FUENTE FLYBACK

CÁLCULOS DEL CIRCUITO DE POTENCIA CON

COMPONENTES REALES
DISEÑO NO LINEAL

Dando continuidad al diseño de la fuente de conmutación Flyback se procede a realizar el

cálculo de los componentes del circuito como lo son el rectificador de onda a la entrada, los
elementos de switcheo reales, Mosfet de conmutación y diodo, y se procede a realizar la
simulación con estos componentes en malla abierta, finalmente se define un sistema de
control para la fuente.

En primer lugar, es necesario convertir la señal de voltaje alterno que es entregado por la
línea, para esto se utiliza un circuito rectificador de onda completa implementado con un
puente de diodos, el cual convierte los valores negativos de la señal sinusoidal en valores
positivos, obteniendo así una señal del doble de frecuencia como se observa en la
ilustración 1.

Ilustración 1 Rectificador de onda completa.

Seguido a esto se utiliza un circuito de filtrado para obtener un voltaje DC a la salida y que
cumpla la especificación de voltaje de rizado del 10 % del voltaje pico de la entrada.

Como se había definido en el informe anterior el valor de eficiencia seleccionado es de 85%,

12 W
obteniendo así una potencia de entrada igual a 𝑃𝑖𝑛 = 0.85
= 14.12 W.

El voltaje de la línea es de
 𝑉𝑖𝑛 = 110 𝑉𝐴𝐶 ± 10%

99 𝑉𝐴𝐶 < 𝑉𝑖𝑛 < 121 𝑉𝐴𝐶 ó 140 𝑉𝑝 < 𝑉𝑖𝑛 < 171 𝑉𝑝

Con el voltaje en el rizado de 10% del valor pico de la señal se obtiene

𝑉𝐷𝐶 𝑚𝑖𝑛 = 𝑉𝑝 𝑚𝑖𝑛 − 𝑉𝑟𝑖𝑧𝑎𝑑𝑜 = 140𝑉 − 14V

𝑉𝐷𝐶 𝑚𝑖𝑛 = 126 𝑉

Con esto podemos calcular la corriente de entrada de la fuente

14.12 𝑊
𝐼𝑎 = = 112.06 mA
126 𝑉

Para el diseño de la fuente se garantiza la máxima potencia a la salida esto se logra en el

límite del modo continuo y discontinuo, es decir con el Voltaje a la salida del condensador
de rectificación 𝑉𝐷𝐶 𝑚𝑖𝑛 , ciclo útil del 50% y corriente máx.

Ilustración 2 Señal rectificada, voltaje del condensador.

La frecuencia de la señal a la salida del rectificador es dos veces la de la entrada,

obteniendo así una señal de 120 Hz podemos hallar el valor del periodo T como se observa
en la figura el valor de 𝑡𝑑𝑖𝑠 es el tiempo de descarga del condensador.

La corriente del condensador está definida por

𝑑𝑉𝑐
𝐼𝑐 = 𝐶
𝑑𝑡

Si asumimos el voltaje de rizado pequeño (del 10%) se puede realizar una aproximación
lineal de la ecuación a
𝛥𝑉𝑐
𝐼𝑐 = 𝐶
𝛥𝑡
Y despejando
𝛥𝑡
𝐶=𝐼
𝛥𝑉𝑐
Donde:
𝛥𝑉𝑐 es el voltaje pico a pico de rizado.
𝛥𝑡 es el tiempo de descarga del condensador.
𝐼 la corriente de entrada a la fuente.

La frecuencia de la señal rectificada es de 120 Hz presentando así un periodo T = 8.33 ms

tomando un tiempo de descarga de 6 ms se obtiene el valor del condensador de rizado.

6 𝑚𝑠
𝐶 = 112.06 𝑚𝐴 = 48 µ𝐹
14 𝑉𝑝𝑝

Ahora para calcular la corriente de salida del puente de diodos se plantea la ecuación de
corrientes

Ilustración 3 Circuito rectificador.

𝐼𝑑 = 𝐼𝑐 + 𝐼𝑎

𝐼𝑑 = 𝑤 ∗ 𝐶 ∗ 𝑉𝑝 ∗ cos(𝑤𝑡) + 112.06 𝑚𝐴

𝐼𝑑 𝑚á𝑥 = 1.5 𝐴

Se selecciona un puente de diodos que cumpla con las especificaciones de corriente

máxima mayor a 1.5 A y voltaje máximo mayor a 200V por esto se selecciona el dispositivo,
ya que según la hoja de especificaciones soporta un voltaje inverso máximo de hasta
400 𝑉𝑅𝑅𝑀 y un voltaje de entrada 280 𝑉𝑅𝑀𝑆 , pero más importante es que permite una
corriente forward de hasta 2 A, suficiente para satisfacer nuestros requerimientos.
 VRRM Voltaje máx. IF (AV) Referencia Half Bridge
rectifier
400 𝑉𝑅𝑅𝑀 240𝑉𝐴𝐶 2𝐴 2W04G-E4/51GI- 2W04G
ND
Tabla 1. Rectificador de onda completa.

Para el cálculo del Mosfet se tiene en cuenta que la corriente máxima que debe soportar el
Mosfet es la corriente pico del primario y el voltaje máximo entre Drain-Source.

El voltaje Drain-Source en el Ton = 0V y en Toff es

𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝑖𝑛 𝑚𝑎𝑥 + 𝑉𝑜𝑢𝑡 ∗ 𝑁 = 170 + (10.5 ∗ 12) = 296 𝑉

Se debe tener en cuenta que debido a inductancias parasitas se presenta un voltaje de

overshooting adicional que según referencia es de 25 % del valor estable del voltaje
calculado así que el voltaje máximo que debe soportar el Mosfet es

𝑉𝐷𝑆 𝑚𝑎𝑥 = 296 + (296 ∗ 25%) = 370𝑉

Por esta razón se selecciona el Mosfet

𝑽𝒅𝒔 𝑹𝒅𝒔 𝑽𝒈𝒔 𝑪𝒐𝒆𝒇𝒊𝒄𝒊𝒆𝒏𝒕𝒆 𝒅𝒆 𝑻 𝑹𝒆𝒇. 𝑳𝑨𝑩 𝑷𝒐𝒕𝒆𝒏𝒄𝒊𝒂 𝑴á𝒙 𝑰𝒅

400 𝑣 0.55 ±20 𝑉 0.63 𝑉/°𝐶 𝐼𝑅𝐹740 125 𝑊 10 𝐴
Ilustración 4 Especificaciones Mosfet de potencia.

Ahora verificamos que los tiempos de conmutación del Mosfet cumplan con la frecuencia de
conmutación de la fuente de 35 kHz o de 28,6 µs.

Ilustración 5 Especificaciones Mosfet de potencia tiempos de conmutación.

Efectivamente cumplen con el parámetro de frecuencia de conmutación especificado

anteriormente.

Ahora se calcula el voltaje que debe soportar el diodo en inversa el cual se calcula con la
siguiente ecuación
𝑛2
𝑣𝐷 = −𝑉𝑂 − 𝑉𝑖𝑛
𝑛1
 1
𝑣𝐷 = −12 − 170 = −28.1 𝑉
10.5

Además, la corriente máxima que circula a través de este es la corriente pico del secundario
que de acuerdo al informe anterior es de 4 A.

Con esto seleccionamos el diodo schottky que presenta en sus características

conmutaciones rápidas para que no haya problemas en la conmutación de la fuente y
además que cumpla con las especificaciones mencionadas anteriormente.

𝑴𝒂𝒙 𝒑𝒆𝒂𝒌 𝒓𝒆𝒗𝒆𝒓𝒔𝒆 𝒗𝒐𝒍𝒕𝒂𝒈𝒆 𝑴𝒂𝒙 𝑰𝒂𝒗 𝑴𝒂𝒙 𝑽𝒇 (Vϒ) 𝑱𝒖𝒏𝒄𝒕𝒊𝒐𝒏 capacitance

40 𝑉 5𝐴 0.55𝑉 500 𝑝𝐹
Ilustración 6 Especificaciones diodo schottky.

Para la construcción del transformador se selecciona el núcleo de material 77 disponible en

el laboratorio, específicamente el EA-77-375 el cual maneja una potencia de 70 W.

La energía magnética que se debe almacenar está dada por la ecuación:

1
𝐸𝑚 = 𝐿𝐼 2 = 0.5 ∗ 4,72 𝑚𝐻 ∗ (381 𝑚𝐴)2 = 0.343 𝑚𝐽
2

La energía magnética que se debe almacenar está dada por la ecuación:

𝐵𝑚𝑎𝑥 2 ∗ 𝐴𝑒 2 (0.903 𝑐𝑚2 )2 ∗ (2500 𝐺𝑎𝑢𝑠𝑠)2

𝐸𝑛𝑢𝑐 = = = 0.184 𝑚𝐽
𝐴𝐿 𝑚ℎ
2760 1000𝑡𝑢𝑟𝑛𝑠
Significa que la energía proporcionada por el núcleo no es lo suficientemente grande para
soportar la energía que requiere el transformador.

Ahora con las especificaciones del núcleo seleccionado hallamos la densidad de flujo
magnético para comprobar si se almacena toda la energía.
Ilustración 7 Especificaciones núcleo seleccionado.
De la curva de histéresis dada por la hoja de especificaciones se observa que hasta una
temperatura de los 100°C se puede trabajar “lineal” hasta aproximadamente una densidad
de flujo de 2500 Gauss. Hallamos el número de vueltas del primario y del secundario por lo
cual tomamos este valor de B.

𝐴𝑒 𝑚𝐻
𝐴𝑙 = 4 ∗ 𝜋 ∗ ∗ 𝜇𝑒 = 3298.7 [ ]
𝐴𝑙 1000 𝑣𝑢𝑒𝑙𝑡𝑎𝑠

𝐿[𝑚𝐻] 4.72 𝑚𝐻
𝑁𝑝 = √ ∗ 1000 = √ ∗ 1000 = 37.8 𝑣𝑢𝑒𝑙𝑡𝑎𝑠
𝐴𝑙 3298.7

Se determina la intensidad de campo magnético mediante la siguiente ecuación:

0.4 ∗ 𝜋 ∗ 𝑁 ∗ 𝐼𝑝 0.4 ∗ 𝜋 ∗ 37.8 ∗ 0.381 𝐴

𝐻= = = 2.63 𝑂𝑒𝑟𝑠𝑡𝑒𝑑
𝐿𝑒 6.88 𝑚𝑚

y calculando la densidad de flujo:

𝐵 = 𝜇 ∗ 𝐻 = 2000 ∗ 2,63 = 5260 𝐺𝑎𝑢𝑠𝑠

Con esto se comprueba que el núcleo está saturado y se requiere GAP para que el
transformador pueda almacenar la energía deseada.

Se requiere por lo tanto modificar el área efectiva para permitir que el núcleo seleccionado
trabaje en condiciones normales de operación.
Como 𝐴𝐿 representa la inductancia de una sola vuelta, es este parámetro el que se debe
modificar en principio para obtener menor densidad de flujo magnético, al modificar este
parámetro el 𝜇𝑟 también varía correspondientemente.

Se calcula la relación entre la energía necesaria con la energía del núcleo para definir
cuantitativamente cuanto modificar el área efectiva:

𝐸𝑛𝑒𝑐𝑒𝑠𝑎𝑟𝑖𝑎
𝑅= = 1.864 ≈ 2
𝐸𝑛𝑢𝑐𝑙𝑒𝑜

Se debe modificar en 2 el área efectiva y el 𝜇𝑟 para cumplir que la energía del nucleo sea capaz de
almacenar la energía necesaria. Pero esto es en el límite, por lo cual lo sobredimensionamos para
garantizar el correcto funcionamiento del transformador con un R = 7

1 2000
𝜇𝑒 = 𝜇𝑟 ( ) = = 285.71
𝑅 7

𝐴𝑒
𝐴′𝑙 = 4 ∗ 𝜋 ∗ ∗ 𝜇𝑒 = 471.24
𝐴𝑙
Calculamos de nuevo el número de vueltas del primario

𝐿[𝑚𝐻] 4.72 𝑚𝐻
𝑁𝑝 = √ ∗ 1000 = √ ∗ 1000 = 100.1 𝑣𝑢𝑒𝑙𝑡𝑎𝑠
𝐴𝑙´ 471.25

Se determina la intensidad de campo magnético mediante la siguiente ecuación:

0.4 ∗ 𝜋 ∗ 𝑁 ∗ 𝐼𝑝 0.4 ∗ 𝜋 ∗ 100 ∗ 0.381 𝐴

𝐻= = = 7.16 𝑂𝑒𝑟𝑠𝑡𝑒𝑑
𝐿𝑒 6.88 𝑚𝑚

y calculando la densidad de flujo:

𝐵 = 𝜇 ∗ 𝐻 = 285.71 ∗ 7,16 = 2047,7 𝐺𝑎𝑢𝑠𝑠 con esto comprobamos que el núcleo no se

satura

Calculamos el número de vueltas del secundario

𝑁𝑝 𝑁𝑝 100
𝑁= → 𝑁𝑠 = = = 9.52 𝑉𝑢𝑒𝑙𝑡𝑎𝑠
𝑁𝑠 𝑁 10.5

El cálculo del GAP se realiza mediante la siguiente expresión:

𝑙𝑒
𝜇𝑒 = → 𝑙𝑔𝑎𝑝 = 0.206 𝑚𝑚
𝑙𝑒
𝜇𝑖 + 𝑙

Una vez seleccionado el núcleo y se tenga el número de vueltas para cada bobina y la
corriente que fluye por cada una, se procede a calcular el calibre adecuado.

Calibre del alambre

Para realizar el cálculo adecuado del calibre que debe tener el alambre de los bobinados de
las inductancias acopladas, se debe tener en cuenta los valores de corriente hallados
anteriormente al igual que la densidad de corriente a través del material conductor, así el
área transversal del alambre cumple la siguiente ecuación:
𝐼
𝐴=
𝐽
Donde el área A se encuentra en milímetros cuadrados [mm²], la corriente I en amperios [A]
y la densidad de corriente J en amperios per milímetro cuadrado [A/mm²]. Se debe tener en
cuenta que la densidad de corriente típica del cobre es igual a 5 A/mm².
El área transversal del bobinado primario es:

𝐼𝑃 381 mA
𝐴𝑃 = = = 0.0762 mm²
𝐽 5 A/mm²

De igual manera, el área para el secundario es:

 𝐼𝑆 4A
𝐴𝑆 = = = 0.8 mm²
𝐽 5 A/mm²

En base a los valores del área hallados anteriormente, se puede hallar el calibre del
alambre a utilizar, mediante la tabla AWG del cobre.

Ilustración 8 Tabla AWG.

De la tabla se puede observar que el alambre que se debe seleccionar para realizar el
bobinado primario corresponde a uno de calibre 28 y para el secundario uno de calibre 18,
los cuales corresponden a un área transversal un poco mayor al valor calculado
previamente.
Circuito snubber

Este circuito facilita la conmutación del Mosfet, suprimiendo las sobre tensiones durante el
apagado tanto en el Mosfet como en el diodo de salida, causadas por inductancias parasitas
del transformador.

El circuito tiene sirve para liberar la energía almacenada en inductancias parasitas con el fin
de no dañar el Mosfet, de este modo se presenta una topología que se utilizara en el
desarrollo de la fuente.
 Ilustración 9 Circuito snubber.

Cuando el Mosfet está en modo abierto la inductancia del primario transfiere la energía
almacenada al secundario por el acople magnético que tiene, dado a que la inductancia
parasita no posee este tipo de acople es necesario liberar la energía que esta almacena, la
corriente fluye por el diodo cargando el condensador Cs de forma lineal, en el momento en
el que el Mosfet conduce el diodo entra en inversa y el condensador empieza a descargarse
con la resistencia Rs.
Se debe garantizar que el condensador se descargue completamente durante el tiempo Ton
para así poder recibir de nuevo la corriente del embobinado parasito.
Por otro lado, el voltaje 𝑉𝑑𝑠 puede llegar hasta 400 V, aunque según cálculos anteriores, se
espera un máximo de 350 𝑉. Así que por protección del Mosfet se calculará el condensador
tal que no se supere el 70% del voltaje 𝑉𝑑𝑠 𝑚á𝑥

El óptimo valor del capacitor de snubber se calcula asumiendo que la corriente en el Drain
1
del Mosfet es lineal tal que la corriente por el condensador de snubber equivale a 2
𝐼𝑝 en el
momento que el mosfet está apagado.
𝑑𝑉𝑐 1 𝐼𝑝
= ( )( )
𝑑𝑡 2 𝐶1
el voltaje 𝑉𝑑𝑠 puede llegar hasta 400 V, aunque según cálculos anteriores, se espera un
máximo de 350 𝑉. Así que por protección del mosfet se calculara el condensador tal que no
se supere el 70% del voltaje 𝑉𝑑𝑠 𝑚á𝑥. [1]
𝐼𝑝 ∗ 𝑡𝑜𝑓𝑓
𝐶𝑠𝑛 =
2 ∗ (0.7 ∗ 𝑉𝑑𝑠 𝑚á𝑥)

381mA ∗ 14.2𝑢𝑠
𝐶𝑠𝑛 = = 9.6 𝑛𝐹
2 ∗ (0.7 ∗ 400 𝑉)
Resistencia Snubber
La selección de la resistencia de snubber se hace partiendo del hecho que el condensador
de snubber se descargue lo más rápido posible en el tiempo 𝑡𝑜𝑛 . La constante de tiempo RC
se asume que sea menor al 50% del tiempo 𝑡𝑜𝑛 , asegurando así que Csn se descargue por
completo antes del tiempo 𝑡𝑜𝑓𝑓 .
1 14.2 𝑢𝑠
𝑅𝑠𝑛 = ( ) ∗ ( ) = 735 𝑜ℎ𝑚
2 10 𝑛𝐹

Diodo Snubber
Deberá ser de alta velocidad (< 5.5 µs) y soportar un voltaje de aproximadamente 400 V.

Circuito de control por PWM

Para esta etapa, la fuente necesita un control de voltaje para regular las variaciones que se
presenten tanto en la carga como en las variaciones de la señal de entrada. Para esto, se
propone un circuito de realimentación compuesto por un PWM junto con un opto acoplador.
Las referencias de estos elementos se dan a continuación:

- PWM
Se ha escogido el UC3842 ya que cuenta con las siguientes características:
1. Baja corriente de arranque.
2. Frecuencia de operación de hasta 500 kHz.
3. PWM por corriente.
Es muy utilizado en convertidores DC-DC ya que ofrece un control preciso de ciclo
útil y con una salida para controlar Mosfets de potencia, como el que se usará en
este caso.
Además, es de fácil adquisición ya que el laboratorio cuenta con este elemento.

- Opto acoplador
Se escogerá el 4n35, el cual cuenta con un diodo emisor de luz y un fototransistor.
Sus características son:
1. Alta transferencia de corriente.
 2. Alto aislamiento de voltaje.
3. Rápido swicheo.

- Regulador
Este integrado nos ayudará a controlar el funcionamiento del opto acoplador y del
control, dependiendo del voltaje que caiga sobre la carga. Sus características son:
1. Baja impedancia de salida, típica de 0.2 Ω
2. Alta estabilidad térmica.
3. Rápida respuesta.

Con base en el siguiente circuito, se observa la manera de conectar el control a nuestra

fuente, teniendo en cuenta los tres elementos anteriormente descritos.
Su funcionamiento depende del voltaje que caiga en la carga conectada a la fuente, si este
voltaje supera el Vref del regulador, el cual es tipicamente de 2.5 V, se habilitará este
regulador haciendo pasar corriente por el opto acoplador y este a su vez haga circular
corriente a la entrada de corriente del control PWM para que este controle el ancho de los
pulsos de conmutación de la fuente y regule las variaciones de voltaje a la salida, para
evitar posibles daños en l fuente y mantener las espeificaciones de diseño.

Simulaciones en malla abierta

Para realizar la simulación con los componentes reales se insertan las
especificaciones encontradas en el datasheet y se aplican al modelo de simulación
de Psim
Referencias
- http://fidestec.com/blog/fuentes-de-alimentacion-conmutadas-08/
- SWITCHMODE POWER SUPPLY HANDBOOK
- Tutorial Saturable Core, Psim Software.