BAB I

PENDAHULUAN

1.1. Latar Belakang

Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi

energi listrik DC secara langsung. Sel surya telah diaplikasikan dalam berbagai

bidang, salah satunya adalah diaplikasikan sebagai sumber energi pengganti

baterai pada alat elektronik yang mambutuhkan daya rendah, seperti jam tangan

dan kalkulator. Sel surya pertama kali dikembangkan dengan menggunakan bahan

silikon kristal (c-Si). Namun demikian akhir-akhir ini para ahli dalam bidang sel

surya banyak yang tertarik mengembangkan sel surya dari material lain,

diantaranya silikon amorf terhidrogenasi (a-Si:H). Hal ini disebabkan karena

temperatur penumbuhan material c-Si sangat tinggi sehingga hanya dapat

ditumbuhkan pada wafer silikon yang harganya mahal dan persediannya tidak

cukup pada saat sel surya diproduksi dalam jumlah yang sangat besar sehingga

menyebabkan biayanya menjadi mahal (Abdul Haris dkk, 2009).

Silikon amorf terhidrogenasi (a-Si :H) merupakan salah satu material yang

cocok untuk diaplikasikan sebagai sel surya. Berdasarkan kemampuan

absorbsinya yang tinggi pada daerah spektrum cahaya tampak, a-Si:H sangat

cocok untuk dijadikan lapisan tipis penyusun sel surya (Vet dkk, 2006). Selain itu

material a-Si:H juga mempunyai celah pita optik yang lebar (1.7 eV – 2.0 eV),

temperatur penumbuhan yang rendah (~200oC), dan dapat ditumbuhkan pada

1
 2

substrat gelas yang harganya murah dan persediannya melimpah. Dengan

demikian maka a-Si:H menjadi material yang murah untuk di aplikasikan pada

berbagai divais semikonduktor jika dibandingkan dengan silikon kristal (c-Si)

yang mempunyai celah pita optik 1.12 eV dan koefisien absorbsi yang lebih

rendah dari pada a-Si:H (Mukhopadhyay dkk, 2001 dan Street, 1991).

Metode penumbuhan telah banyak diteliti agar mendapatkan lapisan

berkualitas seperti Vacuum Evaporaration Method, Sputtering Method, Chemical

Vapour Deposition (CVD), Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition

(PECVD), serta Hot Wire Chemical Vapour Deposition (HWCVD) (Syahfandi

Ahda dan Mardiyanto, 2007). Diantara teknik-teknik penumbuhan tersebut,

PECVD merupakan teknik penumbuhan lapisan tipis a-Si:H yang paling populer

digunakan. Salah satu kelebihan dari teknik ini adalah dapat dilakukan

penumbuhan pada temperatur substrat yang rendah. PECVD menggunakan

frekuensi radio (rf) sebagai sumber pembangkit daya discharge. PECVD

konvensional menggunakan frekuensi radio (rf) sebesar 13.56 MHz. Dengan

metode ini diperoleh lapisan tipis dengan konduktivitas rendah, laju deposisi

rendah serta kandungan hidrogen yang tinggi. Untuk meningkatkan kualitas

lapisan tipis a-Si:H yang dihasilkan maka diperkenalkan teknik Very High

Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (VHF-PECVD),

dengan frekuensi rf yang digunakan adalah 70 MHz. Dengan teknik ini diperoleh

lapisan tipis a-Si:H dengan kandungan hidrogen yang lebih rendah serta laju

deposisi yang relatif lebih tinggi dibandingkan dengan menggunakan teknik

PECVD konvensional (Usman dkk, 2004).

 3

Teknik PECVD ini kemudian terus dikembangkan untuk meningkatkan

kualitas lapisan tipis a-Si:H yang dihasilkan menjadi Hot Wire PECVD (HW-

PECVD) (Ahda dkk, 2008 dan Haris dkk, 2009), HWC-PECVD (Supu, 2005) dan

kemudian dikembangkan menjadi Hot Wire Cell VHF-PECVD (HWC-VHF-

PECVD) (Usman, 2006). Secara umum teknik ini tidak jauh berbeda dengan

teknik VHF-PECVD, hanya saja pada teknik ini terdapat filamen panas yang

diletakkan di sistem masukan gas yang sejajar dengan substrat. Hal ini akan

menyebabkan gas silan yang memasuki chamber akan terdisosiasi dua kali,

dimana gas silan (SiH4) akan terdisosiasi terlebih dahulu oleh filamen panas

menjadi radikal yang lebih sederhana sebelum memasuki kawasan elektroda

(Satwiko dkk, 2009). Dengan menggunakan teknik ini, telah berhasil

ditumbuhkan lapisan tipis a-Si:H dengan laju deposisi yang lebih tinggi

dibandingkan dengan menggunakan teknik PECVD konvensional maupun VHF-

PECVD dan jika ditinjau dari segi kualitas material, teknik ini juga mampu

menghasilkan lapisan tipis a-Si:H dengan nilai konduktivitas tinggi (Usman,

2006) .

Kualitas dari suatu material semikonduktor dapat dilihat dari sifat atau

karakteristiknya, yakni sifat listrik dan sifat optiknya. Sifat listrik berhubungan

dengan nilai konduktivitas listrik material tersebut, dalam hal ini konduktivitas

terang dan konduktivitas gelapnya. Sedangkan sifat optik berhubungan dengan

lebar celah pita optik (energi gap). Celah pita optik yang baik untuk lapisan tipis

a-Si:H adalah lebih kecil dari 1.8 eV (Schropp dkk, 1998). Kualitas dari lapisan

yang ditumbuhkan dengan teknik HWC-VHF-PECVD bergantung pada parameter

 4

penumbuhannya, antara lain temperatur substrat (TS), yang menentukan mobilitas

radikal di permukaan penumbuhan, tekanan chamber (P), laju aliran gas silan

(SiH4), daya rf, serta temperatur filamen (Tf) (Usman, 2006).

Berdasarkan hal tersebut di atas, maka penelitian ini diarahkan pada analisis

karakteristik lapisan tipis a-Si:H yang ditumbuhkan dengan menggunakan teknik

HWC-VHF-PECVD pada variasi temperatur filamen (Tf), dimana parameter

penumbuhan lainnya di set pada posisi optimum. Besarnya temperatur filamen

berpengaruh terhadap efisiensi dekomposisi silan (αd) dan jenis radikal yang

dihasilkan setelah silan melewati filamen (Vilamitjana, 2004).

1.2. Perumusan Masalah

Berdasarkan uraian latar belakang di atas, maka dapat dirumuskan masalah

sebagai berikut: “Bagaimanakah pengaruh temperatur filamen (Tf) terhadap sifat

fisis lapisan tipis a-Si:H yang ditumbuhkan dengan teknik HWC-VHF-PECVD?”

1.3. Batasan Masalah

Adapun penelitian ini difokuskan pada karakterisasi lapisan tipis a-Si:H

yang ditumbuhkan dengan teknik HWC-VHF-PECVD dengan variasi temperatur

filamen (Tf) 800, 1000 dan 1400oC untuk aplikasi sel surya. Untuk aplikasinya

tersebut, maka karakterisasi lapisan tipis a-Si:H ini difokuskan pada analisis

struktur lapisan, ketebalan dan laju deposisi lapisan tipis a-Si:H, celah pita energi

optik, serta konduktivitas listrik dan fotosensitivitas lapisan tipis a-Si:H.

 5

1.4. Tujuan Penelitian

Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh temperatur filamen

terhadap sifat fisis lapisan tipis a-SiH yang ditumbuhkan dengan metode Hot Wire

Cell Very High Frequency Chemical Vapour Deposition (HWC-VHF-PECVD)

untuk aplikasi sel surya, yang meliputi analisis stuktur lapisan, laju deposisi, nilai

celah pita energi optik, konduktivitas listrik dan fotosensitivitas.

1.5. Metode Penelitian

Metode yang digunakan dalam penelitian ini adalah metode eksperimen.

Penumbuhan lapisan tipis a-Si:H dilakukan dengan menggunakan teknik HWC-

VHF-PECVD. Untuk mengetahui karakteristik dari lapisan tipis a-Si:H, dilakukan

tiga uji karakterisasi yaitu, karakterisasi I-V, XRD, dan UV-Vis.

1.6. Manfaat Penelitian

Hasil dari penelitian ini diharapkan dapat memperkaya hasil penelitian yang

terkait lapisan tipis a-Si:H yang ditumbuhkan dengan teknik HWC-VHF-PECVD.