Camargo-López-Santamaría Band Gap de Semiconductores de Si y Ge-Experimento 5

DETERMINACIÓN DEL ANCHO DE BANDA DE ENERGÍA PROHIBIDA (BAND

GAP) Y DEL FACTOR DE IDEALIDAD EN SEMICONDUCTORES (SILICIO Y
GERMANIO)
Raúl Camargo, José López y Marciano Santamaría (mailto: msantamaria22@yahoo.es,
lopeztonito@hotmail.com, rcamargo@hotmail.com
Laboratorio de Ciencia de Materiales Pierre y Marie Curie, Facultad de Ciencia y
Tecnología
Universidad Tecnológica de Panamá
Panamá, República de Panamá, julio de 2004

RESUMEN de 1,99 X 10-19 J (1,24 eV), y para el

El objetivo de esta experiencia es
determinar el ancho de banda de Energía
Prohibida (Eg) de materiales
semiconductores (Diodos de Si y de Ge) a
partir de mediciones de Corriente y Voltaje
a diferentes Temperatura.
En el presente estudio se investigó
experimentalmente el ancho de banda de
energía prohibida (Band Gap o Eg) en
Semiconductores (diodos) de Silicio y
Germanio utilizando un método basado en
mediciones eléctricas (corriente y voltaje) a
diferentes temperatura. El valor de E g a T =
0 K (Eg(o)) , tanto para el Silicio como para
el Germanio, fue obtenido a través de dos
métodos a saber:
1. Haciendo el ajuste de las gráficas I vs V
para cada temperatura en todo el rango
de voltaje estudiado, utilizando el
Software Científico de análisis de datos
SigmaPlot versión 6.0.
2. Utilizando la aproximación eV>>kT,
sugerido por la guía suministrada.
Germanio, 1,33 x 10-19 J (0,83 eV). Para el
Silicio, =2,15 y para Germanio, =1,93.
MARCO TEÓRICO
Una característica notable de algunos
materiales es que tienen una alta resistividad
eléctrica y que al aumentar la temperatura la
misma decrece, a diferencia de lo que se
observa en los metales. Estos materiales son
llamados semiconductores y se pueden
estudiar sobre la base de la teoría de
bandas. Esta teoría describe a los
semiconductores como a un sólido cuyos
electrones se distribuyen en dos bandas de
energía separadas por una brecha o gap de
energía prohibida. La figura 1 ilustra este
comportamiento. Los electrones que se
encuentran en la banda de energía inferior
(llamada banda de valencia) participan en las
uniones atómicas. Los que se encuentran en
la banda superior (llamada banda de
conducción) son los que participan en el
transporte de corriente eléctrica.

Utilizando el primer método, el valor Banda Prohibida

de Eg(o) obtenido para el Silicio fue de 1,71
X 10-19 J (1,07 eV), y para el Germanio,
Aislador Semiconductor Metal
1,56 X 10-19 J (0,97 eV). El Factor de
Idealidad () obtenido para el Silicio fue de Figura 1: Ancho relativo de las bandas prohibidas
2,14 y para el Germanio, 4,37. de energía en los aisladores, semiconductores y conductores.
Utilizando la aproximación eV>>kT,
el valor de Eg(o) obtenido para el Silicio fue
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A la temperatura de cero absoluto (0 K), donde Eg(T) es un parámetro dependiente de

un material semiconductor se comporta la temperatura, llamado ancho de banda de
como un aislante; esto debido a que su banda energía prohibida del semiconductor y B es
de valencia está completamente llena y su una constante que depende de la densidad de
banda de conducción, completamente vacía. portadores n y p, y del camino libre medio.
Al incrementarse la temperatura, la Para cierto rango de valores de temperatura
conductividad de un semiconductor no es el parámetro Eg(T) puede aproximarse según
nula ya que al proporcionarse energía el siguiente comportamiento lineal:
térmica, algunos electrones de la banda de
valencia pueden pasar a la banda de E g (T )  E g (0)    T (3)
conducción, con la consecuente aparición de
vacantes en la banda de valencia (huecos).
donde Eg(0) corresponde al valor del ancho
Otra manera de aumentar la conductividad
de banda de energía prohibida a 0 K y  es
eléctrica de un semiconductor es mediante la
una constante positiva.
adición de impurezas en el material.
Dependiendo de qué tipo sea la impureza
DESCRIPCIÓN DEL EXPERIMENTO
pueden obtenerse semiconductores de tipo n
ó p. Para el primero se usa comúnmente
Indio o Aluminio (impurezas trivalente), y Equipo Requerido:
para el segundo, Arsénico (impureza
pentavalente). 1. Un Diodo de Silicio 1N4003 y
Los dispositivos semiconductores a base un Diodo de Germanio NTE109
de Silicio y Germanio, como diodos y 2. Dos Multímetros
transistores, son fabricados poniendo en 3. Una Fuente de Voltaje Variable
contacto dos semiconductores previamente 4. Un Termómetro
dopados con impurezas tipo p y n que 5. Una Resistencia de 100 
generan una zona de polaridad positiva y 6. Un Hot Plate
otra de polaridad negativa. 7. Aceite
La conducción de corriente en un diodo de 8. Erlenmeyer y tubo de ensayo
Si o Ge en función del voltaje directo 9. Nitrógeno Líquido
aplicado a la unión p-n, está descrito por la
siguiente ecuación:
qV 5
I  Io  e  k T
1  (1) V
2

donde q es la carga del electrón (1,6 X 10

-19
2 4
mA
C), V es el voltaje en voltios aplicado a la
3
unión,  es un factor de idealidad que
depende del tipo de unión, k es la constante 8
-5
de Boltzmann (8,617 X 10 eV/K=1,379 X
-23
10 J/K y T es la temperatura en grados
kelvin. El parámetro Io se llama corriente
7
inversa de saturación, la cual se afecta con
la temperatura de la unión y es 9
6
independiente del voltaje aplicado. El
comportamiento de Io con T viene descrito 1
por la ecuación: Figura 2. Diagrama esquemático del circuito
Eg (0) empleado en esta práctico, así como sus
 complementos.
3  k T
Io  B T  e (2)
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Se armó el circuito mostrado en la figura 2 y diferentes temperaturas, se confeccionaron

se obtuvo las curvas características, I vs V,
para cada diodo a temperaturas
correspondientes entre el Nitrógeno Líquido
(77 K = -196 ºC) y 523 K (=250 ºC).
Para ello, a una determinada temperatura, se
varió el voltaje aplicado (V) a los terminales
del diodo en un amplio rango de valores y se
midió la corriente (I) en el diodo para cada
uno de los voltajes aplicados.
Este procedimiento se realizó con el diodo
de Silicio para nueve (9) temperaturas
distintas, y para el diodo de Germanio en 10
temperaturas distintas.
las gráficas de corriente en función del
voltaje para los diodos de silicio (Figura 3) y
germanio (Figura 4), donde puede apreciarse
como se afecta la conducción de cada diodo
a medida que aumenta la temperatura, así
como la diferencia en el voltaje de umbral
(voltaje a partir del cual la corriente en el
diodo crece muy rápidamente) para cada uno
a una determinada temperatura.
Curvas Características de un Diodo de Silicio
a Diferentes Temperaturas
I vs V
250

T = - 2.0 °C

T= -98 ºC
T = - 48 ºC
T=20,5 ºC
T =200 °C

T=62 ºC
T = 102 °C

T=-193.6 °C
T=250 ºC
Para llevar a cabo el análisis de los

Corriente en el Diodo: I ( mA )
200
resultados comenzamos haciendo el ajuste,
para cada temperatura, de las gráficas I vs
150
V, en todo el rango de voltaje aplicado, para
cada uno de los diodos, utilizando el
programa SigmaPlot. Se comparó este 100

ajuste con la ecuación teórica del diodo

(ecuación 1) y se determinó la Corriente 50

Inversa de Saturación Io del diodo para cada

temperatura así como el Factor de Idealidad 0
0.00 0.20 0.40 0.60 0.80 1.00 1.20
 de cada diodo. Este análisis se hizo Voltaje en el Diodo: V (voltios)
también considerando únicamente la región
lineal de los gráficos lnI vs V (aproximación Figura 3. Gráficos característicos I vs V
para el diodo de Silicio a diferentes
eV>>kT). temperaturas. Los datos correspondientes
Los valores de Io (o su logaritmo) obtenidos aparecen en el Apéndice A.
con el ajuste y con la aproximación eV>>kT
se graficaron en función de la temperatura y Curvas Características del diodo de Germanio
I vs V
el gráfico obtenido se comparó con la 300
ecuación teórica obtenida al sustituir la
T = 105 ºC

T = -75 ºC
T = 31.5 ºC

T = -2,0 ºC
T = 200 ºC

T = -107 ºC

T = -193 ºC
T = 20,5 ºC
T = 150 ºC

T = 86 ºC

ecuación (3) en la ecuación (2): 250

Corriente en el Diodo: I ( mA )

E g ( 0) 200

ln I o  C  3 ln T  (4)
  k T 150

De donde podemos deducir el valor de Eg a 100

T=0 K (Eg(0)) ya que graficando lnIo (o se

50
representa Io en escala logarítmica) en
función de (kT)-1 podemos asociar este 0
valor a la pendiente de la recta que mejor se 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4

ajusta al gráfico. Voltaje en el Diodo: V ( voltios )

ANÁLISIS DE RESULTADOS Figura 4. Gráficos característicos I vs V

Luego de tabulados los resultados obtenidos para el diodo de Germanio a diferentes
temperaturas. Los datos correspondientes
de corriente y voltaje en cada diodo a
aparecen en el Apéndice B.
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Al hacer el ajuste de estas gráficas con el Io vs (  kT) -1

software de análisis de datos SigmaPlot, se 10 1
Io 10 0
obtuvo los siguientes resultados para Io y  Ecuación del ajuste:
para cada diodo. 10 -1
0,4343 * E g (0)
10 -2 log I o  log y o 
o
 kT
Tabla N 1. Resultados del ajuste de las gráficas 10 -3
I vs V para el diodo de silicio. Ecuación del ajuste: 10 -4
b X
y  yo  a  e 10 -5
10 -6

T (ºC) T (K) yo Io (mA) b (V-1)  10 -7

250 523 -1,069 8,89 X 10-1 10,2938 2,16 10 -8

200 473 0,559 1,90 X 10-1 11,9527 2,05 10 -9

102 375 -0,140 4,10 X 10-3 15,1799 2,04 10 -10

62 335 -0,242 2,35 X 10-3 14,3527 2,41 10 -11
20,5 293.5 0,181 2,45 X 10-5 19,4145 2,04 5.0e+19 1.0e+20 1.5e+20 2.0e+20 2.5e+20
-2,0 271 1,078 6,38 X 10-7 23,0941 1,85 ( kT) -1

-48 225 0,081 2,33 X 10-7 22,7789 2,26

-98 175 0,065 3,66 X 10-10 28,3367 2,34 Figura 5: Gráfico de Io vs 1/kT para el diodo
 2,15 de Silicio. El valor de la pendiente dado por el
ajuste es
 0 , 4343 * E g ( 0 )   7 , 4017 X 10  20 J ,
o
Tabla N 2. Resultados del ajuste de las gráficas de donde es posible obtener el valor de
 19
I vs V para el diodo de germanio. Ecuación del E g ( 0 )  1 , 71 X 10 J  1 , 07 eV
ajuste:
y  y o  a  e b X
T (ºC) T (K) yo Io (mA) b (V-1) 
200 473,0 -19,68 15,61 6,3590 3,86
Io vs (kT)-1
150 423,0 -8,75 5,03 8,0560 3,40 102
101 374,0 -6,27 2,04 8,9710 3,46 Ecuación del ajuste:
86 359,0 -7,65 3,06 7,3513 4,40 Io
0 , 4343 * E g ( 0 )
31.5 304,5 -3,60 2,86 x 10-1 11,1664 3,41 log I o  log y o 
 kT
20,5 293,5 -2,81 1,84 X 10-1 11,8431 3,34 101
-2,0 271,0 -6,29 5,37 X 10-1 8,8446 4,84
-75 198,0 -7,35 1,98 X 10-1 8,4456 6,94
-107 166,0 -1,10 6,48 x 10-3 12,3495 5,66

100
 3,47
Teniendo en cuenta la ecuación (4), se
confeccionaron las gráficas de Io en función 10-1
-1 3e+19 4e+19 5e+19 6e+19 7e+19
de (.k.T) , obteniendo a partir de la
-1
pendiente de la región lineal de los valores kT)
experimentales de Eg(0) tanto para el diodo
de Silicio como para el de Germanio. Los Figura 6: Gráfico de Io vs 1/kT para el diodo
de Germanio. El valor de la pendiente dado por
resultados pueden observarse en las figuras el ajuste es,
5 y 6 donde es evidente que se ha obtenido  0 , 4343 * E g ( 0 )   6 , 7481 X 10  20 J
mayor dispersión en los resultados para el de donde es posible obtener el valor de
 19
diodo de germanio que para el silicio, esto E g ( 0 )  1 , 55 X 10 J  0 , 97 eV
se debe posiblemente a que la ecuación
utilizada en el ajuste no es la más apropiada.
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El análisis llevado a cabo anteriormente se Los resultados del análisis los gráficos
realizó también haciendo el estudio de la anteriores por regresión lineal se presentan
región lineal de las gráficas lnI vs V (ó I vs V en las tablas 3 y 4.
en escala semilogarítmica) de cada uno de
los diodos (aproximación eV>>kT). El Tabla 3. Resultados obtenidos del análisis de las
gráficas lnI vs V para el diodo de Silicio.
comportamiento de estas gráficas están
presentadas a continuación en las figuras 7 y qV
8. Ecuación: l nI  l nI o 
 kT
Análisis de la Región Lineal de un Diodo de Silicio
a Diferentes Temperaturas
I vs V
T (ºC) T (K) ln Io Io (mA) q/kT 
6 -1
250,0 523,0 -0,3013 7,40 X 10 10,6640 2,08
ºC
-1
200,0 473,0 -1,4575 2,33 X 10 11,5801 2,12
Logaritmo Natural (I): Ln I

62
T=

102,0 375,0 -5,7134 3,30 X 10-3 15,5030 2,00

4
-4
62,0 335,0 -7,1030 8,23 X 10 15,8516 2,18
°C
20,5 293,5 -10,2890 3,40 X 10-5 18,9948 2,08
ºC

93.6
0
25

-6
-2,0 271,0 -12,2204 4,93 X 10 20,6023 2,08
T=-1
T=

2
-48,0 225,0 -15,0322 2,96 X 10-7 22,5041 2,29
C

-10
2°

-98,0 175,0 -21,0464 7,24 X 10 27,5887 2,40

°C

10

C
00

T=

98 º

PROMEDIO = 2,15
=2

0
T

ºC
T= -
ºC

- 48
0 °C
,5
20

T=

Tabla 4. Resultados obtenidos del análisis de las

- 2.
T=

T=

-2 gráficas I vs V para el diodo de Germanio.

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2

Voltaje: V (voltio) Ecuación: log I  log I  q * 0, 4343 V

o
 kT
Figura 7: Aproximación lineal de las
gráficas lnI vs V para el diodo de Silicio:
lnI = lnIo + (q/kT)*V T (ºC) T (K) log Io Io (mA) q/
Log(e)*q/kT 
200 473,0 0,5113 3,2456 3,3365 2.17
150 423,0 0,0742 0,8428 4,0329 1,97
Curvas Características del diodo de Germanio
I vs V 101 374,0 -0,7493 0,1781 4,4988 1,95
10 2
86 359,0 -1,1052 7,849 X 10-2 4,7011 1,85
ºC

C
0º
,5

20
31.5 304,5 -2,2241 5,9690 X 10-3 5,8561 1,88
20

T=
Corriente en el Diodo: I ( mA )

ºC
ºC

ºC

20,5 293,5 -2,4505 3,5441 X 10-3 6,0592 1,87

-7 5
86

,0

10 1
=

-2

T=
T

ºC -2,0 271,0 -3,1173 7,6331 X 10-4 6,2140 1,89

=

7 ºC

0
T

15
3 ºC

= ºC
-75 198,0 -5,8435 1,4338 X 10-6 7,4092 1,93
-1 0

T 1
10
-1 9

=
T=

10 0 T -107 166,0 -8,1017 7,9122 x 10-9 8,6391 1,87

T=
ºC

PROMEDIO = 1,93
.5
31
=
T

10 -1
De los datos presentados en las tablas
anteriores y tomando como referencia la
10 -2 ecuación (4), fueron confeccionadas las
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 -1
gráficas lnIo vs (.k.T) , en escala linal, para
Voltaje en el Diodo: V ( voltios ) -1
el diodo de Silicio e Io vs (.k.T) , en escala
Figura 8: Aproximación lineal de las semilog, para el diodo de Germanio, en todo
gráficas I vs V (escala semilog) para el diodo
el rango de temperatura estudiado . Los
de Germanio:
resultados se pueden observar en las figuras
logI = logIo + (0,4343*q/kT)*V
9 y 10.
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ln I o vs 1/  K B T figuras 11 y 12 muestran los resultados

10 obtenidos luego de depurar los datos de las
gráficas de las figuras 9 y 10 y considerar
únicamente la región lineal de las mismas
0
ln I o

-10

-20

Figura 11. Gráfico lnIo vs 1/kT para el

-30
diodo de Silicio. Del análisis del mismo se
observa el valor del Gap obtenido

-40
0 1e+20 2e+20 3e+20 4e+20 5e+20

1/  K B T ln Io vs 1/KBT
Figura 9. Comportamiento gráfico de lnIo 10
vs (1//kT) para el diodo de silicio
5
ln Io
Io vs (kT) -1
102 0
101
100
Io -5
10-1
10-2
10-3 -10
10-4
10-5
10-6 -15
10-7
10-8
10-9 -20
10-10 60x1018 80x1018 100x1018 120x1018 140x1018
10-11
10-12
1/KBT
10-13
0 1e+20 2e+20 3e+20 4e+20 5e+20

(kT) -1

Figura 10. Comportamiento gráfico de Io E g (0 )

lnI  l ny o 
vs (1//kT) para el diodo de Germanio
o
 kT
Puede observarse, de las gráficas anteriores,
que el comportamiento de Io (ó lnIo) vs
-1
(kT) se curva a baja temperatura para AJUSTE DE LA GRÁFICA
ambos diodos. De la ecuación (4) es
evidente que el termino 3lnT es el ln I o = ln y o + m/  kT
responsable de esta curvatura, por lo que
ln y o = 12,56
para determinar el Band Gap a T=0K
omitiremos este término en la ecuación (4) m = - E g(o) = -1,9869 X 10 -19
J = 1,24 eV
considerando únicamente los resultados
obtenidos a temperaturas más altas. La
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Figura 12. Gráfico Io vs 1/kT para el diodo Eg (0) {eV} 

de Germanio. Del análisis del mismo se MÉTODO DIODO
observa el valor del Gap obtenido EXPERIMENTAL ACEPTADO EXPERIMENTAL ACEPTADO

AJUSTE 1,07 2,14

-1
Io vs (kT) SILICIO 1,17 2(*)
eV>>kT 1,24 2,15
101

Io 10
0 AJUSTE 0,97 4,37
GERMANIO 0,75 1(*)
10-1 eV>>kT
0,83
1,93

10-2
(*) Millman, J., Halkias, C. C. Dispositivos y Circuitos Electrónicos
10-3

10-4
CONCLUSIONES
10-5 Los resultados obtenidos por los dos
10-6 métodos empleados en el análisis de los
datos experimentales arrojan valores del
10-7 Factor de Idealidad y del Band Gap, que,
10-8 aunque no concuerdan exactamente con los
valores aceptado, se encuentran en el mismo
10-9
orden de magnitud de los valores reportados
5.0e+19 1.0e+20 1.5e+20 2.0e+20 2.5e+20
para los Semiconductores estudiados.
(kT) -1
Los resultados demuestran que la
conducción tanto del diodo de silicio como
de germanio aumenta con el incremento de
log(e) * E g (0) la temperatura, para un mismo voltaje
logI o  logy o 
ηkT aplicado.

La corriente Inversa de Saturación, a una

determinada temperatura, es muy superior
para el Germanio que para el Silicio, esto
AJUSTE DE LA GRÁFICA
explica el comportamiento del voltaje de
log Io = log yo + m/kT umbral en estos dispositivos, alrededor de
0,2 V para Germanio y 0,6 V para el Silicio,
log yo = 5,02 a Temperatura Ambiente.

BIBLIOGRAFÍA
m = - 0,4343 * Eg(0) = -5,7935 X 10 -20 J
1.http://www.fisicarecreativa.com/informes/i
nfor_mod/bandgap2k1a.pdf
Eg(0)=1,3340 X 10-19 J = 0,83 eV
2.http://www.fisicarecreativa.com/informes/i
nfor_mod/semicon_gap.pdf
3. Kittel, C. Introducción a la Física del
CUADRO COMPARATIVO DE RESULTADOS
Estado Sólido. Ed. Reverté, S. A. 1975.
EXPERIMENTALES OBTENIDO Y VALORES
3. Millman, J., Halkias, C. C. Dispositivos y
ACEPTADOS
Circuitos Electrónicos. Ed. Pirámide, S.
A., 1982.
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APÉNDICE A

RESULTADOS CORRIENTE-VOLTAJE A DIFERENTES TEMPERATURAS

DIODO DE SILICIO

T = -193,6 o C T =-
= -98,0 o C T = -48,0 o C T = -2,0 oC T = 20,5 oC
V (V ) I (mA ) V (V ) I (mA ) V (V ) I (mA ) V (V ) I (mA ) V (V ) I (mA )

1.035 2.740 0.792 2.30 0 0.69 6 1.90 8 0.63 5 2.42 0 0.58 7 2.400

1.042 4.420 0.801 2.94 0 0.71 2 2.65 6 0.64 8 3.19 0 0.60 0 3.100
1.050 7.100 0.818 4.53 0 0.74 4 5.36 0 0.66 0 4.04 0 0.61 5 4.100
1.057 10.620 0.831 6.42 0 0.76 1 8.50 0 0.66 7 4.69 0 0.62 6 5.000

1.063 13.940 0.844 9.18 0 0.77 3 10 .2 4 0 0.67 5 5.52 0 0.64 1 6.600

1.069 19.360 0.859 13 .8 4 0 0.79 3 17 .6 3 0 0.67 8 5.91 0 0.65 1 7.900

1.075 24.910 0.866 16 .7 2 0 0.80 9 23 .0 4 0 0.69 5 8.34 0 0.65 8 9.100

1.081 32.150 0.874 21 .2 7 0 0.82 0 30 .6 5 0 0.70 7 10 .7 5 0 0.66 4 10.300

1.087 41.200 0.886 29 .2 3 0 0.84 1 49 .2 0 0 0.72 6 15 .5 5 0 0.67 1 11.500
1.093 52.000 0.893 36 .5 9 0 0.85 4 65 .1 0 0 0.75 1 24 .6 0 0 0.67 7 12.900
1.099 64.200 0.906 51 .4 0 0 0.86 4 81 .7 0 0 0.76 5 32 .3 0 0 0.68 2 14.300
1.104 75.700 0.918 69 .5 0 0 0.87 7 10 7.7 00 0.77 4 38 .9 0 0 0.69 2 17.300
1.111 93.700 0.930 96 .9 0 0 0.88 5 13 2.9 00 0.78 0 45 .0 0 0 0.70 0 20.200
1.117 114.200 0.935 119.4 00 0.89 2 15 9.4 00 0.79 0 55 .3 0 0 0.72 0 29.000

T = 6 2 ,0 oC T = 1 0 2 ,0 o C T = 2 0 0 ,0 o C T = 2 5 0 ,0 o C
V (V ) I (mA ) V (V ) I (mA ) V (V ) I (mA ) V (V ) I (mA )

0. 51 3 2. 83 0 0. 42 9 2. 46 0 0. 23 2 3. 39 0 0. 11 6 2. 09 0

0. 52 5 3. 46 0 0. 44 5 3. 19 0 0. 26 6 5. 10 0 0. 14 0 2. 90 0

0. 53 2 4. 05 0 0. 46 8 4. 66 0 0. 28 1 6. 08 0 0. 17 1 4. 24 0
0. 54 4 4. 96 0 0. 48 0 5. 60 0 0. 29 9 7. 48 0 0. 20 4 6. 22 0
0. 55 5 5. 93 0 0. 50 0 7. 66 0 0. 31 3 8. 79 0 0. 22 5 8. 00 0
0. 56 5 6. 91 0 0. 52 0 10 .6 9 0 0. 33 2 10 .9 0 0 0. 25 3 10 .8 4 0

0. 57 5 8. 35 0 0. 54 0 14 .6 5 0 0. 35 0 13 .4 6 0 0. 27 1 13 .2 5 0

0. 58 4 9. 59 0 0. 56 7 22 .3 0 0 0. 36 6 16 .0 8 0 0. 29 3 16 .7 6 0

0. 59 3 11 .1 7 0 0. 58 3 28 .1 0 0 0. 38 0 18 .8 7 0 0. 30 6 19 .5 0 0
0. 61 1 14 .7 4 0 0. 60 1 37 .1 0 0 0. 40 0 23 .8 1 0 0. 32 1 23 .0 0 0
0. 62 4 18 .3 3 0 0. 61 5 46 .0 0 0 0. 42 2 30 .9 2 0 0. 34 5 29 .5 2 0
0. 63 4 21 .4 0 0 0. 62 6 54 .5 0 0 0. 44 5 39 .9 0 0 0. 37 2 39 .5 1 0

0. 64 2 24 .1 0 0 0. 64 0 67 .4 0 0 0. 46 8 52 .0 0 0 0. 39 1 48 .1 0 0
0. 65 8 31 .0 0 0 0. 65 1 79 .5 0 0 0. 23 2 3. 39 0 0. 40 4 55 .4 0 0
Camargo-López-Santamaría Band Gap de Semiconductores de Si y Ge-Experimento 5

APÉNDICE B

RESULTADOS CORRIENTE-VOLTAJE A DIFERENTES TEMPERATURAS

DIODO DE GERMANIO
T = -193,0 oC T =-
=-107,0 oC T = -75,0 o C T = -2,0 oC T = 20,5 oC
V (V) I (mA) V (V) I (mA) V (V) I (mA) V (V) I (mA) V (V) I (mA)

0.664 2.170 0.522 1.900 0.473 2.460 0.342 1.960 0.284 1.530

0.682 3.320 0.545 3.300 0.480 2.900 0.361 2.980 0.308 2.560
0.701 5.110 0.563 4.940 0.501 4.610 0.380 4.430 0.329 3.950
0.720 7.320 0.580 6.980 0.521 6.600 0.400 6.610 0.344 5.280
0.740 10.150 0.605 10.600 0.541 9.270 0.420 9.650 0.361 7.350
0.760 13.300 0.620 13.620 0.562 12.450 0.430 11.610 0.381 10.650

0.781 17.160 0.639 17.850 0.579 15.690 0.450 16.330 0.400 14.770

0.800 22.100 0.662 23.800 0.601 22.600 0.460 19.340 0.420 22.100
0.820 24.600 0.680 29.600 0.619 28.500 0.480 25.700 0.443 29.400
0.841 29.400 0.700 37.300 0.640 36.000 0.500 34.900 0.480 51.000
0.861 34.300 0.720 47.300 0.660 44.600 0.520 45.200 0.520 86.000
0.882 39.300 0.740 59.800 0.680 54.900 0.540 58.800 0.530 97.500

0.901 44.600 0.760 74.900 0.700 66.900 0.570 81.300 0.540 109.800
0.921 49.100 0.780 93.000 0.720 81.600 0.590 98.500 0.550 122.400

T = 31,0 oC T = 86,0 oC T = 101,0o C T = 150,0 oC T = 200,0 oC

V (V) I (mA) V (V) I (mA) V (V) I (mA) V (V) I (mA) V (V) I (mA)
0.285 2.150 0.170 1.610 0.152 2.060 0.081 2.220 0.030 1.930

0.321 4.400 0.200 2.830 0.160 2.370 0.102 3.380 0.043 2.970

0.341 6.330 0.220 3.980 0.184 3.550 0.121 4.660 0.060 4.480
0.361 9.170 0.240 5.620 0.200 4.610 0.140 6.350 0.081 6.830

0.381 12.910 0.282 10.910 0.220 6.410 0.160 8.650 0.100 9.450
0.400 17.740 0.302 14.810 0.241 8.860 0.180 11.370 0.121 12.850

0.420 24.500 0.340 24.200 0.263 12.170 0.200 14.310 0.140 16.430

0.440 32.700 0.360 30.700 0.281 15.850 0.220 18.870 0.160 22.800
0.460 42.900 0.380 38.700 0.300 22.100 0.240 23.900 0.180 26.400
0.480 56.600 0.400 49.000 0.320 26.300 0.261 30.400 0.190 29.700
0.490 65.200 0.420 59.600 0.340 34.000 0.280 37.700 0.200 32.900
0.500 74.600 0.440 72.900 0.360 43.600 0.300 46.400 0.220 40.800
0.520 95.400 0.460 86.300 0.380 54.500 0.320 57.500 0.240 50.200
0.530 108.700 0.480 102.100 0.400 68.300 0.360 84.600 0.260 60.300