Trabajo práctico: Simulador de Poisson

5.1)-

En este trabajo práctico diseñare una juntura entre un semiconductor tipo N y uno tipo P, es
decir, un diodo. El diseño se efectuara con el llamado “Simulador de Poisson”, en el cual podemos
armar junturas teniendo en cuenta distintos niveles de impurificación, de Eg, etc.

Los datos a utilizar son los siguientes:

El diodo a diseñar también tendrá que tener un voltaje de ruptura de 50 voltios y un

El valor de se calculó teniendo en cuenta la tabla de la página 23 del modulo XI del tomo dos. A
partir de dicha tabla, se realizó una interpolación con Excel permitiendo encontrar un valor
aproximado de .

Se utilizó una aproximación con una ley lineal entre los valores de 100 voltios y 10 voltios. Use en
el eje x los valores de voltaje de ruptura por comodidad, pero la variable independiente a la hora
de diseñar un diodo es la impurificación.

A partir de esta ley encontrada obtenemos el valor de para un voltaje de ruptura de 50v:
 Ya con todos estos datos se procede a utilizar el simulador:

Donde podremos visualizar las bandas de energía y la densidad de electrones y huecos.

5.2)-

El ancho de la zona de carga espacial W es la suma de los anchos de la zona de carga espacial en
las regiones N y P:

Cálculos:

√ ( )

√ ( )
m = 4,8327 nm

√ ( )

√ ( )
Dónde:

( ) ( ) ( ( ) )

( )

( )

( )

Comprobación con la simulación de buffalo:

Al tratarse de una juntura abrupta, es decir, podemos aproximar W a Xp. El ancho de la zona
de carga espacial W es la suma de Xp y Xn. Entonces en condiciones de equilibrio:
Cálculo capacidades de transición:

La aplicación de un voltaje externo modificara la zona de carga espacial y con esto las cargas fijas,
esta variación de carga por la un voltaje externo puede ser considerado un efecto capacitivo y lo
llamaremos Capacidad de transición. El cálculo de esta capacidad se puede aproximar al cálculo
de un capacitor de placas paralelas con la fórmula:

Siendo A el área a considerar y W el ancho de la zona de carga espacial que variara según el voltaje
aplicado.

Cálculos: (considerando permitividad eléctrica relativa del germanio igual a 15.7 y un área de 0.25
mm2 y las correspondientes variaciones de W).

El ancho de la zona de carga espacial y su variación con el voltaje aplicado V estará dada por:

( )
√ ( )

Aplicación de 0 voltios externos:

Aplicación de 0,15 voltios externos:

Aplicación de -50 voltios externos:

Cálculo capacidades de transición mediante la expresión de desplazamiento de cargas:

=q
 ( )
√ ( )

( )
√ ( )

Aplicación de 0 voltios externos:

Aplicación de 0.15 voltios externos:

( )

Aplicación de -50 voltios externos:

( )
5.3)-

Variación del W con la impurificación:

( )
√ ( )

Concentración original:

Aumento Na:
Vemos claramente como al aumentar la impurificación Na, el ancho W se hizo más pequeño. Se visualiza en los números
y no en el tamaño de la flecha.

Reduzco Na:

Vemos claramente como al reducir la impurificación Na, el ancho W se hizo más grande. Se visualiza en los números y no
en el tamaño de la flecha.

*En ambos casos posicione la flecha aproximadamente en los lugares donde el simulador de Poisson me daba
aproximadamente el valor de Na y Nd, suponiendo el ancho de la zona de deserción, como el espacio comprendido
entre las flechas. Adjunte imágenes del simulador de Buffalo para apreciar de una manera más certera esta variación.

5.4 y 5.5)-

El valor del campo eléctrico máximo se dará en el centro de la juntura, y estará dado por
esta expresión:

Entonces, para el voltaje de ruptura -50V, considerando que:

Tendremos un Emáx teórico de:

 Gráficamente tenemos que a -50V:

Tanto el valor teórico, como el que sacamos gráficamente, nos dicen que nuestro diodo rompe por efecto
avalancha.

5.7)-

La capacidad de transición puede aproximarse a la capacidad de un capacitor de placas paralelas,

mediante la siguiente fórmula:

Además, W varía con el voltaje aplicado V con la siguiente:

( )
√ ( )
Entonces, podríamos calcular la capacidad de transición en función del W de la siguiente manera:

( )
√ ( )

5.8)-

Concentración original de portadores: W = 165 nm ;

Aumento 10 veces su concentración: W = 52,46 nm;

Disminuyo 10 veces su concentración: W = 524 nm

5.9)-

Reutilizo los cálculos anteriores:

W = 165 nm

( ) ( ) ( ( ) )

( )

( )

( )

5.10)-

La relación :
5.11)-

Resistividad:

( )

Sea las resistividades de la zona n y p respectivamente. En la zona N se podrá despreciar el

aporte de los huecos y en la zona P el aporte de los electrones.

( ) ( )
( )

( ) ( )
( )

Los valores de las movilidades han sido obtenidos del modulo nueve.

Sea las resistencias de la zona n y p respectivamente:

( )

( )

6)- Las gráficas obtenidas las fui poniendo anteriormente.

7.1)-

En las diferentes polarizaciones vemos como el semiconductor pierde su estado de equilibrio y por lo tanto
dejara de ser constante el nivel de Fermi, tomando una curvatura en la zona de transición.

7.2)-

La capacidad de transición puede calcularse aproximadamente a la capacidad de un capacitor en placas

paralelas:
A la vez, sabemos que el ancho W varía según la impurificación y lo podemos ver a través de la siguiente
expresión:

( )
√ ( )

Combinando ambas podremos calcular la capacidad de transición con respecto a la impurificación :

( )
√ ( )

7.3)-

Si se cumple con bastante exactitud por el hecho de haber usado las expresiones teóricas, en el caso de
haber utilizado un método grafico para Xn y Xp habría encontrado un error mayor.