Por Julio C.

Salazar
Coeficiente de temperatura.
f = k( fn XC)
En donde
f = cambio de frecuencia (hertz)
k = coeficiente de temperatura (Hz/MHz/°C)
fn = frecuencia natural del cristal (megahertz)
C = cambio de temperatura (grados Celsius

fo = fn + f
Donde
fo es la frecuencia de operación

𝐶
𝐶𝑑 =
√1 + 2|𝑉𝑟 |
Donde
C = capacitancia del diodo (farads) con 0 V de polarización inversa
|Vr| = magnitud del voltaje de polarización inversa del diodo (volts)
Cd = capacitancia (en farads) del diodo con polarización inversa

1 1
𝑓1 = 𝑓2 =
𝑅1 𝐶 𝑅2 𝐶
Donde
R1 = resistor conectado con la terminal 7
R2 = resistor conectado con la terminal 8

1 𝑅 (1 − 𝑉𝐶 )
𝑓= [1 + ∙ ] 𝐻𝑧
𝑅𝐶 𝑅𝐶 3

La ganancia K, de conversión de voltaje a frecuencia, se determina con

∆𝑓 −0.32
𝐾= = 𝐻𝑧/𝑉
∆𝑉𝐶 𝑅𝐶 𝐶

∆𝑓
𝐾0 =
∆𝑉
En la que
Ko = función de transferencia de entrada-salida (hertz por volt)
V = cambio de voltaje de control en la entrada (volts)
f = cambio en la frecuencia de salida (hertz)
Error de fase es
𝜃𝑒 = 𝜃𝑖 − 𝜃𝑜
En donde
 e = error de fase (radianes)
 o = fase del voltaje de señal de salida del VCO (radianes)
 i = fase del voltaje de señal externa de entrada (radianes)
𝑉𝑑 2𝑉𝑖
𝐾𝑑 = =
𝜃𝑒 𝜋
Siendo
Kd = función de transferencia o ganancia (volts por radián)
1
Por Julio C. Salazar
Vd = voltaje de salida del comparador de fases (volts)
e = error de fase ( i   o) (radianes)
 = 3.14 radianes
vi = voltaje máximo de la señal de entrada (volts)

𝑉𝑑
𝐾𝑑 = 𝑣𝑜𝑙𝑡𝑠 𝑝𝑜𝑟 𝑟𝑎𝑑𝑖á𝑛
𝜃𝑒
Donde
Kd = función de transferencia o ganancia (volts por radián)
e = error de fase (i  o) ( radianes)
Vd = voltaje de salida del comparador de fases (volts)

𝑉𝑑 = 𝐾𝑑 𝜃𝑒

La ecuación matemática que describe la salida del comparador de fases es (si sólo se considera la frecuencia
fundamental en Vo y si se excluye la diferencia de fase de 90°)

𝑉𝑑 = [𝑉𝑠𝑒𝑛(2𝜋𝑓𝑜 𝑡 + 𝜃𝑜 ) ∗ 𝑉𝑠𝑒𝑛(2𝜋𝑓𝑖 𝑡 + 𝜃𝑖 )]

𝑉 𝑉
𝑉𝑑 = 𝑐𝑜𝑠(2𝜋𝑓𝑜 𝑡 + 𝜃𝑜 − 2𝜋𝑓𝑖 𝑡 − 𝜃𝑖 ) − 𝑐𝑜𝑠(2𝜋𝑓𝑜 𝑡 + 𝜃0 + 2𝜋𝑓𝑖 𝑡 − 𝜃𝑖 )
2 2
Donde
Vd = voltaje de salida del detector de fase (volts)
V = VoVi (volts máximos)

Cuando fo = fi,
𝑉 𝑉
𝑐𝑜𝑠(𝜃𝑖 + 𝜃𝑜 ) = 𝑐𝑜𝑠𝜃𝑒
𝑉𝑑 =
2 2
En donde i + o = e (error de fase). El ángulo e es el error de fase que se requiere para cambiar la frecuencia de
salida del VCO de fn a fi, un cambio igual a f , que a veces se llama error estático de fase.

KL = KdKfKaKo
donde
KL = ganancia de lazo abierto del PLL (hertz por radián)
Kd = ganancia del comparador de fases (volts por radián)
Kf = ganancia del filtro pasabajas (volts por volt)
Ka = ganancia del amplificador (volts por volt)
Ko = ganancia del VCO (hertz por volt)

(𝑣𝑜𝑙𝑡)(𝑣𝑜𝑙𝑡)(𝑣𝑜𝑙𝑡)(ℎ𝑒𝑟𝑡𝑧) ℎ𝑒𝑟𝑡𝑧
𝐾𝐿 = =
(𝑟𝑎𝑑)(𝑣𝑜𝑙𝑡)(𝑣𝑜𝑙𝑡)(𝑣𝑜𝑙𝑡) 𝑟𝑎𝑑
𝑐𝑖𝑐𝑙𝑜𝑠/𝑠𝑒𝑔 𝑐𝑖𝑐𝑙𝑜𝑠 2𝜋 𝑟𝑎𝑑
𝐾𝑉 = = ∗ = 2𝜋 𝐾𝐿
𝑟𝑎𝑑 𝑟𝑎𝑑 − 𝑠𝑒𝑔 𝑐𝑖𝑐𝑙𝑜
Expresada en decibeles es
Kv(dB) = 20 log Kv

Vd = (e)(Kd) volts

Vsal = (Vd)(Kf)(Ka) volts

2
Por Julio C. Salazar

f = (Vsal)(Ko) hertz

±𝑉𝑑(𝑚á𝑥) = [𝜃𝑒(𝑚á𝑥) ](𝐾𝑑 )

Donde
 Vd(máx) = cambio máximo entre picos de voltaje de salida del comparador de fases
Kd = función de transferencia del comparador de fases

𝜋
±∆𝑓𝑚á𝑥 = ± ( 𝑟𝑎𝑑) (𝐾𝑑 )(𝐾𝑓 )(𝐾𝑎 )(𝐾𝑜 )
2
𝜋
±∆𝑓𝑚á𝑥 = ± ( 𝑟𝑎𝑑𝑠) 𝐾𝐿
2

Intervalo de enganche = 2fmáx = KL

En donde KL = (Kd)(Kf)(Ko)

2√∆𝑓𝑚á𝑥
𝐼𝑛𝑡𝑒𝑟𝑣𝑎𝑙𝑜 𝑑𝑒 𝑐𝑎𝑝𝑡𝑢𝑟𝑎 =
𝑅𝐶
0.6
𝑓𝑛 = 𝑓 (1 + )
𝑅𝑥
En donde
fn = frecuencia natural del VCO (hertz)
f = frecuencia de salida del VCO (hertz) con la terminal 10 en circuito abierto
Rx = resistencia externa (kilohms)

200 0.6
𝑓𝑛 = (1 + )
𝐶0 𝑅𝑥
En donde
Co = capacitancia externa de temporización (microfaradios)
Rx = resistencia externa (kilohms)
700 𝑟𝑎𝑑
𝐾0 = ( ) /𝑉
𝐶0 𝑅0 𝑠𝑒𝑔
Donde
Ko = ganancia de conversión del VCO (radianes por segundo por volt)
Co = capacitancia (microfaradios)
Ro = resistencia (kilohms)

Amplitud pico de las frecuencias laterales superior e inferior

1
𝐸𝑓𝑙𝑠 = 𝐸𝑓𝑙𝑖 = (𝑉𝑚á𝑥 − 𝑉𝑚𝑖𝑛 )
4
𝑚𝐸𝐶
𝐸𝑓𝑙𝑠 = 𝐸𝑓𝑙𝑖 =
2
En la que
Efls = amplitud máxima de la frecuencia de lado superior (volts)
Efli = amplitud máxima de la frecuencia de lado inferior (volts)
m = coeficiente de modulación (adimensional)
Ec = amplitud máxima del voltaje de la portadora no modulada (volts
3
Por Julio C. Salazar

Amplitud pico (máxima) de la portadora no modulada

1
𝐸𝐶 = (𝑉𝑚á𝑥 + 𝑉𝑚𝑖𝑛 )
2
En donde
Vmáx = Ec + Em
Vmín = Ec  Em
Cambio pico en la amplitud de la envolvente o forma de onda de salida
1
𝐸𝑚 = (𝑉𝑚á𝑥 − 𝑉𝑚𝑖𝑛 )
2
En la que
Em = cambio máximo de amplitud de la forma de onda de voltaje de salida (volts)

Coeficiente de modulación
𝑉𝑚á𝑥 − 𝑉𝑚í𝑛
𝑚=
𝑉𝑚á𝑥 + 𝑉𝑚í𝑛
𝐸𝑚
𝑚=
𝐸𝑐
En la que
m = coeficiente de modulación (adimensional)
Em = cambio máximo de amplitud de la forma de onda de voltaje de salida (volts)
Ec = amplitud máxima del voltaje de la portadora no modulada (volts

Amplitud señal modulada AM

Em =mEC

Amplitud máxima de portadora modulada

Vmáx = EC + Em

Amplitud mínima de portadora modulada

Vmín = EC  Em

Banda lateral inferior LSB

LSB = [fc  fm(máx)] a fc
Dónde:
fm = Frecuencia de la señal moduladora
fc = Frecuencia de la portadora
Banda lateral superior USB
USB = fc a [fc + fm(máx)]

Ancho de banda
B = 2fm(máx)

Frecuencia de lado superior

ffls = fc + fm

Frecuencia de lado inferior

ffli = fc  fm

4
Por Julio C. Salazar
Porcentaje M de modulación
𝐸𝑚
𝑀= ∗ 100
𝐸𝑐
𝑉𝑚á𝑥 − 𝑉𝑚𝑖𝑛
𝑀= ∗ 100
𝑉𝑚á𝑥 + 𝑉𝑚𝑖𝑛
Porcentaje de modulación llega a 100% cuando Em = Ec

Una portadora no modulada se puede describir matemáticamente como sigue

vc(t) = Ec sen(2fct)
vc(t) = forma de onda de voltaje de la portadora, variable en el tiempo
Ec = amplitud máxima de la portadora (volts)
fc = frecuencia de la portadora (hertz)

La amplitud instantánea de la onda modulada

vam(t) = [Ec + Em sen(2fmt)][sen(2fct)]
Donde
[Ec + Em sen(2fmt)] = amplitud de la onda modulada
Em = cambio máximo de amplitud de la envolvente (volts)
fm = frecuencia de la señal moduladora (hertz)

Si se sustituye Em por mEc,

vam(t) = [(Ec + mEc sen(2fmt)][sen(2fct)]

vam(t) = [1 + m sen(2fmt)][Ec sen(2fct)]

Donde
[1 + m sen(2fmt)] = voltaje constante + señal moduladora
[Ec sen(2fc t)] = voltaje de portadora no modulada

La ecuación de la onda modulada

𝑚𝐸𝑐 𝑚𝐸𝑐
𝑉𝑎𝑚 (𝑡) = 𝐸𝐶 𝑠𝑒𝑛(2𝜋𝑓𝑐 𝑡) − 𝑐𝑜𝑠[2𝜋(𝑓𝑐 + 𝑓𝑚 )𝑡] + 𝑐𝑜𝑠[2𝜋(𝑓𝑐 − 𝑓𝑚 )𝑡]
2 2
En donde
Ec sen(2fct) = señal portadora (volts)
(mEc/2)cos[2( fc + fm)t] = señal de la frecuencia de lado superior (volts)
+(mEc/2)cos[2( fc  fm)t] = señal de la frecuencia de lado inferior (volts)

Siempre que no se rebase el 100% de modulación la amplitud máxima de los máximos de una envolvente
de AM es:
V(máx) = 2Ec

V(mín) = 0 V

Potencia de la portadora (watts)

(0.707𝐸𝑐 )2 (𝐸𝑐 )2
𝑃𝑐 = =
𝑅 2𝑅

Pc = potencia de la portadora (watts)

Ec = voltaje máximo de la portadora (volts)
R = resistencia de la carga (ohms)
5
Por Julio C. Salazar
Las potencias en las bandas laterales superior e inferior
(𝑚𝐸𝑐 /2)2
𝑃𝑏𝑙𝑠 = 𝑃𝑏𝑙𝑖 =
2𝑅
𝑚2 𝐸𝑐2
𝑃𝑏𝑙𝑠 = 𝑃𝑏𝑙𝑖 = ( )
4 2𝑅
En donde
mEc/2 es el voltaje máximo de las frecuencias laterales superior e inferior
Pbls = potencia de la banda lateral superior (watts)
Pbli = potencia de la banda lateral inferior (watts)
𝑚2 𝑃𝑐
𝑃𝑏𝑙𝑠 =
4
La potencia total en una envolvente DSBFC de AM es
Pt = Pc + Pbls + Pbli
En donde
Pt = potencia total de una envolvente DSBFC de AM (watts) [La potencia total de la onda modulada]
Pc = potencia de la portadora (watts)
Pbls = potencia de la banda lateral superior (watts)
Pbli = potencia de la banda lateral inferior (watts)
𝑚2 𝑃𝑐
𝑃𝑡 = 𝑃𝑐 +
2
𝑚2
𝑃𝑡 = 𝑃𝑐 (1 + )
2
En donde
(𝑚2 Pc)/2 es la potencia total de las bandas laterales

La potencia total de las bandas laterales es:

𝑚2 𝑃𝑐
𝑃𝑡𝑏𝑙 =
2
Cálculos de corriente en AM
𝑃𝑡 𝐼𝑡2 𝑅 𝐼𝑡2 𝑚2
= 2 = 2 =1+
𝑃𝑐 𝐼𝑐 𝑅 𝐼𝑐 2
En donde
Pt = potencia total de transmisión (watts)
Pc = potencia de la portadora (watts)
It = corriente total de transmisión (amperes)
Ic = corriente de la portadora (amperes)
R = resistencia de la antena (ohms)
𝐼𝑡 𝑚2 𝑚2
= √1 + 𝐼𝑡 = 𝐼𝑐 √1 + 2
𝐼𝑐 2

Cuando varias frecuencias modulan en forma simultánea la amplitud de una portadora, el coeficiente
combinado de modulación es
𝑚𝑡 = √𝑚12 + 𝑚22 + 𝑚32 + 𝑚𝑛2
En la que
mt = coeficiente total de modulación
m1, m2, m3, y mn = coeficientes de modulación para las señales de entrada 1, 2, 3 y n

6
Por Julio C. Salazar
Con el efecto combinado de la modulación se pueden determinar las potencias totales de las bandas
laterales y de transmisión, como sigue
𝑃𝑐 𝑚𝑡2
𝑃𝑡𝑏𝑙𝑠 = 𝑃𝑡𝑏𝑙𝑖 =
2
𝑃𝑐 𝑚𝑡2
𝑃𝑡𝑏𝑙 =
2
𝑚𝑡2
𝑃𝑡 = 𝑃𝑐 (1 + )
2
En la que
Ptbls = potencia total de la banda lateral superior (watts)
Ptbli = potencia total de la banda lateral inferior (watts)
Ptbl = potencia total de las bandas laterales (watts)
Pt = potencia total transmitida (watts)

La ganancia de voltaje para un modulador por emisor se describe con la ecuación

Av = Aq[1 + m sen(2fmt)]
En la que
Av = ganancia de voltaje del amplificador con modulación (adimensional)
Aq = ganancia de voltaje del amplificador en reposo (sin modulación, adimensional

El sen(2fmt) va desde un valor máximo de +1 hasta uno mínimo de 1. Así, la ecuación anterior se reduce a
Av = Aq(1  m)

En 100% de modulación, m = 1 y la ecuación anterior se reduce a

Av(máx) = 2Aq

Av(mín) = 0

La frecuencia de oscilación de determina con

1
𝑓𝑐 = 𝐻𝑧
𝑅1 𝐶1

Coeficiente de modulación, Em y Ec
7
Por Julio C. Salazar
La ecuación de la frecuencia imagen (fim), para la inyección lateral superior, es
fim = flo + fFI

La RF deseada es igual a la frecuencia del oscilador local menos la FI

fim = fRF + 2fFI

Relación de rechazo de frecuencia imagen.

𝐼𝐹𝑅𝑅 = √(1 + 𝑄 2 𝑝2 )
En donde
p = (fim/fRF)  (fRF/fim).
IFRR(dB) = 10 log IFRR

La salida de un mezclador balanceado es el producto de las frecuencias de RF y del oscilador local, y se

expresa matemáticamente como sigue
𝑉𝑆𝑎𝑙 (𝑠𝑒𝑛2𝜋𝑓𝑅𝐹 𝑡)(𝑠𝑒𝑛2𝜋𝑓𝑙𝑜 𝑡)
Siendo
fRF = radiofrecuencia que llega (hertz)
flo = frecuencia del oscilador local (hertz)

Así, al aplicar la identidad trigonométrica del producto de dos senos, la salida de un mezclador es
1 1
𝑉𝑠𝑎𝑙 = 𝑐𝑜𝑠[2𝜋(𝑓𝑅𝐹 − 𝑓𝑙𝑜 )𝑡] − 𝑐𝑜𝑠[2𝜋(𝑓𝑅𝐹 + 𝑓𝑙𝑜 )𝑡]
2 2

La relación de esos dos anchos de banda se llama factor de forma, y se define con la siguiente ecuación
𝐵(−60 𝑑𝐵)
𝑆𝐹 =
𝐵(−3 𝑑𝐵)
En donde
SF = factor de forma (adimensional)
B(60 dB) = ancho de banda 60 dB abajo del nivel máximo de la señal
B(3 dB) = ancho de banda 3 dB abajo del nivel máximo de la señal

Mejoramiento del ancho de banda

𝐵𝑅𝐹
𝐵𝐼 =
𝐵𝐼𝐹
En donde
BI = mejoramiento del ancho de banda (adimensional)
BRF = ancho de banda de RF (hertz)
BIF = ancho de banda de FI (hertz)

8
Por Julio C. Salazar
Mejoramiento de la cifra de ruido y se expresa en dB como sigue
NFmejoramiento = 10 log BI

Pérdida de inserción
𝑃𝑠𝑎𝑙
𝐼𝐿(𝑑𝐵) = 10 log
𝑃𝑒𝑛𝑡

Temperatura de ruido y temperatura equivalente de ruido

𝑁
𝑇=
𝐾𝐵
En donde
T = temperatura ambiente (grados kelvin)
N = potencia del ruido (watts)
K = constante de Boltzmann (1.38 ∗ 10−23 J/K)
B = ancho de banda (hertz)

Te = T(F  1)
Siendo
Te = temperatura equivalente de ruido (grados kelvin)
T = temperatura ambiente (grados kelvin)
F = factor de ruido (adimensional)

Para inyección lateral superior:

flo = fRF + fFI

Para inyección lateral inferior:

flo = fRF  fFI
Donde
flo = frecuencia del oscilador local (hertz)
fRF = radiofrecuencia (hertz)
fFI = frecuencia intermedia (Hertz)

Frecuencia intermedia máxima

fFI(máx) = fFI + error de rastreo + fm(máx)

Frecuencia intermedia mínima

fFI(mín) = fFI + error de rastreo  fm(máx)

Ancho mínimo de banda de FI

Bmín = fFI(máx)  fFI(mín)