Propriedades Elétricas

Questões...
• Como caracterizar a condutância e resistência elétrica?

• Quais os fenômenos físicos que distinguem um

condutor, um semicondutor e um isolante?
• Para os metais, como a condutividade é afetada por
imperfeições, temperatura e deformação?
• Para semicondutores, como a condutividade é afetada
por impurezas e temperatura?

122
 Vista de um circuito integrado
• Fotos de microscopia eletrônica de um CI:
Al (d) (a)
(d)

Si
(dopado)
45 mm 0.5 mm
• Localização dos átomos de Si (um semicondutor):
-- Si representado nas regiões (b)
claras.

• Localização dos átomos de Al (um condutor):

-- Al representado nas regiões (c)
claras.

Fig. (d) from Fig. 12.27(a), Callister & Rethwisch 3e.

Figs. (a), (b), (c) from Fig. 18.27, Callister
(Fig. 12.27 is courtesy Nick Gonzales, National
& Rethwisch 8e.
Semiconductor Corp., West Jordan, UT.)
123
 Condutividade: Comparação
• Valores à temperatura ambiente (Ohm-m)-1 = ( - m)-1
Metais condutores Cerâmicos
-10
Prata 6.8 x 10 7 Vidro 10 -10-11
Cobre 6.0 x 10 7 Concreto 10 -9
Ferro 1.0 x 10 7 Óxido de Alumínio <10 -13

Semicondutores Polímeros
-14
Silício 4 x 10 -4 Poliestireno <10
Germânio 2 x 10 0 Polietileno 10 -15-10-17
GaAs 10 -6
semicondutores Isolantes
Selected values from Tables 18.1, 18.3, and 18.4, Callister & Rethwisch 8e.

124
 Bandas de Energia

Adapted from Fig. 18.2, Callister & Rethwisch 8e.

125
Representação da Estrutura de Bandas

Adapted from Fig. 18.3,

Callister & Rethwisch 8e.

126
 Condução & Transporte de Elétrons
• Metais (Condutores):
-- estados de energia ocupados vizinhos dos estados vazios.
-- Energia térmica Parcialmente ocupada Sobreposta
excita os elétrons ao
Energia Energia
estado desocupado.
banda
vazia
banda
-- dois tipos de Espaço
estruturas de bandas vazia
- parcialmente ocupada banda
ocupação banda
- banda vazia se

filled states
ocupada

filled states
sobrepõe à banda parcial
ocupada

banda banda
ocupada ocupada

127
 Bandas de energia: Isolantes &
Semicondutores
• Isolantes: • Semicondutores:
-- maior band gap (> 2 eV) -- menor band gap (< 2 eV)
-- poucos elétrons migram -- mais elétrons excitados à banda de
de banda de energia condução
Energia Banda Energia banda
condução condução
vazia vazia
Vazio ?
Vazio

banda Banda

filled states
filled states

valência valência
ocupada ocupada

banda banda
ocupada ocupada
128
 Metais: Influência da Temperatura e Impurezas na
Resistividade
• Presença de imperfeições aumentam a resistividade
-- contornos de grão
Espalhamento dos elétrons
-- átomos de impureza
aumentando o caminho médio.
-- vacâncias

6
• Resistividade
Resistividade,
(10 -8 Ohm-m)

5
aumenta com:
4 -- temperatura
3 d -- % impurezas
-- % deformação
2 i
1
t
 = térmico
0 -200 -100 0 T (ºC) + impureza
Adapted from Fig. 18.8, Callister & Rethwisch 8e. (Fig. 18.8
adapted from J.O. Linde, Ann. Physik 5, p. 219 (1932); and C.A.
+ deformação
Wert and R.M. Thomson, Physics of Solids, 2nd ed., McGraw-Hill
Book Company, New York, 1970.) 129
Portadores de Carga em Isolantes e
Semicondutores
Adapted from Fig. 18.6(b),
Callister & Rethwisch 8e.
Dois tipos de portadores de carga:
Elétron Livre
– carga negativa
– banda de condução

Buraco
– carga positiva
– estado eletrônico desocupado
na banda de valência

Movem-se a diferentes velocidades

130
 Semicondutores Intrínsecos
• Metais semicondutores puros: e.x., silício & germânio
– Grupo IVA da tabela periódica

• Compostos semicondutores
– Compostos III-V
• Ex: GaAs & InSb
– Compostos II-VI
• Ex: CdS & ZnTe
– Quanto maior a diferença de eletronegatividade,
maior a diferença de energia das bandas.

131
 Semicondução Intrínseca em Termos da
Migração Elétron Buraco
• Conceito de elétrons e buracos:
elétron elétron Buraco elétron buraco
valência Si
criação do par migração do par

- + - +

Sem aplicação campo campo

de campo elétrico Elétrico aplicado elétrico aplicado
• Condutividade elétrica dada por:
Adapted from Fig. 18.11,
Callister & Rethwisch 8e.
# buraco/m3
  n e me  p e m h
Mobilidade do buraco
# elétrons/m3 Mobilidade do elétron
132
 Condução Intrínseca vs Extrínseca
• Intrínseco:
-- Ex.: Silício puro
-- # elétrons = # buracos (n = p)
• Extrínseco:
-- comportamento elétrico é determinado pela presença de
impurezas que introduzem excesso de elétrons ou buracos
-- n ≠ p
• tipo-n Extrínseco: (n >> p) • tipo-p Extrínseco: (p >> n)
´Fósforo Boro
buraco
4+ 4+ 4+ 4+ elétron de 4+ 4+ 4+ 4+
  n e me 4+ 5+ 4+ 4+
condução
4+ 3+ 4+ 4+   p e mh
elétron de
4+ 4+ 4+ 4+ valência 4+ 4+ 4+ 4+

Adapted from Figs. 18.12(a)

Sem aplicação Si sem aplicação
& 18.14(a), Callister & de campo elétrico de campo elétrico
Rethwisch 8e. 133
 Semicondutores Extrínsecos: Condutividade vs.
Temperatura
• Silício Dopado:
--  maior com dopagem dopado

-- razão: imperfeições Não dopado

reduzem a energia de ativação 3

De condução (1021/m3)
Concentração de elétrons
para produzir elétrons móveis.

congelamento

Extrínseca
2

Intrínseca
• Comparação: intrínseco vs
extrínseco... 1
-- nível de dopagem extrínseca:
1021/m3 de impureza doadora tipo- n
(como P). 0
-- para T < 100 K: “congelamento“, 0 200 400 600 T (K)
energia térmica insuficiente para
excitar os elétrons. Adapted from Fig. 18.17, Callister & Rethwisch
8e. (Fig. 18.17 from S.M. Sze, Semiconductor
-- para 150 K < T < 450 K: “extrínseco" Devices, Physics, and Technology, Bell
-- para T >> 450 K: “intrínseco" Telephone Laboratories, Inc., 1985.)

134
 Junção p-n Retificadora
• Permite fluxo de elétrons em apenas uma direção (e.x., útil
para converter corrente alternada em contínua).
• Processamento: difusão de P de um lado de um cristal
dopado com Boro. tipo-p tipo-n
+ -
-- Sem aplicação de campo: + + - Adapted from
Fig. 18.21
não há corrente elétrica. + + - - - Callister &
Rethwisch
8e.

-- Fluxo para frente: cargas tipo-p+ - tipo-n

+ + -
migram para a região de junção; ++- - -
há corrente elétrica. + -

-- Fluxo reverso: cargas migram

para os extremos do material; + tipo-p+ tipo-n -
- + - - +
baixa corrente elétrica.
+ + - -

135
 Cerâmicas Ferroelétricas
• Produzem polarização espontânea

BaTiO3 – ferroelétrico abaixo

de 120ºC

Fig. 18.35, Callister &

Rethwisch 8e.
136
 Materiais Piezoelétricos
Piezoeletricidade
– aplicação de carga induz potencial (voltagem)
– aplicação de potencial induz mudança dimensional

sem carga com carga

Adapted from Fig. 18.36, Callister & Rethwisch 8e. (Fig. 18.36 from Van Vlack, Lawrence H., Elements of
Materials Science and Engineering, 1989, p.482, Adapted by permission of Pearson Education, Inc., Upper
Saddle River, New Jersey.)
137
 Resumo
• Condutividade e resistividade elétrica é:
-- propriedade do material
-- independente da geometria
• Condutores, semicondutores e isolantes...
-- diferem na faixa de condutividade/resistividade
-- diferem na disponibilidade de estados excitados
• Para metais, resistividade é aumentada por
-- aumento de temperatura
-- aumento de imperfeições
-- deformação plástica
• Para semicondutores puros, condutividade é aumentada por
-- aumento de temperatura
-- dopagem
• Outras propriedades elétricas
-- ferroeletricidade
-- piezoeletricidade 138