You are on page 1of 9

Laboratorio de circuitos electrónicos 1 FIEE-UNMSM

Informe previo del Laboratorio de Circuitos Electrónicos


1

Laboratorio N°4:

El amplificador base común

Informe previo

Alumno: Pablo David Muñoz Albites

• 14190275

Profesor: Dra. teresa Núñez Zúñiga

Jueves de 8-10 am

Fecha: 27/10/2016
Laboratorio de circuitos electrónicos 1 FIEE-UNMSM

Pregunta 1

Defina los parámetros del transistor, explique los modelos para pequeña señal del transistor
base común:

Parámetros característicos del transistor

En este previo, se exponen los principales parámetros que se utilizarán para el trabajo con
transistores.

Parámetro α

El parámetro α de un transistor indica la relación de semejanza que se produce en la corriente


de colector y las variaciones de las corrientes del emisor.

Así por ejejmplo, en el caso de que en un transistor se haya medido una variación de la
corriente de colector de 7.92 mA, entre dos puntos de funcionamiento, y una variacioón de 8
mA en la corriente de emisor, tendremos que:

Dado que la corriente de base, suele ser muy pequeña, en la mayor parte de los transistores el
valor del parámetro α se acerca a la unidad.

Ganancia de corriente o parámetro β de un transistor

La circunstancia de que una pequeña corriente de base controle las corrientes de emisor y
colector mucho más elevadas, indica la capacidad que posee un transistor para conseguir una
ganancia de corriente. Así, la ganancia de corriente de un transistor es la relación que existe
entre la variación o incremento de la corriente de colector y la variación de la corriente base.

Así, por ejemplo, en el caso de que en un transistor se obtenga una variación de corriente de
colector de 8 mA y de 0.08 mA en la corriente de base, la ganancia será:

La ganancia de corriente de los transistores comerciales varía bastante de unos a otros. Así,
nos podemos encontrar transistores de potencia que poseen una β de tan sólo 20. Por otro
lado, los transistores de pequeña señal pueden llegar a tener una β de 400. Por todo ello, se
pueden considerar qe los valores normales de este parámetro se encuentran entre 50 y 300.

En las tablas de especificaciones técnicas, que facilitan los fabricantes de transistores, en vez
de utilizarse la β para identificar la ganancia de corriente, se suele utilizar hFE. Así por ejemplo,
para el transistor de referencia BC108 se lee en sus hojas de características, una hFE entre 150 y
Laboratorio de circuitos electrónicos 1 FIEE-UNMSM

290; lo que nos indica que la ganancia de corriente de este transistor, puede encontrarse entre
estos valores.

¿Cómo es posible que en las hojas de características del transistor BC 108 nos indiquen que
posee una ganancia comprendida entre 150 y 290?

La respuesta está en que la ganancia de corriente de un transistor varía de una forma


sustanciosa con la corriente de colector. Además, la temperatura ambiente influye
positivamente en el aumento de dicha corriente. Hay que pensar que al aumentar la
temperatura de la unión del diodo colector aumenta el número de portadores minoritarios y,
por tanto, se produce un aumento de la corriente de colector.

Para poder cuantificar este fenómeno, los fabricantes de transistores proporcionan, en las
hojas de especificaciones técnicas, curvas de ganancia de corriente, donde se relacionan las
variaciones que sufre β con respecto a la corriente de colector y a la temperatura ambiente.

En estas curvas, se puede apreciar cómo la ganancia de corriente aumenta hasta un valor
máximo mientras la corriente de colector aumenta; sobrepasado ese límite, para mayores
valores de dicha corriente, la ganancia decrece. También, se hace observar la existencia de tres
curvas distintas, que indican diferentes condiciones de trabajo para diferentes temperaturas
ambiente.

Cuando se diseña un circuito con transistores hay que tener en cuenta estas variaciones de la
ganancia de corriente, de lo contrario se podrían cometer errores sustanciales, que
invalidarían las condiciones de trabajo requeridas por el diseño inicial.

Relación entre los parámetros α y β

Combinando las expresiones de los parámetros anteriores: α = IC/IE y β = IC/IB y teniendo en


cuenta la relación existente entre las diferentes corrientes que se dan en el transistor IE = IC+IB,
se pueden encontrar las expresiones matemáticas que relacionen ambos parámetros, tal como
se indica a continuación.

Así, por ejemplo, para determinar el parámetro α de un transistor que tuviese una ganancia de
corriente de 150, operaríamos así:

Tensiones de ruptura

Al igual que ocurría con los diodos, cuando se polariza inversamente cualquiera de las uniones
de un transistor aparecen pequeñas corrientes inversas, que no provocarán la ruptura de
dichas uniones si la tensión que se aplica no supera los valores máximos fijados en las hojas de
especificaciones técnicas.

1. Tensión inversa colector-base (VCBO) con el emisor abierto


Laboratorio de circuitos electrónicos 1 FIEE-UNMSM

En este caso, la unión formada por la base y el colector están polarizadas inversamente con la
tensión VCB. Como ocurría con los diodos, esto provoca la circulación de una pequeña corriente
de fuga (ICBO) que no será peligrosa hasta que no se alcance la tensión de ruptura de la unión.
Normalmente esta tensión suele ser elevada (del orden de 20 a 300 V).

Nunca deberá trabajarse, por supuesto, con una tensión superior a la indicada por el
fabricante en sus hojas técnicas. Este dato suele aparecer indicado con las siglas VCBO.

2. Tensión inversa colector-emisor con la base abierta

En este otro caso, se ha abierto la base, por tanto, se aplica una tensión entre el colector y el
emisor que es igual a la suma de las tensiones de las fuentes de emisor a colector. Esta fuerte
diferencua de potencial provoca un pequeño flujo de electrones que emite el emisor y que se
sienten fuertemente atraídos por el potencial positivo de la fuente. El resultado es una
pequeña corriente de fuga de emisor a colector ICEO. Al igual que ocurría anteriormente, el
valor de esta corriente está determinado por la tensión colector-base (VCEO) aplicada. En las
hojas técnicas también aparece la tensión máxima de funcionamiento (VCEO) que en ningún
caso debe ser superada, para evitar el peligro de destrucción del semiconductor.

Así, por ejemplo, para el transistor BC 108, en las hojas de especificaciones técnicas aparecen
los siguientes valores para las tensiones de ruptura: VCBO = 30V y VCEO = 20V, lo que significa
que este transistor nunca deberá operar con tensiones superiores a estos valores
especificados.
Laboratorio de circuitos electrónicos 1 FIEE-UNMSM

Resistencia de entrada

Se podría decir que la resistencia de entrada de un transistor es la que presenta éste, visto
desde los bornes de entrada.

Al observar la característica de transferencia del transistor, representada en la figura de abajo,


se puede ver que la intensidad de base aumenta con la tensión base-emisor.

Pues bien, a la relación existente entre las variaciones de tensión base-emisor y las de la
corriente de base, que se corresponden con la tensión y la corriente de entrada, se la
denomina resistencia de entrada, es decir:

Para realizar el cálculo de la resistencia de entrada nos valdremos de la curva característica de


transferencia.
Laboratorio de circuitos electrónicos 1 FIEE-UNMSM

Figura Notación y símbolos en la configuración de base común.


Pregunta2

Analizar teóricamente el texto de la fig 1

Analisis en c.c. , determina Q.

Analisis en c.a. , detrmina Zv,triangulo y una i ,zi,zo

Pregunta 3

Defina la catabilidad de polarización , de un ejemplo para la configuración base común.

La estabilidad de un sistema es una medida de la sensibilidad de una red ante las variaciones
en sus parámetros.
Laboratorio de circuitos electrónicos 1 FIEE-UNMSM

La IC de un transistor es sensible a:

β: Al aumentar la temperatura aumenta esta magnitud.

|VBE|: Valor absoluto del voltaje Base-Emisor, disminuye cerca de 7,5mV por cada incremento
en un grado Celsius (°C).

ICO: Corriente de saturación inversa. Duplica su valor por el incremento en 10°C en la


temperatura.

Cualquiera de los factores antes mencionados puede ocasionar que el punto de polarización se
desvíe del punto de operación determinado. No podemos olvidar que IB es muy sensible al
nivel de VBE, especialmente para niveles más allá del valor del umbral.

FACTORES DE ESTABILIDAD.

Se define un factor de estabilidad S, para cada uno de los parámetros que afectan la
estabilidad de polarización:

S (ICO) = ΔIC / ΔICO

S (VBE) = ΔIC / ΔVBE

S (β) = ΔIC / Δβ

Las redes son muy estables y relativamente insensibles ante variaciones de la temperatura, es
decir tienen factores de estabilidad bajos. Por esto, es apropiado considerar las cantidades
definidas por las anteriores ecuaciones como factores de sensibilidad porque mientras mayor
sea el factor de estabilidad, más sensible será la red ante variaciones en ese parámetro.

Ejemplo:

Malla de entrada:
Laboratorio de circuitos electrónicos 1 FIEE-UNMSM

Recta de carga (malla de salida):

Hemos dicho que el transistor podía trabajar como un amplificador y también


como un conmutador:

 Conmutación: SATURACIÓN y CORTE.

 Amplificación: ACTIVA.
Laboratorio de circuitos electrónicos 1 FIEE-UNMSM

Como hemos dicho anteriormente, el valor de IB depende de la RB, por lo


tanto podemos controlar la posición del punto Q variando el valor de la RB.

Analicemos brevemente la estabilidad de este circuito de polarización de base.

Vemos que la cc puede variar por varias razones, por lo tanto el punto Q es
inestable.

EJEMPLO: cc = 150

IB = 30 A
IC = 150 30 = 4,5 mA
VCE = 1,5 V

EJEMPLO: cc = 50

IB = 30 A
IC = 50 30 = 1,5 mA
VCE = 10,5 V

Vemos que al variar la beta varia la VCE, por lo tanto la posición del punto Q.