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Transistores Bipolares de Junção - TBJ

1. Introdução
 Primeiro componente construído com semicondutor de três
terminais.
 Até a década de setenta era o semicondutor mais empregado.
 Continua o mais adequado para circuitos que trabalhem sob
condições ambientais extremas adversas como é o caso da
eletrônica automotiva.
 Mais adequado para circuitos analógicos de alto desempenho
como é o caso de circuitos de alta corrente e alta freqüência
como os circuitos de radio freqüência (RF) de transmissão e
recepção.
 Componentes mistos: BiMOS e BiCMOS de nova geração.
 É tão bem conhecido que permite a construção de circuitos de
comportamento previsível e quase independentes de variações
nas suas características.

2. Construção e Operação
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Fig. 1 Estrutura simplificada de transistores NPN e PNP, polarização e fluxo de

corrente no modo ativo. Três terminais, Duas junções NP ou PN em oposição sendo o
elemento central comum, Emissor e Coletor nas extremidades Base no meio
3. Operação no modo ativo

Polarização: Voltagem direta na junção entre base e coletor, Voltagem reversa inversa
entre base e emissor

Fluxo de corrente (analisado como exemplo o caso do transistor npn): Apenas é

considerada a corrente de difusão e desprezada a corrente de deriva que é muito
menor. A corrente no emissor (que é tipo N) possui dois componentes: elétrons e
lacunas. Pela dopagem forte do emissor em comparação com a dopagem fraca da
base, consegue-se fazer com que, a componente da corrente constituída por elétrons
predomine sobre a componente de lacunas. Elétrons, que são portadores majoritários
no emissor, são injetados na base onde são portadores minoritários. A concentração
de elétrons na base apresenta uma distribuição que é função da largura da base, da
polarização de suas bordas e da velocidade de recombinação entre elétrons e as
lacunas que são portadores majoritários na base.

Fig. 3 Perfis de concentração de portadores minoritários no emissor e na base de um

transistor operando no modo ativo (VBE>0 e VCB ≥ 0)

A concentração de elétrons na base é maior na região mais próxima do emissor, seu

valor é: np(0) = np0 exp (vBE/VT) (1)
O gradiente de concentração dá origem a uma corrente de difusão In que é expressa
pela equação:
dn p ( x) dn p ( x) n p (0)
I n  AE qDn (2) onde o gradiente  (3)
dx dx W
AE = área da seção de corte junção Base- Emissor
q = carga do elétron
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Dn = constante de difusão dos elétrons na base

W = largura efetiva da base

Relações Corrente – Tensão para o TBJ no modo ativo

npn
pnp (substituindo vBE por vEB)
iC = IS EXP( vBE / VT) (4)
iC = IS EXP( vEB / VT) (4)
iB = (IS /β) EXP( vBE / VT) = iC /β (5)
iB = (IS /β) EXP( vEB / VT) = iC /β (5)
iE = (IS /α) EXP( vBE / VT) = iC /α (6)
iE = (IS /α) EXP( vEB / VT) = iC /α (6)

De (4), (5) e (6) pode-se facilmente derivar:

iC = α iE (7) iB = (1- α) iE = iE / ( β + 1) (10)

iC = β i B (8) iE = (β +1) iB (11)

β = α / (1- α) (9) α = β / (β + 1) (12)

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2-Modelos Equivalentes para grandes sinais

a) Circuito Base comum: Entrada entre E e B, saída entre C e B

Na figura a é mostrado o modelo equivalente (base comum). Neste modelo o diodo
DE apresenta uma corrente iE = (IS /α) EXP( vBE / VT) controlada por vB. sendo sua
corrente de escala dada por IS/α, sendo IS a corrente de escala do coletor. Na figura b
é representada a fonte de corrente no coletor controlada por iE sendo α (<1), o ganho
de corrente na configuração base comum.

b) Circuito Emissor comum: Entrada entre B e E , saída entre C e E

Na figura c é mostrado o modelo equivalente (emissor comum) em que a corrente de
escala IS para o coletor é relacionada à corrente de escala IS/β do diodo DB . Na
figura d é apresentado que a fonte de corrente no coletor é controlada por iB sendo β o
ganho de corrente na configuração emissor comum

A titulo de exercício tente representar os modelos de um transistor pnp para grandes

sinais com as configurações base comum e emissor comum.

Símbolos e convenções:
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3 - Representação Gráfica das características do transistor

IC =IS EXP (vBE/VT)

4 – Dependência de Ic da tenssão do coletor - O Efeito Early

Idealmente, um transistor na configuração emissor comum (no qual a

entrada se da entre base e emissor e a saída entre coletor e emissor) tem
resistência de saída infinita, entretanto em transistores reais esta
resistência é finita (efeito Early).

IC =IS EXP (vBE / VT) (1+vCE/VA) r0 = [∂iC / ∂vCE|vBE = constante ]-1  r0 = VA

/ IC
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5 - Analise cc de circuitos com transistores

Recomendo a resolução de todos os exercícios resolvidos e propostos entre as

paginas 222 e 239

6 – O transistor como amplificador

Para o circuito (b) acima podemos aplicar as seguintes relações para a condição CC .
Chamamos a isto Polarização

iC = IS EXP( VBE / VT)

iE = iC /α
iB = iC /β
vC = VCE = VCC - IC RC

Ao introduzir o gerador de sinais no circuito (a) passamos a ter um sinal variável que
pode ser decomposto em dois componentes um continuo puro e um alternado puro.
Corrente de coletor e transcondutância

vBE =VBE +vbe

iC = IS EXP( vBE / VT)

 iC = IS EXP( (VBE +vbe) / VT) = IS EXP( VBE / VT) × EXP( vbe / VT)
 iC = IC EXP( vbe / VT)
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 EXP( vbe / VT) = (1+vbe/VT)

 iC = IC (1+vbe/VT) = IC +(IC /VT) vbe = IC +gmvb = IC +iC
 gm = IC /VT

O que é importante destas relações é

1 - a corrente de coletor tem duas componentes, uma contínua (de
polarização) e outra de sinal
2 – a transcondutância gm (dimensionalmente 1/Ω), que representa a
função de transferência do sinal vb para iC é função (diretamente
proporcional) da corrente de coletor (IC ) e de VT que é a chamada tensão
térmica. Exemplo de gm 40 mA/V (para IC = 1mA)

Graficamente pode-se determinar gm por gm =∂iC /∂vBE | iC = IC , como

pode ser visto na figura abaixo

Para pequenos sinais onde vBE << VT pode-se assumir linearidade entre
IC e VBE
Neste caso o transistor se comporta como uma fonte de corrente
controlada por tensão.
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Corrente de Base e Resistência de entrada da Base

iB = iC / β = ( IB + ib ) / β = IC / β + vBE (IC /VT) / β

iB = IB + ib onde IB = IC / β e ib = vBE (IC /VT) / β

como gm = IC /VT  ib = vBE ( gm / β )

A resistencia de entrada da base olhando para terminal da base é:

rπ= vBE / ib = β / gm

alternativamente

rπ = V T / IB

Corrente de Emissor e Resistência de entrada da Emissor

iE = iC / α = IC / α + ic / α

ie = ic / α = (IC /αVT) vbe = (IE /VT ) vbe

A resistencia de emissor olhando para terminal do emissor é:

re = vbe / ie = VT / IE

re = α / gm = 1/ gm

A relação entre rπ e re

vbe = rπ ib = re ie

rπ = ( ie / ib) re = (β +1) re

Ganho de tensão

vC = VCC – iC Rc = VCC – ( IC - i c) Rc = (VCC – Rc IC) - ic Rc

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vC = Vc - ic Rc = - gm vbe Rc

vC / vbe = - gm Rc