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Resumen:
En esta práctica se estudiara la conductividad eléctrica de los semiconductores y de
cómo esta cambia a través de la emisión de luz en el semiconductor. En este caso se
utilizara una muestra de silicio para observar estos efectos, se observaran otras
características eléctricas del material como son la vida media de los portadores de
carga a través de una emisión de luz en la muestra de silicio.
1. Introducción
Fotoconductividad
𝐽⃗ = 𝜎𝐸⃗⃗
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𝐽 = 𝜎𝐸
Teoría de bandas.
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Donde
n es el número de portadores
𝜂 Es la eficiencia del proceso
α es el coeficiente de absorción para cada longitud de onda
Io es la intensidad de la radiación incidente
𝜏 es el tiempo de relajación de los electrones
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2. Experimentación
Desarrollo Experimental
Este circuito al fluir una pequeña corriente dado que la resistencia eléctrica de la
muestra de silicio es del orden de mega ohm se producía una pequeña caída de voltaje
sobre la resistencia colocada en serie, esta lectura de voltaje se toma en un voltímetro y
conociendo la resistencia eléctrica de dicho resistor se conocía la corriente que fluye en
el circuito, la resistencia del resistor debe ser lo suficientemente grande para producir
una caída de voltaje relativamente grande, pero lo suficientemente pequeña para que la
resistencia interna del aparato de medición no interfiera con el circuito de la muestra de
silicio, esta resistencia se elegido de 10 KΩ, se midió el voltaje suministrado en la
muestra de silicio y la corriente que fluía por el para así poder observar cómo cambia la
resistencia en la muestra debido a la acción térmica provocada por el flujo de corriente
(efecto Joule).
A continuación se con la ayuda del equipo mostrado en la figura 2 se midió el
tiempo de vida de los portadores de carga.
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Se una lámpara estroboscópica como emisor de luz y un matraz con agua para
utilizarlo como lente y además como filtro infrarrojo producido por la lámpara para así
evitar el flujo de calor hacia la muestra y alterar su resistencia eléctrica, este mismo
matraz se colocó muy cerca de la muestra ya que en una lente esférica su foco está
localizado muy cerca de la lente para así enfocar gran parte de la luz de la lámpara
hacia la muestra, con la ayuda del osciloscopio colocado en paralelo al resistor 10 kΩ
para medir los pulsos de corriente producidor por la muestra al ser expuestas a
destellos de luz por la lámpara y así estimar el tiempo de vida de los portadores de
carga. Se intentó exponer la muestra a la luz de un láser violeta ya que la energía de
este es mayor a cualquier laser de distinto color, este laser tenía una potencia de
100mW y con la ayuda de un chopper para cortar el haz luminoso y así emitir destellos
de luz a la muestra, desafortunadamente no se registró ninguna pulso de corriente en la
muestra producido por dichos destellos de luz lo que nos sorprendió ya que el láser
utilizado es altamente energético.
Resultados
Chart Title
350000
300000
250000
200000
150000
100000
50000
0
0 0.00002 0.00004 0.00006 0.00008 0.0001
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Figura 6. Señal promediada obtenida en el osciloscopio para la medición del tiempo de vida de
los portadores de carga.
Notamos que la señal parece decaer y después aumentar, esto se debe a que la
polaridad en la muestra estaba invertida en la parte del conector, donde la verdadera
forma de la señal es de forma invertida verticalmente. Notamos un tiempo de vida de los
portadores en un intervalo de 150 𝜇𝑆 200 𝜇
3. Conclusiones
Observamos las características de un semiconductor ante un conductor y un aislante
estudiando los niveles las energías necesarias para pasar de la banda de valencia a la
de conducción; observando que el semiconductor tiene características intermedias
entre un conductor y un aislante. Medimos el efecto que tiene un semiconductor ante el
efecto Joule donde observamos que al aumentar la temperatura en el semiconductor su
resistencia de este mismo disminuía de forma cada vez más lenta. Este descenso de
resistencia al aumentar la temperatura se debe al incremento en la energía de los
electrones por procesos térmicos donde algunos alcanzan la energía suficiente para
pasar de la banda de valencia a la de conducción y de esa manera un flujo mayor de
corriente con el mismo potencial y por ende un aumento en la resistencia.
Notamos que al hacer incidir luz en el semiconductor de igual manera hay un
incremento en la corriente, esto de igual manera ocurre por un incremento en la energía
de los electrones pero en este caso por el efecto fotoeléctrico y de esta manera una
mayor densidad de corriente en el semiconductor,
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5. Bibliografía.
-Gartenhaus, Solomon. Física 2 Electricidad y Magnetismo. Nueva Editorial
Interamericana. Primera Edición, 1981
-file:///F:/Curso%20Fisica%20II_%20octubre%202013.html
- https://es.wikipedia.org/wiki/Conductividad_el%C3%A9ctrica
- http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/Solids/band.html