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ELECTRÓNICA  DE  POTENCIA

SEMANA  6  
RECTIFICADOR  CONTROLADO  DE  SILICIO
Tiristores   es   el   nombre   genérico   de   una   familia   de   disposi;vos  
semiconductores   de   silicio,   que   ;enen   caracterís;cas   de   interruptor,  
presentando  dos  estados  definidos  de  operación.  En  estos  disposi;vos  
la   conmutación   se   efectúa   por   un   mecanismo   interno   de  
realimentación  regenera;va.  La  cons;tución  interna  de  un  ;ristor  está  
basada  en  una  estructura  semiconductora  de  cuatro  capas  (PNPN)  cuyo  
número   de   terminales   pueden   ser   dos,   tres   o   cuatro   según   el  
disposi;vo  Jsico  considerado.    
 
RECTIFICADOR  CONTROLADO  DE  SILICIO
El   SCR   es   un   disposi;vo   semiconductor   con   caracterís;cas   de  
rec;ficador  regulado,  interruptor  está;co  y  amplificador.  Por  el  hecho  
de   ser   un   disposi;vo   semiconductor   es   compacto,   hermé;camente  
sellado,  de  operación  silenciosa,  libre  de  efectos  de  vibración  y  choque;  
peso   y   tamaño   reducido,   libre   de   fallas   inherentes   y   vida   media  
virtualmente   ilimitada,   medida   en   billones   de   operaciones,   aún   en  
atmósferas  explosivas  y  corrosivas.    
Es   un   rec;ficador,   puesto   que   únicamente   conduce   corriente   en   una  
sola   dirección.   Sin   embargo,   como   puede   ser   controlado   presenta   la  
posibilidad   de   regular   dicha   corriente,   pudiendo   aplicarse   en  
numerosos  circuitos  de  regulación  y  control.    
 
figura 26
la corriente de base de encendido.
Su principal ventaja frente a otros dispositivos semiconductores de
potencia es su capacidad de conducir corrientes muy altas y soportar altas
Estructura  Básica
tensiones. Su principal inconveniente es la falta de control en el apagado.
524 CAPÍTULO 23 Tiristores

Compuerta Cátodo

Cátodo

Compuerta

Chip

Ánodo Cátodo
Ánodo
Compuerta F
a) c) b
Consultar  la  Jsica  de  la  operación  del  disposi;vo  (Electrónica  de  Potencia,  Mohan  3ª  ed.  Pg  525)  
ristor es similar a un
ruptura de avalancha
sitivos con valores d
b)
Los subscritos entre paréntesis no se consideran como tales para indicar 1er ó 2do lugar.
Parámetros  y  especificaciones  relacionados  
con  un  SCR
Se definen a continuación algunos parámetros y especificaciones relacionados con un SCR.

VT Caída de tensión entre ánodo y cátodo cuando el SCR se encuentra en estado de


conducción. VTM es la máxima caída de tensión, lo cual se presenta cuando por
el dispositivo circula la corriente máxima principal.

V(BO) Caída de tensión entre ánodo y cátodo correspondiente al punto de ruptura


directa, para IG=0.

VRRM Valor máximo instantáneo de la tensión inversa que puede ser aplicada a un SCR,
incluyendo cualquier transitorio repetitivo de tensión, pero excluyendo todos los
que no lo sean. Bajo condiciones de prueba el fabricante lo especifica con el
mismo valor de VDRM. Se conoce también como voltaje inverso máximo
repetitivo.
mismo valor de VDRM. Se conoce también como voltaje inverso máximo
repetitivo.

VRSM Valor máximo instantáneo de cualquier tensión inversa transitoria no repetitiva


que puede ser aplicada a través de un SCR. Se conoce también como voltaje
inverso máximo no repetitivo o súbito.

VDRM Valor máximo instantáneo de tensión para estado de bloqueo directo que puede
ser aplicada a través del SCR, incluyendo cualquier transitorio repetitivo de
tensión, pero excluyendo todos los que no lo sean. Se conoce también como
voltaje directo máximo repetitivo.

VDSM Valor máximo instantáneo de cualquier transitorio no repetitivo de tensión, para


estado de bloqueo directo, que puede ser aplicado al SCR. Se conoce también
como voltaje directo máximo no repetitivo o súbito.
voltaje directo máximo repetitivo.

VDSM Valor máximo instantáneo de cualquier transitorio no repetitivo de tensión, para


estado de bloqueo directo, que puede ser aplicado al SCR. Se conoce también
como voltaje directo máximo no repetitivo o súbito.

VDWM Valor medio (de trabajo) máximo instantáneo de tensión, para estado de
bloqueo directo, que puede ser aplicada al SCR, excluyendo cualquier tensión
transitoria repetitiva o no repetitiva. El término se utiliza cuando el SCR se utiliza
en circuitos de corriente directa.

IH Corriente mínima principal (A - K) requerida para mantener el SCR en estado de


conducción.
conducción.

IT(RMS) Valor eficaz medio de la corriente principal. El especificado por el fabricante es


el máximo permitido.

IT (AV) Valor medio de la corriente principal, incluyendo el de las componentes


variables. Depende del ángulo de conducción. El especificado por el fabricante
corresponde al máximo permitido.

IT Valor medio de la corriente principal, excluyendo el de las componentes


variables. El especificado por el fabricante es el máximo permitido. Este término
se aplica cuando el SCR es utilizado en circuitos de C.D.

ITSM Valor máximo no repetitivo de la corriente principal, con una duración de 8.33
ms. (medio ciclo de una onda C.A. a 60 Hz) y carga resistiva.
IGT Corriente de disparo. Es la corriente media mínima de compuerta requerida para
conmutar el SCR, del estado de bloqueo al de conducción. (Se supone que entra
por el terminal de compuerta). IGTM es el valor medio máximo permitido.

VGT Voltaje de disparo. Es el voltaje requerido para producir la corriente de


“disparo”.  Se  aplica  entre  la  compuerta  y  el  cátodo.

VGRM Tensión inversa máxima de compuerta. El fabricante especifica el valor máximo


permitido. Generalmente no sobrepasa de 10 Voltios.

IGM Valor máximo instantáneo de corriente de compuerta. El. Valor especificado por 103
el fabricante corresponde al máximo permitido.

PGM Disipación máxima instantánea de compuerta.


IGM Valor máximo instantáneo de corriente de compuerta. El. Valor especificado por 1
el fabricante corresponde al máximo permitido.

PGM Disipación máxima instantánea de compuerta.

PG(AV) Disipación media de compuerta. El valor especificado por el fabricante


corresponde al máximo permitido.

I2t Es una medida de la capacidad que tiene el SCR para soportar una sobre
corriente en la forma de un pulso de duración entre 1.5 y 8.3 m seg. I es el valor
RMS de la corriente principal y t la duración del pulso en segundos. Dicha
sobrecorriente, se refiere a un pulso no repetitivo, empleándose generalmente
(en las pruebas) una forma de onda senoidal, en el intervalo correspondiente a
corresponde al máximo permitido.

I2t Es una medida de la capacidad que tiene el SCR para soportar una sobre
corriente en la forma de un pulso de duración entre 1.5 y 8.3 m seg. I es el valor
RMS de la corriente principal y t la duración del pulso en segundos. Dicha
sobrecorriente, se refiere a un pulso no repetitivo, empleándose generalmente
(en las pruebas) una forma de onda senoidal, en el intervalo correspondiente a
medio ciclo.

La sobrecorriente se diferencia de la corriente ITSM en que para esta última, al


transitorio no repetitivo le puede seguir una corriente máxima especificada sin
que el dispositivo se destruya. La sobrecorriente no admite esta posibilidad.

Los valores de I2t e ITSM son la base de la selección de dispositivos de protección


(fusibles por ejemplo) para los circuitos con tiristores en el supuesto caso de
Council) establece el número de veces como igual o menor que 100.

dV/dt Se define como la velocidad crítica de crecimiento de tensión para e1 estado de


bloqueo.

di/dt: Se define como la velocidad crítica de crecimiento de corriente para el estado

104 de conducción.

Como ejemplo, se consideran algunas especificaciones típicas del SCR - C447 fabricado por la
General Electric.

* VDRM: 1200 V
Consultar  como  se  prueba  un  SCR  u;lizando  un  Tester  (Ohmetro)  
A A
IA

Modos  de  encendido P


N
T1
Ib1

N Ic2
Ic1
G P P
G T2
N IG Ib2
IK
K K
a)  Tensión.   Figura 2.5.Estructura y esquema equivalente simplificado de un SCR

Cuando   se   incrementa   la   tensión   colector  


Cuando -­‐  seeaplica
misor   en   uden  puerta
una corriente transistor,  
I positiva, I e lIa  
G c2
energía  
aumentarán.
K ComodIe  
=algunos  
c2

portadores   de   los   que   conforman  Ievolucionará


la   corriente   de   fuga,   puede   ser   la   suficiente   para  
, T1 conducirá y tendremos I = I + I , que aumentará I y así el dispositivo
b1 b2 c1 G
hasta la saturación, aunque se elimine la corriente de puerta I . Tal efecto
c2

romper   enlaces   covalentes   en   la   región  


acumulativodel  
ocurre transición  
si las ganancias deylos   gtransistores
enerar   sonn uevos  
mayores que 1.pElortadores  
componente se que   a  
mantendrá en conducción desde que, después del proceso dinámico de entrada en conducción,
su   vez   podrán   romper   más   enlaces.   Este  
la corriente del ánodo mecanismo,  
haya alcanzado un valorconocido  
superior al límite Icon  
, llamadael  
L nombre  
corriente de de  
fenómeno   de   avalancha,   conduce   finalmente  
enclavamiento “latching current”.
a   la   ruptura   de   la   unión   de   colector  
Para que el SCR deje de conducir es necesario que su corriente caiga por debajo del
originando   un   cambio   súbito   de   la  
valorcorriente  
mínimo de mantenimiento de   emisor.  
(I ), permitiendoEl  
H fenómeno  
que se restablezca la barrerade   ruptura  
de potencial en por  
J2. Para la conmutación del dispositivo no basta con aplicar una tensión negativa entre ánodo
avalancha  se  emplea  como  mecanismo   y cátodo.de  Dicha
conmutación  
tensión inversa acelera en   muchos  
el proceso ;ristores.  
de desconexión por dislocar en los
sentidos adecuados los portadores en la estructura cristalina, pero ella sola no garantiza la
desconexión.
Debido a las características constructivas del dispositivo, la aplicación de una
polarización inversa del terminal de puerta no permite la conmutación del SCR. Este será un
comportamiento de los GTOs, como se verá más adelante.
b)  Velocidad  de  crecimiento  de  tensión  (dV/dt)  
Cualquier   estructura   PN   presenta   efectos   capaci;vos   en   el   área   de   la  
unión.   Si   una   tensión   (;po   escalón)   se   aplica   súbitamente   entre   los  
terminales   de   colector   y   emisor   de   un   transistor,   se   presentará   la  
circulación   de   una   corriente   de   carga   Ic   para   cargar   el   condensador  
asociado  al  disposi;vo.  
La  corriente  de  carga  ic  =  Cj  *  dV/dt  representa  una  corriente  de  base  
para   el   transistor   y   si   suponemos   que   este   transistor   forma   parte  
integral   de   la   estructura   PNPN,   resulta   evidente   que   es   posible   la  
conmutación  del  disposi;vo,  si  la  corriente  Ic  ;ene  magnitud  y  duración  
suficientes.  
c)  Temperatura.    
A   altas   temperaturas   las   corrientes   de   fuga   (en   una   unión   polarizada  
inversamente)   aumentan   rápidamente   en   virtud   del   efecto   de  
ionización   térmica.   Estas   corrientes   se   duplican   aproximadamente   por  
cada  8°C  de  incremento  en  la  temperatura  de  la  unión.  Para  cierto  valor  
de  temperatura  las  corrientes  que  atraviesan  la  unión  son  lo  suficiente  
grandes   para   iniciar   el   mecanismo   de   avalancha   y   efectuar   así́   la  
conmutación  del  disposi;vo.    
d)  Energía  radiante.  
La   acción   combinada   de   la   tensión   ánodo-­‐cátodo,   temperatura   y  
radiación   electromagné;ca   de   longitud   de   onda   apropiada   puede  
provocar   también   la   elevación   de   la   corriente   de   fugas   del   disposi;vo  
por  encima  del  valor  crí;co  y  obligar  al  disparo.    
Los   ;ristores   diseñados   para   ser   disparados   por   luz   o   ;ristores  
fotosensibles   LASCR   (“Light   Ac;vated   SCR”)   suelen   ser   de   pequeña  
potencia   y   permiten   un   aislamiento   óp;co   entre   el   circuito   de   control   y  
el  circuito  de  potencia.    
 
e)  Mando  externo    
En  un  transistor,  la  corriente  de  colector  se  puede  incrementar  (efecto  
amplificador)  por  la  inyección  de  portadores  adicionales  a  través  de  la  
unión   de   emisor.   Si   este   transistor   forma   parte   integral   de   una  
estructura   PNPN,   es   posible   que   se   presente   la   conmutación   de   la  
manera   como   se   describió́   anteriormente.   Por   medio   del   terminal   de  
compuerta   se   puede   aplicar   la   señal   de   mando   o   de   control;   esta  
generalmente  ;ene  la  forma  de  un  tren  de  pulsos.    
Modos  de  apagado
•  Una   manera   de   “apagarlo”   consiste   en   reducir   la   corriente   principal  
por   debajo   del   valor   de   mantenimiento   IH.   Esto   se   puede   lograr  
haciendo   cambios   en   la   tensión   de   alimentación   o   en   la   impedancia  
de  carga.    
•  Otra  manera,  consiste  en  la  desconexión  del  circuito  o  simplemente  
hacer  que  la  corriente  de  carga  se  haga  cero.    
•  Con   la   aplicación   de   una   tensión   inversa,   (sin   desconectarlo   del  
circuito)   durante   un   ;empo   mayor   que   el   ;empo   de   apagado   del  
disposi;vo,  se  consigue  también  el  “apagado”.    
Métodos de acople de disparo para el
SCR

a) Acople resistivo b) Acople capacitivo

15
157

c) Acople por transformador d) Acople por transistor

SCR

e) Acople por opto-acoplador f) Acople por SCR en cascada


•  El  método  de  acople  resis;vo  es  el  más  simple  y  u;lizado  en  la  prác;ca  en  circuitos  de  rec;ficación  y  
regulación   de   media   onda   y   onda   completa   monofásicos.   Tiene   la   desventaja   de   que   no   elimina   la  
componente  de  C.D.  asociada  al  pulso  de  mando.  
 
•  El  método  de  acoplamiento  capaci;vo  presenta  la  ventaja  de  que  bloquea  cualquier  componente  de  
C.D.  asociada  con  el  pulso  de  disparo.  Este  caso  se  presenta  en  ciertos  circuitos  cuando  se  emplean,  por  
ejemplo,   transistores   bipolares,   transistores   Unijuntura,   etc.   La   componente   de   C.D.   puede   originar  
problemas  de  conmutación  en  SCR  de  compuerta  sensible.  
 
•   El   método   de   acoplamiento   por   transformador   es   el   más   frecuentemente   u;lizado   en   circuitos   de  
potencia.   El   transformador   presenta   las   siguientes   ventajas:   Bloquea   cualquier   componente   de   C.D  
asociada  con  la  señal  de  entrada;  permite  aislar  el  circuito  de  potencia  del  de  control;  facilita  el  envío  de  
señales  múl;ples  de  disparo  cuando  se  deben  disparar  dos  o  más  SCR  simultáneamente  (trasformador  
de   varios   devanados);   reduce   la   impedancia   compuerta   -­‐   cátodo,   puesto   que   el   devanado   es   poco  
resis;vo,   lo   cual   es   deseable   porque   mejora   el   comportamiento   del   SCR   ante   la   presencia   de   ruidos  
electromagné;cas.  En  la  prác;ca  las  relaciones  de  transformación  u;lizadas  son:  1:1,  1:1:1  y  1:1:1:1,  si  
el  transformador  es  de  2,  3  ó  4  devanados.  
•  El   acoplamiento   por   transistor   se   emplea   para   el   mando   de   SCR   de   potencia   o   para   aquellos   que  
requieran  una  corriente  de  excitación  de  compuerta  rela;vamente  alta.  En  su  operación  normal  el  
transistor   funciona   como   un   interruptor   operando   entre   corte   y   saturación.   Este   método   de  
acoplamiento   se   emplea   con   bastante   frecuencia   y   presenta   las   mismas   caracterís;cas   del   acople  
resis;vo.    
•  El   acoplamiento   fotoeléctrico   ;ene   una   caracterís;ca   muy   similar   a   la   del   acoplamiento   por  
transformador   en   cuanto   que   permite   aislar   el   circuito   de   potencia   del   circuito   de   control   y   permi;r  
el  mando  de  varios  ;ristores  con  una  misma  señal  de  entrada.  Se  pueden  u;lizar  diferentes  ;pos  de  
opto-­‐acopladores   como   los   que   emplean   fotodiodos,   fotoTRIAC,   etc.   Es   un   método   que   demanda  
bajo  consumo  de  energía.    
•  Acoplamiento   especial   de   dos   SCR   conectados   en   cascada   y   que   en   conjunto   recibe   el   nombre   de  
Darlistor   o   Amplifying   gate   SCR,   en   ingles.   En   esta   conexión,   el   SCR   de   control   es   del   ;po   de  
compuerta  sensible  y  de  rápida  conmutación.  EL  SCR  de  potencia,  en  cambio,  es  menos  sensible  y  
rápido,  pero  ;ene  un  alto  dV/dt  y  un  bajo  toff.  
CARACTERÍSTICAS  DE  COMPUERTA  DE  LOS  
SCR
Las  caracterís;cas  de  compuerta  varían  entre  un  disposi;vo  y  otro,  aún  
dentro   de   un   mismo   ;po.   Por   esta   razón   las   especificaciones   del  
fabricante  sobre  las  caracterís;cas  de  compuerta  se  dan  como  rangos  
de   valores   en   las   curvas   caracterís;cas   de   entrada.   Para   definir   los  
límites  de  tensión  y  corriente  de  compuerta  que  pueden  u;lizarse  para  
disparar   cualquier   disposi;vo   dado   de   una   familia   específica   se   u;lizan  
diagramas    
 
Figura 3.24 Valores de corriente de compuerta para el SCR

3.12. CARACTERÍSCTICAS DE CONMUTACIÓN


Figura 3.24 Valores de corriente de compuerta para el SCR
Las especificaciones de los tiristores se basan principalmente en la cantidad de calor que se genera
CARACTERÍSCTICAS  DE  CONMUTACIÓN  
Cuando  un  ;ristor  se  dispara  por  una  señal  de  compuerta,  el  ;empo  de  
encendido  del  disposi;vo  consta  de  dos  etapas:  un  ;empo  de  retardo  o  
demora,   td,   y   un   ;empo   de   subida   o   elevación,   tr.   El   ;empo   total   de  
encendido,   ton   o   tgt,   se   define   como   el   ;empo   transcurrido   entre   la  
iniciación  de  la  señal  de  compuerta  y  el  instante  en  que  la  corriente  a  
través  del  disposi;vo  alcanza  el  90%  de  su  valor  nominal  con  una  carga  
resis;va.   El   ;empo   de   retardo,   se   define   como   el   intervalo   entre   el  
instante   en   que   la   señal   de   compuerta   alcanza   el   10%   de   su   valor  
máximo   y   el   instante   en   que   lo   hace   la   corriente   a   través   del   ;ristor.   El  
;empo   de   subida,   es   el   intervalo   de   ;empo   requerido   para   que   la  
corriente   a   través   del   disposi;vo   suba   desde   10%   a   90%   de   su   valor  
máximo  para  las  condiciones  de  cargas  dadas.    
 
figura 3.25, se ilustran las formas de onda de las señales de ánodo y compuerta, y
e que el tiempo total de encendido es la suma de los tiempos de retardo y subida del tir
iA

t
td tr

iGT
t
Figura 3.25 Señales de ánodo y compuerta del SCR
variación del tiempo de encendido en función de la corriente del pulso de disparo de compuerta.

Figura 3.26 Tiempo de encendido en función de la corriente compuerta


El  ;empo  de  encendido  es  afectado  por  varios  factores,  principalmente  por  
la  magnitud  del  pulso  de  corriente  de  compuerta  que  provoca  el  disparo  
De gran importancia, durante el intervalo de conmutación, es la relación entre la tensión y la
corriente anódica. Cuando todavía no ha entrado en conducción toda la zona de juntura, la
muestra en la figura 3.27.

El   pico   de   potencia   disipada  


Figuraocurre   en   el  decorto  
3.27 Disipación potencia intervalo  
en el SCR de   ;empo   inmediatamente  
Lasposterior  
curvas indicana  la  iniciación  
que el pico de  la  deconducción;  
potencia disipadageneralmente  
ocurre en en  elel  corto
primer   microsegundo  
intervalo de tiempo
inmediatamente posterior a la iniciación de la conducción; generalmente en el primer
dispositivo.

La   aplicación   de   una   tensión   inversa   provoca   el   flujo   de   una   corriente   del   mismo   ;po  
Figura 3.28 Corriente anódica frente el apagado del SCR

hasta  que  la  unión  que  se  bloquea  en  forma  inversa  establece  una  zona  de  barrera.  El  
intervalo  entre  el  momento  de  la  aplicación  de  la  tensión  inversa  y  el  momento  en  que  
la  corriente  inversa  pasa  a  su  valor  pico  y  se  establece  el  nivel  estacionario  nominal  se  
llama   2empo   de   recuperación   inversa,   trr.   Hay   un   segundo   periodo   de   recuperación,  
llamado  2empo  de  recuperación  de  compuerta,  tgr,  que  transcurre  hasta  que  la  unión  
que  se  bloquea  en  sen;do  directo  establezca  una  zona  de  barrera  que  permita  bloquear  
tensiones  directas  
ESPECIFICACIONES  DE  CORRIENTE

Las   especificaciones   de   corriente   para   los   SCR   definen   los   valores  


máximos   para   corrientes   respec;vas   normales   y   para   corrientes  
transitorias  o  no  repe;;vas.  Estos  valores  son  función  de  temperatura  
de  unión  permi;das  (TJmax),  así́   como  la  resistencia  térmica  de  la  unión  
a   la   cubierta   (θJ-­‐C),   la   disipación   interna   de   potencia   que   resulta   del  
paso   de   corriente   a   través   del   ;ristor   (PT(AV)),   y   la   temperatura  
ambiente  (TA).    
 
pectivas normales y para corrientes transitorias o no repetitivas. Estos valores son función de
corriente de
mperatura para Para  el  SCR  –  RCA  2N  3873  
los permitidas
unión SCR definen los), valores
(TJmax así comomáximos para térmica
la resistencia corrientes
de la unión a la cápsula o
ara corrientes
bierta la  resistencia  térmica  entre  
( J-C), la transitorias
disipación o no repetitivas.
interna de potenciaEstos que valores son
resulta delfunción de corriente a través del
paso de
T la  unión  y  la  cubierta  es:  θ  
stor (PT(AV)), y laasí
mitidas ( Jmax ), como la resistencia
temperatura ambientetérmica
(TA). El de efectola unión a la cápsula
de estos factoresoen la determinación de 143
=   0.92°C/W   y   la   máxima  
ón interna de potencia que resulta delqueda paso de corriente por elasiguiente
través del
especificaciones t máximas
e m p edercorriente a t u r a   dilustrado
e   ejemplo.
ratura ambiente (TA). El efecto de estos de  
funcionamiento   la  en la determinación de
factores 143
mas
a eldeSCR – RCA unión  
corriente queda
2N es:  
3873ilustrado
la144 TJ(max)   =  
por eltérmica
resistencia 100°C.  
siguiente ejemplo.
entre la unión y la cubierta es: = 0.92 C/W y la
Si   la   temperatura   máxima  
xima temperatura de funcionamiento de la unión es: TJ(max) = 100 C. Si la temperatura máxima
de  la  cubierta  se  es;ma  en:  
3lalacubierta
resistencia térmica entre
T la unión y lalacubierta es:promedio
= 0.92 C/W y la de potencia se calcula
TC(max)  =  65°C  
se estima en: C(max) = 65 C, disipación máxima
uncionamiento de la unión es: TJ(max) = 100 C. Si la temperatura máxima
mo
n: TC(max) = 65 C, la disipación𝑇promedio
( ( ) de(100
) − 𝑇máxima )°𝐶calcula
− 65se
potencia
𝑃  ( ) = =   = 38  𝑊.
𝜃 0.92  °𝐶/𝑊

𝑇( −𝑇 (
) ) (100 − 65)°𝐶
) = =   = 38  𝑊.
𝜃 0.92  °𝐶/𝑊
la figura 3.29 se muestra las curvas de máxima disipación promedio de potencia directa para el
R indicado anteriormente, en función de la corriente directa promedio IT(AV) para
ra las curvas de
cionamiento en máxima disipación
C.D. y C.A. promedio
con distintos de de
ángulos potencia directa para el
conducción.
Para  el  SCR  –  RCA  2N  3873  
La   corriente   de   enganche   (Latching,   en   inglés)   de   un   ;ristor   es   el   valor  
mínimo  de  la  corriente  de  ánodo,  ligeramente  mayor  que  IH,  necesaria  
para   mantener   la   conducción   inmediatamente   después   que   el  
disposi;vo   se   ha   vuelto   conduc;vo   y   se   ha   re;rado   la   señal   de  
compuerta.  Una  vez  que  se  alcance  el  valor  de  corriente  de  enganche  (IL)  
el  ;ristor  sigue  conduciendo  aunque  el  valor  de  la  corriente  anódica  se  
reduzca  justamente  el  valor  de  IH.  
CIRCUITOS  BÁSICOS  DE  CONTROL  PARA  EL  
DISPARO  DE  SCR
Por  Polarización  C.D.  

+ π 2π

_
regulabilidad posible.

e ilustraPor  
un P olarización  
circuito básicodde
e  Cregulación
.A.  con  dque
esviación  
empleadele  método
fase   de control por
a
En la figura 3.32 b se muestra la gráfica de las ondas de tensión y corriente
ado. V, i

VM
𝑉
𝐼 ≈
𝑅
iGT

φ π ωt

θ
a
b

En  la  prac;ca  existe  la  posibilidad  de  variar  θ  entre  0°  y  180°  
V, i Figura 3.32 Regulación por polarización de C.A.
aproximadamente,  lo  cual  representa  una  alta  regulabilidad  
para  la  corriente  de  carga  
VM Si la fuente de excitación proporciona una señal de corriente alterna ic de gran a
La señal de excitación de C.A. se obtiene generalmente de un circuito desfasador en puente como
el representado en la figura 3.33 a.

V~

VC

VAB VBC

Figura 3.33 Circuito desfasador en puente


Dependiendo  de  los  valores  de  R  y  C  que  se  tengan,  el  punto  D  podrá  desplazarse  a  
lo  largo  del  semicírculo,  pudiendo  coincidir  con  los  puntos  A  o  C  para  ciertos  valores  
crí;cos  de  los  parámetros.  
El funcionamiento del circuito se puede entender a partir del diagrama fasorial indicado en la
0 f = 0 , el vector DB coincide con el vector AB y el punto D se une al punto A.
f = 180 , I = 0 e IX = 0 Para este caso toda la tensión VAC aparece a través de la resistencia R y el punto D co
C

V~

o toda la tensión VAC aparece a través de la De acuerdoRay el


resistencia lo punto
anterior, es posible
D coincide desfasar la señal VC entre 0 y 180 con
con C.
VC
variando R entre 0 e . Un resultado análogo se obtiene variando C en vez de R. Si
VAB VBC
VC entre
a lo anterior, es posible desfasar la señalresulta práctico
0 𝜃yni= 2𝛽, con respecto a V
económico.
180
Figura 3.33 Circuito desfasador en puente
ntre 0 e . Un resultado análogo se obtiene variando | | de R. Sin embargo, no
𝑡𝑔𝛽C =
en   vez = 𝜔𝑅𝐶, | |
co ni económico.del circuito se puede entenderPuesto que la variación de R, entre 0 e , no se puede realizar en forma contin
l funcionamiento 𝛽=
a partir del   𝑡𝑔 𝜔𝑅𝐶,
diagrama fasorial indicado en la
igura 3.33 b. generalmente al empleo de potenciómetros de alto valor con el objeto de acercar el
a variación de R, entre 0 e , no se puede posible a
realizar180
en . Por
forma
𝜃 = 2𝛽 = 2𝑡𝑔 𝜔𝑅𝐶.diseño se
continua, hace
se R>> X
recurre
C para lograr que f = 2tan-1
R/XC sea elev
de tensión VAC es la suma vectorial de las caídas de tensión en la resistencia, IR = VAD y en
ea al
caída
150
empleo de potenciómetros de alto valorque conseel objeto
acerquede acercar
al valorel máximo
ángulo loteórico
más de 180 . Un criterio consiste en e
l condensador, IXC = VDC. La corriente I está adelantada un ángulo con respecto a la tensión
0 . Por diseñoDe
se esta
haceseR>> XC para
deduce lograr que
fácilmente que: f = 2tan R/X
potenciómetro-1
lineal,
C seadeelevado
modo que
y permitir
VAC. Puesto que el punto B es la derivación central del transformador, en el diagrama este punto
que al valor máximo teórico def = 180 . Un criterio consiste en elegir R como 𝑅 D≥se10𝑋
une ,al punto A.
orresponde al centro de Si
la Rcircunferencia.
=0 0 vector
El , el vector DB coincide
DB corresponde a lacon el vector
tensión VDB =ABVCyque
el punto
se
ro lineal,
desea de modo
obtener; quese
y según Si Raprecia
= 180 , está Idesfasada
en laf =figura, =0 e unIXC=0
ángulo f con respecto a la
𝑅 ≥ 10𝑋
ensión VAC o V y es de amplitud constante , con
aunque ello,
varíe R. el desfase máximo es cercano a 170 .
En el circuito de la figura 3.32 a, el diodo D se utiliza para
Teóricamente con bloquear la acción
este método esdeposible
la tensión inversa
variar el aángulo de disparo entre 0 y 180 lo cual
la cual se ve sometida la unión de compuerta - cátodo. Para un correcto funcionamiento, es
En   la   prác;ca,   la  queimpedancia  
necesario conectada   a  a lalos  
representa la mayor regulabilidad posible.
la frecuencia de la señal de excitación sea idéntica terminales  
frecuencia de la línea y que de   salida   D   y   B   debe   ser  

valor   elevado   con  


su amplitud el   objeto  Ende  
sea constante. “no   cargar”   el   puente   desfasador   y   evitar   que   el  
la figura 3.32 a se ilustra un circuito básico de regulación que emplea el método de control por
ángulo  de  desfase   θf  se  altere  
La señal de excitación de C.A. se obtiene
ageneralmente
preciablemente.  
polarización de C.A. Encircuito
de un la figura 3.32 bPse
desfasador
ara  
en muestra
el  lacgráfica
puente como
aso  dede  
las u n  SdeCR,  
ondas tensiónla  yscorriente
alida  del  
puente  se  conecta  
el representadoa enl  latfigura
erminal  
1483.33 a. paradele   compuerta  
circuito indicado. a  través  de  una  149 resistencia  RG  
Si por diseño hacemos I 10 IC, se tendrá que:

V~

𝑉 𝑉
VC
≥ 10 = 10
VAB VBC 𝑅
a
𝑅 +𝑋
Figura 3.33 Circuito desfasador en puente

V, i
Si por diseño hacemos I del
El funcionamiento IC, se
10circuito tendrá
se puede entender que:
a partir del diagrama fasorial indicado en la
figura 3.33 b. VM
Simplificando 𝑉
𝐼 ≈
La caída de tensión VAC es la suma vectorial de las caídas de tensión 𝑅
iGTen la resistencia, IR = VAD y en
𝑉
el condensador, IXC = VDC. La corriente I está adelantada un ángulo 𝑉conφ respectoπa la tensión
𝑉 2π
≥ 10 en el diagrama
V . Puesto que el punto B es la derivación central del transformador, = 10este punto  . 𝑅
ωt
≥ 5 𝑅 + 𝑋  .
AC
𝑅 2𝑅
𝑅 + 𝑋
corresponde al centro de la circunferencia. El vector DB corresponde a la tensión V = V que se
desea obtener; y según se aprecia en la figura, está desfasada un ángulo
θ DB

con respecto a la
C

tensión VAC o V y es de amplitud constante aunque varíe R. b


La señal de excitación de C.A. se obtiene generalmente de un circuito desfasador en puente como
La señal de excitación de C.A. se obtiene generalmente de un circuito desfasador en puente como
el representado en la figura 3.33 a. 149
el representado en la figura 3.33 a. 149

151
𝑅V~V~ ≥ 5 𝑅 + 𝑋  . (3.7)
VC
VC
VAB VBC
VAB VBC

se puede apreciar también que Figura 3.33 Circuito desfasador en puente


Figura 3.33 Circuito desfasador en puente

El funcionamiento del circuito se puede entender a partir del diagrama fasorial indicado en la
El funcionamiento del circuito se puede entender a partir del diagrama fasorial indicado en la
figura
figura 3.33
3.33 b.
b.

𝑉 𝑁
La
𝑉 = IX   𝑉= V . =
La caída
caída de tensión VVAC
de tensión AC es
  𝑉 I está=adelantada
eslalasuma
sumavectorial
 
vectorialde
delas
=ángulo
lascaídas
  con  𝑉respecto a la tensión
caídasdedetensión
tensión
enen
la la IR IR
resistencia,
resistencia, =V=ADVyADeny en
(3.8)
el condensador, La corriente
2 un ángulo𝑁con respecto a la tensión
el condensador, IX = V . La corriente I está adelantada
CC DC
DC un
VVAC
AC.. Puesto que el punto
punto BB es
eslaladerivación
derivacióncentral
centraldel
deltransformador,
transformador,
enen
el el diagrama
diagrama este
este punto
punto
corresponde
corresponde al centro
centro de
de lalacircunferencia.
circunferencia.ElElvector
vectorDB
DBcorresponde
corresponde a la
a la VDBVDB
tensión
tensión == VC Vque
C que
se se
desea
desea obtener; y según
según se
se aprecia
aprecia en
enlalafigura,
figura,está
estádesfasada
desfasadaununángulo
ángulof con
f con respecto
respecto a laa la

tica es interesante porque demuestra que la tensión de salida VC es de


tensión VAC o V y es
tensión es de
de amplitud
amplitudconstante
constanteaunque
aunquevaríe
varíeR.R.

Dependiendo de los
Dependiendo los valores
valores de
deRRyyCCque
quesesetengan,
tengan,elelpunto
puntoD Dpodrá
podrádesplazarse a loa largo
desplazarse deldel
lo largo
no se altera
semicírculo,
semicírculo, pudiendo porcon
pudiendo coincidir
coincidir laloslos variación
con puntos parade
puntosAAo oC Cpara ciertoslos
ciertos valores parámetros
críticos
valores de de
críticos los los R o C del circuito. Las
parámetros.
parámetros. 152
3.8) permiten seleccionar con criterio práctico losFigura 3.34 Circuito regulador de media onda
elementos del circuito
Del diagrama
Del diagrama fasorial
fasorial se
se obtiene
obtieneque
que
acoplamiento para la señal de mando.

Por  Pulsos  
El método de acoplamiento RC se emplea frecuentemente en los circuitos de disparo para SCR,
especialmente
El   método   cuando RC  
de   acoplamiento   el dispositivo
se   emplea  actúa como interruptor
frecuentemente   estático
en   los   en de  
circuitos   C.D.disparo  
y la señal para  deSCR,  
especialmente  cuando  el  disposi;vo  actúa  como  interruptor  está;co  en  C.D.  y  la  señal  de  excitación  
excitación proviene de una compuerta lógica. Ver figura 3.35 a y b.
proviene  de  una  compuerta  lógica.    
 

τ  =  RGC
y además introduce una caída de tensión adicional en el circuito de carga.

Generación de pulsos mediante dispositivos de resistencia negativa.


Los dispositivos semiconductores de resistencia negativa son los más utilizados en los circuitos de
control de compuerta para el disparo de SCR. Entre los más utilizados se encuentran el transistor
de unijuntura (UJT), el transistor unijuntura programable (PUT), el diodo de cuatro capas (D4) y el
interruptor unilateral de silicio (SUS). La característica común de estos dispositivos es su
comportamiento   como   interruptores   “conmutados”   por   tensión.   En   la   figura   3.37 se ilustran
154 diferentes circuitos generadores de pulsos en los cuales se emplean los dispositivos indicados
anteriormente.

a) Con Transistor Unijuntura b) Con Transistor Unijuntura Programable


esar de los cambios eventuales que se presenten en los elementos del circuito, en la tensión de
mentación, en
En   los   la frecuencia
circuitos   prác;cos   la  de la línea
relación   fca   /  yfp  en
es   gla temperatura
eneralmente   de   1:1,  ambiente. Ensu  la
1:2   ó   1:3   y   en   figura sNo.
operación   3.40con  
incrónica   se
la  línea  de  alimentación  deben  estar  en  capacidad  de  mantener  esta  relación  a  pesar  de  los  cambios  eventuales  
stra un que  
circuito generador
se  presenten   en  los  ede pulsos
lementos   del  con UJT que actúa en forma sincronizada con la línea de
circuito  

mentación. El diseño básico y su funcionamiento se analizarán posteriormente.

Figura 3.40 Circuito generador de pulsos sincronizado con la línea


EL  SCR  COMO  INTERRUPTOR  ESTÁTICO
Los  interruptores  está;cos  construidos  con  SCR  ;enen  caracterís;cas  que  los  
hacen  ventajosos  por  las  siguientes  razones:    
•  Conmutación   silenciosa,   sin   vibraciones   y   lo   más   importante,   sin   la  
presencia   de   chispas   o   arco,   que   es   del   principal   inconveniente   de   los  
interruptores  mecánicos.    
•  No   ;enen   partes   móviles,   por   consiguiente   no   se   requiere   de   un  
mantenimiento  especial.    
•  Funcionamiento  instantáneo  y  gran  rapidez  de  conmutación  (µs).    
•  Vida   ilimitada   mientras   se   opere   el   disposi;vo   dentro   de   las  
especificaciones  del  fabricante.  
 
Como  desventajas  se  pueden  anotar  las  siguientes:    
•  Presentan   corrientes   de   fuga   mientras   se   encuentran   en   estado   de  
bloqueo.   Idealmente   en   un   interruptor   abierto   la   corriente   de   fuga  
debe   ser   cero.   Este   problema   se   acentúa   por   elevación   de  
temperatura.    
•  Durante   su   estado   de   conducción   presentan   una   caída   interna   de  
tensión,   aproximadamente   constante.   Idealmente   un   interruptor  
debe  comportarse  como  un  cortocircuito  mientras  este  conduciendo.    
•  Son   sensibles   a   la   presencia   de   señales   transitorias   de   voltaje   o  
corriente,   por   lo   que   generalmente   se   requiere   del   empleo   de  
disposi;vos  o  circuitos  auxiliares  de  protección.    
ste circuito la acción de mando para el encendido la realiza una corriente 𝑖   determinada.
ando VS la caída de tensión en el SCR, Vcd la tensión de alimentación para la carga RL e 𝑖 la
ente por el interruptor o la carga, podemos plantear las siguientes relaciones de circuito:

7.1. SCR  “Cerrado”

do de conducción originado por una 𝑖   mayor que la corriente de disparo para la tensión Vcd)
SCR  “Cerrado”:  Figura 3.76 Circuito Básico de conmutación con SCR
1 𝑉
este circuito la 𝑉acción
=   𝑉de+mando
𝑉 =   𝑉para
+ 𝑖 el
𝑅 encendido
          ∴               𝑖 la= realiza
  − 𝑉una
𝑅
+   corriente
𝑅
. 𝑖   determinada.
mando VS la caída de tensión en el SCR, Vcd la tensión de alimentación para la carga RL e 𝑖 la
riente
presiónporpara 𝑖 representa
el interruptor o lalacarga, podemos
ecuación plantear
de una las siguientes
línea recta relaciones
que se conoce condeelcircuito:
nombre de
anterior, las condiciones de operación del circuito con el SCR en estado de cond
resumir en las siguientes:
𝑉 =   𝑉 ≈ 0.8  𝑎  1.5  𝑉
𝑉 =   𝑉 − 𝑉   ≈ 𝑉 (generalmente Vcd>>VT)
𝑉 𝑉 −𝑉 𝑉
𝑖 =   𝑖 =   =     ≈  
𝑅 𝑅 𝑅
𝑉
𝑃 =   𝑖 𝑅 =  
𝑅
𝑉
𝑃 =   𝑉 𝑖 =   𝑉 𝑖   ≈   𝑉 <   𝑃
𝑅
SCR  “Abierto”:  

iL = ID 0
V L = ID R L 0
VS = Vcd - VL Vcd
PL = ID2 RL 0
PD = VS ID = Vcd ID 0

En este caso, la disipación es despreciable en comparación con la que se p

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