Sie sind auf Seite 1von 16

Technische Universität Berlin

Institut für Hochfrequenz- und Halbleiter-Systemtechnologien


Fachgebiet Halbleiterbauelemente

Praktikum Halbleiterbauelemente
WS 2017/18

Versuchsprotokoll

Versuch 02
Die Diodenkennlinie

Alfredo Chavez - 385212 Said Al Attrach - 379063

29. November 2017


Alfredo Chavez, Said Al Attrach Protokoll Versuch 01

Inhaltsverzeichnis

1. Einleitung 3

2. Theorie 3
2.1. Die Diode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
2.2. Schockley-Bedingungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.3. Weitere Annahmen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
2.4. Ideale Kennlinie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
2.5. Schaltzeichnen und Ersatzschaltbild . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2.6. Temperaturabhängigkeit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

3. Versuchsvorbereitung 7

4. Versuchsdurchführung 8

5. Versuchsergebnisse und Auswertung 9


5.1. Berechnung des Sperrstromes und Diodenfaktors . . . . . . . . . . . . . . . 11

6. Zusammenfassung 13

Anhang A. Verwendeter Python Code 15

2
Alfredo Chavez, Said Al Attrach Protokoll Versuch 01

1. Einleitung

Wenn man das Wort Diode im Alltag hört, denkt man wahrscheinlich an LEDs, die die Be-
leuchtungsindustrie verändert haben. Aber was genau steckt hinter dieser Geräte? Eines der
wichtigsten und einfachsten Halbleiterbauelemente. Sein Studium dient zum besseren Ver-
ständnis des pn-Übergangs, da ein solcher Übergang die Funktionalität der Diode überhaupt
ermöglicht.
Genauso wie bei normalen (meistens linearen) Bauelementen, können auch Halblei-
terbauelemente durch ihre Kennlinie beschrieben werden. Um das komplexe Verhalten der
Diode vereinfacht zu beschreiben, werden in der Regel drei Vereinfachungen verwendet: die
sogenannten Schockley-Bedingungen. Die aus diesen Bedingungen theoretisch hergeleitete
Kennlinie entspricht aber nicht ganz der Wirklichkeit. Um die Abweichungen genau zu un-
tersuchen, wurde in diesem Versuch die reale Kennlinie der Diode, in Abhängigkeit von der
Temperatur, messtechnisch ermittelt.

2. Theorie

2.1. Die Diode

Die Diode ist ein Halbleiterbauelement, dessen Haupteigenschaft ist, dass es in eine Richtung
leitet und in die andere sperrt. Genauer beduetet das, wenn eine positive Spannung über der
Diode anliegt, dann leitet sie. Bei einer negativen Spannung sperrt sie. Eine positive Spannung
liegt an, wenn das Potentialgefälle von der Anode (p-Gebiet) zur Kathode (n-Gebiet) zeigt.
Eine Diode besteht also aus zwei verschieden dotierten, aneinanderliegenden Gebieten.
Zwischen den Gebieten bildet sich eine sogenannte Raumladungszone (RLZ). Das ist ein
Bereich, in dem fast ausschließlich ortsfeste Ladungsträger (Donatoren bzw. Akzeptoren) zu
finden sind. Die Entstehung der RLZ wird im Folgenden erklärt.
Im n-dotierten Gebiet gibt es eine höhere Konzentration von Elektronen als im p-
dotierten Gebiet. Im p-dotierten Gebiet gibt es hingegen eine höhere Konzentration von
Löchern als im n-dotierten Gebiet. Es resultiert aus diesem Konzentrationsgefälle ein Fluss
von Elektronen vom n-Gebiet ins p-Gebiet und ein Fluss von Löchern vom p-Gebiet ins
n-Gebiet. Diesen Fluss nennt man Diffusionsstrom. Die diffundierenden Ladungsträger hin-
terlassen ortsfeste Ionen. Der Bereich, in dem sich diese Atomrümpfe befinden, ist die RLZ.

3
Alfredo Chavez, Said Al Attrach Protokoll Versuch 01

Es stellt sich die Frage: wann hört dieser Fluss der freien Ladungsträger auf? Die orts-
festen Ionen in der wachsenden RLZ sind auf gegenüberliegenden Seiten der RLZ verschieden
geladen. Auf der Seite der RLZ näher zum n-Gebiet sind die Atomrümpfe postiv geladen,
auf der anderen Seite ist ihre Ladung negativ. Es ensteht also mit wachsender RLZ eine grö-
ßere Spannung, die als Diffusionsspannung bekannt ist, vom n- ins p-Gebiet gerichtet. Der
Name ist etwas irreführend, da sie nicht die Ursache des Diffusionsstroms ist. Die Diffusionss-
pannung treibt hingegen einen Feldstrom an, welcher vom n-Gebiet ins p-Gebiet zeigt. Der
Feldstrom verringert also den Diffusionsstrom und es kommt irgendwann zu einem Gleich-
gewicht. Es fließen dann keine freien Ladungsträger mehr und die RLZ erreicht eine feste
Breite.
Nun kommen wir zur wichtigsten Eigenschaft der Diode. Wir betrachten zunächst was
passiert wenn eine positive äußere Spannung angelegt wird.
Eine positive Spannung wirkt entgegen der Diffusionsspannung. Sie verringert somit
den Feldstrom (und erhöht den Diffusionsstrom). Die RLZ wird dadurch schmaler und das
Konzentrationsgefälle steiler. Es fließen Majoritätsladungsträger auf die andere Seite der RLZ
(wo sie nun Minoritätsladungsträger sind) und rekombinieren mit den sich da befindenden
Majoritätsladungsträger. Es gehen also Majoritätsladungsträger verloren, die aber von der
externen Spannungsquelle nachgeliefert werden.
Bei einer negativen äußeren Spannung passiert das Gegenteil. Die äußere Spannung
wirkt in Richtung der Diffusionsspannung und erhöht den Feldstrom. Die RLZ wird somit
bereiter und das Konzentrationsgefälle flacher. Es fließt ein geringerer Diffusionsstrom und
die Diode sperrt. In Wirklichkeit fließt ein sehr kleiner Sperrsättigungsstrom, da es statistisch
einige Minoritätsladungsträger trotz der großen Diffusionsspannung schaffen, die RLZ zu
überwinden und in die externe Schaltung zu gelangen.

2.2. Schockley-Bedingungen

Die Schockley-Bedingung sind drei Bedingung, die bei der Beschreibung von idealen Dioden
angenommen werden.

• Keine Rekombination in der RLZ Es wird angenommen, dass die Diffusionslänge 1


der freien Ladungsträger viel größer ist als die Breite der RLZ. Es kann dann keine Re-
kombination in der RLZ stattfinden, da die Ladungsträger die RLZ überwinden würden,
1
Die Diffusionslänge ist die Distanz, die ein Ladungsträger zurücklegt, bevor er mit dem entsprechenden
Ladungsträger rekombiniert.

4
Alfredo Chavez, Said Al Attrach Protokoll Versuch 01

bevor sie rekombinieren.


• Schwache Injektion Es werden viel weniger Ladungsträger injiziert als es Majoritäts-
ladungsträger gibt. Das beduetet, dass man annehemen kann, dass die Majoritätsla-
dungsträger genauso groß ist wie die Dotierungsstoffkonzentration.
• Kein Spannungsabfall über den Bahngebieten 2 Die gesamte äußere Spannung
fällt über der RLZ ab. Es gibt außerhalb der RLZ (in den Bahngebieten) keinen Span-
nungsabfall.

2.3. Weitere Annahmen

Es wird noch zusätzlich zu den Schockley-Bedingungen angenommen, dass der pn-Übergang


abrupt ist. Konkreter heißt das, dass es eine konstante Konzentration von Akzeptoren bis zur
RLZ und eine konstante Konzentration von Donatoren nach der RLZ gibt. Weiterhin soll die
Annahme gelten, das sich keine freien Ladungsträger in der RLZ befinden, wenn keine äußere
Spannung anliegt.

2.4. Ideale Kennlinie

Die ideale Kennlinie der Diode kann aus den Schockley-Bedingungen und den oben gennann-
ten Annahmen hergeleitet werden.

   
eU
I(U ) = I0 · exp −1 (1)
kT

T ist die Temperatur, k die Boltzmann-Konstante und e die Elementarladung.


Einige interessante Anmerkungen zu Gleichung (1):
• Bei U = 0 ist I = A. Die Kennlinie verläuft durch den Ursprung.
• Es gilt lim I = −I0 . Wenn die Spannung sehr negativ wird, fließt der sehr kleine
U →−∞
Sperrsättigungsstrom. In Wirklichkeit gibt es eine Spannung UBR , bei der es zu einer
thermischen Zerstörung der Diode kommt. Nach einem Durchbruch verliert die Diode
ihre Funktionalität und wirkt wie ein Kurzschluss.

2
Die Bahngebiete sind die Gebiete außerhalb der RLZ.

5
Alfredo Chavez, Said Al Attrach Protokoll Versuch 01

Eine andere Variante der Diodengleichung 1 lautet


   
U
I(U ) = I0 · exp −1 , (2)
ηUT

wobei UT = kTe
und η der Diodenfaktor sind. Der Diodenfaktor ist eine technische Größe, die
aussagt wie ähnlich eine Diode der idealen Kennlinie ist. Der Diodenfaktor für die in diesem
Verusch verwendeten Dioden wurde rechnerisch aus den Messwerten ermittelt(s. Ab. 5).

2.5. Schaltzeichnen und Ersatzschaltbild

Anode

RB

UF U
Anode

Kathode Kathode

Abbildung 1: Schaltzeichen und Ersatzschaltbild

Abbildung 1 zeigt das Schaltzeichen der Diode (links) und ihr Ersatzschaltbild (rechts).
RB ist der Widerstand, der über den Bahngebieten abfällt. In dem idealisierten Schockley-
Modell ist dieser Widerstand Null, da in diesem Modell die gesamte äußere Spannung über
der RLZ abfällt (s. Ab. 2.2). Die Spannungsquelle stellt die Spannung über der RLZ dar
(die Diffusionsspannung). Wenn diese den Wert von UF überschreitet, wird der Schalter
geschlossen, ansonsten bleibt er offen.

6
Alfredo Chavez, Said Al Attrach Protokoll Versuch 01

2.6. Temperaturabhängigkeit

Der Strom ist bei einer Diode proportional zu T 3 . Bei höheren Temperaturen werden mehr
Ladungsträger generiert, was zu einem höheren Strom führt. Ein höhere Strom bedeutet
auch ein kleinerer Spannungsabfall. Graphisch gesehen wird der exponentieller Anstieg der
Diodenkennlinie steiler. Das wird genauer bei den Versuchsergebnissen gezeigt.

3. Versuchsvorbereitung

Als Vorbereitung auf den Versuch, wurde zunächst das Dattenblatt betrachtet. Auf dem
Datenblatt sind u.A. die im Theorieteil erwähnten Eigenschaften aufgelistet. Die Werte aus
dem Dattenblatt sind zusätzlich dazu wichtig, Schäden an der Diode durch z.B. einen zu
hohen Strom bzw. eine zu hohe Spannung zu vermeiden.
Das vorliegende Dattenblatt gehört einigen von Vishay Intertechnology hergestellten
Dioden. Die im Versuch verwendeten Dioden sind die 1N4001 und die 1N4003.

Abbildung 2: Beispiel Dattenblatt von 1N4001 und 1N4003 Dioden, von Vishay
Intertechnology

In Abb. 2 sind die folgenden wichtigen Werte zu erkennen:


Für die 1N4001 Diode:
• periodische Spitzensperrspannung URRM (Maximum repetitive peak reverse voltage) :
50V

7
Alfredo Chavez, Said Al Attrach Protokoll Versuch 01

• Effektivwert der Sperrspannung URM S (Maximum RMS voltage) : 35V


• maximale Sperrspannung UR,max (Maximum DC blocking voltage) : 35V
Für die 1N4003 Diode:
• periodische Spitzensperrspannung URRM (Maximum repetitive peak reverse voltage) :
200V
• Effektivwert der Sperrspannung URM S (Maximum RMS voltage) : 140V
• maximale Sperrspannung UR,max (Maximum DC blocking voltage) : 200V
Die drei erwähnten Werte beziehen sich auf die Sperrichtung, d.h. sie gelten für den
Fall, wenn die Diode sperrt. Die maximale Sperrspannung UR,max ist die Sperrspannung, bei
der höchstens ein Strom im µA Bereich fließt. Der Effektivwert der Sperrspannung URRM S
hat die gleiche Bedeutung wie die maximale Sperrspannung, mit dem Unterschied, dass er
für Wechselspannungen gilt. Er ist der maximale Effektivwert der Wechselspannung, bei dem
höchstens ein Strom im µA Bereich fließt. Die periodische Spitzensperrspannung URRM ist
gleich definiert, aber für periodische Rechteck-Pulse.
Eine zusätzliche Bemerkung: der maximale Sperrsättigungsstrom IR ist für beide Di-
oden als 5µA bei einer Temperatur von 25◦C und 50µA bei 125◦C.
Wie man sehen kann, sind die Grenzwerte für den Strom von anderen Eigenschaften
des Signals abhängig, wie die Periode und Form.

4. Versuchsdurchführung

Durch den Versuch wurde die Kennlinie beider Dioden messtechnisch in Abhängigkeit von
der Temperatur ermittelt.
Es wurden folgende Bauelemente und Geräte verwendet.
• steuerbare Gleichspannungsquelle HAMEG HM 8143
• Multimeter FLUKE 8846A
• Diode 1N4001 und 1N4003 auf Heizplatte
• PC mit der Software LabView 8.5
• 4 Leitungen mit Bananenstecker

8
Alfredo Chavez, Said Al Attrach Protokoll Versuch 01

Beide Dioden befanden sich auf einer Heizplatte, deren Temperatur geregelt werden
konnte. Es gab 2 unabhängige Variablen: die Gleichspannung UIn und die Temperatur T
der Heizplatte (Da wir einen Wert des Stromes für jeden Wert der Spannung haben, ist es
sinnvoll eine Gleichspannungsquelle zu verwenden). Die abhängige Variable war der Strom
IOut , der durch den in Reihe geschalteten Multimeter (FLUKE 8846A) gemessen wurde.
Die Software LabView 8.5 vereinfacht die Messungen. Dadurch konnte die Spannungs-
quelle (HAMEG HM 8143) unter Eingabe eines Anfangs- und Endewertes und eines Mess-
schritts automatisch gesteuert werden. Die folgenden Werten wurden ausgewählt:
• Anfangsspannung U start = 0V
• Endspannung U end = 1, 1V
• Messschritte U step = 0, 3V
Es wurden insgesamt 3 Messungen mit jeder Diode durchgeführt, jeweils mit einer
Temperatur von T1 = 30◦C, T2 = 60◦C und T3 = 90◦C.

5. Versuchsergebnisse und Auswertung

Die Messergebnisse wurden in LabView exportiert und anschließend als Graphen dargestellt. In
Abbildungen 3 und 4 sind die Kennlinien der beiden Dioden bei den jeweiligen Temperaturen
dargestellt. Man erkennt, dass die exponentielle Steigung bei höheren Temperaturen steiler
ist.

9
Alfredo Chavez, Said Al Attrach Protokoll Versuch 01

0.5 30
60
90
0.4

0.3
I (A)

0.2

0.1

0.0
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
U (V)

Abbildung 3: Messergebnisse Diode 1

1.6 30
60
1.4 90

1.2

1.0
I (A)

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
U (V)

Abbildung 4: Messergebnisse Diode 2

10
Alfredo Chavez, Said Al Attrach Protokoll Versuch 01

5.1. Berechnung des Sperrstromes und Diodenfaktors

Der Sperrstrom wurde in diesem Versuch nicht direkt gemessen, sondern im Nachhinein
numerisch berechnet. Dazu wurde der Bereich der Kennlinie genommen, der der idealisierten
Schockley-Kennlinie entspricht. Dies wurde mithilfe von numpy erreicht, indem im Bereich
zwischen 0.7Vund 0.8Vnach einer nahezu konstanten Steigung m gesucht wurde. Dann wurde
eine Gerade mit der gleichen Steigung angelegt und ihr Schnitt mit der logarithmischen
Stromachse berechnet. Details zur numerischen Berechnung sind im Anhang A zu finden.
Die Gültigkeit dieses Verfahrens berührt auf folgendem Zusammenhang. Aus der Glei-
chung 2 folgt:
   
U
I(U ) = I0 · exp −1 (2)
ηUT

 
Für eine große Spannung (größer als 50mV, ist exp ηUUT >> 1 . Deswegen kann der
Faktor −1 vernachlässigt werden. Nimmt man jetzt den Logarithmus von beiden Seiten, so
erhält man
 
U
ln(I) = ln(I0 ) + (3)
ηUT

wobei UT = kT
e
. Die resultierende Gleichung ist eine Gerade mit der Form y(x) = b + mu,
wobei

b = ln(I0 ) (4)
1
m = kT (5)
η e

m ist also die oben erwähnte Steigung und b der Schnitt mit der logarithmischen Stromachse.
Der Diodenfaktor lässt sich einfach mithilfe des Wertes von m berechnen. Aus 5 folgt:

e
η= (6)
mkT

In der Realität stimmen die Schockley Bedingungen nicht ganz. Deswegen passt die
agelegte Gerade nur zu einem Bestimmten Bereich des dargestellten Graph, und zwar zwi-
schen 0.6V und 0.7V. Um den Wert des Sperrstromes zu bestimmen, liest man aus dem
Graphen den Schnittpunkt zwischen der logarithmischen Stromachse und der angelegten Ge-

11
Alfredo Chavez, Said Al Attrach Protokoll Versuch 01

raden ab. Das kann man deutlich in Abb. 5 sehen. Hier wird die graphische Berechnung
des Sperrsättigungsstromes für Diode 1 bei 30◦C gezeigt. Man erkennt auch den irregulären
Verlauf der Kurve bei Spannungen unter 5V. Ursache dafür könnte z.B. Rauschen sein, da
ein nur sehr kleiner Strom durch die Diode in diesem Spannungsbereich fließt. Somit wird
klar warum nicht versucht wurde, den sehr kleinen Sperrsättigungsstrom direkt zu messen,
nämlich weil das Rauschen es unmöglich macht.

101

10−1
|I| (A)

10−3

10−5

10−7
reale Kennlinie
angelegte Gerade
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
U (V)

Abbildung 5: Diodenkennlinie für die Diode D1 in logarithmischer Form, und die entspre-
chender angelegten Gerade

Das gleiche Verfahren wurde auf die restlichen 5 Kennlinien angewandt. Die Ergebnisse
sind in der Tabelle 1 zu sehen.

T in K |I0D1 | in µA |I0D2 | µA ηD1 ηD2


303.15 0.007 0.005 1.85 1.80
333.15 0.268 0.028 2.07 1.73
363.15 3.906 0.338 2.30 1.82

Tabelle 1: Mithilfe der Software numpy numerisch berechnete Werte des Sperrstromes und
Diodenfaktors

12
Alfredo Chavez, Said Al Attrach Protokoll Versuch 01

Wie man erwarten würde, sind die Sperrströme sehr klein (Im Microampere Bereich).
Die Diodenfaktoren sind auch relativ klein. Die sagen aus wie entfernt die Kennlinie von der
idealen Schockley - Kennlinie sind (dies gilt natürlich nur im Bereich wo die angelegte Gerade
mit der Kennlinie übereinander stimmt).

6. Zusammenfassung

In diesem Versuch wurden Dioden untersucht, und zwar ihre Kennlinie und Abhängigkeit von
der Temperatur. Man konnte sehen wie manche Modelle, die einem das Verständnis eines
komplexen Phänomens vereinfachen, der Realität nicht ganz entsprechen. Das Ersatzschalt-
bild erlaubt einem Dioden zu verwenden, aber es sagt nicht vieles über den inneren Prozess in
der Diode aus. Mit den Schockley-Bedingungen lässt sich eine ideale Kennlinie zwar darstel-
len, aber da die Bedingungen nicht immer stimmen, ist die reale Kennlinie der idealisierten nur
in einem bestimmten Bereich ähnlich. Nichtdestotrotz kann man mithilfe dieser vereinfachten
Modelle das Verhalten von Dioden relativ gut erklären, und sogar Vorhersagen treffen, mit
einem Raum für Fehler, die durch die verwendeten Messgeräte entstehen.

13
Alfredo Chavez, Said Al Attrach Protokoll Versuch 01

Literatur

[Anleitung] Borsche, Theodor; Fischer, Rene; Gallrapp, Christian, Sadowski, Michael; an-
deren: Laborskript Halbleitebauelemente Praktikum: Die Diodenkennlinie
Berlin: TU Berlin Fakultät IV Elektrotechnik und Informatik Institut für
Hochfrequenz- und Halbleiter-Systemtechnologien Fachgebiet Halbleiterbau-
elemente, 2017
[Datenblatt] Vishay General Semiconductor: General Purpose Plastic Rectifier 1N4001 thru
1N4007
2017: http://www.vishay.com/docs/88503/1n4001.pdf
[Webseite] Honsberg, Christiana; Bowden, Stuart: PV Education: Ideality Factor
http://www.vishay.com/docs/88503/1n4001.pdf

14
Alfredo Chavez, Said Al Attrach Protokoll Versuch 01

Anhang A Verwendeter Python Code

Listing 1: Python Code zur numerischen Bestimmung des Sperrstrommes und Diodenfaktors
1 import numpy as np
2 from matplotlib import pyplot as plt
3 from scipy . constants import k , e
4
5 # Custom module for loading the data
6 import data
7
8 # Some current values are slightly negative and cause
9 # errors that don ’t ␣ change ␣ the ␣ result
10 np . seterr ( " ignore " )
11
12 def diodenfaktor (t , m ) :
13 ut = k * t / e
14 return 1 / ( m * ut )
15
16 def p l o t _ r e v e r se _ c u r r e n t (T , in_file , out_file ) :
17 # Read and prepare data
18 u , i = data . read ( in_file )
19 u = np . array ( u )
20 i = np . absolute ( np . array ( i ) )
21
22 # Schockley part between 0.7 V and 0.8 V
23 u_schock = []
24 i_schock = []
25 for j in range (0 , len ( u ) ) :
26 if u [ j ] >= 0.6 and u [ j ] <= 0.7:
27 u_schock . append ( u [ j ])
28 i_schock . append ( i [ j ])
29
30 # Compute the slope at the last data point of the Schockley
part
31 index = np . diff ( np . diff ( np . log ( np . abs ( i_schock ) ) ) ) . argmin ()
32 m = np . diff ( np . log ( i_schock ) ) [ index ] / np . diff ( u_schock ) [ index ]
33 u_x = np . linspace (0 , u [ -1])
34 i_x = m * ( u_x - u_schock [ index ]) + np . log ( i_schock ) [ index ]
35
36 # Sperrstrom
37 print ( " % s : ␣ % s ␣ uA " % ( in_file , np . exp ( i_x [0]) * 1 e6 ) )
38

15
Alfredo Chavez, Said Al Attrach Protokoll Versuch 01

39 # Sperrstrom
40 print ( " Sperrstrom : ␣ % s ␣ uA " % ( np . exp ( i_x [0]) * 1 e6 ) )
41 print ( " Diodenfaktor : ␣ % s ␣ @ ␣ T ␣ = ␣ % s ␣ K " % ( diodenfaktor (T , m ) , T ) )
42
43 # Plot the data points along with
44 plt . semilogy (u , ( np . abs ( i ) ) , label = " reale ␣ Kennlinie " )
45 plt . plot ( u_x , np . exp ( i_x ) , ’ -- ’ , label = " angelegte ␣ Gerade " )
46 plt . xlabel ( " U ␣ ( V ) " )
47 plt . ylabel ( " | I | ␣ ( A ) " )
48 plt . grid ()
49 plt . legend ( loc = ’ lower ␣ right ’)
50 plt . savefig ( out_file )

16