Trr=ta+tb
Irr=ta(di/dt)
Durante el periodo
Vtransitorio de apagado el
interés depende de la caída
de corriente inversa
Para la conmutación entre
P directa y P inversa se
debe tener en cuenta las
variaciones de tensión y
de corriente
Su composición es una sección de
sustrato n+ seguido de una capa
epitaxial tipo n- y al final en el
anodo una sección tipo P
Su símbolo es igual que al
diodo de baja potencia
La Potencia varía Tanto su estructura
dependiendo de las como características son
características más complejas que los
estructurales diodos de baja potencia
Diodos de Potencia
Curva Característica
En la polarización inversa circula
una corriente pequeña hasta alcanzar
la tensión inversa de ruptura
La corriente crece en forma
lineal en la polarización
directa
La Potencia disipada se
La corriente del diodo se debe en parte a la
invierte para un tiempo disipación generada en
de recuperación inversa la región de arrastre del
trr, antes de caer a cero. diodo
Durante el
Transitorio de
encendido del diodo
el interés se centra en
la sobretensión
Los diodos de Schottky se encienden y
apagan más rápido que los diodos de
unión pn, y no tienen ningún transitorio
sustancial de recuperación inversa.
Diodo de polarización inversa donde la
zona de degradación se extiende por
completo a través de la región de deriva,
lo que a veces se llama condición de
perforación (punch-through)
El MOSFET es un dispositivo
Las pérdidas en estado activo Un MOSFET completo esta compuesto
normalmente apagado, y se enciende Debido a que el MOSFET es un
en un MOSFET suben mucho de muchos miles de celdas conectadas en
por la aplicación de una tensión de dispositivo de portadores
más rápido con la tensión de paralelo para lograr una ganancia grande
compuerta-fuente lo bastante grande mayoritarios, su resistencia en estado
V bloqueo especificada que las y una resistencia baja en estado activo.
para inducir una capa de inversión en activo tiene un coeficiente de
de un BJT.
la zona del canal del MOSFET que temperatura positivo, por lo que es
pone en cortocircuito el drenaje a la fácil conectar MOSFET en paralelo
fuente. para una mayor capacidad de manejo
de corrientes.

Los MOSFET tienen una

estructura de orientación MOSFET DE POTENCIA(BJT)
vertical con una región
derivada de drenaje un poco
dopada y una estructura muy Caracteristicas de corriente-tension
interdigitada de compuerta- Su símbolo de un MOSFET de modo de
fuente. intensificacion de canal n salida
(caracteristicas de iD_vDS) Y curva
de transferencia.
El MOSFET tiene un BJT parasito en la estructura
que puede bloquearse en estado activo en
circunstancias extremas, como velocidades muy
grandes de aumento en la tensión de drenaje-fuente.
Es más probable que el bloqueo de MOSFET
ocurra en circuitos de puente.

El MOSFET, como el BJT, es un

El MOSFET se enciende y apaga muy rápido
dispositivo de tres terminales donde la
porque es un dispositivo de portadores
entrada, la compuerta en el caso del
mayoritarios y no hay carga que deba
MOSFET, controla el flujo de corriente
inyectarse o retirarse de él, como el BJT.
entre las terminales de salida, la fuente y
el drenaje.