TALLER N°1:

DIODOS

Nombre: Rodrigo Acuña

Marcial Córdova

Emilio Ibáñez

Asignatura: Electrónica Aplicada Al Control

Profesor: Alejandro Matamala

Fecha: 10-06-2018
Índice
1. Introducción .................................................................................................................. 1

2 Desarrollo práctico ........................................................................................................ 2

2.1 Circuito con resistencia 2.2 kΩ: .............................................................................. 2

2.2 Circuito con polaridad inversa: ................................................................................ 6

2.3 Circuito con resistencia 2.7 MΩ: ............................................................................. 7

2.4 Comparación valores al calentar diodo ................................................................... 8

3. Conclusiones ................................................................................................................ 9
1. Introducción

El diodo es uno de los elementos más comunes y sencillos de los dispositivos

semiconductores pero que desempeña un papel fundamental en equipos electrónicos al
tener una aplicación similar a un interruptor.

La propiedad de conductividad del diodo depende principalmente de la dirección de la

corriente la cual presenta un valor, en conductividad directa y no presenta valores cuando
la polaridad es inversa, o sea un valor muy cercano a cero.

En el presente informe se detallan características fundamentales del diodo, desde su

curva característica en polaridad directa, en polaridad inversa, al cambiar el valor de
resistencia del circuito y al momento de aplicar una fuente de calor al mismo.

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2 Desarrollo práctico

A continuación se muestran los circuitos utilizados para la obtención de datos:

2.1 Circuito con resistencia 2.2 kΩ polaridad directa:

 Circuito:

V fuente 2.2 kΩ

 Tabla de valores medidos:

Tabla n°1. Registro de valores

VF (v) VD (v) V 2.2 kΩ Id (A)
0.1 0.0083 0 0
0.2 0.00225 0 0
0.3 0.00274 0 0
0.4 0.00405 0.025 1.13636E-05
0.5 0.00433 0.116 5.27273E-05
1.6 0.52 0.931 0.000423182
3.6 0.6 2.954 0.001342727
5 0.615 4.45 0.002022727
9.7 0.64 9.04 0.004109091
10 0.651 9.273 0.004215
15 0.671 14.2 0.006454545
20 0.682 19.12 0.008690909
25 0.695 24.12 0.010963636
27.1 0.7 26.17 0.011895455
30 0.702 28.88 0.013127273

Obs: Para determinar la corriente de diodo de dividió el voltaje del diodo sobre la
resistencia de diodo de la siguiente forma:

𝑽𝟐.𝟐 𝐤Ω
𝑰𝒅 =
𝟐. 𝟐 𝐤Ω

2
  Gráfica en práctico:

ID/VD
0.014

CORRIENTE DIODO (A)

0.012
0.01
0.008
0.006
0.004
0.002
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8
VOLTAJE DIODO (V)

Gráfico n°1. Curva práctica del diodo de Si.

 Comparación con curva teórica:

Gráfico n°2. Curva teórica del diodo de Si.

Obs: al comparar el gráfico obtenido en laboratorio con el teórico se aprecia una similitud
en cuanto a forma y el valor que presenta la tensión umbral. Importante aclarar que solo
se consideró polarización directa. A partir de 0.7 V la corriente comienza a aumentar.

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  Tensión umbral, corriente de saturación y factor n:

A partir de la gráfica se deduce que la tensión umbral, es decir, la tensión en que la

corriente comienza a incrementarse rápidamente es aproximadamente el 0.7 V en la
zona directa (diodo de silicio).

Para obtener la corriente de saturación se utilizó la siguiente expresión (modelo shock):

𝑄𝑉𝐷
𝐼 = 𝐼𝑠 ∗ (𝑒 𝑛𝑘𝑡 − 1) (Corriente del diodo) (Ec. N°1)

Donde:

 q= carga del electrón.

 k= cte de boltzmann = 1,3806504E -23.
 t= temperatura en kelvin.
 N= 2 para el Silicio.
𝑡−300
 Is= corriente de saturación= 𝐼𝑠 = 1 ∗ 𝑛𝐴 ∗ 2 10 (Ec. N°2)
 Se considera una temperatura de 25 °C= 298.15 °K
 Se considera un voltaje del diodo de 0.6 V.

Entonces:

298.15−300
𝐼𝑠 = 1 ∗ 2 10

𝐼𝑠 = 0.87965 𝑛𝐴

La corriente del diodo será:

1.602564𝐸−19∗0.6
𝐼 = 0.87965 ∗ (𝑒 2∗1.3806504𝐸−23∗298.15 − 1)

𝐼 = 103.8906 𝑛𝐴

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  Comparación con valores teóricos:

Para realizar las comparaciones se utilizó la ecuación n° (1) y el software Excel para
agilizar los cálculos. A partir de lo anterior se obtuvo la siguiente tabla:

Tabla n°2. Registro de valores

Vd (Id)Teóricos (Id) Prácticos
0.615 0.00139 0.002022
0.671 0.00414 0.006454
0.7 0.00066 0.001096

Obs: Los valores son semejantes pero con una desviación a considerar. Esto debido a
la temperatura ambiente principalmente.

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2.2 Circuito con resistencia 2.2 kΩ polaridad inversa:

 Circuito:

V fuente
2.2 kΩ

 Tabla de valores:
Tabla n°3. Registro de valores
VF (v) VD (v) V 2.2 kΩ Id (A)
0.1 0,091 0 0
1 1,026 0 0
5 5,020 0 0
10 9,95 0 0
15 14,89 0 0
25 24,77 0 0

Obs: Para determinar la corriente de diodo de dividió el voltaje del diodo sobre la
resistencia de diodo de la siguiente forma:

𝑽𝟐.𝟐 𝐤Ω
𝑰𝒅 =
𝟐. 𝟐 𝐤Ω

 Gráfica en práctico:

ID/VD
1
CORRIENTE DIODO

0.8
0.6
0.4
0.2
0
0 1 2 3 4 5 6

VOLTAJE DIODO

Gráfico n°3. Curva práctica del diodo de Si.

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2.3 Circuito con resistencia 2.7 MΩ:

 Circuito:

V fuente 2.7 MΩ

 Tabla de valores:
Tabla n°4. Registro de valores
VF (v) VD (v) V 2.2 kΩ Id (A)
0.1 19,54 0 0
1 11,71 0 0
5 7,84 0.001 3.7037E-10
10 4,020 0.0012 4.44444E-10
15 0,865 0.0016 5.92593E-10
25 0,335 0.0022 8.14815E-10

Obs: Para determinar la corriente de diodo de dividió el voltaje del diodo sobre la
resistencia de diodo de la siguiente forma:

𝑽𝟐.𝟐 𝐤Ω
𝑰𝒅 =
𝟐. 𝟐 𝐤Ω

 Gráfica en práctico:

Id/Vd
9E-10
8E-10
7E-10
CORRIENTE DIODO

6E-10
5E-10
4E-10
3E-10
2E-10
1E-10
0
-1E-10 0 1 2 3 4 5 6 7
VOLTAJE DIODO

Gráfico n°4. Curva práctica del diodo de Si.

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2.4 Comparación valores al calentar diodo

 Circuito:

V fuente
2.2 kΩ

 Tabla de valores:

Tabla n°5. Registro de valores

VF (v) VD (v) V 2.2 kΩ OBSERVACIÓN
2.7 0.6 2.4 CON
TEMPERATURA
2.7 0.6 2.2 SIN
TEMPERATURA

Obs: Para aumentar la temperatura al diodo se utilizó un encendedor común el cual se

acercó en reiteradas ocasiones.

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3. Conclusiones

Al comparar el gráfico n°1 y n°2 se observa una similitud de la curva en la zona directa la
cual comienza a aumentar a partir del voltaje de diodo igual a 0.7 V formando una curva
exponencial. Este punto también es conocido como tensión umbral a partir del cual el
aumento de la tensión es despreciable en comparación con el aumento de la corriente
del diodo. En Vd= 0.7 V el diodo se vuelve más conductor de corriente.

En la tabla n°2 se presentan los valores de corriente de diodo para los valores de voltaje
de diodo iguales 0.65, 0.671 y 0.7 (V). Las corrientes obtenidas en práctico y en teórico
tienen una semejanza con una desviación a considerar. Esto debido a que para los
cálculos se consideró una temperatura ambiente de 25°C la cual no se confirmó con algún
instrumento. Al haber habido una temperatura menor el día de las mediciones, el diodo
se vuelve menos conductor afectando las mediciones. Además que se consideró un
voltaje de Diodo de 0.6 V como valor de cálculo. Claramente este voltaje puede tomar un
valor que va desde 0.6 a 0.7 V lo cual también afectó las mediciones.

Al acercarle una fuente de calor al diodo este se vuelve mejor conductor esto debido
principalmente a que al aumentar la temperatura los electrones de valencia alcanzan un
nivel de energía tal que son capaces de saltar de la banda de valencia a la banda de
conducción. Para el caso de nuestro estudio se midió el voltaje en la resistencia de 2.2
kΩ obteniéndose 2.4 V con temperatura y 2.2 V sin temperatura. Claramente la corriente
aumentó su valor lo que implicó un aumento en el voltaje de la resistencia (a 2.4 V).

A partir del gráfico n°3 y la tabla n°3 las cuales se obtuvieron con el diodo en polaridad
inversa, se puede observar como el diodo se comporta como un interruptor abierto
cuando circula por él una corriente en sentido contrario abriéndose o cerrándose
dependiendo si esta en inversa o directa.

En el gráfico n°4 y tabla n°4 se observa una disminución de la corriente al momento en

que aumenta el voltaje del diodo esto es al aplicar en el circuito una resistencia mucho
más grande que los circuitos anteriormente trabajados.

Para el diodo se pueden establecer 3 aproximaciones principales las cuales se exponen

a continuación:

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  El diodo ideal:

La exponencial se aproxima a una vertical y una horizontal que pasan por el origen de
coordenadas. Este diodo ideal no existe en la realidad, no se puede fabricar por eso es
ideal. Gráficamente resulta:

 Aproximación que pasa por x=0.7 V:

La exponencial se aproxima a una vertical y a una horizontal que pasan por 0,7 V (este
valor es el valor de la tensión umbral para el silicio, porque suponemos que el diodo es
de silicio, si fuera de germanio se tomaría el valor de 0,2 V).

 Aproximación con pendiente:

La curva del diodo se aproxima a una recta que pasa por 0,7 V y tiene una pendiente
cuyo valor es la inversa de la resistencia interna.

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