Informe Nº 12 TRANSISTORES BJT:

Amplificación de señales pequeñas

Integrantes:

 Rivera Allpacca Cristhoper Joel

 Mauricio Sampi Alexis Joel

Profesora:

 Circe Marina Rondinel

I. RESUMEN

En este laboratorio podremos observar y comparar resultados teóricos con

experimentales del transistor BJT cuando se encuentra operando en zona de
amplificación y veremos la ganancia cuando se le aplica un voltaje.

También armaremos un circuito emisor-receptor llamado también opto acoplador y

realizaremos mediciones para ver en qué estado funciona.

II. OBJETIVOS GENERALES Y ESPECIFICOS

 Comprobar si el transistor se encuentra en la región de amplificación

comparando nuestros resultados teóricos y experimentales.
 Medir la ganancia de nuestro amplificador usando una onda senoidal.
 Estudiar el circuito emisor receptor (opto acoplador) y comprobar si se
encuentra en la región de saturación.

III. TAREA
IV. FUNDAMENTO TEORICO

TRANSISTOR BJT

El transistor bjt se puede usar en circuitos de control en los cuales es necesario activar o
desactivar algún dispositivo, para ello se lo polariza para que trabaje en regiones de corte
y saturación en forma alternada, se dice que el transistor bjt trabajará como conmutador,
como interruptor o como switch.

El uso del bjt en corte y saturación es muy útil, por ejemplo si se tiene un circuito mediante
el cual se quiere controlar el encendio y el apagado de una bombilla, pero resulta que el
circuito no es capaz de suministrar suficiente corriente para encender la bombilla, es en
estos casos que se utiliza el bjt en corte y saturación.

La siguiente figura muestra la forma mas común de polarizar el transistor bjt, en este caso
un npn, cuando se lo quiere polarizar para que trabaje en corte y saturación, RC representa
la carga que se quiere controlar como por ejemplo un led, una bombilla, un contactor, un
motor, entre muchos otros dispositivos, la cual necesita para que funcione adecuadamente
una tensión y una corriente, la tensión VCC del circuito de polarización se iguala a la tensión
que necesita la carga, la corriente IC será la corriente que necesita la carga; a través de RB
llegará la señal de control, la cual debe tener suficiente tensión para encender el diodo base
emisor, es decir la tensión mínima de control tiene que ser mayor a VBE=0,7V, la tensión
sobre RB dependerá de la cantidad de corriente que se tome de la señal la cual será igual a
IB.
En la imagen, la señal es una onda cuadrada, la cual tiene un valor mínimo de 0V y un valor
máximo de VBB.

Se cumple que IC=β*IB

Para que el transistor entre en corte IC tiene que ser cero IC=0, lo cual ocurre si IB=0, y esto
será cuando VBB=0.

De la malla 2 se tiene la ecuación de la recta de carga.

VCE=VCC-RC*IC

Cuando IC=0, la VCEcorte=VCC, es decir que en el corte a través de RC no hay corriente y

toda la tensión VCC caerá sobre el colector emisor.

Para que el transistor entre en saturación, la VCE=0, en teoría entre el colector y el emisor
habrá un cortocircuito, en realidad la VCE nunca es cero, pero para facilitar los cálculos se
asume que es cero, al hacer esto se obtiene la corriente de colector de saturación:

ICsat=VCC/RC

Que es la corriente que la carga necesita para funcionar adecuadamente, una vez que se
tiene el valor de la corriente que necesita RC, a partirde IC=β*IB se puede obtener el valor
de la corriente de la base necesaria para obtener la corriente de saturación, la cual es:

IB=ICsat/β

Resulta que β se ve afectada por la temperatura y por la IC, por lo cual si β cambia, IB
cambiará y esta a su vez cambiará el valor de IC, lo cual podría sacar al transistor de la
saturación, por ese motivo se hace que IB=5*ICsat/β, de esta forma se logra asegurar la
saturación ya que si β cambia IB cambiará pero ICsat no se verá afectada.

De la malla 1, para encontrar el valor adecuado de RB para asegurar la saturación se tiene:

 VBB=IB*RB+VBE, de donde

RB= (VBB-0,7)/IB, luego:

RB= (VBB-0,7)/(5*ICsat/β)

Si se ve la gráfica de la recta de carga, a los lugares donde se polariza el transistor bjt se le

conoce como punto de operación y se le representa con la letra Q, para el caso del corte y
saturación el transistor tendrá dos puntos de operación, en el corte el punto de operación
será (VCEcorte,0) y para la saturación el punto de operación será (0,ICsat), en el siguiente
gráfico vienen a ser los extremos de la recta de carga la cual está en color celeste.

Donde:

ICsat=VCC/RC

VCEcorte=VCC

Es importante llegar a comprender el uso del transistor bipolar en corte y saturación ya que
se utilizará muchas veces, uno de ellos es por ejemplo en el puente H para el cambio de
sentido de giro de un motor de continua.

En el siguiente vídeo se comenta sobre el uso del transistor bipolar en corte y saturación, así
como sobre la recta de carga, esta recta de carga será muy utilizada en los circuitos de
polarización del transistor bipolar en la región activa.
FOTOTRANSISTOR

Figura I. Figura II.

El fototransistor no es muy diferente a un transistor normal, es decir, está compuesto por el

mismo material semiconductor, tienen dos junturas y las mismas tres conexiones externas:
colector, base y emisor. Por supuesto, siendo un elemento sensible a la luz, la primera
diferencia evidente es en su cápsula, que posee una ventana o es totalmente transparente,
para dejar que la luz ingrese hasta las junturas de la pastilla semiconductora y produzca
el efecto fotoeléctrico.

Teniendo las mismas características de un transistor normal, es posible regular su corriente

de colector por medio de la corriente de base. Y también, dentro de sus características de
elemento opto electrónico, el fototransistor conduce más o menos corriente de colector
cuando incide más o menos luz sobre sus junturas. El mismo puede ser identificado en un
circuito con la simbología mostrada en la figura I.

Principio de funcionamiento

Los fototransistores combinan en un mismo dispositivo la detección de luz y la ganancia. Su

construcción es similar a la de los transistores convencionales, excepto que la superficie
superior se expone a la luz a través de una ventana o lente. Los fotones incidentes generan
pares electrón-hueco en la proximidad de la gran unión CB. Las tensiones de polarización
inversa de la unión CB, llevan los huecos a la superficie de la base y los electrones al colector.
La unión BE polarizada directamente, hace que los huecos circulen de base a emisor
mientras que los electrones fluyen del emisor a la base.

En este punto la acción convencional del transistor se lleva a cabo con los electrones
inyectados del emisor cruzando la pequeña región de la base y alcanzando el colector que
es más positivo. Este flujo de electrones constituye una corriente de colector inducida por
la luz. Los pares electrón-hueco fotoinducidos contribuyen a la corriente de base y si el
fototransistor se conecta en configuración de emisor común, la corriente de base inducida
por la luz, aparece como corriente de colector multiplicada por β o hfe.

Aplicaciones

Su uso se restringe generalmente a aplicaciones ON-OFF, en que su ganancia propia puede

eliminar la necesidad de amplificación posterior. De hecho, el mayor mercado para el
fototransistor es para las aplicaciones de mayor velocidad donde es mejor fotoconductores
de una pieza y más ganancia que un fotodiodo, con lo cual se elimina la necesidad de una
amplificación posterior.
Algunos equipos donde podemos encontrarlos

 Mouse
 Controles de iluminación
 Lectores de cinta
 Lápices ópticos
 Control remoto

Materiales utilizados en la construcción de un fotodiodo para su utilización

Es difícil definir las características de los materiales que se usan para hacer un
fotodiodo, ya que solo fotones con suficiente energía como para excitar a los
electrones producirán una fotocorriente significante. Este contenido también es
accesible desde la página sobre el fotodiodo. Los fotodiodos pueden ser de silicio,
germanio, arseniuro de galio o sulfuro de plomo II .

Longitud de onda
Material
del espectro electromagnético rango (nm)

Silicio 190–1100

Germanio 400–1700

Arseniuro Índico de galio 800–2600

Sulfuro de plomo (II) <1000–3500

Optoacoplador

Un optoacoplador combina un dispositivo semiconductor formado por un fotoemisor,

un fotoreceptor y entre ambos hay un camino por donde se transmite la luz. Todos estos
elementos se encuentran dentro de un encapsulado que por lo general es del tipo DIP.
 Funcionamiento del Optoacoplador

La señal de entrada es aplicada al fotoemisor y la salida es tomada del fotoreceptor. Los

optoacopladores son capaces de convertir una señal eléctrica en una señal luminosa
modulada y volver a convertirla en una señal eléctrica. La gran ventaja de un
optoacoplador reside en el aislamiento eléctrico que puede establecerse entre los
circuitos de entrada y salida.

Los fotoemisores que se emplean en los optoacopladores de potencia son diodos que
emiten rayos infrarrojos (IRED) y los fotoreceptores pueden ser tiristores o transistores.

Cuando aparece una tensión sobre los terminales del diodo IRED, este emite un haz de
rayos infrarrojo que transmite a través de una pequeña guía-ondas de plástico o cristal
hacia el fotorreceptor. La energía luminosa que incide sobre el fotorreceptor hace que
este genere una tensión eléctrica a su salida. Este responde a las señales de entrada,
que podrían ser pulsos de tensión.

Diferentes tipos de Optoacopladores

 Fototransistor: se compone de un optoacoplador con una etapa de salida formada por

un transistor BJT.

 Fototriac: se compone de un optoacoplador con una etapa de salida formada por un

triac
 Fototriac de paso por cero: Optoacoplador en cuya etapa de salida se encuentra un
triac de cruce por cero. El circuito interno de cruce por cero conmuta al triac sólo en
los cruce por cero de la corriente alterna.

V. EQUIPO

 Resistencias
 Transistor BJT
 Multímetro digital
 Osciloscopio digital
 Cables
 Capacitores 5V
 Fuente DC
 Fuente AC
 Diodo LED
 Diodo IR
 Fototransistor
VI. PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL

Primera Parte:

1. Monte el circuito de la figura 12.2. Mida IB, IC, VCE, VBE y compare sus resultados con
los calculados en el paso 1 ¿Esta el transistor en la región de amplificación? (Los
condensadores C1 y C2 se usaran para el acoplamiento de señales de voltaje
senoidal) Calcule el β de sus medidas realizadas.

2. Ingrese una señal de voltaje senoidal Vpe ≤ 5 V, observe las señales de entrada y
salida en el osciloscopio. Registre la ganancia A= Ve/Vpe. Varie el voltaje Vpe,
mientras obtenga una señal amplificada en la salida, registre la ganancia.

Para el informe: Dibuje la recta de carga en curvas Ic vs Vce. Indique el punto de

operación Q.

Segunda Parte:

3. El circuito de la figura 12.3 muestra un sensor emisor-receptor infrarrojo también

llamado opto acoplador. El circuito emisor consta de un diodo IR. Monte primero
este circuito y mida la corriente que circula a través de él y la diferencia de potencial
entre sus extremos. Una vez probado este circuito, arme el circuito receptor.
 El circuito receptor está basado en el fototransistor IR ST-1KL3B, que recibe en la
base de radiación emitida por el emisor. Este fototransistor tiene 3 pines, el pin de
la base queda libre. El emisor debe estar cerca de la base del fototransistor y
adecuadamente alineado.

El diodo led D2 permitirá observar que el fototransistor está operativo. Mida el

voltaje de colector emisor, Vce, la corriente en el emisor Ie y Ve, voltaje en el emisor
(sin led D2) ¿Esta el fototransistor en la región de saturación? Tape el diodo IR, ¿que
observa?

VII. HOJA DE DATOS

VIII. CALCULOS Y RESULTADOS

Paso 1.

De acuerdo a las fórmulas de IB, IC de la hoja de datos #1 tenemos:

Experimental Teorico %error

IB 12.2μA 12.57μA 2.94%
IC 3.37mA 3.572mA 5.65%
IE 3.38μA 3.584μA 5.69%

Recordar que IE = IC + IB.

El transistor si está operando en la región de amplificación, ya que medimos voltaje de

entrada y salida; y notamos que el voltaje de salida era mayor.

Calculo de β:

De las ecuacion Ic= β IB tenemos

β= 276,2 y comparando con el calculado en el
experimento anterior de β= 285,1 obtenemos un %error = 3,12%

Paso 2.

Según la hoja de dato tenemos:

Vepk-pk(V) Vspk-pk(V) g=Vs/Ve

0,55 1,79 3,25
1,7 5,84 3,44
1,48 5,18 3,50
1,35 4,8 3,56
1,14 4,02 3,53
1,08 3,52 3,26
0,93 3,31 3,56
0,78 2,76 3,54
0,69 2,47 3,58
0,59 2,06 3,49
0,51 1,82 3,57

gPROMEDIO = 3,48
Paso 3.

Al montar el circuito de la siguiente figura:

 La corriente y el voltaje medidos se encuentran en la hoja de datos. A continuación se
muestra el circuito completo.

Con los siguientes datos:

TAPADO CON LELD TAPADO SIN LED SIN TAPAR SIN LED
VCE 1.414V 103.4mV 127mV
VE 1.89V 4.877V 4.843V
IE 7.92mA 0.5mA 0.49mA

Observamos que al tener el circuito sin el LED tapado el voltaje VCE es ligeramente
menor que al taparlo, en cambio el voltaje del emisor VE se mantiene prácticamente
igual. Reconocemos que se encuentra en saturación debido a que el Voltaje
colector emisor es pequeño (condición de saturación) VCE≈0.
IX. OBSERVACIONES, DISCUSION DE RESULTADOS Y COMENTARIOS
 Se tuvo que hacer uso de resistencias y voltaje de entrada distintas a las primeras
mostradas en la hoja de datos que se usaron para calcular el VTH Y RTH, ello debido a
que se hicieron cálculos erróneos que posteriormente pudimos corregir a tiempo.
 Podemos observar errores muy pequeños en el paso 1 cuando usamos el β calculado
en del experimento 12.
 El β calculado en el paso 1 es muy cercano al calculado en el experimento anterior con
un error pequeño que nos indica una medida indirecta confiable.
 Los parámetros para la saturación son aceptables para nuestro modelo de transistor.
  Las resistencias usadas para el optoacoplador son distintas a las mostradas en la figura
12.3 pero no influyen en el funcionamiento de este.
X. CONCLUSIONES
 Los valores calculados y obtenidos experimentalmente no difieren en mucho y los
errores obtenidos son pequeños como para concluir que son aceptables.
 La ganancia de nuestro transistor BJT es alrededor del triple, y cumple su función de
amplificación cuando se encuentra en zona de operación.
 El circuito optoacoplador funciona correctamente con las condiciones propuestas y los
valores obtenidos concuerdan con la teoría.

XI. BIBLIOGRAFIA

http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/tutorial_general/eltransistorcomoamplificador
.html
https://hetpro-store.com/TUTORIALES/transistor-bjt/
http://www.educachip.com/optoacoplador-que-es-y-como-utilizarlo/
https://unicrom.com/regiones-saturacion-ruptura-inversa-transistor/

https://unicrom.com/regiones-de-operacion-del-jfet/