Pontificia Universidad Católica de Valparaíso

Facultad de Ingeniería
Escuela de Ingeniería Eléctrica
Ingeniería Eléctrica/Electrónica
Fundamentos de Electrónica
Examen
Profesor: Sr. Francisco Alonso V.
Ayudante: Sr. José Valdivia.
Fecha: Miércoles 05 de Diciembre de 2012
Tiempo: 1 hora y treinta minutos.

1.- Para la red de la figura, determine utilizando el modelo híbrido completo:

a) Zi b) Av c) Ai d) Zo e) Dibuje el circuito híbrido completo equivalente.
Los parámetros del circuito están definidos por las siguientes ecuaciones:
Vi  086 K  I i  1,5  10 4  Vo
I o  140  I i  25S  Vo

2.- a) Seleccione los valores de RD y RS para la red de la figura para obtener una ganancia de -8 para este dispositivo definido
cuando VGSQ = ¼ Vp.
b) Obtenga VDSQ
c) Obtenga Zi
d) Obtenga Zo (Sin considerar la condición)
e) Dibuje el modelo ac equivalente.
3.- Dado el siguiente circuito:

Obtenga lo siguiente:

a) La recta de carga del diodo. La recta de carga se define como la corriente que pasa por el diodo en función del voltaje del
diodo. Grafique la recta de carga indicando el punto de saturación y el punto de corte con los valores de Id y Vd para cada
punto.
b) La corriente del diodo si se trabaja el diodo en segunda aproximación y las fuentes en primera aproximación.
c) Una vez obtenida la corriente en la letra b, considere esa corriente para obtener la resistencia interna del diodo si la
potencia disipada por éste es de 35 mW.
d) El voltaje y corriente en R2. (Diodo en segunda aproximación).