
D3 (está conectado al punto D) es negativo con respecto a su ánodo, por
consiguiente D3 está polarizado en sentido directo. También es evidente
que D2 y D4 están polarizados inversamente durante la alternancia 1, así
pues, D1 y D3 conducirán durante la alternancia 1 mientras que D2 y D4
estarán en la corte.
La figura 1.36 a muestra que durante la alternancia positiva la corriente

encuentra un camino completo para los rectificadores D1 y D3 que están
conectados en serie con el resistor de carga RL. La corriente fluye a través
de RL , D1 el arrollamiento CD y a través de D3 con la polaridad indicada.
34
Figura 1.36
a), b) Acción del rectificador puente la alternancia positiva ,
c) , d) Sobre la alternancia negativa
La figura 1.36 b muestra la forma de onda de la tensión positiva

desarrollada durante la alternancia 1 entre los extremos de RL Durante la
alternancia negativa (alternancia 2) D1 y D3 están polarizados
inversamente y por tanto en estado de corte, si D2 y D4 no estuvieran en
el circuito, D1 y D3 actuarían como un rectificador de media onda. La
figura 1.36 c muestra que durante la alternancia negativa (alternancia 2) ,
es decir, cuando el punto c es negativo con respecto al punto D, el ánodo
de D2 es positivo con respecto a su cátodo y el cátodo de D4 es negativo
con respecto al ánodo. Por tanto los diodos D2 y D4 están polarizados en
sentido directo, mientras que D1 y D3 lo están en sentido inverso. Ahora
D2 y D4 conducen permitiendo que haya corriente en RL. La polaridad
entre los extremos de RL es la misma. Figura 1.36 b.
Así, D1 en serie con D3 rectifican durante la alternancia positiva de la

entrada, mientras D2 en serie con D4 rectifican durante la alternancia
negativa. Un rectificador puente es pues un rectificador de onda
completa, la toma central (TC) del secundario no está conectada al
rectificador puente. En un rectificador del circuito convencional la TC
actúa como retorno común y la tensión entre los terminales de cada diodo
35
es la mitad de la tensión entre los terminales del transformador, por

consiguiente, si se emplea el mismo transformador, la tensión de salida
de un rectificador convencional de onda completa (figura 1.37) es la
mitad de la salida de un rectificador puente.
Figura 1.37
Rectificador de onda completa con doble diodo.
A causa de que los dos rectificadores funcionan siempre en serie en un

rectificador puente, la tensión inversa de cresta se divide en los
rectificadores, por tanto, la PIV para cada rectificador es la tensión de
cresta del transformador, mientras en el rectificador duo - diodo de onda
completa convencional la tensión inversa de cresta (PIV) es el doble
aproximadamente de la tensión del transformador.
Un inconveniente del rectificador puente es que en cada alternancia la

corriente continua debe fluir en el circuito a través de dos diodos
conectados en serie, la caída de tensión c.c. directa (pérdida) en los dos
rectificadores es pues mayor que la caída en un solo rectificador, sin
embargo, la pequeña caída en los diodos de silicio puede ser tolerada
normalmente.
2.13. CIRCUITO DEL FILTRO
Se puede utilizar la misma disposición del filtro con un rectificador puente

que con cualquier otro circuito rectificador en la figura 1.38. Se emplea un
filtro tipo π. Para una carga de 300 mA (aproximadamente) se emplean
ordinariamente condensadores especificados para 80 a 100µF
aproximadamente.
El choque L varía de 1 a 8H dependiendo de la ondulación que pueda ser

tolerada.
36
Figura 1.38
Rectificador puente alimentado por transformador, con filtro
Si en lugar del choque se emplea un resistor de filtro, los condensadores

tienen que ser más grandes. Para el rectificador puente la especificación
de tensión de los condensadores de filtro debe ser por lo menos igual al
doble de la correspondiente en un rectificador de onda completa
utilizando el mismo transformador.
2.14. PROTECCIÓN CONTRA LA SOBRECARGA
Para proteger al transformador y a los otros componentes del circuito

contra las sobrecargas se utilizan fusibles y disyuntores térmicos, el
circuito de la figura 1.39 muestra ambos dispositivos.
Figura 1.39
Un fusible (F) protege al primario; un disyuntor térmico (CB) protege al
secundario del transformador.
37
Se conecta un fusible en el primario y en el secundario se utiliza un

disyuntor reponible, en esta disposición el fusible actúa como protección
contra una sobrecarga de c.a. por ejemplo, si el arrollamiento secundario
se cortocircuita accidentalmente, el disyuntor o el fusible del primario
saltarían, sin embargo, una sobrecarga de c.c. en la carga o en el circuito
rectificador hasta que se abra el disyuntor, protegiendo así al circuito de
salida.
En los dispositivos electrónicos se utilizan cada vez más fusibles de acción

lenta que soportan las sobrecorrientes iniciales o temporales, también se
diseñan los disyuntores para soportar sobrecorrientes respectivas.
3. DIODO ZENER
Las características de un diodo de estado sólido dependen del material

semiconductor con el cual está construido el diodo, de la naturaleza y
extensión del “dopado” de este material y de la construcción y
dimensiones del dispositivo, el diodo semiconductor estudiado
anteriormente funciona dentro de su característica de corriente de
polarización directa.
Hay cierta clase de diodos llamados zener cuyas características

peculiares de corriente y tensión con polarización inversa hacen posibles
aplicaciones completamente diferentes a los que tiene el diodo de cristal.
El símbolo de un diodo Zener está representado en la figura 1.40.
Figura 1.40
Es el gráfico de la característica típica tensión- corriente de un diodo Zener.
38
V I (voltios) V f (voltios)
Figura 1.41
Característica del diodo Zener.
Cuando el diodo está polarizado en sentido directo actúa como un

interruptor cerrado y la corriente directa aumenta con la tensión aplicada;
la intensidad de la corriente está limitada por los parámetros del circuito.
Cuando el diodo está polarizado en sentido inverso fluye una pequeña
corriente de saturación (inversa) Is, la cual permanece relativamente
constante a pesar de que aumente la polarización inversa, hasta que se
alcanza la región disruptiva Zener, en la vecindad de la tensión Zener Vz.
En esta condición la corriente inversa comienza a aumentar rápidamente
a causa del efecto de avalancha; finalmente, la ruptura Zener (un brusco
aumento de la corriente) tiene lugar cuando se alcanza la tensión Zener
Vs.
En esta región, pequeñas variaciones de la tensión dan lugar a grandes

cambios de la corriente, evidentemente hay grandes variaciones de la
resistencia efectiva de la unión PN en esta región.
La ruptura Zener no da lugar necesariamente a la destrucción del

diodo; mientras la corriente que pase por el diodo esté limitada por el
circuito externo a un nivel que esté dentro de su capacidad de potencia,
el diodo funciona normalmente. Por otra parte, reduciendo la polarización
inversa por debajo de la tensión Zener, se puede hacer que el diodo
39
funcione fuera de su nivel de ruptura y vuelva al nivel de la corriente de

saturación.
El proceso mediante el cual se conmuta el diodo entre sus estados de

corriente Zener y de corriente no Zener se puede repetir reiteradamente
sin que se deteriore el diodo; sin embargo, obsérvese que hay un cierto
retardo de tiempo, llamado tiempo de conmutación del diodo de uno a
otro estado.
3.2. ESPECIFICACIONES
Los fabricantes facilitan una hoja de especificaciones con cada tipo de

diodo zener. Las especificaciones incluyen la tensión zener, el margen de
tolerancia de la tensión zener, los límites de corriente zener, la máxima
disipación de potencia, la máxima temperatura de funcionamiento, la
máxima impedancia zener en ohmios, el factor térmico de degradación
en milivatios por grado centígrado y la corriente inversa de fuga.
La naturaleza del material con el cual está construido el diodo por

ejemplo silicio y la aplicación a la que se destina el diodo también están
indicados.
La tensión de ruptura de un diodo zener depende del material del diodo y

de su construcción. Se han construido diodos para entregar tensiones
zener comprendidos entre uno y varios cientos de voltios. El diseñador del
circuito puede optar entre una gran variedad de diodos para seleccionar
unas cuyas características se aproximan estrechamente a los requisitos
del círcuito.
3.3. APLICACIONES
Los diodos zener se utilizan como reguladores de tensión y como patrones

o estándares de referencia de tensión.
La figura 1.42 es el circuito de un diodo utilizado como regulador shunt.
40
R A
VAR
B
Figura 1.42
Diodo zener utilizado como regulador shunt de tensión
El diodo está en paralelo con un resistor de carga RL ; , la finalidad del

diodo es mantener constante la tensión entre los terminales de la carga,
dentro de los límites requeridos ya sea cuando cambia la salida de la
fuente de cc o cuando cambia la resistencia de carga y por lo tanto la
corriente de carga.
Nota: En el análisis del circuito de la figura 1.42 que contiene elementos

lineales (resistores) y no lineales (diodos zener) , son aplicables las leyes
de ohm y Kirchooff, lo mismo que las ecuaciones de redes que usted ya
conoce.
Consideremos en primer lugar el funcionamiento del circuito cuando la

tensión de la fuente VAA es constante pero la corriente de carga IL cambia.
Supongamos que se requiera una tensión de salida constante VSALIDA
entre los terminales de la carga.
Las dos corrientes IL = VSALIDA/ RL e IZ = VSALIDA/RZ se combinan

formando la corriente total IT ; es decir;
IT = IL + IZ
La tensión VR en los terminales de R es igual al producto de IT y R,

entonces:
VR = IT x R
41
Pero:
VAA = VR + VSALIDA
Por lo tanto, si VAA permanece constante y es necesario que VSALIDA

permanezca constante, VR debe permanecer constante, por consiguiente
la corriente total IT debe permanecer invariable a pesar de las variaciones
de la corriente de carga. Esto solo se puede conseguir compensado las
variaciones en IZ ; osea, IZ debe cambiar de la manera indicada por la
ecuación , suponiendo que IZ es constante y que IL puede variar:
IZ = IT - IL
Para conseguir este resultado se debe elegir un diodo zener cuya tensión
zener VZ sea igual a VSALIDA; por otra parte, es evidente que VSALIDA no
puede permanecer absolutamente constante, debe variar lo suficiente
para producir cambios en la corriente del diodo IZ que compensen los
cambios de la corriente de carga IL Se debe elegir, pues un diodo zener
cuyas características de tensión y corriente satisfagan los requisitos del
circuito; además este diodo debe funcionar en el punto correcto de su
característica.
También se puede utilizar el diodo en la figura 1.42 para compensar las

variaciones de la tensión cc de alimentación cuando el resistor de carga
RL permanece constante, asegurándose así una tensión de salida
constante VSALIDA y por lo tanto, una corriente de carga constante IL
Supongamos que el circuito está funcionando correctamente con un nivel
de tensión cc VAA ahora se aumenta la tensión VAA de alimentación, la
tensión de salida tenderá a aumentar en consecuencia la corriente zener
IZ aumentará asimismo cuanto disminuya la tensión VR entre los
terminales de R.
Si el circuito regulador ha sido diseñado correctamente, el aumento de la

tensión en los extremos de R, A VR debe ser aproximadamente igual al
incremento de la tensión de alimentación AVAA , y VSALIDA volverá a tener
su valor original. Análogamente, una disminución de VAA , originará una
disminución de IZ y por lo tanto, de IT;. VR se reducirá y VSALIDA volverá a
tener su valor predeterminado.
El valor de R elegido para conseguir la regulación correcta dependerá de

las características del diodo y de las condiciones de variación de VAA , e IL
42
Además del diodo regulador cuyo funcionamiento acabamos de describir,

existen diodos de referencia de tensión cuya tensión zener es tan estable
que se pueden utilizar como patrón de laboratorio o como tensión de
referencia en un circuito regulador de tensión más complicado.
3.4. CONSIDERACIONES DE DISEÑO
Un valor de diseño para R y para el diodo Zener se puede calcular por los
requisitos del circuito. Supongamos que se requiera una tensión de salida
VSALIDA constante de 10v (+ 0.7v) para una carga cuya corriente IL puede
variar entre 5 y 20 ma. La potencia es suministrada al circuito desde una
fuente de cc constante de 20 v.
Necesitamos diseñar un circuito de regulación para conseguir esto.

Supongamos un circuito regulador, tal como el representado en la figura
1.42, que satisfaga las especificaciones del problema.
Debemos seleccionar un diodo zener regulador cuya Vz =10v.

Supongamos que es asequible un diodo que deje pasar una corriente de
regulación Iz tal que la corriente total del circuito IT permanece constante
en 30 ma en el margen de variación de la corriente de carga de nuestro
problema.
Por la ley de tensión de Kircchoff podemos escribir:
VAA = LT x R + VSALIDA
R = VAA - VSALIDA
IT
Sustituyendo en la ecuación anterior los valores dados
–3
VAA = 20, VSALIDA = 10 e IT = 30 x 10 A tendremos:
20 – 10
R = ------------- = 333
30 x 10–3
43
Una buena práctica de ingeniería requiere que el resistor esté

sobredimensionado; por lo tanto, se debe utilizar un resistor de 330+ 5%
de 1W. La potencia del diodo se determina por la máxima corriente IZ
que requiere el circuito.
En nuestro problema la máxima IZ es 25 ma (cuando IL = 5ma); pero la

mínima potencia Wz es:
Wz = V x IZ
–3
Wz = 10 x 25 x 10
= 250 mW
Nuevamente, la buena práctica de ingeniería requiere sobredimensionar el

diodo y será suficiente uno de 500mW.
44

El Diodo Semiconductor

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TECSUP – PFR Electrónica Analógica

1.1. INTRODUCCIÓN TEÓRICA

La electrónica trata de la teoría y de la aplicación de los dispositivos que

1. Los semiconductores son pequeños y pesan poco, lo que permite la

2. Los recientes desarrollos han conducido a la microminiaturización; la

3. Los semiconductores son sólidos; por lo tanto, las posibilidades de

4. Los semiconductores requieren poca potencia e irradian menos calor

5. Los semiconductores son robustos y se les puede construir de modo

1.2. ESTRUCTURA Y PROPIEDADES DE LOS MATERIALES

Los componentes semiconductores se fabrican principalmente de

Posteriormente, se empezaron a emplear también componentes de

Los átomos se componen del núcleo y de una serie de capas de

Este tipo de enlace se denomina

1.3. CONDUCCIÓN DE LA CORRIENTE EN LOS MATERIALES

La figura 1.4 nos muestra que los materiales semiconductores presentan

Vamos a ocuparnos a continuación del origen de la conductividad de los

1.4. CONDUCCIÓN INTRÍNSECA

Enfriando un material semiconductor a una temperatura de

Puede además observarse que al aumentar la temperatura también

Al calentar el cristal sus átomos dejan de estar en posición de reposo y

La conductividad de los semiconductores depende de la temperatura.

Cuando se aplica una tensión a un cristal semiconductor los electrones

Cuando los electrones se mueven a través del cristal bajo la influencia de

Este fenómeno se denomina recombinación, como todo electrón

Para simplificar se supone que también los huecos contribuyen a la

Este tipo de transporte de cargas se denomina conducción por huecos

La conductividad intrínseca de un cristal semiconductor puro es debida al

1.5. CONDUCCIÓN EXTRÍNSECA

Para la fabricación de componentes semiconductores se precisan

La adición de impurezas se llama contaminación. Las figura 1.8 y 1.9

A continuación explicaremos por qué aumenta la conductividad de un

Al añadir impurezas pentavalentes, por ejemplo, arsénico, sólo se

Mediante adición de impurezas puede aumentarse la conductividad de los

Núcleos atómicos fijos (positivos)

Núcleos atómicos fijos (negativos)

Cuando se añaden al silicio átomos extraños, o sea, impurezas,

enlace (figura 1.9), lo que también dará lugar a irregularidades en la

Estas imperfecciones debidas a las impurezas tienden a aceptar

En los semiconductores de tipo p, la conducción de la corriente es debida

La conductividad de un semiconductor debida a la adición de impurezas

En la práctica se contaminan los conductores de modo que la

1.6. MATERIALES SEMICONDUCTORES E IMPUREZAS

El silicio es el material con el que se construyen actualmente la mayoría

El germanio (Ge) y el silicio (Si) deben ser altamente purificados antes de

1.7. PORTADORES DE CORRIENTE EN UN SEMICONDUCTOR

En un tubo de vacío, los electrones cargados negativamente se

Las impurezas tales como indico y galio aumentan la conductividad del

Los huecos atraen a los electrones libres, cuando se encuentran un

Los huecos existentes en el silicio tipo P son repelidos por el terminal

1.8. FUNCIONAMIENTO DE UN DIODO SEMICONDUCTOR DE UNIÓN

Cuando se unen el silicio de tipo P y el silicio de tipo N como en la figura

Este dispositivo de dos elementos tiene una característica peculiar: la

Apliquemos la teoría de los portadores negativos y positivos a este diodo

Los electrones libres entran en el silicio de tipo N por el terminal negativo

Tales portadores de corriente desaparecen en estas condiciones, pero son

Los electrones libres creados en el silicio tipo P son atraídos por el

La conexión con polarización inversa está representada en la figura 1.15.

El terminal positivo de la batería atrae a los electrones libres en el silicio

Para los portadores minoritarios la polaridad de la batería mantiene el

Esto está representado por las flechas dibujadas en la línea de trazos en

Existe un límite no sólo para la polarización directa, sino también para la

La figura 1.16 es el símbolo de circuito de un diodo semiconductor.

El terminal marcado como “ánodo” está conectado al material de tipo P,